技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種改善多孔硅徑向物理微結(jié)構(gòu)均勻性的新方法，該方法是將常規(guī)作為陰極的圓形薄鉑片，以圓形薄鉑片中心為圓心，沿著圓形薄鉑片半徑剪開，鉑片卷起構(gòu)成一個(gè)圓錐形的薄鉑片，錐形薄鉑片的內(nèi)表面面向硅片作為陰極，以圓錐底部面中心為圓心，沿徑向方向離圓心越遠(yuǎn)，錐形薄鉑片陰極離硅片的實(shí)際距離越近。一方面，離硅片中心越遠(yuǎn)，腐蝕電流面密度越大，從而沿徑向方向上隨離硅片腐蝕中心越遠(yuǎn)而腐蝕越深；另一方面，正常恒流腐蝕下，隨離腐蝕中心越遠(yuǎn)，沿徑向方向物理厚度緩慢變小，在一定條件下，二者達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，從而增強(qiáng)了多孔硅薄膜內(nèi)表面的徑向物理微結(jié)構(gòu)的均勻性，保證多孔硅薄膜徑向物理微結(jié)構(gòu)的均勻性。

技術(shù)研發(fā)人員：龍永福
受保護(hù)的技術(shù)使用者：湖南文理學(xué)院
文檔號(hào)碼：201610977338
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.08
技術(shù)公布日：2017.03.22