1.一種改善多孔硅徑向物理微結(jié)構(gòu)均勻性的新方法，其特征在于，將常規(guī)作為陰極的圓形薄鉑片制作成一個圓錐形的薄鉑片，圓錐形薄鉑片的內(nèi)表面面向硅片作為陰極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善多孔硅徑向物理微結(jié)構(gòu)均勻性的新方法，其特征在于，圓錐形薄鉑片的制作方法是沿著常規(guī)圓形鉑片的半徑剪開一個半徑長的口子，然后將圓形鉑片卷起構(gòu)成一個圓錐形的薄鉑片，在制作時，扇形重疊部分的角度為5°~120°。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的改善多孔硅徑向物理微結(jié)構(gòu)均勻性的新方法，其特征在于，圓錐形薄鉑片底部面中心與硅片腐蝕中心之間距離是硅片的腐蝕部分直徑的3~20倍。