技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種PMOS半導(dǎo)體器件及其制備方法。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制備方法包括：第一步驟：提供半導(dǎo)體基體，并且圖案化蝕刻半導(dǎo)體基體以形成凹陷；第二步驟：在半導(dǎo)體基體凹陷內(nèi)外延生長SiGe材料；第三步驟：在SiGe材料上外延生長形成第一蓋帽層；第四步驟：在第一蓋帽層上外延生長第二蓋帽層。采用本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制備方法的雙蓋帽工藝后能夠顯著改善蓋帽層形貌，有利于后續(xù)金屬硅化物的形成。

技術(shù)研發(fā)人員：黃秋銘;譚俊;顏強(qiáng);周海鋒
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華力微電子有限公司
文檔號(hào)碼：201610984921
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.09
技術(shù)公布日：2017.02.22