本發(fā)明涉及激光器技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種掩埋結(jié)構(gòu)激光器及其制造方法。

背景技術(shù)：

隨著高速光通信系統(tǒng)的發(fā)展，對通信光源提出了很高的要求。相對于早期使用的FP腔激光器，分布反饋半導(dǎo)體DFB激光器具備良好的模式選擇能力，可以實(shí)現(xiàn)窄線寬、動態(tài)單模工作，被廣泛的應(yīng)用于光纖通信系統(tǒng)中。要制造高質(zhì)量分布式反饋半導(dǎo)體DFB激光器，必須有一個(gè)好的條形結(jié)構(gòu)，掩埋異質(zhì)結(jié)是目前普遍采用的結(jié)構(gòu)。掩埋異質(zhì)結(jié)激光器的性能穩(wěn)定與否，在很大程度上取決于限制電流的掩埋異質(zhì)結(jié)中漏過的分路電流。

圖1-圖5說明了用于制作掩埋異質(zhì)結(jié)激光器的典型過程。圖1示出了在襯底50上生長N型包層14、不摻雜的有源區(qū)10和P型包層16。包層14和16具有比有源層10更低的折射率，起到限制光傳播的作用。N型包層14的厚度約1.2μm，P型包層16厚度約200nm。有源層10包含一個(gè)或者多個(gè)量子阱結(jié)構(gòu)11，量子阱由高帶隙的勢壘和低帶隙的勢阱交替組成，勢壘將載流子限制在勢阱中，它們共同決定了量子阱結(jié)構(gòu)11的發(fā)光波長。

圖2示出在P型包層16的表面沉積掩膜層26，典型為二氧化硅或者氮化硅，寬度幾個(gè)微米的長條形薄膜。之后經(jīng)過干法刻蝕至N型包層的一部分，再經(jīng)過一次濕法刻蝕消除干法刻蝕帶來的表面缺陷。濕法刻蝕要求嚴(yán)格控制P型包層16、有源區(qū)10和N型包層14形成的臺面結(jié)構(gòu)的頂端寬度略小于掩膜層26的寬度，防止后續(xù)外延生長，掩膜層26和P型包層16交界處側(cè)壁頂端過度生長。兩次刻蝕之后形成的圖形如圖2所示。

然后將圖2示出結(jié)構(gòu)返回生長室生長高電阻層38，高電阻層38覆蓋掩膜層26以外的其他區(qū)域，其折射率低于有源區(qū)10。高電阻層38生長后的示意圖如圖3所示。將外延結(jié)構(gòu)取出生長室后經(jīng)過濕法腐蝕掩膜層26，如圖4所示。將圖4結(jié)構(gòu)返回生長室生長額外的姆接觸層56。姆接觸層56和N型包層14的總厚度相同，如圖5所示，約1.2μm。

上述掩埋異質(zhì)結(jié)制造工藝存在一個(gè)普遍問題：由于外延生長時(shí)，掩膜層26不會吸附外延原子，在擴(kuò)散效應(yīng)下，掩膜層26上方區(qū)域的外延原子會向遠(yuǎn)離掩膜層的區(qū)域移動，這就導(dǎo)致靠近掩膜層附近原子數(shù)量大于正常外延區(qū)域，稱為過度生長，形成尖銳邊角37。通過工藝控制掩膜層26寬度略大于P型包層16，使得兩者交界處側(cè)壁頂端過度生長情況能得到一定改善，邊角37尺寸變小，但是無法完全消除。尖銳邊角37會使器件在較小的電壓下?lián)舸?，?yán)重影響激光器的可靠性。同時(shí)，尖銳邊角會增大激光器的漏電流，降低掩埋異質(zhì)結(jié)的限制作用，增大激光器的閾值電流，最終增加能耗。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題之一是如何克服現(xiàn)有技術(shù)生長掩埋材料時(shí)，掩膜層與高電阻層(即掩埋材料)接觸區(qū)域會過度生長，造成高電阻層形成尖銳邊角，會對器件在較小的電壓下?lián)舸?，?yán)重影響激光器的可靠性。

本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種掩埋結(jié)構(gòu)激光器，包括襯底、臺面結(jié)構(gòu)、掩埋結(jié)構(gòu)和電極接觸層，具體的：

所述臺面結(jié)構(gòu)位于所述襯底上；

所述掩埋結(jié)構(gòu)由至少一層第一材料層和至少一層第二材料層構(gòu)成，其中，第一材料層生長于所述襯底上，并且覆蓋所述臺面結(jié)構(gòu)；第二材料層覆蓋于所述第一材料層上，并且第二材料層上對應(yīng)所述臺面結(jié)構(gòu)的臺頂區(qū)域設(shè)置有凹槽結(jié)構(gòu)，所述凹槽結(jié)構(gòu)使得電極接觸層與覆蓋于所述臺面上的第一材料層相接觸；

所述電極接觸層位于所述第二材料層上。

可選的，所述第一材料層為P型層，所述第二材料層為N型層，其中，第一材料層覆蓋于所述臺面結(jié)構(gòu)上，并且第一材料層覆蓋所述臺面結(jié)構(gòu)的臺頂區(qū)域的厚度為第一預(yù)設(shè)參數(shù)值。

可選的，所述第一預(yù)設(shè)參數(shù)值為100-200nm。

可選的，所述第一材料層與襯底之間設(shè)置有一層絕緣層。

可選的，所述臺面結(jié)構(gòu)包括N型包層、有源區(qū)和P型包層，其中，N型包層生長于所述襯底上，P型包層構(gòu)成所述臺面結(jié)構(gòu)的臺頂區(qū)域。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種掩埋結(jié)構(gòu)激光器的制造方法，包括：

在襯底上依次生長組成臺面結(jié)構(gòu)的各層材料，通過掩膜腐蝕形成臺面結(jié)構(gòu)；

去除掩膜，在所述由襯底和臺面組合而成的結(jié)構(gòu)上生長第一材料層，控制所述第一材料層生長的高度與所述臺面結(jié)構(gòu)的臺頂區(qū)域相差第一預(yù)設(shè)參數(shù)值；

在所述第一材料層上生長第二材料層，并在所述第二材料層位于臺頂區(qū)域上掩膜腐蝕出溝槽，所述溝槽貫通至所述第一材料層；

在所述第二材料層上生長電極接觸層。

可選的，所述控制所述第一材料層生長的高度與所述臺面結(jié)構(gòu)的臺頂區(qū)域相差第一預(yù)設(shè)參數(shù)值，具體包括：

定向控制生長區(qū)域，使得第一材料層的生長過程先從襯底之上，且位于臺面結(jié)構(gòu)兩側(cè)的區(qū)域開始；

當(dāng)所述臺面結(jié)構(gòu)兩側(cè)所生長的第一材料高度，相對于臺頂相差所述第一預(yù)設(shè)參數(shù)值時(shí)，轉(zhuǎn)換所述定向控制生長為全覆蓋模式的區(qū)域生長；

在全覆蓋模式下生長完成第一預(yù)設(shè)參數(shù)值厚度的第一材料。

可選的，所述第一預(yù)設(shè)參數(shù)值為100-200nm。

可選的，在去除掩膜之前，所述方法還包括：

在襯底上生長一層絕緣材料層；

在生長完所述絕緣材料層后，執(zhí)行所述去除掩膜操作，則所述在所述由襯底和臺面組合而成的結(jié)構(gòu)上生長第一材料層，具體執(zhí)行為：

在所述由襯底和臺面組合而成的結(jié)構(gòu)上，且位于所述絕緣材料層上生長第一材料層。

可選的，在所述第一材料層上生長第二材料層之前，所述方法還包括：

對所述第一材料層進(jìn)行掩膜處理，對掩膜處理后的第一材料層位于臺面結(jié)構(gòu)的頂面區(qū)域上的部分，進(jìn)行摻雜處理；

去除所述第一材料層上的掩膜，然后進(jìn)行在所述第一材料層上生長第二材料層的操作。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明實(shí)施例提供了一種掩埋結(jié)構(gòu)激光器及其制造方法，相比較現(xiàn)有技術(shù)調(diào)整了掩埋結(jié)構(gòu)，將現(xiàn)有技術(shù)中需要控制掩埋結(jié)構(gòu)中第一材料層(背景技術(shù)中對應(yīng)為高電阻層38)高度的結(jié)構(gòu)，采用了一種非選區(qū)生長第一材料層，并在第二材料層對應(yīng)臺面區(qū)域刻蝕凹槽的結(jié)構(gòu)替代。從而克服了現(xiàn)有技術(shù)中存在的掩膜層與高電阻層(即掩埋材料)接觸區(qū)域會過度生長，造成高電阻層形成尖銳邊角，會對器件在較小的電壓下?lián)舸┑膯栴}。提高了激光器工作的穩(wěn)定性。

【附圖說明】

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種異質(zhì)結(jié)掩埋結(jié)構(gòu)激光器加工過程結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是現(xiàn)有技術(shù)中一種異質(zhì)結(jié)掩埋結(jié)構(gòu)激光器加工過程結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是現(xiàn)有技術(shù)中一種異質(zhì)結(jié)掩埋結(jié)構(gòu)激光器加工過程結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是現(xiàn)有技術(shù)中一種異質(zhì)結(jié)掩埋結(jié)構(gòu)激光器加工過程結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是現(xiàn)有技術(shù)中一種異質(zhì)結(jié)掩埋結(jié)構(gòu)激光器加工過程結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種異質(zhì)結(jié)掩埋結(jié)構(gòu)激光器加工過程結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種異質(zhì)結(jié)掩埋結(jié)構(gòu)激光器加工過程結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種異質(zhì)結(jié)掩埋結(jié)構(gòu)激光器加工過程結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種異質(zhì)結(jié)掩埋結(jié)構(gòu)激光器結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種異質(zhì)結(jié)掩埋結(jié)構(gòu)激光器的電流傳導(dǎo)示意圖；

圖11是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種異質(zhì)結(jié)掩埋結(jié)構(gòu)激光器結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種異質(zhì)結(jié)掩埋結(jié)構(gòu)激光器制造方法流程圖；

圖13是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種異質(zhì)結(jié)掩埋結(jié)構(gòu)激光器制造方法流程圖。

【具體實(shí)施方式】

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

在本發(fā)明的描述中，術(shù)語“內(nèi)”、“外”、“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“頂”、“底”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明而不是要求本發(fā)明必須以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不應(yīng)當(dāng)理解為對本發(fā)明的限制。

此外，下面所描述的本發(fā)明各個(gè)實(shí)施方式中所涉及到的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互組合。

實(shí)施例1:

本發(fā)明實(shí)施例1提供了一種掩埋結(jié)構(gòu)激光器，該掩埋結(jié)構(gòu)激光器具體可以是異質(zhì)結(jié)掩埋結(jié)構(gòu)，也可以是同質(zhì)結(jié)掩埋結(jié)構(gòu)，包括襯底、臺面結(jié)構(gòu)、掩埋結(jié)構(gòu)和電極接觸層，具體的：

所述臺面結(jié)構(gòu)位于所述襯底上；所述掩埋結(jié)構(gòu)由至少一層第一材料層和至少一層第二材料層構(gòu)成，其中，第一材料層生長于所述襯底上，并且覆蓋所述臺面結(jié)構(gòu)；第二材料層覆蓋于所述第一材料層上，并且第二材料層上對應(yīng)所述臺面結(jié)構(gòu)的臺頂區(qū)域設(shè)置有凹槽結(jié)構(gòu)，所述凹槽結(jié)構(gòu)使得電極接觸層與覆蓋于所述臺面上的第一材料層相接觸；所述電極接觸層位于所述第二材料層上。

以圖9為例，襯底150通常采用的是SiO₂。臺面結(jié)構(gòu)包括緩沖層和N型包層114，厚度約1.2μm；InGaAsP量子阱有源區(qū)110，包括一組或者多組由勢阱111、勢壘113和勢壘115構(gòu)成的量子阱；以及P型包層116，厚度約200nm。掩埋結(jié)構(gòu)包括P型層438和N型層439，兩者構(gòu)成反向PN結(jié)高電阻層，用于限制載流子。電極接觸層650具體由InGaAsP和InGaAs材料構(gòu)成，用于后續(xù)在其區(qū)域上設(shè)置電極，將外部供電傳導(dǎo)到量子阱有源區(qū)110中。其中，圖9僅僅是為了方便理解本發(fā)明實(shí)施例結(jié)構(gòu)給予的一個(gè)示例，本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)同樣適用于單激光器結(jié)構(gòu)和應(yīng)用于激光器陣列的實(shí)現(xiàn)。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種掩埋結(jié)構(gòu)激光器，相比較現(xiàn)有技術(shù)調(diào)整了掩埋結(jié)構(gòu)，將現(xiàn)有技術(shù)中需要控制掩埋結(jié)構(gòu)中第一材料層(背景技術(shù)中對應(yīng)為高電阻層38)高度的結(jié)構(gòu)，采用了一種非選區(qū)生長第一材料層和第二層材料，并在第二材料層對應(yīng)臺面區(qū)域刻蝕凹槽的結(jié)構(gòu)替代。從而克服了現(xiàn)有技術(shù)中存在的掩膜層與高電阻層(即掩埋材料)接觸區(qū)域會過度生長，造成高電阻層形成尖銳邊角，會對器件在較小的電壓下?lián)舸┑膯栴}，提高了激光器工作的穩(wěn)定性。

在本發(fā)明實(shí)施例的掩埋結(jié)構(gòu)激光器中，存在一種可選的實(shí)現(xiàn)方式，所述第一材料層為P型層，所述第二材料層為N型層，其中，第一材料層覆蓋于所述臺面結(jié)構(gòu)上，并且第一材料層覆蓋所述臺面結(jié)構(gòu)的臺頂區(qū)域350(如圖6所示)的厚度為第一預(yù)設(shè)參數(shù)值。所述第一預(yù)設(shè)參數(shù)值的大小關(guān)系著激光器工作的激發(fā)電流的大小，其中，所述第一預(yù)設(shè)參數(shù)值設(shè)置的越大則激光器的工作電流相應(yīng)會變大，一定層度上會帶來工作壽命的影響，因此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一個(gè)較理想的區(qū)間值，所述第一預(yù)設(shè)參數(shù)值為100-200nm。

對于本發(fā)明實(shí)施例1的一個(gè)具體示例，如圖9所示的掩埋結(jié)構(gòu)激光器。進(jìn)一步的，通過圖10可以了解圖9所示的掩埋結(jié)構(gòu)激光器，其在受電工作時(shí)，由電極接觸層650傳導(dǎo)下來的電流通過N型層439的凹槽后，傳遞到P型層438中。由于，P型層438覆蓋于臺面結(jié)構(gòu)之上，并且高出臺頂區(qū)域厚度為第一預(yù)設(shè)參數(shù)值，因此，電流部分的會向臺面結(jié)構(gòu)兩側(cè)區(qū)域的P型層438傳導(dǎo)，如圖10中箭頭所示，這樣無形中會提高激光器工作電流的閾值。為了解決該示例方案中存在的問題，結(jié)合本實(shí)施例1還存在一種可細(xì)化的實(shí)現(xiàn)方案用于解決如圖9所示示例中存在問題。具體的，所述第一材料層與襯底之間設(shè)置有一層絕緣層450，如圖11所述，所述絕緣層450可以采用SiO₂或者Si₃N₄。

除了可以在所述第一材料層與襯底之間設(shè)置有一層絕緣層450的方式來改善由非選區(qū)生長第一材料層帶來的電流傳導(dǎo)擴(kuò)散的問題外，本發(fā)明實(shí)施例還提供了另一種改善方案，即通過在臺頂區(qū)域上的第一材料層部分通過摻雜處理，相比較第一材料層其他區(qū)域形成高效電流傳導(dǎo)通道，從而改善所述電流傳導(dǎo)過程中發(fā)生的擴(kuò)散情況。該方案將在后續(xù)方法實(shí)施例中具體展開描述。當(dāng)然，將上述兩種改善方式組合起來形成的方式，也屬于本發(fā)明實(shí)施例的保護(hù)范圍內(nèi)的實(shí)現(xiàn)方案，在此不一一贅述。

實(shí)施例2:

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種掩埋結(jié)構(gòu)激光器的制造方法，可用于制造如實(shí)施例1所述的掩埋結(jié)構(gòu)激光器，如圖12所示，包括以下執(zhí)行步驟：

在步驟201中，在襯底上依次生長組成臺面結(jié)構(gòu)的各層材料，通過掩膜腐蝕形成臺面結(jié)構(gòu)。

在襯底上依次生長組成臺面結(jié)構(gòu)的各層材料后的結(jié)構(gòu)，可參考圖1所示的一個(gè)示例的效果示意圖。則通過掩膜腐蝕形成臺面結(jié)構(gòu)，相對應(yīng)提供了一個(gè)實(shí)例的效果示意圖，如圖6所示(為已去掩膜的示意圖)，其中，在示例中臺面結(jié)構(gòu)包括緩沖層和N型包層114，厚度約1.2μm；InGaAsP量子阱有源區(qū)110，包括一組或者多組由勢阱111、勢壘113和勢壘115構(gòu)成的量子阱；以及P型包層116，厚度約200nm。

其中，通過掩膜腐蝕形成臺面結(jié)構(gòu)，具體為：在200nm厚P型包層116表面沉積掩膜層SiO₂或者SiN_x，通過光刻和濕法腐蝕，將掩膜層刻蝕成窄寬度長條狀，條狀沿激光器波導(dǎo)方向，寬度1.6μm?？涛g分成兩部分：干法刻蝕，控制臺面結(jié)構(gòu)的寬度；濕法刻蝕，減小干法刻蝕造成的側(cè)壁損傷。臺面結(jié)構(gòu)在濕法刻蝕后為類梯形結(jié)構(gòu)，表面寬度由掩膜條形寬度及濕法刻蝕的側(cè)向鉆蝕決定。

在步驟202中，去除掩膜，在所述由襯底和臺面組合而成的結(jié)構(gòu)上生長第一材料層，控制所述第一材料層生長的高度與所述臺面結(jié)構(gòu)的臺頂區(qū)域相差第一預(yù)設(shè)參數(shù)值。

如圖7所示，為本發(fā)明實(shí)施例給出的一個(gè)示例結(jié)構(gòu)示意圖，其中第一材料層438的頂部高出臺頂區(qū)域350的高度為第一預(yù)設(shè)參數(shù)值，可選的，所述第一預(yù)設(shè)參數(shù)值為100-200nm。

在步驟203中，在所述第一材料層上生長第二材料層，并在所述第二材料層位于臺頂區(qū)域上掩膜腐蝕出溝槽，所述溝槽貫通至所述第一材料層。

在完成掩膜后，將臺面結(jié)構(gòu)正上方N型層439濕法腐蝕至P型層438表面540，其效果圖如圖8所示。其濕法腐蝕可采用自對準(zhǔn)工藝，可以精準(zhǔn)的去除臺面結(jié)構(gòu)正上方N型層，形成電流傳導(dǎo)通道，電流傳導(dǎo)通道能限制載流子的注入濃度，自對準(zhǔn)工藝可以控制電流通道大小，調(diào)節(jié)激光器的閾值。

在步驟204中，在所述第二材料層上生長電極接觸層。

如圖9所示,為本發(fā)明實(shí)施例提供的一個(gè)生長完電極接觸層后的示例結(jié)構(gòu)圖。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種掩埋結(jié)構(gòu)激光器的制造方法，相比較現(xiàn)有技術(shù)調(diào)整了掩埋結(jié)構(gòu)，將現(xiàn)有技術(shù)中需要控制掩埋結(jié)構(gòu)中第一材料層(背景技術(shù)中對應(yīng)為高電阻層38)高度的結(jié)構(gòu)，采用了一種非選區(qū)生長第一材料層，并在第二材料層對應(yīng)臺面區(qū)域刻蝕凹槽的結(jié)構(gòu)替代。從而克服了現(xiàn)有技術(shù)中存在的掩膜層與高電阻層(即掩埋材料)接觸區(qū)域會過度生長，造成高電阻層形成尖銳邊角，會對器件在較小的電壓下?lián)舸┑膯栴}。提高了制造出的掩埋結(jié)構(gòu)激光器工作的穩(wěn)定性。

結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例所述的掩埋結(jié)構(gòu)激光器的制造方法，其中，所述控制所述第一材料層生長的高度與所述臺面結(jié)構(gòu)的臺頂區(qū)域相差第一預(yù)設(shè)參數(shù)值，具體通過以下步驟來實(shí)現(xiàn)：

在步驟401中，定向控制生長區(qū)域，使得第一材料層的生長過程先從襯底之上，且位于臺面結(jié)構(gòu)兩側(cè)的區(qū)域開始。

在步驟402中，當(dāng)所述臺面結(jié)構(gòu)兩側(cè)所生長的第一材料高度，相對于臺頂相差所述第一預(yù)設(shè)參數(shù)值時(shí)，轉(zhuǎn)換所述定向控制生長為全覆蓋模式(即實(shí)施例1中的非選區(qū)生長)的區(qū)域生長。

在步驟403中，在全覆蓋模式下生長完成第一預(yù)設(shè)參數(shù)值厚度的第一材料。

例如：采用先對臺頂區(qū)域掩膜(該掩膜可以是直接沿用步驟201中的掩膜，即在步驟202中可以是生長了部分第一材料后再去除)，生長滿足步驟402的條件后，再去掉所述掩膜后，繼續(xù)步驟403的生長過程即可實(shí)現(xiàn)。

在實(shí)施例1中，提到了一種結(jié)構(gòu)改進(jìn)方案，具體的所述第一材料層與襯底之間設(shè)置有一層絕緣層450。相應(yīng)的，在本實(shí)施例中提供了相應(yīng)的方法改進(jìn)步驟，如圖12所示，在去除掩膜之前，所述方法還包括：

在步驟501中，在襯底上生長一層絕緣材料層。

所述絕緣材料可以選用SiO₂或者Si₃N₄。

在步驟502中，在生長完所述絕緣材料層后，執(zhí)行所述去除掩膜操作(即步驟202中的去除掩膜方法步驟)。

則所述在所述由襯底和臺面組合而成的結(jié)構(gòu)上生長第一材料層，具體執(zhí)行為：在所述由襯底和臺面組合而成的結(jié)構(gòu)上，且位于所述絕緣材料層上生長第一材料層。

在實(shí)施例1中，提到了一種結(jié)構(gòu)改進(jìn)方案，通過在臺頂區(qū)域上的第一材料層部分通過摻雜處理，相比較第一材料層其他區(qū)域形成高效電流傳導(dǎo)通道，從而改善所述電流傳導(dǎo)過程中發(fā)生的擴(kuò)散情況。在本實(shí)施例中提供相應(yīng)的方法步驟實(shí)現(xiàn)方式，在所述第一材料層上生長第二材料層之前，具體包括：

在步驟601中，對所述第一材料層進(jìn)行掩膜處理，對掩膜處理后的第一材料層位于臺面結(jié)構(gòu)的頂面區(qū)域上的部分，進(jìn)行摻雜處理。使得第一材料層位于臺面結(jié)構(gòu)的頂面區(qū)域上的部分的導(dǎo)電性高于所述第一材料層的其它區(qū)域。

在步驟602中，去除所述第一材料層上的掩膜，然后進(jìn)行在所述第一材料層上生長第二材料層的操作。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)施例的各種方法中的全部或部分步驟是可以通過程序來指令相關(guān)的硬件來完成，該程序可以存儲于一計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)中，存儲介質(zhì)可以包括：只讀存儲器(ROM，Read Only Memory)、隨機(jī)存取存儲器(RAM，Random Access Memory)、磁盤或光盤等。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。