本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置和半導(dǎo)體裝置的制造方法。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體裝置的制造中，在多個半導(dǎo)體裝置一體地形成在單個半導(dǎo)體晶片上之后，沿著切割區(qū)域切斷半導(dǎo)體晶片，以便從單個半導(dǎo)體晶片上將多個半導(dǎo)體裝置分離成各個單片。通常，在切割區(qū)域中應(yīng)用對準(zhǔn)標(biāo)記和其他標(biāo)記。這種類型的標(biāo)記被配置為光學(xué)可讀的，并且被用于在單個半導(dǎo)體晶片上形成半導(dǎo)體元件的工序中。例如，對準(zhǔn)標(biāo)記是用作定位基準(zhǔn)的標(biāo)記，并且基于所讀取的對準(zhǔn)標(biāo)記的位置，將處理裝置(例如，曝光掩模)相對于半導(dǎo)體晶片進行定位。在公開號為2004-126414的日本專利申請中，描述了利用對準(zhǔn)標(biāo)記的半導(dǎo)體裝置的制造方法。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

在切割中，通常使用切割刀片。用切割刀片切斷半導(dǎo)體晶片可能會導(dǎo)致半導(dǎo)體晶片的切面(即，分離成個體片的半導(dǎo)體基板的外周表面)上有碎屑和裂紋。具體地，如果在切割區(qū)域中存在有標(biāo)記，則切割刀片與標(biāo)記接觸，使得標(biāo)記的切片可能會導(dǎo)致切割刀片阻塞。因此，在標(biāo)記附近的半導(dǎo)體基板上被施加了高應(yīng)力，則可能會引起在該位置處的半導(dǎo)體基板出現(xiàn)裂紋。下文中，這種半導(dǎo)體基板的裂紋被稱為由標(biāo)記引起的裂紋。由標(biāo)記引起的裂紋的發(fā)生很可能會導(dǎo)致標(biāo)記在隨后的工序中從半導(dǎo)體基板上掉落，并且掉落的標(biāo)記變成較大的異物，這可能會導(dǎo)致缺陷。

本發(fā)明提供了一種即使在切割中造成了由標(biāo)記引起的裂紋，也會防止標(biāo)記在隨后的工序中從半導(dǎo)體基板脫落的技術(shù)，從而防止由于標(biāo)記的掉落而產(chǎn)生較大的異物。

本發(fā)明的第一方案提供了一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。根據(jù)第一方案的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括：在半導(dǎo)體晶片的表面上形成標(biāo)記，所述標(biāo)記包括與所述半導(dǎo)體晶片的材料不同的材料，所述標(biāo)記的至少一部分布置在位于所述表面上的預(yù)定周邊區(qū)域的范圍內(nèi)，所述預(yù)定周邊區(qū)域位于待形成半導(dǎo)體元件的相應(yīng)的預(yù)定元件區(qū)域的周圍；在形成所述標(biāo)記之后，利用所述標(biāo)記在所述預(yù)定元件區(qū)域內(nèi)形成所述半導(dǎo)體元件；在形成所述半導(dǎo)體之后，形成跨越所述表面上的包括所述預(yù)定元件區(qū)域或所述預(yù)定周邊區(qū)域的范圍而延伸的膜從而用所述膜覆蓋所述標(biāo)記的至少一部分；以及在形成所述膜之后，沿著切割區(qū)域切斷所述半導(dǎo)體晶片，所述切割區(qū)域位于所述預(yù)定周邊區(qū)域的周圍。

在上述制造方法中，在切割之前，標(biāo)記覆蓋有保護膜或電極膜。因此，即使切割中導(dǎo)致由標(biāo)記引起的裂紋，該標(biāo)記也被保護膜保持，從而防止標(biāo)記從半導(dǎo)體基板上脫落。與構(gòu)造半導(dǎo)體基板的半導(dǎo)體材料相比，更難以對樹脂材料或金屬材料造成裂紋。因此，即使對半導(dǎo)體基板造成了由標(biāo)記引起的裂紋，也難以認為該裂紋會行進到保護膜或金屬膜，并且與保護膜或電極膜一起脫落。由此，即使切割中導(dǎo)致了由標(biāo)記引起的裂紋，也能夠防止每個標(biāo)記在隨后的工序中從半導(dǎo)體基板脫落而成為較大的異物。

在第一方案中，切斷半導(dǎo)體晶片可以包括規(guī)定基于標(biāo)記而布置半導(dǎo)體元件的位置。

在第一方案中，形成膜可以包括跨越從預(yù)定元件區(qū)域延伸到預(yù)定周邊區(qū)域的范圍而形成膜。

在第一方案中，膜可以包括由樹脂材料形成的保護膜和由金屬材料形成的電極膜中的至少一種。

在第一方案中，在形成膜時，可以至少形成保護膜。

在以上方案中，形成所述膜可以包括：跨越所述半導(dǎo)體晶片的表面上的從所述預(yù)定元件區(qū)域、所述預(yù)定周邊區(qū)域延伸經(jīng)過所述切割區(qū)域的范圍而形成所述樹脂材料的膜，所述樹脂材料的膜構(gòu)成所述保護膜；以及在形成所述樹脂材料的膜之后，移除所述樹脂材料的膜的位于所述切割區(qū)域的部分。

在第一方案中，樹脂材料可以是聚酰亞胺。

根據(jù)第一方案的制造方法可以包括，在形成所述標(biāo)記之前，確定所述半導(dǎo)體晶片中的所述預(yù)定元件區(qū)域、所述預(yù)定周邊區(qū)域和所述切割區(qū)域。

本發(fā)明的第二方案提供一種半導(dǎo)體裝置。根據(jù)第二方案的半導(dǎo)體裝置包括：半導(dǎo)體基板，其包括形成半導(dǎo)體元件的元件區(qū)域，以及位于所述元件區(qū)域周圍的周邊區(qū)域；標(biāo)記，其布置在位于所述半導(dǎo)體基板的表面上的所述周邊區(qū)域中的范圍內(nèi)，所述標(biāo)記包括與所述半導(dǎo)體基板的材料不同的材料；以及膜，其在所述表面上的包括所述周邊區(qū)域的范圍內(nèi)延伸，從而覆蓋所述標(biāo)記的至少一部分。

在根據(jù)第二方案的半導(dǎo)體裝置中，位于周邊區(qū)域中的每個標(biāo)記覆蓋有保護膜或電極膜。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，即使在切割時半導(dǎo)體基板發(fā)生了由標(biāo)記引起的裂紋，也能夠防止標(biāo)記從半導(dǎo)體基板上脫落。由此，例如，在使用了該半導(dǎo)體裝置的產(chǎn)品的制造工序中，能夠防止每個標(biāo)記從半導(dǎo)體基板上脫落而成為較大的異物。

在第二方案中，膜可以定位為跨越所述表面上的從所述元件區(qū)域延伸到所述周邊區(qū)域的范圍。

在第二方案中，膜可以由樹脂材料制成。

在以上方案中，膜可以由聚酰亞胺制成。

在第二方案中，膜可以是由金屬材料制成的電極膜。

附圖說明

下面將參考附圖描述本發(fā)明的示例性實施例的特征、優(yōu)點以及技術(shù)和工業(yè)意義，其中相似的附圖標(biāo)記表示相似的元件，并且其中：

圖1為實施例的半導(dǎo)體裝置10的俯視圖；

圖2為沿圖1的ii-ii線所截取的剖視圖；

圖3為圖2的iii部分的放大視圖；

圖4為圖2的iv部分的放大視圖；

圖5為示意性地示出了對半導(dǎo)體裝置10的半導(dǎo)體基板12造成的大裂紋c的圖；

圖6為示意性地示出了對半導(dǎo)體裝置10的半導(dǎo)體基板12造成的小裂紋c的圖；

圖7為關(guān)于確定工序的圖，示意性地示出了在半導(dǎo)體晶片70上被確定的預(yù)定元件區(qū)域78、預(yù)定周邊區(qū)域76以及切割區(qū)域74，且為了圖示清楚起見，示出的預(yù)定元件區(qū)域78比實際的預(yù)定元件區(qū)域少；

圖8為圖7的viii部分的放大視圖；

圖9為關(guān)于標(biāo)記形成工序的圖，示出了在半導(dǎo)體晶片70的預(yù)定周邊區(qū)域76中形成的標(biāo)記50；

圖10為沿圖9的x-x線所截取的剖視圖；

圖11為關(guān)于元件形成工序的圖，示意性地示出了標(biāo)記50被讀出，以及在預(yù)定元件區(qū)域78內(nèi)形成半導(dǎo)體元件；

圖12為關(guān)于膜形成工序的圖，示出了在半導(dǎo)體晶片70的上表面70a上形成的保護膜材料的膜19；

圖13為關(guān)于移除工序的圖，示出了保護膜材料的膜19(即成形的保護膜20)的位于切割區(qū)域74上的部分被移除；

圖14為關(guān)于切割工序的圖，示出了沿著切割區(qū)域74切斷的半導(dǎo)體晶片70(即，分離成各個單片的半導(dǎo)體裝置10)；

圖15為示出了另一個實施例的半導(dǎo)體裝置110的主要部分的圖；以及

圖16為示出了又一個實施例的半導(dǎo)體裝置210的主要部分的圖。

具體實施方式

參考附圖，將描述實施例的半導(dǎo)體裝置10。半導(dǎo)體裝置10是一種功率半導(dǎo)體裝置，且用于例如使所流經(jīng)的電流流至諸如電動機的負載的電力供給電路。如圖1和圖2所示，半導(dǎo)體裝置10包括半導(dǎo)體基板12、上表面電極18、保護膜20和下表面電極26。上表面電極18和保護膜20位于半導(dǎo)體基板12的上表面12a(以下稱為基板上表面12a)側(cè)。下表面電極26位于半導(dǎo)體基板12的下表面12b(以下稱為基板下表面12b)側(cè)。雖然未在附圖中示出，包括柵極焊盤的多個信號焊盤設(shè)置在基板上表面12a側(cè)。應(yīng)當(dāng)注意，表述為基板上表面12a和基板下表面12b是為了解釋方便起見而區(qū)分半導(dǎo)體基板12中的相對側(cè)上的兩個表面。因此，本文提及的基板上表面12a和基板下表面12b不總是成為當(dāng)使用半導(dǎo)體裝置10時半導(dǎo)體裝置10在豎直方向上的上表面和下表面。

半導(dǎo)體基板12是包括半導(dǎo)體材料的基板，并且可以通過使用硅(si)或碳化硅(sic)來構(gòu)造。半導(dǎo)體基板12包括元件區(qū)域8和周邊區(qū)域6。元件區(qū)域8是形成有多個半導(dǎo)體元件的區(qū)域，且是在上表面電極18和下表面電極26之間電流主要流動的區(qū)域。除了在上表面電極18和下表面電極26之間電流流動的區(qū)域(主要區(qū)域)以外，元件區(qū)域8還可以具有設(shè)置在主要區(qū)域周圍的防元件擊穿結(jié)構(gòu)。周邊區(qū)域6是位于元件區(qū)域8的周邊并且位于元件區(qū)域8與半導(dǎo)體基板12的外周面12e之間的區(qū)域。圖1的虛線a表示元件區(qū)域8和周邊區(qū)域6之間的邊界面的位置。形成在元件區(qū)域8中的半導(dǎo)體元件不限于特定類型的半導(dǎo)體元件。這些半導(dǎo)體元件可以是功率晶體管元件或功率二極管元件，例如igbt(絕緣柵雙極型晶體管)和mosfet(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。上述半導(dǎo)體元件例如也可以是功率晶體管元件和功率二極管元件的組合，諸如反向?qū)╥gbt。

如圖1至圖3所示，上表面電極18包括第一電極膜14和第二電極膜16。第一電極膜14設(shè)置在基板上表面12a上以便電連接到元件區(qū)域8。第一電極膜14可以通過使用金屬材料來構(gòu)造，且金屬材料的示例可以包括鋁(al)、主要包含鋁的鋁合金等。第二電極膜16可以通過使用金屬材料來構(gòu)造，且金屬材料的示例可以包括鎳(ni)、主要包含鎳的合金等。下表面電極26可以通過使用金屬材料來構(gòu)造，且金屬材料的示例可以包括鋁合金等。與上表面電極18一樣，下表面電極26可以覆蓋有鎳金屬層或其他的金屬層。以上說明只是示例，且上表面電極18和下表面電極26的構(gòu)造可以不限于特定的構(gòu)造。

保護膜20包括具有電絕緣性的樹脂材料(高分子化合物)。保護膜20具有，例如，確保防止半導(dǎo)體裝置10擊穿的功能以及保護半導(dǎo)體裝置10免于物理接觸的功能。作為示例，本實施例的保護膜20通過使用聚酰亞胺來構(gòu)造。聚酰亞胺在樹脂材料中具有更優(yōu)異的耐熱性和更高的機械強度，因此聚酰亞胺作為用于構(gòu)造保護膜20的材料是優(yōu)異的。保護膜20沿著基板上表面12a的周緣設(shè)置為框架形狀。保護膜20的一部分(內(nèi)側(cè)部分)位于第一電極膜14上，且保護膜20的內(nèi)周緣21在第一電極膜14上限定了開口。第一電極膜14通過由保護膜20的內(nèi)周緣21限定的該開口電連接到第二電極膜16。保護膜20不僅設(shè)置在元件區(qū)域8，還設(shè)置在從元件區(qū)域8延伸到周邊區(qū)域6的范圍內(nèi)。

如圖3所示，在本實施例的半導(dǎo)體裝置10中，在元件區(qū)域8中形成有igbt。參照圖3，將描述元件區(qū)域8的結(jié)構(gòu)(即，igbt的結(jié)構(gòu))。以下描述的結(jié)構(gòu)只是示例，且不旨在限制元件區(qū)域8中形成的半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)。元件區(qū)域8從基板下表面12b側(cè)朝向基板上表面12a側(cè)依次包括集電極區(qū)域32、緩沖區(qū)域34、漂移區(qū)域36、體區(qū)域38和發(fā)射極區(qū)域40。在元件區(qū)域8中的基板上表面12a中形成多個條帶形式的溝槽42，并且柵電極46布置在各溝槽42中。

集電極區(qū)域32是p型區(qū)域，并且暴露于基板下表面12b。集電極區(qū)域32具有足夠高的雜質(zhì)濃度，并且電連接到下表面電極26。緩沖區(qū)域34是n型區(qū)域，并且位于集電極區(qū)域32和漂移區(qū)域36之間。漂移區(qū)域36是n型區(qū)域，并且位于緩沖區(qū)域34和體區(qū)域38之間。漂移區(qū)域36具有比緩沖區(qū)域34的雜質(zhì)濃度更低的雜質(zhì)濃度。體區(qū)域38是p型區(qū)域，并且位于基板上表面12a和漂移區(qū)域36之間。體區(qū)域38具有比集電極區(qū)域32的雜質(zhì)濃度更低的雜質(zhì)濃度。體區(qū)域38暴露于基板上表面12a，且在體區(qū)域38的暴露表面部(也稱為接觸區(qū)域)中的雜質(zhì)濃度基本上增加到與集電極區(qū)域32的雜質(zhì)濃度一樣高。因此，體區(qū)域38電連接到基板上表面12a上的上表面電極18。發(fā)射極區(qū)域40是n型區(qū)域，并且暴露于基板上表面12a。發(fā)射極區(qū)域40通過體區(qū)域38與漂移區(qū)域36分隔開。發(fā)射極區(qū)域40具有比漂移區(qū)域36的雜質(zhì)濃度更高的雜質(zhì)濃度，并且電連接到基板上表面12a上的上表面電極18。

柵電極46包括導(dǎo)電材料，例如，可以包括多晶硅。每個溝槽42的下端到達漂移區(qū)域36。在圖3中各溝槽42沿豎直方向延伸。在每個溝槽42的內(nèi)表面和每個柵電極46之間設(shè)置有柵極絕緣膜44。柵極絕緣膜44通過使用電絕緣材料來構(gòu)造，并且可以包括例如氧化硅(sio2)。每個柵電極46經(jīng)由每個柵極絕緣膜44而與漂移區(qū)域36、體區(qū)域38和發(fā)射極區(qū)40相對。

層間絕緣膜22設(shè)置在基板上表面12a上。每個層間絕緣膜22使每個柵電極46與上表面電極18電絕緣。每個層間絕緣膜22被設(shè)置為以覆蓋每個柵電極46的方式與每個溝槽42的開口相對應(yīng)，并限定每個接觸孔24。每個接觸孔24形成在不存在層間絕緣膜22的范圍內(nèi)，并且暴露出位于兩個相鄰的溝槽42之間的基板上表面12a。由此，體區(qū)域38和發(fā)射極區(qū)域40通過每個接觸孔24與上表面電極18電連接。如上所述，元件區(qū)域8具有igbt的結(jié)構(gòu)，并且能夠起常關(guān)斷型功率晶體管的作用，所述功率晶體管供給或者切斷從下表面電極26流向上表面電極18的電流。

參照圖4、圖5和圖6，將對半導(dǎo)體基板12的周邊區(qū)域6的結(jié)構(gòu)進行說明。如圖4所示，在半導(dǎo)體基板12的周邊區(qū)域6中的基板上表面12a上設(shè)置有至少一個標(biāo)記50。標(biāo)記50包括與半導(dǎo)體基板12不同的材料。標(biāo)記50被構(gòu)造為具有特定形狀、圖案和顏色中的至少一個，并且是光學(xué)可讀的。標(biāo)記50例如是對準(zhǔn)標(biāo)記，并且在半導(dǎo)體裝置10的制造工序中由光學(xué)設(shè)備(例如照相機)來讀取，然后基于所讀取的位置，相對于半導(dǎo)體晶片來定位處理裝置(例如曝光掩模)。標(biāo)記50不限于對準(zhǔn)標(biāo)記，而是可以包括用在半導(dǎo)體裝置10的制造工序中的各種標(biāo)記。標(biāo)記50用在半導(dǎo)體裝置10的制造工序中，并且在半導(dǎo)體裝置10中不具有特定功能。通常，半導(dǎo)體基板12的周邊區(qū)域6中可以存在有多個標(biāo)記50。保留在半導(dǎo)體裝置10中的標(biāo)記50可以包括在切割工序中有部分會被損壞的一些標(biāo)記。

如圖4所示，標(biāo)記50的一部分覆蓋有從元件區(qū)域8延伸的保護膜20。具體地，保護膜20位于從元件區(qū)域8延伸到周邊區(qū)域6的范圍內(nèi)，以覆蓋標(biāo)記50的一部分。保護膜20可以覆蓋整個標(biāo)記50。如果半導(dǎo)體裝置10中存在有多個標(biāo)記50，則可以配置為使完全覆蓋有保護膜20的標(biāo)記50和部分覆蓋有保護膜20的標(biāo)記50混合在一起。另外，沒有必要使所有的標(biāo)記50都覆蓋有保護膜20，例如，定位為與半導(dǎo)體基板12的外周面12e分離的一些標(biāo)記50可以不用覆蓋保護膜20。

雖然后文詳細描述，但如圖14所示，在半導(dǎo)體裝置10的制造工序中，其中多個半導(dǎo)體裝置10一體形成的半導(dǎo)體晶片70在切割工序中被切斷為各個單片。在切割工序中，通常使用切割刀片94。切割刀片94是盤狀的旋轉(zhuǎn)刀片，且具有結(jié)合有磨粒(諸如金剛石磨粒)的結(jié)構(gòu)。在切割工序中，在半導(dǎo)體基板12的外周面12e上可能會產(chǎn)生碎屑或裂紋。具體地，如果周邊區(qū)域6中存在有標(biāo)記50，則切割刀片94與標(biāo)記50接觸，并且標(biāo)記50的切片可能會導(dǎo)致切割刀片94阻塞。因此，如圖5和圖6所示，在標(biāo)記50附近的半導(dǎo)體基板12上造成高應(yīng)力，使得在該位置的半導(dǎo)體基板12上可能會出現(xiàn)裂紋c。在下文中，在標(biāo)記50附近的半導(dǎo)體基板12上造成的裂紋c被稱為由標(biāo)記50引起的裂紋c。如果出現(xiàn)由標(biāo)記50引起的裂紋c，則在隨后的工序中標(biāo)記50可能會從半導(dǎo)體基板12上脫落，并且掉落的碎塊可能會變成較大的異物，從而導(dǎo)致缺陷。

為了解決以上問題，在本實施例的半導(dǎo)體裝置10中，標(biāo)記50的至少一部分覆蓋有保護膜20。因此，如圖5所示，即使出現(xiàn)由標(biāo)記50引起的裂紋c，標(biāo)記50也被保護膜20保持，從而防止標(biāo)記50從半導(dǎo)體基板12上脫落。具體地，保護膜20包括樹脂材料，因此與半導(dǎo)體基板12相比，保護膜20更不可能產(chǎn)生裂紋。這可以歸因于一些因素，例如樹脂材料的韌性優(yōu)于半導(dǎo)體材料的韌性。因此，即使在半導(dǎo)體基板12上造成了裂紋c，也難以認為該裂紋c會行進到保護膜20，以及標(biāo)記50與保護膜20一起脫落。具體地，本實施例的保護膜20包括具有高機械強度(拉伸強度)的聚酰亞胺。因此，更難以認為裂紋c會行進到保護膜20。如圖6所示，如果由標(biāo)記50引起的裂紋c相對小，則標(biāo)記50未覆蓋有保護膜20的一部分可能會從半導(dǎo)體基板12脫落。然而，與整個標(biāo)記50脫落的情況相比，僅產(chǎn)生較小的異物，這對后續(xù)工序僅產(chǎn)生較小的影響。

參照圖7至圖14，將描述半導(dǎo)體裝置10的制造方法。在下面的描述中，將僅說明主要工序和處理。因此，如果必要，半導(dǎo)體裝置10的制造方法可以包括將不在以下說明書中描述的一個或多個工序。首先，執(zhí)行確定工序。在該確定工序中，如圖7和圖8所示，確定在半導(dǎo)體裝置10的制造中使用的半導(dǎo)體晶片70上的預(yù)定元件區(qū)域78、預(yù)定周邊區(qū)域76和切割區(qū)域74。每個預(yù)定元件區(qū)域78是將成為每個半導(dǎo)體裝置10的元件區(qū)域8的區(qū)域，并且之后在其中會形成半導(dǎo)體元件。每個預(yù)定周邊區(qū)域76是將成為每個半導(dǎo)體裝置10的周邊區(qū)域6的區(qū)域，并且之后在其中設(shè)置一個或多個標(biāo)記50。切割區(qū)域74是在隨后的切割工序中將被切斷的并且在每個作為成品的半導(dǎo)體裝置10中不再存在的區(qū)域。每個預(yù)定周邊區(qū)域76位于每個預(yù)定元件區(qū)域78的周圍，并且切割區(qū)域74位于每個預(yù)定周邊區(qū)域76的周圍。這意味著切割區(qū)域74位于每個預(yù)定周邊區(qū)域76的外側(cè)。切割區(qū)域74是以網(wǎng)格狀延伸的區(qū)域，并且預(yù)定元件區(qū)域78和預(yù)定周邊區(qū)域76都位于由切割區(qū)域74分隔的每個單獨區(qū)域中。

隨后，制備半導(dǎo)體晶片70，并執(zhí)行標(biāo)記形成工序。在該標(biāo)記形成工序中，如圖9和圖10所示，在半導(dǎo)體晶片70的上表面70a上形成一個或多個標(biāo)記50。標(biāo)記50形成在每個預(yù)定周邊區(qū)域76中。根據(jù)其目的，每個標(biāo)記50可以具有各種不同的形狀、圖案和顏色。形成標(biāo)記50的方法不限于特定的方法。雖然構(gòu)成每個標(biāo)記50的材料不限于特定的材料，但是可使用例如與構(gòu)成半導(dǎo)體晶片70的材料不同的材料，諸如金屬材料。標(biāo)記50的一部分可以布置在切割區(qū)域74中。如果必要，一個或多個標(biāo)記50也可以布置在位于切割區(qū)域74中的上表面70a上。盡管在圖中未示出，如果必要，對準(zhǔn)標(biāo)記等還可以應(yīng)用在半導(dǎo)體晶片70的下表面70b上。

隨后，執(zhí)行元件形成工序。在該元件形成工序中，如圖11所示，在半導(dǎo)體晶片70的每個預(yù)定元件區(qū)域78中形成半導(dǎo)體元件(參見圖3)。在形成半導(dǎo)體元件的該工序中，執(zhí)行以下過程：進行離子注入以將導(dǎo)電性雜質(zhì)引入每個預(yù)定單元區(qū)域78、進行退火處理以激活半導(dǎo)體晶片70中的導(dǎo)電性雜質(zhì)、在半導(dǎo)體晶片70的上表面70a上形成層間絕緣膜22的處理等。在元件形成工序中，當(dāng)由光學(xué)設(shè)備90讀出一個或多個標(biāo)記50時，執(zhí)行各種處理。例如，在離子注入中，讀出多個標(biāo)記50(對準(zhǔn)標(biāo)記)，并且基于標(biāo)記50的位置執(zhí)行曝光掩模等的定位。如圖11中示出的一組箭頭b示意性地表示應(yīng)用于每個預(yù)定元件區(qū)域78的各種處理，并且不旨在示出特定處理。隨后，在半導(dǎo)體晶片70的上表面70a上形成第一電極膜14。

隨后，執(zhí)行膜形成工序。在該膜形成工序中，如圖12所示，在半導(dǎo)體晶片70的上表面70a上形成構(gòu)成保護膜20的樹脂材料的膜19(以下稱為保護材料膜19)。具體地，在本實施例中，保護材料膜19通過使用聚酰亞胺來形成。保護材料膜19在跨越從預(yù)定元件區(qū)域78、預(yù)定周邊區(qū)域76延伸經(jīng)過切割區(qū)域74的范圍內(nèi)形成。由此，所有的標(biāo)記50全部覆蓋有保護材料膜19。在該步驟中，所有的標(biāo)記50都已經(jīng)完成了它們的作用，并且后面將不再使用標(biāo)記50。

然后執(zhí)行移除工序。在該移除工序中，如圖13所示，移除保護材料膜19的位于切割區(qū)域74上的部分。執(zhí)行移除工序的方法不限于特定的方法。作為示例，形成在切割區(qū)域74上具有開口92a的掩模92，然后執(zhí)行濕法蝕刻，從而選擇性地移除保護材料膜19的位于切割區(qū)域74上的部分。此時，也可以移除保護材料膜19的位于每個預(yù)定周邊區(qū)域76上的部分，但是，每個標(biāo)記50的至少一部分仍保持為覆蓋有保護材料膜19。在該移除工序中，還移除保護材料膜19的位于每個預(yù)定元件區(qū)域78上的部分，從而形成均具有內(nèi)周緣21的框架形狀的保護膜20。具體地，膜形成工序和移除工序配置了保護膜形成工序以形成每個半導(dǎo)體裝置10的保護膜20。接著，執(zhí)行上表面電極18和下表面電極26的第二電極膜16的形成工序。

隨后，執(zhí)行切割工序。如圖14所示，半導(dǎo)體晶片70沿著切割區(qū)域74被切斷以便被分離成作為多個半導(dǎo)體裝置10的個個單片。如上所述，在該切割工序中，使用切割刀片94，并且可能會在半導(dǎo)體基板12的外周面12e上造成由標(biāo)記50引起的裂紋c(參照圖5、圖6)。然而，標(biāo)記50的至少一部分覆蓋有保護膜20。因此，即使出現(xiàn)由標(biāo)記50引起的裂紋c，標(biāo)記50也被保護膜20保持；因此，在隨后的工序中防止標(biāo)記50從半導(dǎo)體基板12脫落。

在上述制造方法中，在通過利用標(biāo)記50形成半導(dǎo)體元件之后，標(biāo)記50覆蓋有保護膜20。具體地，在標(biāo)記50覆蓋有保護膜20時，標(biāo)記50已經(jīng)完成了它們的作用。因此，即使標(biāo)記50覆蓋有保護膜20，也不會由于該覆蓋而導(dǎo)致進一步的不便。

在上述制造方法中，標(biāo)記50覆蓋有作為每個半導(dǎo)體裝置10的配置部件的保護膜20。具體地，不需要額外的部件來覆蓋標(biāo)記50。因此，與傳統(tǒng)的制造方法相比，僅需要改變形成保護膜20的范圍，從而避免了半導(dǎo)體裝置10的制造工序的復(fù)雜化。

在上述制造方法中，每個標(biāo)記50的至少一部分布置在位于每個預(yù)定元件區(qū)域78和切割區(qū)域74之間的每個預(yù)定周邊區(qū)域76中。因此，能夠用保護膜20覆蓋每個標(biāo)記50的至少一部分，而在切割區(qū)域74上沒有保護膜20。由此，能夠防止切割刀片94在切割工序中與保護膜20接觸。可能會認為如果切割刀片94與保護膜20接觸，會對切割刀片94造成阻塞，使得切割性能變得惡化(例如，頻繁產(chǎn)生碎屑和裂紋c)。然而，根據(jù)上述制造方法，能夠避免這樣的問題。

如上所述，已經(jīng)詳細說明了具體示例，而這些示例僅僅是示范，則它們不旨在限制本說明書中公開的技術(shù)。例如，只要防止每個標(biāo)記50從半導(dǎo)體基板12脫落，就沒有必要將保護膜20布置在跨越從每個預(yù)定元件區(qū)域78延伸到每個預(yù)定周邊區(qū)域76的范圍內(nèi)。換句話說，保護膜20可以僅布置在預(yù)定元件區(qū)域78和預(yù)定周邊區(qū)域76中之一的范圍內(nèi)。

如圖15所示，在另一個實施例的半導(dǎo)體裝置110中，位于周邊區(qū)域6中的每個標(biāo)記50的至少一部分可以覆蓋有第一電極膜14而不是保護膜20。第一電極膜14定位為跨越半導(dǎo)體基板12的基板上表面12a上的從元件區(qū)域8延伸到周邊區(qū)域6的范圍以便覆蓋每個標(biāo)記50的至少一部分。由于第一電極膜14包括金屬材料，所以與半導(dǎo)體基板12相比，更不可能造成裂紋。這可以歸因于一些因素，例如金屬材料的韌性優(yōu)于半導(dǎo)體材料的韌性。在該半導(dǎo)體裝置110的制造方法中，第一電極膜14形成為跨越半導(dǎo)體晶片70的上表面70a上的從預(yù)定元件區(qū)域78延伸到預(yù)定周邊區(qū)域76的范圍以便覆蓋每個標(biāo)記50的至少一部分。此外，在另一個實施例中，位于周邊區(qū)域6中的每個標(biāo)記50的至少一部分可以覆蓋有從元件區(qū)域8延伸的第二電極膜16或其他電極膜而不是保護膜20或第一電極膜14。通過用半導(dǎo)體裝置110的配置部件覆蓋每個標(biāo)記50的至少一部分，能夠防止標(biāo)記50脫落，而不會使半導(dǎo)體裝置110的結(jié)構(gòu)及其制造方法復(fù)雜化。半導(dǎo)體裝置110的配置可以適用于不具有保護膜20的半導(dǎo)體裝置。

如圖16所示，在又一個實施例的半導(dǎo)體裝置210中，位于周邊區(qū)域6中的每個標(biāo)記50的至少一部分可以覆蓋有第一電極膜14和保護膜20二者。在該半導(dǎo)體裝置210中，第一電極膜14和保護膜20都定位為跨越半導(dǎo)體基板12的基板上表面12a上的從元件區(qū)域8延伸到周邊區(qū)域6的范圍，因此這兩個膜均覆蓋每個標(biāo)記50的至少一部分。在該半導(dǎo)體裝置210的制造方法中，第一電極膜14和保護膜20都布置為跨越半導(dǎo)體晶片70的上表面70a上的從預(yù)定元件區(qū)域78延伸到預(yù)定周邊區(qū)域76的范圍以便覆蓋每個標(biāo)記50的至少一部分。在又一個實施例中，位于每個周邊區(qū)域6中的每個標(biāo)記50的至少一部分可以覆蓋有從元件區(qū)域8延伸的第二電極膜16或其他電極膜和保護膜20二者。

在下文中將列出可從本說明書的公開內(nèi)容獲知的技術(shù)特征。下面描述的技術(shù)特征是各自獨立的技術(shù)特征，它們獨立地或通過其的各種組合來發(fā)揮技術(shù)有用性。

本說明書中公開的半導(dǎo)體裝置10的制造方法包括：確定半導(dǎo)體晶片70中的預(yù)定元件區(qū)域78、位于預(yù)定元件區(qū)域78周圍的預(yù)定周邊區(qū)域76和位于預(yù)定周邊區(qū)域76周圍的切割區(qū)域74的確定工序；在確定工序之后的，在位于半導(dǎo)體晶片70的上表面70a上的預(yù)定周邊區(qū)域76的范圍內(nèi)形成標(biāo)記50的標(biāo)記形成工序，標(biāo)記50包括與半導(dǎo)體晶片70不同的材料；在標(biāo)記形成工序之后的，利用標(biāo)記50在各個預(yù)定元件區(qū)域78中形成半導(dǎo)體元件的元件形成工序；在元件形成工序之后的，以定位為跨越半導(dǎo)體晶片70的上表面70a上的從預(yù)定元件區(qū)域78延伸到預(yù)定周邊區(qū)域76的范圍的方式來形成包含金屬材料的電極膜14、16和包含樹脂材料的保護膜20中的至少一個以便覆蓋每個標(biāo)記50的至少一部分的膜形成工序；以及在膜形成工序之后的，沿切割區(qū)域74切斷半導(dǎo)體晶片70的切割工序。

在上述制造方法中，在膜形成工序中，優(yōu)選地至少形成保護膜20。根據(jù)該構(gòu)造，能夠制造出這樣的半導(dǎo)體裝置10：在每個半導(dǎo)體裝置10中，半導(dǎo)體基板12的周邊區(qū)域6均由具有電絕緣性的保護膜20所保護。

在上述制造方法中，膜形成工序可以包括：跨越半導(dǎo)體晶片70的上表面70a上的從預(yù)定元件區(qū)域78、預(yù)定周邊區(qū)域76延伸經(jīng)過切割區(qū)域74的范圍而形成構(gòu)成保護膜20的樹脂材料的膜19的膜形成工序；以及在膜形成工序之后，移除樹脂材料的膜19的位于切割區(qū)域74上的部分的移除工序。根據(jù)該構(gòu)造，在切割工序中，在切割區(qū)域74不存在保護膜20，因此能夠避免由于切割刀片94與保護膜20之間的接觸而引起的切割刀片94的阻塞，并且防止由該阻塞引起的切割性能的惡化。

在上述制造方法中，構(gòu)成保護膜20的樹脂材料可以是聚酰亞胺。聚酰亞胺與其它樹脂材料相比具有更高的機械強度(拉伸強度)。因此，即使造成了由標(biāo)記50引起的裂紋c，也會進一步抑制該裂紋c行進到保護膜20，從而更可靠地防止在隨后工序中標(biāo)記脫落。