1.一種用于集成電路中的薄膜電阻器件，所述薄膜電阻器件包括：
薄膜電阻元件，形成在所述薄膜電阻器件的第一層中，以形成電路；和
應(yīng)力均衡結(jié)構(gòu)，包括形成在所述薄膜電阻器件的第二層中的應(yīng)力均衡元件，所述應(yīng)力均衡元件被布置成使施加在所述薄膜電阻元件上的應(yīng)力相等。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜電阻器件，其中，所述應(yīng)力均衡元件以周期性排列布置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜電阻器件，其中，所述應(yīng)力平衡元件是細長的并且彼此平行布置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜電阻器件，其中，每個薄膜電阻元件具有基本上相似形狀并與其對準(zhǔn)的相應(yīng)的應(yīng)力均衡元件。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜電阻器件，其中，所述薄膜電阻元件和所述應(yīng)力平衡元件是弓形的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜電阻器件，其中，所述薄膜電阻元件和所述應(yīng)力均衡元件被成組地布置，并且所述薄膜電阻元件組與相應(yīng)的應(yīng)力均衡元件組對準(zhǔn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜電阻器件，其中，所述應(yīng)力均衡元件的應(yīng)力均衡元件在多于一個薄膜電阻元件和/或多于一組薄膜電阻元件下延伸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜電阻器件，其中，所述應(yīng)力均衡元件是金屬的。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜電阻器件，進一步包括互連器，其中所述應(yīng)力均衡元件通過所述互連器耦合在一起，以形成一個或多個電路徑。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜電阻器件，其中，所述應(yīng)力均衡元件布置成加熱所述器件。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜電阻器件，其中，所述應(yīng)力平衡結(jié)構(gòu)進一步包括所述薄膜電阻器件的第三層，所述第三層包括額外的應(yīng)力均衡元件。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜電阻器件，進一步包括設(shè)置成將所述薄電阻元件耦合在一起的導(dǎo)電互連器和設(shè)置在所述第一和第二層之間的隔離層。
13.一種具有應(yīng)力均衡的單片集成電路，所述單片集成電路包括：
薄膜電阻元件，其布置為所述單片集成電路的第一層中的傳感器；和
在所述單片集成電路的第二層中的金屬元件，所述第二層與所述第一層相鄰，并且所述金屬元件設(shè)置在所述第二層的與所述第一層中的每個薄膜電阻元件的位置相對應(yīng)的位置。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的單片集成電路，其中，所述金屬元件覆蓋所述第二層的類似于由所述薄膜電阻元件覆蓋的所述第一層的面積的區(qū)域。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的單片集成電路，其中，所述金屬元件以周期性圖案布置。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的單片集成電路，其中，所述傳感器是磁阻傳感器。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的單片集成電路，其中，所述金屬元件被配置為將所述薄膜電阻元件加熱到大致相同的溫度。
18.一種薄膜電阻器件，包括：
布置為傳感器的多個薄膜電阻元件；和
用于減小施加在傳感器的不同薄膜電阻元件上的應(yīng)力差的裝置。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的薄膜電阻器件，其中，所述傳感器是磁阻傳感器。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的薄膜電阻器件，其中，所述用于還原的裝置包括在圖案化的金屬層中，并且其中只有隔離層設(shè)置在所述圖案化的金屬層和包括所述多個薄膜電阻元件的層之間。