1.一種半導(dǎo)體器件制備方法，其特征在于包括：
第一步驟：提供半導(dǎo)體基體，并且圖案化蝕刻半導(dǎo)體基體以形成凹陷；
第二步驟：在半導(dǎo)體基體凹陷內(nèi)外延生長SiGe材料；
第三步驟：在SiGe材料上外延生長形成第一蓋帽層；
第四步驟：在第一蓋帽層上外延生長第二蓋帽層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制備方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件制備方法用于制造PMOS半導(dǎo)體器件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件制備方法，其特征在于，第一蓋帽層在<111>面與<100>面面上的生長速率比為1～50％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件制備方法，其特征在于，第二蓋帽層在<111>面與<100>面面上的生長速率比為50～100％。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件制備方法，其特征在于，第一蓋帽層和第二蓋帽層的厚度比介于0.5至2之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件制備方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體基體由單晶硅構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件制備方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體基體由SOI半導(dǎo)體材料構(gòu)成。
8.一種采用根據(jù)權(quán)利要求1至7之一所述的半導(dǎo)體器件制備方法制成的半導(dǎo)體器件。