技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及包含納米晶體的器件。具體地，本發(fā)明涉及包含至少一種量子點(diǎn)和至少一種小分子有機(jī)功能材料的器件。本發(fā)明還涉及所述器件在例如治療和/或美容、信息顯示器和一般照明應(yīng)用中的用途。

背景技術(shù)：

可將光線(xiàn)療法(也稱(chēng)為光療法)用于大范圍治療疾病和/或美容(也稱(chēng)為美化)病變。例如已經(jīng)將通過(guò)使用LED或激光作為光源的光線(xiàn)療法用于治療創(chuàng)傷、傷痛、頸痛、骨關(guān)節(jié)炎、化學(xué)療法和放射療法的副作用。

通常，治療應(yīng)用和美容應(yīng)用之間的邊界是模糊的并且取決于醫(yī)師的個(gè)體情況和評(píng)估。通常，治療條件與美容考慮有關(guān)系，并且反之亦然。取決于病變程度，例如痤瘡的治療與預(yù)防既可具有治療成分又可具有美容成分。這同樣適用于牛皮癬、異位性皮炎和其它疾病和/或病變。例如，許多疾病和病變與通常由對(duì)象皮膚的可見(jiàn)性變化表現(xiàn)的外觀(guān)影響有關(guān)。這些美容或美化變化通?？蓪?dǎo)致心理學(xué)變化，心理學(xué)變化至少在某種程度上導(dǎo)致嚴(yán)重的疾病。

即使治療要素可能也發(fā)揮作用，一些病變或疾病可能也著重于美容成分。這些病變或疾病中的一些選自抗老化、防皺、痤瘡和白癜風(fēng)的預(yù)防和/或治療。

例如，為了確定血液特性例如膽紅素、氧或CO，許多診斷工具或裝置還通常需要光源。

在化妝品和藥物中，皮膚均為輻射的主要靶標(biāo)，但通過(guò)光線(xiàn)療法還可輻射人體或動(dòng)物體的其它靶標(biāo)。這些靶標(biāo)包括但不限于眼睛、創(chuàng)傷、指甲和軀體的內(nèi)部。還可將光用于例如促進(jìn)或支持創(chuàng)傷、飲料、營(yíng)養(yǎng)品的消毒。

光線(xiàn)療法的一個(gè)效果是激勵(lì)線(xiàn)粒體中的新陳代謝。特定波長(zhǎng)的光激勵(lì)細(xì)胞色素c氧化酶，該酶負(fù)責(zé)產(chǎn)生必要的以三磷酸腺苷(ATP)形式存在的細(xì)胞能量。對(duì)于為了驅(qū)動(dòng)熱力學(xué)上不利的生物化學(xué)反應(yīng)的細(xì)胞能量轉(zhuǎn)移，以及作為細(xì)胞能量存儲(chǔ)物質(zhì)，ATP是必須的。為了調(diào)節(jié)其它導(dǎo)致老化和細(xì)胞死亡(氧化應(yīng)激)的生物化學(xué)分子(例如活性氧物質(zhì)和一氧化氮)，ATP還可用作信號(hào)分子。在光線(xiàn)療法之后，細(xì)胞顯示出提高的新陳代謝，它們更好地交流，并且它們以更好的方式在應(yīng)激條件下存活。

這種原理可應(yīng)用于藥物治療和美容應(yīng)用，例如創(chuàng)傷愈合，結(jié)締組織修復(fù)，組織修復(fù)，防治組織死亡，緩解炎癥、疼痛、急性傷害、慢性疾病、代謝紊亂、神經(jīng)性疼痛和季節(jié)影響紊亂。

所述光應(yīng)用的另一領(lǐng)域是治療多種癌癥。在癌癥治療中，光動(dòng)力治療(PDT)發(fā)揮重要作用。在PDT中，可以協(xié)同使用光與藥物。這些治療方法可用于治療多種皮膚疾病和內(nèi)部疾病。在PDT中，將被稱(chēng)為光藥物的光敏治療劑外部地或內(nèi)部地供至軀體待治療的區(qū)域。然后將所述區(qū)域暴露于合適頻率和強(qiáng)度的光下以激活所述光藥物?，F(xiàn)在可利用多種光藥劑。例如，有局部藥劑，例如5-氨基乙酰丙酸鹽酸鹽(Crawford Pharmaceuticals)、甲基氨基乙酰丙酸(Photocure)。還有主要用于內(nèi)部惡性腫瘤的注射用藥物，包括(來(lái)自Axcan)和(來(lái)自Biolitech Ltd)。通常，以非活性形式施用所述藥物，其被代謝成光敏的光藥物。

在光動(dòng)力治療中，用于將光供至光藥物的主要技術(shù)為從單獨(dú)光源例如激光或過(guò)濾弧光燈投射合適波長(zhǎng)的光。這些光源笨重并且昂貴，并且因此僅適用于醫(yī)院中。這導(dǎo)致了患者的不便和高治療成本。為了每天治療可接受數(shù)量的患者(對(duì)于有成本效益的治療)并且避免患者過(guò)于不方便，需要高的光輻射度。

至今，使用大型光源在光線(xiàn)療法和PDT中占主導(dǎo)，這對(duì)于患者是不舒服的，導(dǎo)致順應(yīng)性低。例如在醫(yī)院中或在醫(yī)生的診療室中，許多現(xiàn)用裝置僅適用于固定方式并且需要醫(yī)學(xué)專(zhuān)業(yè)人員的控制。此外，即使僅應(yīng)輻射待治療對(duì)象的一部分，許多現(xiàn)用光源也大面積地輻射待治療對(duì)象，這可能導(dǎo)致有害的副作用。

WO 98/46130和US 6096066公開(kāi)了用于光動(dòng)力學(xué)治療中的LED陣列。其中教導(dǎo)的小LED源導(dǎo)致對(duì)患者不均勻的光入射。由于需要大量連接，因此制備陣列是復(fù)雜的。其中顯示的裝置是為醫(yī)院治療設(shè)計(jì)的。

GB 2360461公開(kāi)了如下柔性服裝，其使用常規(guī)光動(dòng)力治療光源以產(chǎn)生光，然后通過(guò)光學(xué)纖維傳輸光。因?yàn)檫@種光源沉重，所以所述裝置不是移動(dòng)的，并被限制于醫(yī)院使用。

US 5698866公開(kāi)了使用過(guò)度驅(qū)動(dòng)無(wú)機(jī)LED的光源。產(chǎn)生的光輸出是不均勻的。需要散熱機(jī)制，并且該裝置僅適用于醫(yī)院治療。

WO 93/21842公開(kāi)了使用無(wú)機(jī)LED的光源。盡管該裝置是便攜式的，但該裝置不適用于患者在家移動(dòng)使用，并且是面向臨床治療的。

現(xiàn)有途徑的另外的問(wèn)題在于，特別是在彎曲的軀體部分上時(shí)，使用這樣的光源可能難以實(shí)現(xiàn)均勻的輻射。

在上述領(lǐng)域中，施用光的必要先決條件是裝置?，F(xiàn)在可商購(gòu)的系統(tǒng)主要基于激光。然而，這些系統(tǒng)是基于醫(yī)院的裝置，例如固定裝置。為了降低成本并提高便利性以及順應(yīng)性，需要便攜式家用技術(shù)。事實(shí)上，在這個(gè)方向上已經(jīng)開(kāi)展了一些研究。

Rochester等人在GB 24082092中公開(kāi)了柔性醫(yī)療光源，其在柔性基底上包括柔性發(fā)光二極管形式，和產(chǎn)生的旨在監(jiān)控血液特性(例如CO、氧或膽紅素的水平)的診斷裝置，和用于治療疾病的光治療裝置。

Vogle Klaus和Kallert Heiko在EP 018180773中公開(kāi)了用于治療皮膚的裝置。該裝置包括可能柔性的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)作為光源?？蓪⒃撗b置集成于衣服或膏藥中。

Attili等人(Br.J.Dermatol.161(1)，170-173.2009)發(fā)布了移動(dòng)式光動(dòng)力治療(PDT)的臨床開(kāi)放式初步研究，在非黑素瘤皮膚癌的治療中使用可穿用的低輻射度OLED，提出在增加了輕質(zhì)的優(yōu)勢(shì)的情況下，OLED-PDT沒(méi)有常規(guī)PDT痛苦，并且因此具有更方便的家用PDT的可能性。

Samuel等人在EP 1444008B15中公開(kāi)了用于治療和/或美容治療中的移動(dòng)裝置，該裝置包括用作實(shí)施例的OLED和聚(對(duì)亞苯基亞乙烯基)(PPV)。

EP 1444008公開(kāi)了用于光動(dòng)力治療的治療裝置，其包括OLED。

有機(jī)發(fā)光二極管相對(duì)于它們的無(wú)機(jī)對(duì)應(yīng)物(發(fā)光二極管-LED)具有許多優(yōu)勢(shì)：它們是固有柔性的，并且可通過(guò)例如印刷技術(shù)，例如噴墨印刷和絲網(wǎng)印刷，進(jìn)行大面積涂覆。

然而，在OLED中，將活潑金屬例如Ba和Ca用作陰極。因此，OLED需要優(yōu)異的封裝，以確保在儲(chǔ)存和運(yùn)行中的長(zhǎng)壽命?？傮w上，制備OLED，每個(gè)為數(shù)十納米的多層結(jié)構(gòu)，仍然是復(fù)雜的和成本密集的任務(wù)。

由于不同原因，相比于使用OLED，使用有機(jī)發(fā)光電化學(xué)電池(OLEC、LEEC或LEC)對(duì)于疾病和/或美容病變的治療、預(yù)防和/或診斷是有利的。

首先，OLEC在它們的結(jié)構(gòu)中非常簡(jiǎn)單，并且因此可容易地進(jìn)行制備。在OLEC情況下的器件制備，與在OLED中制備這種表面相比，沒(méi)有那么復(fù)雜。這是由于如下事實(shí)：1)與OLED相比，OLEC具有較小的層數(shù)；2)OLED的發(fā)光層可厚達(dá)數(shù)個(gè)至數(shù)十個(gè)微米，這允許在大批量生產(chǎn)中使用許多可用的涂覆技術(shù)，例如噴墨印刷、絲網(wǎng)印刷和噴涂；3)與層均質(zhì)性相關(guān)的要求較低。因此，與OLED的制備成本相比，所述制備成本特別是大批量生產(chǎn)的制備成本可低得多。

此外，OLEC不依賴(lài)于對(duì)空氣敏感的電荷注入層或作為陰極以用于電子注入的活潑金屬，例如Ba或Cs，與OLED相比，這進(jìn)一步簡(jiǎn)化了它們的制備并使它們更具有成本效益。這還可以導(dǎo)致對(duì)OLED的封裝要求較低。

OLEC的基礎(chǔ)技術(shù)與OLED或LED的基礎(chǔ)技術(shù)不同。OLED和LED均為具有正向偏壓和反向偏壓的二極管。與OLED相比，OLED和LED的I-V(電流-電壓)曲線(xiàn)均為非對(duì)稱(chēng)的。它們代表半導(dǎo)體技術(shù)，然而OLEC基本上為電化學(xué)電池，或更確切地說(shuō)是電解池電池。在OLED中，經(jīng)由空穴和電子從分子至分子的運(yùn)動(dòng)直至空穴和電子形成所謂激子即電子-空穴-對(duì)而發(fā)生電荷傳輸。當(dāng)所述激子輻射衰變時(shí)發(fā)光。在OLEC中，當(dāng)施加電壓時(shí)，在陽(yáng)極氧化電解質(zhì)，而在陰極還原電解質(zhì)。

分子的陽(yáng)離子和陰離子在電場(chǎng)下擴(kuò)散，并且同時(shí)摻雜有機(jī)發(fā)光材料直至它們相遇在一起以形成所謂的p-n結(jié)。另外，在p-n結(jié)中在有機(jī)發(fā)光化合物上形成激子。激子的輻射衰變導(dǎo)致發(fā)光。OLEC的原始工作和原理可參見(jiàn)Qibing Pei等人的論文Science(科學(xué))，1995，269，1086-1088。OLEC可顯示對(duì)稱(chēng)的I-V曲線(xiàn)，具有低驅(qū)動(dòng)電壓，并且不需要活潑金屬作為陰極。

然而，OLED和OLEC的一個(gè)缺點(diǎn)為由于有機(jī)發(fā)光體的性質(zhì)而產(chǎn)生的寬發(fā)射，這可能導(dǎo)致能量損失或?qū)е虏幌Ｍ母弊饔谩LED和OLEC的寬發(fā)射光譜不僅在光治療應(yīng)用中是不希望的，而且在其它技術(shù)領(lǐng)域例如顯示器和照明應(yīng)用中也是不希望的。例如，對(duì)于顯示器應(yīng)用，有機(jī)發(fā)光體通常具有低的色純度。

無(wú)論在OLED中還是在OLEC中，有機(jī)發(fā)光體的另一缺點(diǎn)為有限的量子效率。根據(jù)量子統(tǒng)計(jì)，如果激子形成的幾率不是自旋相關(guān)的，則在OLED和OLED中形成每個(gè)單重態(tài)三個(gè)三重態(tài)。對(duì)于基于熒光材料的器件，形成單重態(tài)激子的幾率僅為25％。因此，為僅基于單重態(tài)發(fā)光體的OLED/OLEC設(shè)置了內(nèi)量子效率25％的基本限制。通過(guò)引入還被稱(chēng)為三重態(tài)發(fā)光體的通常為含有重金屬之絡(luò)合物的磷光摻雜劑，可克服這種限制，所述磷光摻雜劑可提高自旋軌道耦合并產(chǎn)生單重態(tài)和三重態(tài)激子兩者。然而，所述金屬絡(luò)合物難以合成，并且它具有穩(wěn)定性問(wèn)題。迄今為止，穩(wěn)定的(深)藍(lán)色三重態(tài)發(fā)光體仍然是難以實(shí)現(xiàn)的。此外，因?yàn)橛袡C(jī)材料的三重態(tài)能級(jí)一般比單重態(tài)能級(jí)高至少0.5eV，所以自身具有寬帶隙(或HOMO-LUMO能隙)的藍(lán)色三重態(tài)發(fā)光體將對(duì)主體材料和相鄰層中的電荷傳輸材料設(shè)置極其困難的要求。

另一方面，另一類(lèi)發(fā)光材料，如下文所述的所謂量子點(diǎn)或單分散納米晶體，在過(guò)去幾年中也已經(jīng)引起了相當(dāng)大的關(guān)注。量子點(diǎn)的優(yōu)點(diǎn)在于：1)相比于單重態(tài)有機(jī)發(fā)光體的25％，高達(dá)100％的理論內(nèi)量子效率；2)在普通有機(jī)溶劑中是可溶的；3)通過(guò)核的尺寸可容易地調(diào)節(jié)發(fā)射波長(zhǎng)；4)發(fā)射光譜窄；5)在無(wú)機(jī)材料中的固有穩(wěn)定性。

包括半導(dǎo)體材料的在此處還被稱(chēng)為量子點(diǎn)或QD的第一種單分散納米晶體，基于CdE(E＝S、Se、Te)，并且通過(guò)使用Bawendi的所謂TOPO(三辛基氧化膦)方法進(jìn)行制備，Katari等人后來(lái)對(duì)該方法進(jìn)行了修改。Murray、Norris和Bawendi發(fā)表了關(guān)于合成QD的綜述“Synthesis and characterization of nearly monodisperse CdE(E＝sulfur、selen、tellurium)semiconductor nanocrystallites”(幾乎單分散的CdE(E＝硫、硒、碲)半導(dǎo)體納米微晶的合成和表征)，J.Am.Chem.Soc.(美國(guó)化學(xué)會(huì)志)115[19]，8706-8715，1993。主要報(bào)道的量子點(diǎn)的覆蓋物(cap)基于三辛基氧化膦(TOPO)或三辛基膦(TOP)，其應(yīng)具有電子傳輸性質(zhì)。

Alivisatos等人報(bào)道了基于CdSe QD的第一種發(fā)光二極管，“Light emitting diodes made from cadmium selenide nanocrystals and a semiconducting polymer”(從硒化鎘納米晶體和半導(dǎo)體聚合物制成的發(fā)光二極管)Nature(自然)(倫敦)370[6488]，354-357，1994，其中將由QD組成的多層夾于PPV(聚(對(duì)亞苯基-亞乙烯基))和電極之間，施加電壓時(shí)產(chǎn)生紅色發(fā)光。Bulovic等人，“Electroluminescence from single monolayers of nanocrystals in molecular organic devices”(來(lái)自有機(jī)分子器件中的單一的納米晶體單層的電致發(fā)光)Nature(倫敦)420[6917]，800-803，2002，描述了使用夾在兩個(gè)有機(jī)層之間的單一的單層CdSe QD。

但是已知的QD LED的一個(gè)主要問(wèn)題在于，在QD和相鄰的有機(jī)層之間存在巨大的能級(jí)失諧，例如CdSe QD具有-6.6eV的HOMO和-4.4eV的LUMO(WO 2003/084292、WO 2007/095173)，而另一方面功能有機(jī)材料通常具有>-3.0eV的LUMO和>-5.6eV的HOMO。能級(jí)失諧大阻止QD在電致發(fā)光器件或其它電子器件中的有效電活性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明的目的是提供改進(jìn)的電子器件。

迄今為止，Leger等人(美國(guó)化學(xué)會(huì)第64屆Northwest Regional Meeting(西北地區(qū)會(huì)議)的摘要，Tacoma(塔科馬港市)，WA，美國(guó)，2009年6月28日至7月1日)公開(kāi)了具有滿(mǎn)意效果的包含共軛聚合物和量子點(diǎn)的發(fā)光電化學(xué)電池。然而，盡管可容易地從溶液涂覆共軛聚合物，但聚合物OLED/OLEC的性能遠(yuǎn)不如基于蒸發(fā)小分子(SM)OLED的OLED的性能。此外，由于擴(kuò)展的共軛，因此共軛聚合物通常具有相當(dāng)?shù)偷娜貞B(tài)能級(jí)。迄今為止沒(méi)有報(bào)道或公開(kāi)用于綠色三重態(tài)OLED的共軛聚合物基質(zhì)。

因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供可精確調(diào)節(jié)其發(fā)射波長(zhǎng)的薄光源。因此，應(yīng)改進(jìn)發(fā)射的色純度。本發(fā)明的另一目的為提供如下發(fā)光器件，該發(fā)光器件對(duì)于顯示器和照明應(yīng)用，特別是在光譜的紫外(UV)和/或紅外(IR)區(qū)域中，具有高效率和較低的能量損失。本發(fā)明的又一目的為在不同技術(shù)領(lǐng)域例如顯示器、一般照明、背光應(yīng)用、光線(xiàn)療法和/或PDT中應(yīng)用本發(fā)明的光源。該光源可容易地進(jìn)行制備，并且特別是在光治療應(yīng)用方面主要由于其尺寸、變壓裝置靈活性和適應(yīng)性尺寸、形狀、輻射波長(zhǎng)和輻射強(qiáng)度而對(duì)用戶(hù)是友好的。

令人驚訝地，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，可將量子點(diǎn)用于與如下有機(jī)功能材料相關(guān)的OLEC中，所述有機(jī)功能材料例如為發(fā)光體、主體材料、空穴傳輸材料、空穴注入材料、電子傳輸材料和電子注入材料。與有機(jī)熒光或磷光化合物相比，量子點(diǎn)可容易地進(jìn)行制備并具有窄的發(fā)射光譜。它們可在尺寸方面進(jìn)行調(diào)節(jié)，尺寸決定了量子點(diǎn)的發(fā)射峰值。在量子點(diǎn)的情況下也可獲得高的光致發(fā)光效率。此外，通過(guò)使用的它們的濃度，可調(diào)節(jié)它們的發(fā)射強(qiáng)度。此外，量子點(diǎn)在許多溶劑中是可溶的，或可容易地使它們?nèi)苡谄胀ㄓ袡C(jī)溶劑中，允許多種處理方法，特別是印刷方法，例如絲網(wǎng)印刷、平版印刷和噴墨印刷。

本發(fā)明涉及包含至少一種量子點(diǎn)、至少一種離子化合物和至少一種小分子有機(jī)功能材料的發(fā)光電化學(xué)電池(QD-LEC)，所述小分子有機(jī)功能材料選自主體材料、熒光發(fā)光體、磷光發(fā)光體、空穴傳輸材料(HTM)、空穴注入材料(HIM)、電子傳輸材料(ETM)和電子注入材料(EIM)。

通常，量子點(diǎn)是其激子受限于所有三個(gè)空間維度中的半導(dǎo)體。結(jié)果，它們的性質(zhì)在體半導(dǎo)體的性質(zhì)和離散分子的性質(zhì)之間。有幾種制備量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的方法，例如通過(guò)化學(xué)方法或通過(guò)離子注入，或在由使用現(xiàn)有技術(shù)的平版印刷技術(shù)制成的納米器件中進(jìn)行制備。

本發(fā)明的量子點(diǎn)指的是膠體半導(dǎo)體納米晶體，其也被稱(chēng)為膠體量子點(diǎn)，或者納米點(diǎn)或納米晶體，其是通過(guò)化學(xué)方法制備的。

包括半導(dǎo)體材料的第一種單分散膠體量子點(diǎn)基于CdE(E＝S、Se、Te)，并且通過(guò)使用Bawendi的所謂TOPO(三辛基氧化膦)方法進(jìn)行制備，Katari等人后來(lái)對(duì)該方法進(jìn)行了修改。Murray、Norris和Bawendi發(fā)表了關(guān)于合成QD的綜述“Synthesis and characterization of nearly monodisperse CdE(E＝sulfur、selen、tellurium)semiconductor nanocrystallites”(幾乎單分散的CdE(E＝硫、硒、碲)半導(dǎo)體納米微晶的合成和表征)，J.Am.Chem.Soc.115[19]，8706-8715，1993。

盡管本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的任何方法可用于制備QD，但優(yōu)選使用控制無(wú)機(jī)QD生長(zhǎng)的溶液相膠體方法。所述膠體方法報(bào)道于例如以下文獻(xiàn)中：Alivisatos,A.P.，“Semiconductor clusters,nanocrystals,and quantum dots”(半導(dǎo)體簇、納米晶體和量子點(diǎn))，Science 271:933(1996)；X.Peng，M.Schlamp，A.Kadavanich，A.P.Alivisatos，“Epitaxial growth of highly luminescent CdSe/CdS Core/Shell nanocrystals with photostability and electronic accessibility”(具有光穩(wěn)定性和電子可及性的高發(fā)光性CdSe/CdS核/殼納米晶體的外延生長(zhǎng))，J.Am.Chem.Soc.30:7019-7029(1997)；和C.B.Murray，D.J.Norris，M.G.Bawendi，“Synthesis and characterization of nearly monodisperse CdE(E＝sulfur、selenium、tellurium)semiconductor nanocrystallites”(幾乎單分散的CdE(E＝硫、硒、碲)半導(dǎo)體納米微晶的合成和表征)，J.Am.Chem.Soc.115:8706(1993)。這些方法在不需要潔凈室和昂貴制造設(shè)備的情況下允許低成本的加工性。在這些方法中，將在高溫下經(jīng)歷熱解的金屬前體快速注入有機(jī)表面活性劑分子的熱溶液中。這些前體在高溫下分裂并與有核的納米晶體反應(yīng)。在這個(gè)初始的成核階段后，通過(guò)向生長(zhǎng)的晶體添加單體而開(kāi)始生長(zhǎng)階段。因此，在具有涂覆它們表面的有機(jī)表面活性劑分子的溶液中獲得結(jié)晶的納米粒子。

在這些方法中，合成以作為在數(shù)秒中發(fā)生的初始成核事件而發(fā)生，隨后在高溫下晶體生長(zhǎng)數(shù)分鐘。可改變諸如溫度、存在的表面活性劑的類(lèi)型、前體材料和表面活性劑與單體比率的參數(shù)，以改變反應(yīng)的性質(zhì)和進(jìn)行。所述溫度控制所述成核事件的結(jié)構(gòu)相、前體分解的速率和生長(zhǎng)速率。所述有機(jī)表面活性劑分子調(diào)節(jié)溶解度并控制納米晶體形狀。表面活性劑與單體的比率、表面活性劑彼此之間的比率、單體彼此之間的比率和單體的單個(gè)濃度強(qiáng)烈地影響生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)。

根據(jù)本發(fā)明的QD-LEC可包含和所需要的一樣多的量子點(diǎn)以實(shí)現(xiàn)希望的效果。優(yōu)選所述QD-LEC包含少于100種、特別優(yōu)選少于70種并且非常特別優(yōu)選少于40種不同的量子點(diǎn)。在進(jìn)一步優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述陣列包含少于20種不同類(lèi)型的量子點(diǎn)。

在本發(fā)明QD-LEC的又一實(shí)施方式中，包含4種、優(yōu)選3種、特別優(yōu)選2種并且非常特別優(yōu)選1種量子點(diǎn)。

優(yōu)選包含一種量子點(diǎn)的QD-LEC。

根據(jù)本發(fā)明的QD-LEC優(yōu)選包含相對(duì)于發(fā)光層總量為如下濃度的一種或多種量子點(diǎn)，在每種中的濃度為至少0.1wt％，特別優(yōu)選至少0.5wt％，并且特別優(yōu)選至少3wt％。

在本發(fā)明QD-LEC的一個(gè)實(shí)施方式中，包含如下種類(lèi)數(shù)的小分子有機(jī)功能材料，該種類(lèi)數(shù)為少于15種，優(yōu)選少于10種，特別優(yōu)選少于7種，并且非常特別優(yōu)選少于5種。

根據(jù)本發(fā)明的小分子有機(jī)功能材料為通常用于有機(jī)電子領(lǐng)域中并且為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所熟知的材料。在EP 09015222.4和EP 10002558.4中公開(kāi)了對(duì)小分子有機(jī)功能材料優(yōu)選的編繪。

所述術(shù)語(yǔ)小分子有機(jī)功能材料是指具有希望的主體、發(fā)光、空穴注入、空穴傳輸、電子注入和/或電子傳輸性質(zhì)的小分子。

根據(jù)本發(fā)明的小分子為不是聚合物、低聚物、樹(shù)枝狀大分子或摻合物的分子。特別是，在小分子中沒(méi)有重復(fù)結(jié)構(gòu)。小分子的分子量一般在具有少量重復(fù)單元的聚合物、低聚物或更低的范圍中。所述小分子的分子量可優(yōu)選為低于4000g/mol，特別優(yōu)選低于3000g/mol，并且非常特別優(yōu)選低于2000g/mol。

聚合物可以具有10至10000個(gè)、特別優(yōu)選20至5000個(gè)并且非常特別優(yōu)選50至2000個(gè)重復(fù)單元。低聚物可具有2至9個(gè)重復(fù)單元。聚合物和低聚物的支化系數(shù)在0(沒(méi)有支化的線(xiàn)性聚合物)和1(完全支化的樹(shù)枝狀大分子)之間。如此處所使用的術(shù)語(yǔ)樹(shù)枝狀大分子根據(jù)M.Fischer等人在A(yíng)ngew.Chem.,Int.Ed.(應(yīng)用化學(xué)國(guó)際版)1999，38，885中的內(nèi)容進(jìn)行定義。

所述聚合物的分子量(M_W)可優(yōu)選在約10000至約2000000g/mol的范圍中，特別優(yōu)選在約100000至約1500000g/mol的范圍中，并且非常特別優(yōu)選在約200000至約1000000g/mol的范圍中。例如，可根據(jù)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)，通過(guò)使用凝膠滲透色譜法(GPC)，在聚苯乙烯作為內(nèi)標(biāo)物的情況下，進(jìn)行M_W的測(cè)定。

摻合物可以是包括至少一種聚合物樹(shù)枝狀大分子或低聚物組分的混合物。

所述術(shù)語(yǔ)主體或基質(zhì)材料是指具有較大能隙作為發(fā)光體并具有電子或空穴傳輸性質(zhì)或者具有電子和空穴傳輸性質(zhì)的材料。在單重態(tài)OLED的情況下，高度希望發(fā)光體的吸收光譜與主體的光致發(fā)光光譜基本上重疊以確保能量轉(zhuǎn)移。根據(jù)本發(fā)明的QD-LEC可包含至少一種小分子主體。原則上，根據(jù)本發(fā)明可使用任何小分子主體或基質(zhì)材料。

所述術(shù)語(yǔ)發(fā)光體是指一經(jīng)接受激子能量就以光的方式或電子方式經(jīng)歷輻射衰變以發(fā)光的材料。主要有兩類(lèi)發(fā)光體，熒光發(fā)光體和磷光發(fā)光體。術(shù)語(yǔ)熒光發(fā)光體涉及經(jīng)歷從激發(fā)單重態(tài)至其基態(tài)的輻射躍遷的材料或化合物。因此，熒光發(fā)光體有時(shí)也被稱(chēng)為單重態(tài)發(fā)光體。術(shù)語(yǔ)磷光發(fā)光體涉及包含過(guò)渡金屬的發(fā)光材料或化合物，其還包含稀土金屬、鑭系元素和錒系元素。磷光發(fā)光體主要通過(guò)自旋禁阻躍遷而發(fā)光，發(fā)生例如從激發(fā)三重態(tài)和/或五重態(tài)的躍遷。然而，磷光發(fā)光體所發(fā)光的特定比例也可以是由從單重態(tài)發(fā)光躍遷而引起的。

如此處所用的術(shù)語(yǔ)摻雜劑也用于所述術(shù)語(yǔ)發(fā)光體或發(fā)光材料。原則上，根據(jù)本發(fā)明可使用任何小分子發(fā)光化合物。

根據(jù)本發(fā)明的QD-LEC可以包含至少一種選自空穴傳輸材料(HTM)的小分子有機(jī)功能材料。HTM特征在于它是能夠傳輸從空穴注入材料或陽(yáng)極注入的空穴(即正電荷)的材料或單元。

根據(jù)本發(fā)明的QD-LEC包含4種、優(yōu)選3種、特別優(yōu)選2種并且非常特別優(yōu)選1種HTM。優(yōu)選包含一種HTM的QD-LEC。

根據(jù)本發(fā)明的QD-LEC優(yōu)選包含相對(duì)于所述空穴傳輸層總量為如下濃度的一種或多種HTM，在每種中的濃度為至少0.1wt％，特別優(yōu)選至少2wt％，并且非常特別優(yōu)選至少10wt％。

根據(jù)本發(fā)明的QD-LEC可以包含至少一種選自空穴注入材料(HIM)的小分子有機(jī)功能材料。HIM是指能夠促進(jìn)從陽(yáng)極注入的空穴(即正電荷)的材料或單元。

根據(jù)本發(fā)明的QD-LEC包含4種、優(yōu)選3種、特別優(yōu)選2種并且非常特別優(yōu)選1種HIM。優(yōu)選包含一種HIM的QD-LEC。

根據(jù)本發(fā)明的QD-LEC優(yōu)選包含相對(duì)于空穴注入層總量為如下濃度的一種或多種HIM，在每種中的濃度為至少0.1wt％，特別優(yōu)選至少0.5wt％，并且非常特別優(yōu)選至少3wt％。

根據(jù)本發(fā)明的QD-LEC可以包含至少一種選自電子傳輸材料(ETM)的小分子有機(jī)功能材料。ETM是指能夠傳輸從EIM或陰極注入的電子(即負(fù)電荷)的材料。

根據(jù)本發(fā)明的QD-LEC包含4種、優(yōu)選3種、特別優(yōu)選2種并且非常特別優(yōu)選1種ETM。優(yōu)選包含一種ETM的QD-LEC。

根據(jù)本發(fā)明的QD-LEC優(yōu)選包含相對(duì)于所述電子傳輸層總量為如下濃度的一種或多種ETM，在每種中的濃度為至少0.1wt％，特別優(yōu)選至少2wt％，并且非常特別優(yōu)選至少10wt％。

根據(jù)本發(fā)明的QD-LEC可以包含至少一種選自電子注入材料(EIM)的小分子有機(jī)功能材料。EIM是指能夠促進(jìn)從陰極注入至有機(jī)層中的電子(即負(fù)電荷)的材料。

根據(jù)本發(fā)明的QD-LEC包含4種、優(yōu)選3種、特別優(yōu)選2種并且非常特別優(yōu)選1種EIM。優(yōu)選包含一種EIM的QD-LEC。

根據(jù)本發(fā)明的QD-LEC優(yōu)選包含相對(duì)于所述電子注入層總量為如下濃度的一種或多種EIM，在每種中的濃度為至少0.1wt％，特別優(yōu)選至少0.5wt％，并且非常特別優(yōu)選至少3wt％。

原則上，根據(jù)本發(fā)明可使用為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所已知的任何小分子EIM。在此處關(guān)于在其它地方提及的EIM，合適的EIM包含至少一種選自8-羥基喹啉金屬絡(luò)合物、雜環(huán)有機(jī)化合物、芴酮、亞芴基甲烷、苝四羧酸、蒽醌二甲烷、聯(lián)苯醌、蒽酮、蒽醌二亞乙基-二胺的有機(jī)化合物，根據(jù)本發(fā)明可使用其異構(gòu)體和衍生物。

8-羥基喹啉的金屬絡(luò)合物，例如Alq₃和Gaq₃，可用作EIM。在與陰極接觸處，減少堿金屬或堿土金屬例如Li、Cs、Ca或Mg的摻雜是有利的。優(yōu)選包含Cs的組合，例如Cs和Na，Cs和K，Cs和Rb或者Cs、Na和K。

雜環(huán)有機(jī)化合物，例如1,10-菲羅啉衍生物、苯并咪唑、噻喃二氧化物、唑、三唑、咪唑或二唑，同樣是合適的。合適的含氮五元環(huán)的例子為唑、噻唑、二唑、噻二唑、三唑和在US 2008/0102311 A1中公開(kāi)的化合物。

優(yōu)選的EIM選自式(1)至(3)的化合物，其可以為取代的或未取代的。

還可使用諸如芴酮、亞芴基甲烷、苝四羧酸、蒽醌二甲烷、聯(lián)苯醌、蒽酮和蒽醌二亞乙基二胺的有機(jī)化合物，例如

原則上，根據(jù)本發(fā)明可使用本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的任何ETM。除了在本文中其它地方提及的ETM，合適的ETM選自咪唑、吡啶、嘧啶、噠嗪、吡嗪、二唑、喹啉、喹啉、蒽、苯并蒽、芘、苝、苯并咪唑、三嗪、酮、氧化膦、吩嗪、菲羅啉、三芳基硼烷、其異構(gòu)體和衍生物。

另外合適的ETM選自咪唑、吡啶、嘧啶、噠嗪、吡嗪、二唑、喹啉、喹啉、蒽、苯并蒽、芘、苝、苯并咪唑、三嗪、酮、氧化膦、吩嗪、菲羅啉和三芳基硼烷。

用于電子傳輸層的另外合適的ETM為8羥基喹啉的金屬螯合物(例如Liq、Alq₃、Gaq₃、Mgq₂、Znq₂、Inq₃、Zrq₄)，Balq，4-氮雜菲-5-醇/Be絡(luò)合物(US 5529853 A；例如式(6))，丁二烯衍生物(US 4356429)，雜環(huán)光學(xué)增白劑(US 4539507)，氮茚，例如1,3,5-三(2-N-苯基苯并咪唑基)苯(TPBI)(US 5766779，式(7))，1,3,5-三嗪，芘，蒽，并四苯，芴，螺二芴，樹(shù)枝狀大分子，并四苯，例如紅熒烯衍生物，1,10-菲羅啉衍生物(JP 2003/115387、JP 2004/311184、JP 2001/267080、WO 2002/043449)，硅丙烯酰基(silacyl)-環(huán)戊二烯衍生物(EP 1480280、EP 1478032、EP 1469533)，吡啶衍生物(JP 2004/200162Kodak)，菲羅啉，例如BCP和Bphen，還有一些經(jīng)由聯(lián)苯或其它芳族基團(tuán)鍵合的菲羅啉(US 2007/0252517 A1)或與蒽鍵合的菲羅啉(US 2007/0122656 A1，例如式(8)和(9))，1,3,4-二唑，例如式(10)，三唑，例如式(11)，三芳基硼烷，例如還具有Si的三芳基硼烷，苯并咪唑衍生物和其它N雜環(huán)化合物(參見(jiàn)US 2007/0273272 A1)，硅雜環(huán)戊二烯衍生物，硼烷衍生物，Ga的8-羥基喹啉系(oxinoid)絡(luò)合物。

優(yōu)選2,9,10-取代的蒽(具有1-或2-萘基和4-或3-聯(lián)苯基)或含有兩個(gè)蒽單元的分子(US 2008/0193796 A1)。

同樣優(yōu)選蒽-苯并咪唑衍生物，例如式(12)至(14)的化合物，和如在例如US 6878469 B2、US 2006/147747 A和EP 1551206 A1中所公開(kāi)的化合物。

除了在本文其它地方提及的HIM，合適的HIM為苯二胺衍生物(US 3615404)，芳基胺衍生物(US 3567450)，氨基取代的查爾酮衍生物(US 3526501)，苯乙烯基蒽衍生物(JP昭和54(1979)110837)，腙衍生物(US 3717462)，?；暄苌铮囇苌?JP昭和61(1986)210363)，硅氮烷衍生物(US 4950950)，聚硅烷化合物(JP平成2(1990)204996)，PVK，卟啉化合物(JP昭和63(1988)2956965、US 4720432)，芳族叔胺和苯乙烯基胺(US 4127412)，聯(lián)苯胺類(lèi)型的三苯胺，苯乙烯基胺類(lèi)型的三苯胺，和二胺類(lèi)型的三苯胺。與可使用酞菁衍生物、萘酞菁衍生物或丁二烯衍生物的一樣，還可使用芳基胺樹(shù)枝狀大分子(JP平成8(1996)193191)，其也是合適的。

優(yōu)選地，所述HIM選自單體的有機(jī)化合物，包括胺、三芳基胺、噻吩、咔唑、酞菁、卟啉和它們的衍生物。

特別優(yōu)選芳族叔胺(US 2008/0102311 A1)，例如N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)聯(lián)苯胺(＝4,4’-二[N-3-甲基苯基]-N-苯基氨基)聯(lián)苯(NPD)(US 5061569)，N,N’-二(N,N’-二苯基-4-氨基苯基)-N,N-二苯基-4,4’-二氨基-1,1’-聯(lián)苯(TPD 232)和4,4’,4”-三[3-甲基苯基)苯基氨基]-三苯胺(MTDATA)(JP平成4(1992)308688)或酞菁衍生物(例如H2Pc、CuPc、CoPc、NiPc、ZnPc、PdPc、FePc、MnPc、ClAlPc、ClGaPc、ClInPc、ClSnPc、Cl2SiPc、(HO)AlPc、(HO)GaPc、VOPc、TiOPc、MoOPc、GaPc-O-GaPc)。

特別優(yōu)選如下的式(15)(TPD 232)、(16)、(17)和(18)的三芳基胺化合物，其還可被取代，和如在US 7399537 B2、US 2006/0061265 A1、EP 1661888 A1和JP 08292586 A中所公開(kāi)的其它化合物。

在EP 0891121 A1和EP 1029909 A1中公開(kāi)了另外的適合作為空穴注入材料的化合物。在US 2004/0174116中一般描述了空穴注入層。

原則上，根據(jù)本發(fā)明在制劑中可使用本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的任何HTM。除了在本文中其它地方提及的HTM，HTM優(yōu)選選自胺、三芳基胺、噻吩、咔唑、酞菁、卟啉、其異構(gòu)體和衍生物。HTM特別優(yōu)選選自胺、三芳基胺、噻吩、咔唑、酞菁和卟啉。

用于空穴傳輸?shù)暮线m的小分子材料為苯二胺衍生物(US 3615404)，芳基胺衍生物(US 3567450)，氨基取代的查爾酮衍生物(US 3526501)，苯乙烯基蒽衍生物(JP A 56-46234)，多環(huán)芳族化合物(EP 1009041)，多芳基烷衍生物(US 3615402)，芴酮衍生物(JP A 54-110837)，腙衍生物(US 3717462)，茋衍生物(JP A 61-210363)，硅氮烷衍生物(US 4950950)，聚硅烷(JP A 2-204996)，苯胺共聚物(JP A 2-282263)，噻吩低聚物，聚噻吩，PVK，聚吡咯，聚苯胺和另外的共聚物，卟啉化合物(JP A 63-2956965)，芳族二亞甲基類(lèi)型的化合物，咔唑化合物，例如CDBP、CBP、mCP，芳族叔胺和苯乙烯基胺化合物(US 4127412)，和單體的三芳基胺(US 3180730)。

優(yōu)選含有至少兩個(gè)叔胺單元的芳族叔胺(US 4720432和US 5061569)，例如4,4’-二[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(NPD)(US 5061569)或MTDATA(JP A 4-308688)，N,N,N’,N’-四(4-聯(lián)苯基)二氨基聯(lián)苯撐(TBDB)，1,1-二(4-二對(duì)甲苯基氨基苯基)環(huán)己烷(TAPC)，1,1-二(4-二對(duì)甲苯基氨基苯基)-3-苯基丙烷(TAPPP)，1,4-二[2-[4-[N,N-二(對(duì)甲苯基)氨基]苯基]乙烯基]苯(BDTAPVB)，N,N,N’,N’-四對(duì)甲苯基-4,4’-二氨基聯(lián)苯(TTB)，TPD，N,N,N’,N’-四苯基-4,4”’-二氨基-1,1’:4’,1”:4”,1”’-四聯(lián)苯，同樣優(yōu)選含有咔唑單元的叔胺，例如4(9H-咔唑-9-基)-N,N-二[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]苯胺(TCTA)。同樣優(yōu)選依據(jù)US 2007/0092755A1的六氮雜苯并菲化合物。

特別優(yōu)選如下的式(19)至(24)的三芳基胺化合物，其還可以是被取代的，和如在例如以下文獻(xiàn)中所公開(kāi)的三芳基胺化合物：EP 1162193 A1，EP 650955 A1，Synth.Metals 1997，91(1-3)，209，DE 19646119 A1，WO 2006/122630 A1，EP 1860097 A1，EP 1834945 A1，JP 08053397 A，US 6251531 B1和WO 2009/041635。

優(yōu)選的適合于熒光發(fā)光體的主體材料選自蒽、苯并蒽、茚并芴、芴、螺二芴、菲、二氫菲、噻吩、三嗪、咪唑和其衍生物。

優(yōu)選的適合于熒光發(fā)光體的主體材料選自蒽、苯并蒽、茚并芴、芴、螺二芴、菲、二氫菲、噻吩、三嗪和咪唑。

根據(jù)本發(fā)明的QD-LEC包含4種、優(yōu)選3種、特別優(yōu)選2種并且非常特別優(yōu)選1種主體材料。優(yōu)選包含一種主體材料的QD-LEC。在QD-LEC包含超過(guò)一種主體材料的情況下，術(shù)語(yǔ)共主體通常用于另外的主體材料。

特別優(yōu)選的用于熒光發(fā)光體的主體材料選自如下的類(lèi)：低聚亞芳基(例如根據(jù)EP 676461的2,2',7,7'-四苯基螺二芴，或二萘基蒽)，特別是含有稠合芳族基團(tuán)的低聚亞芳基，例如菲、并四苯、六苯并苯、、芴、螺芴、苝、苯二甲酰苝、萘二甲酰苝、十環(huán)烯、紅熒烯，低聚亞芳基亞乙烯基(例如，根據(jù)EP 676461的4,4’-二(2,2-二苯基乙烯基)-1,1’-聯(lián)苯(DPVBi)或4,4-二-2,2-二苯基乙烯基-1,1-螺聯(lián)苯(螺-DPVBi))，多足金屬絡(luò)合物(例如，根據(jù)WO 2004/081017的)，特別是8羥基喹啉的金屬絡(luò)合物，例如三(8-羥基喹啉)鋁(III)(喹啉鋁，Alq₃)或二(2-甲基-8-喹啉根合)-4-(苯基菲羅啉根合)鋁，還有咪唑螯合物(US 2007/0092753 A1)和喹啉-金屬絡(luò)合物、氨基喹啉-金屬絡(luò)合物、苯并喹啉-金屬絡(luò)合物，空穴傳導(dǎo)化合物(例如，根據(jù)WO 2004/058911的)，電子傳導(dǎo)化合物，特別是酮、氧化膦、亞砜等(例如，根據(jù)WO 2005/084081和WO 2005/084082的)，阻轉(zhuǎn)異構(gòu)體(例如，根據(jù)WO 2006/048268的)，硼酸衍生物(例如根據(jù)WO 2006/117052的)或苯并蒽(例如DE 102007024850的)。特別優(yōu)選的主體材料選自如下的類(lèi)別：低聚亞芳基，其含有萘、蒽、苯并蒽和/或芘，或這些化合物的阻轉(zhuǎn)異構(gòu)體，酮，氧化膦和亞砜。非常特別優(yōu)選的主體材料選自低聚亞芳基類(lèi)，其含有蒽、苯并蒽和/或芘，或這些化合物的阻轉(zhuǎn)異構(gòu)體。為了本發(fā)明的目的，低聚亞芳基旨在被認(rèn)為是指其中至少三個(gè)芳基或亞芳基基團(tuán)彼此鍵合的化合物。

另外優(yōu)選的用于熒光發(fā)光體的主體材料特別是選自式(25)的化合物

Ar⁴-(Ar⁵)_p-Ar⁶ 式(25)

其中

Ar⁴、Ar⁵、Ar⁶在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地為具有5至30個(gè)芳族環(huán)原子的芳基或雜芳基基團(tuán)，該基團(tuán)可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)取代，并且

P為1、2或3，

如果p＝1，則在A(yíng)r⁴、Ar⁵和Ar⁶中的π-電子的總和為至少30，并且，如果p＝2，則在A(yíng)r⁴、Ar⁵和Ar⁶中的π-電子的總和為至少36，并且，如果p＝3，則在A(yíng)r⁴、Ar⁵和Ar⁶中的π-電子的總和為至少42。

特別優(yōu)選地，在式(25)的主體材料中，基團(tuán)Ar⁵代表可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R¹取代的蒽，并且基團(tuán)Ar⁴和Ar⁶被鍵合在9和10位。非常特別優(yōu)選地，所述基團(tuán)Ar⁴和/或Ar⁶中的至少一個(gè)為稠合的芳基基團(tuán)，其選自1-或2-萘基，2-、3-或9-菲基，或者2-、3-、4-、5-、6-或7-苯并蒽基，所述基團(tuán)中的每一個(gè)可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R¹取代。在US 2007/0092753 A1和US 2007/0252517 A1中描述了基于蒽的化合物，例如2-(4-甲基苯基)-9,10-二-(2-萘基)蒽、9-(2-萘基)-10-(1,1’-聯(lián)苯基)蒽和9,10-二[4-(2,2-二苯基乙烯基)苯基]蒽、9,10-二苯基蒽、9,10-二(苯基乙炔基)蒽和1,4-二(9’-乙炔基蒽基)苯。還優(yōu)選含有兩個(gè)蒽單元的主體材料(US 2008/0193796 A1)，例如10,10’-二[1,1’,4’,1”]三聯(lián)苯-2-基-9,9’-聯(lián)蒽。

另外優(yōu)選的主體材料為如下物質(zhì)的衍生物：芳基胺，苯乙烯基胺，熒光素，紫環(huán)酮(perynone)，酞紫環(huán)酮(phthaloperynone)，萘酞紫環(huán)酮(naphthaloperynone)，二苯基丁二烯，四苯基丁二烯，環(huán)戊二烯，四苯基環(huán)戊二烯，五苯基環(huán)戊二烯，香豆素，二唑，二苯并唑啉，酮，吡啶，吡嗪，亞胺，苯并噻唑，苯并唑，苯并咪唑(US 2007/0092753 A1)，例如2,2’,2”-(1,3,5-亞苯基)三[1-苯基-1H-苯并咪唑]，醛連氮，茋，苯乙烯基亞芳基衍生物，例如9,10-二[4-(2,2-二苯基乙烯基)苯基]蒽，和二苯乙烯基亞芳基衍生物(US 5121029)，二苯基乙烯，乙烯基蒽，二氨基咔唑，吡喃，噻喃，吡咯并吡咯二酮，聚甲炔，部花青(mellocyanine)，吖啶酮，喹吖啶酮，肉桂酸酯和熒光染料。

特別優(yōu)選芳基胺和苯乙烯基胺的衍生物，例如，4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)氨基]聯(lián)苯(TNB)。

優(yōu)選的作為熒光發(fā)光體的主體的具有低聚亞芳基的化合物，為如在例如US 2003/0027016 A1、US 7326371 B2、US 2006/043858 A、US 7326371 B2、US 2003/0027016 A1、WO 2007/114358、WO 2008/145239、JP 3148176 B2、EP 1009044、US 2004/018383、WO 2005/061656 A1、EP 0681019B1、WO 2004/013073A1、US 5077142、WO 2007/065678和US 2007/0205412 A1中所公開(kāi)的化合物。特別優(yōu)選的基于低聚亞芳基的化合物，為具有下式(26)至(32)的化合物。

另外的用于熒光發(fā)光體的主體材料可選自螺二芴和其衍生物，例如，如在EP 0676461中所公開(kāi)的螺-DPVBi和如在US 6562485所公開(kāi)的茚并芴。

優(yōu)選的用于磷光發(fā)光體的主體材料即基質(zhì)材料，選自酮，咔唑，吲哚并咔唑，三芳基胺，茚并芴，芴，螺二芴，菲，二氫菲，噻吩，三嗪，咪唑和它們的衍生物。在下文更詳細(xì)地描述一些優(yōu)選的衍生物。

如果使用磷光發(fā)光體，則主體材料必須滿(mǎn)足與用于熒光發(fā)光體的主體材料相比相當(dāng)不同的特征。要求用于磷光發(fā)光體的主體材料具有高于發(fā)光體三重態(tài)能級(jí)的三重態(tài)能級(jí)。所述主體材料可傳輸電子或傳輸空穴或傳輸它們二者。此外，所述發(fā)光體應(yīng)具有大的自旋軌道耦合常數(shù)以促進(jìn)單重態(tài)-三重態(tài)充分混雜。通過(guò)使用金屬絡(luò)合物可實(shí)現(xiàn)這點(diǎn)。

優(yōu)選的基質(zhì)材料為N,N-二咔唑基聯(lián)苯(CBP)，咔唑衍生物(例如根據(jù)WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527或DE 102007002714的)，氮雜咔唑(例如根據(jù)EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160的)，酮(例如根據(jù)WO 2004/093207的)，氧化膦，亞砜和砜(例如根據(jù)WO 2005/003253的)，低聚亞苯基，芳族胺(例如根據(jù)US 2005/0069729的)，雙極性基質(zhì)材料(例如根據(jù)WO 2007/137725的)，硅烷(例如根據(jù)WO 2005/111172的)，9,9-二芳基芴衍生物(例如根據(jù)DE 102008017591的)，氮雜硼雜環(huán)戊二烯或硼酸酯(例如根據(jù)WO 2006/117052的)，三唑衍生物，唑和唑衍生物，咪唑衍生物，多芳基烷衍生物，吡唑啉衍生物，吡唑啉酮衍生物，二苯乙烯基吡嗪衍生物，噻喃二氧化物衍生物，苯二胺衍生物，芳族叔胺，苯乙烯基胺，吲哚，蒽酮衍生物，芴酮衍生物，亞芴基甲烷衍生物，腙衍生物，硅氮烷衍生物，芳族二亞甲基化合物，卟啉化合物，碳二亞胺衍生物，二苯基對(duì)苯醌衍生物，酞菁衍生物，8羥基喹啉衍生物的金屬絡(luò)合物，例如Alq₃，所述8羥基喹啉絡(luò)合物還可以含有三芳基氨基苯酚配體(US 2007/0134514 A1)、多種具有金屬酞菁的金屬絡(luò)合物-聚硅烷化合物、苯并唑或苯并噻唑作為配體，空穴傳導(dǎo)聚合物，例如聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)，苯胺共聚物，噻吩低聚物，聚噻吩，聚噻吩衍生物，聚亞苯基衍生物，聚芴衍生物。

另外特別優(yōu)選的基質(zhì)材料選自包含吲哚并咔唑的化合物和其衍生物(例如式(33)至(39))，如在例如DE 102009023155.2、EP 0906947B1、EP 0908787B1、EP 906948B1、WO 2008/056746A1、WO 2007/063754A1、WO 2008/146839A1和WO 2008/149691A1中所公開(kāi)的。

優(yōu)選的咔唑衍生物的例子為1,3-N,N-二咔唑基苯(＝9,9'-(1,3-亞苯基)雙-9H-咔唑)(mCP)，9,9'-(2,2'-二甲基[1,1'-聯(lián)苯]-4,4'-二基)雙-9H-咔唑(CDBP)，1,3-雙(N,N'-二咔唑基)苯(＝1,3-雙(咔唑-9-基)苯)，PVK(聚乙烯基咔唑)，3,5-二(9H-咔唑-9-基)聯(lián)苯，和下式(40)至(44)的化合物。

優(yōu)選的Si四芳基化合物例如為(US 2004/0209115、US 2004/0209116、US 2007/0087219 A1、US 2007/0087219 A1)式(45)至(59)的化合物。

特別優(yōu)選的用于磷光摻雜劑的基質(zhì)為式(51)的化合物(EP 652273 B1)。

另外特別優(yōu)選的用于磷光摻雜劑的基質(zhì)材料選自式(52)的化合物(EP 1923448A1)。

[M(L)₂]_n 式(52)

其中M、L和n如在所述引用文獻(xiàn)中所限定的。優(yōu)選地，M為Zn，L為羥基喹啉化物，并且n為2、3或4。非常特別優(yōu)選的為[Znq₂]₂、[Znq₂]₃和[Znq₂]₄。

優(yōu)選選自8-羥基喹啉系金屬絡(luò)合物的共主體，由此特別優(yōu)選8-羥基喹啉鋰(Liq)或Alq₃。

在優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述QD-LED包含至少一種小分子有機(jī)熒光發(fā)光體。因此，本發(fā)明還涉及所述如下的QD-LEC，其特征在于至少一種小分子有機(jī)功能材料選自熒光發(fā)光體。

原則上，為了本發(fā)明的目的，可使用本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所已知的任何熒光發(fā)光體。通常，發(fā)光體化合物常具有擴(kuò)展的共軛π-電子體系。已公開(kāi)了許多例子，例如，如在JP 2913116B和WO 2001/021729 A1中所公開(kāi)的苯乙烯基胺衍生物和如在WO 2008/006449和WO 2007/140847中所公開(kāi)的茚并芴衍生物。

藍(lán)色熒光發(fā)光體優(yōu)選為多環(huán)芳族化合物，例如，9,10-二(2-萘基蒽)和其它蒽衍生物，并四苯、氧雜蒽、苝的衍生物，例如，2,5,8,11-四叔丁基苝，亞苯基，例如4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑亞乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯，芴，芳基芘(US 2006/0222886)，亞芳基亞乙烯基(US 5121029、US 5130603)，紅熒烯、香豆素、羅丹明、喹吖啶酮的衍生物，例如N,N’-二甲基喹吖啶酮(DMQA)，二氰基亞甲基吡喃，例如4(二氰基亞乙基)-6-(4-二甲基氨基苯乙烯基-2-甲基)-4H-吡喃(DCM)，噻喃，聚甲炔，吡喃和硫代吡喃鹽，二茚并芘，茚并苝，雙(吖嗪基)亞胺-硼化合物(US 2007/0092753A1)，雙(吖嗪基)亞甲基化合物和羰基苯乙烯基化合物。

另外優(yōu)選的藍(lán)色熒光發(fā)光體描述在如下文獻(xiàn)中，C.H.Chen等人：“Recent developments in organic electroluminescent materials”(有機(jī)電致發(fā)光材料的最新進(jìn)展)Macromol.Symp.(大分子論壇)125，(1997)，1-48，和“Recent progress of molecular organic electroluminescent materials and devices”(分子有機(jī)電子發(fā)光材料和器件的當(dāng)前進(jìn)展)Mat.Sci.and Eng.R(材料科學(xué)和工程R)，39(2002)，143-222。

優(yōu)選的根據(jù)本發(fā)明的熒光摻雜劑選自單苯乙烯基胺類(lèi)、二苯乙烯基胺類(lèi)、三苯乙烯基胺類(lèi)、四苯乙烯基胺類(lèi)、苯乙烯基膦類(lèi)、苯乙烯基醚類(lèi)和芳基胺類(lèi)。

單苯乙烯基胺被認(rèn)為是指含有一個(gè)取代或未取代的苯乙烯基基團(tuán)和至少一個(gè)胺優(yōu)選芳族胺的化合物。二苯乙烯基胺被認(rèn)為是指含有兩個(gè)取代或未取代的苯乙烯基基團(tuán)和至少一個(gè)胺優(yōu)選芳族胺的化合物。三苯乙烯基胺被認(rèn)為是指含有三個(gè)取代或未取代的苯乙烯基基團(tuán)和至少一個(gè)胺優(yōu)選芳族胺的化合物。四苯乙烯基胺被認(rèn)為是指含有四個(gè)取代或未取代的苯乙烯基基團(tuán)和至少一個(gè)胺優(yōu)選芳香胺的化合物。所述苯乙烯基基團(tuán)特別優(yōu)選是茋，其也可以被進(jìn)一步取代。以類(lèi)似于胺的方式，定義相應(yīng)的膦和醚。為了本發(fā)明的目的，芳基胺或芳族胺被認(rèn)為是指包含有三個(gè)直接鍵合到氮上的取代或未取代的芳族或雜芳族環(huán)系的化合物。這些芳族或雜芳族環(huán)系中的至少一個(gè)優(yōu)選是稠合環(huán)系，其優(yōu)選具有至少14個(gè)芳族環(huán)原子。其優(yōu)選的例子是芳族蒽-胺、芳族蒽-二胺、芳族芘-胺、芳族芘-二胺、芳族-胺和芳族-二胺。芳族蒽-胺被認(rèn)為是指其中一個(gè)二芳基氨基基團(tuán)直接與蒽基團(tuán)優(yōu)選在9-位鍵合的化合物。芳族蒽-二胺被認(rèn)為是指其中兩個(gè)二芳基氨基基團(tuán)直接與蒽基團(tuán)優(yōu)選在9,10-位鍵合的化合物。以與其類(lèi)似的方式，定義芳族的芘-胺、芘-二胺、-胺和-二胺，其中在芘上的二芳基氨基基團(tuán)優(yōu)選在1-位或在1,6-位鍵合。

另外優(yōu)選的熒光摻雜劑選自茚并芴-胺和茚并芴-二胺，例如根據(jù)WO 2006/122630的，苯并茚并芴-胺和苯并茚并芴-二胺，例如根據(jù)WO 2008/006449的，和二苯并茚并芴-胺和二苯并茚并芴-二胺，例如根據(jù)WO 2007/140847的。

來(lái)自苯乙烯基胺類(lèi)的摻雜劑的例子是取代或未取代的三茋-胺或描述于WO 2006/000388、WO 2006/058737、WO 2006/000389、WO 2007/065549和WO 2007/115610中的摻雜劑。二苯乙烯基苯和二苯乙烯基聯(lián)苯衍生物描述于US 5121029中。其它的苯乙烯基胺可參見(jiàn)US 2007/0122656A1。

特別優(yōu)選的苯乙烯基胺摻雜劑和三芳基胺摻雜劑為式(53)至(58)的化合物和如在US 7250532 B2、DE 102005058557 A1、CN 1583691 A、JP 08053397 A、US 6251531 B1和US 2006/210830 A中所公開(kāi)的化合物。

另外優(yōu)選的熒光摻雜劑選自如在EP 1957606 A1和US 2008/0113101 A1中所公開(kāi)的三芳基胺。

另外優(yōu)選的熒光摻雜劑選自如下物質(zhì)的衍生物：萘、蒽、并四苯、芴、二茚并芘、茚并苝、菲、苝(US 2007/0252517A1)、芘、、十環(huán)烯、六苯并苯、四苯基環(huán)戊二烯、五苯基環(huán)戊二烯、芴、螺芴、紅熒烯、香豆素(US 4769292、US 6020078、US 2007/0252517A1)、吡喃、酮、苯并唑、苯并噻唑、苯并咪唑、吡嗪、肉桂酸酯、吡咯并吡咯二酮、吖啶酮和喹吖啶酮(US 2007/0252517A1)。

在蒽化合物中，特別優(yōu)選9,10-取代的蒽，例如9,10-二苯基蒽和9,10-雙(苯基乙炔基)蒽。1,4-雙(9’-乙炔基蒽基)苯也是優(yōu)選的摻雜劑。

根據(jù)本發(fā)明的QD-LEC包含4種、優(yōu)選3種、特別優(yōu)選2種并且非常特別優(yōu)選熒光發(fā)光體。優(yōu)選包含一種EIM的QD-LEC。

根據(jù)本發(fā)明的QD-LEC優(yōu)選包含相對(duì)于所述發(fā)光層總量為如下濃度的熒光發(fā)光體，該濃度為至少0.1wt％，特別優(yōu)選至少0.5wt％，并且非常特別優(yōu)選至少3wt％。

在優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述QD-LED包含至少一種小分子有機(jī)磷光發(fā)光體。因此，本發(fā)明還涉及所述如下的QD-LEC，其特征在于至少一種小分子有機(jī)功能材料選自磷光發(fā)光體。

原則上，為了本發(fā)明的目的，可使用本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所已知的任何磷光發(fā)光體。

根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的QD-LEC，其特征在于至少一種小分子有機(jī)功能材料選自磷光發(fā)光體。

在申請(qǐng)WO 00/70655、WO 01/41512、WO 02/02714、WO 02/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614和WO 2005/033244中公開(kāi)了磷光發(fā)光體的例子。通常，如根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)所使用的和如有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域普通技術(shù)人員所已知的所有磷光絡(luò)合物都是合適的，并且本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的情況下使用另外的磷光絡(luò)合物。

所述磷光發(fā)光體可以為金屬絡(luò)合物，其優(yōu)選具有通式M(L)_z，其中M為金屬原子，L在每次出現(xiàn)時(shí)彼此獨(dú)立地為經(jīng)由一個(gè)、兩個(gè)或更多個(gè)位置與M鍵合或配位的有機(jī)配體，并且z為≥1的整數(shù)，優(yōu)選1、2、3、4、5或6，并且，其中，任選地，這些基團(tuán)經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)位置優(yōu)選一個(gè)、兩個(gè)或三個(gè)位置，優(yōu)選經(jīng)由所述配體L，與聚合物連接。

M特別是如下的金屬原子，該金屬原子選自過(guò)渡金屬，優(yōu)選選自第VIII族或鑭系元素或錒系元素的過(guò)渡金屬，特別優(yōu)選選自Rh、Os、Ir、Pt、Pd、Au、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Re、Cu、Zn、W、Mo、Pd、Ag或Ru，并且非常特別優(yōu)選選自O(shè)s、Ir、Ru、Rh、Re、Pd或Pt。M還可以為Zn。

優(yōu)選的配體為2苯基吡啶衍生物、7,8-苯并喹啉衍生物、2(2-噻吩基)吡啶衍生物、2(1-萘基)吡啶衍生物或2苯基喹啉衍生物。所有這些化合物可以是被取代的，例如，對(duì)于藍(lán)色，被氟或三氟甲基取代基所取代。輔助配體優(yōu)選是乙酰丙酮化物或苦味酸。

特別合適的是如在US 2007/0087219 A1中所公開(kāi)的Pt或Pd與四齒配體的式(59)絡(luò)合物，其中R¹至R¹⁴和Z¹至Z⁵如該引用文獻(xiàn)中所定義的，具有擴(kuò)展環(huán)系的Pt卟啉絡(luò)合物(US 2009/0061681A1)，和Ir絡(luò)合物，例如2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H,23H-卟啉-Pt(II)，四苯基-Pt(II)-四苯并卟啉(US 2009/0061681A1)，順式-雙(2-苯基吡啶根合-N,C2’)Pt(II)，順式雙(2-(2'-噻吩基)吡啶根合-N,C3’)Pt(II)，順式-雙(2-(2'-噻吩基)喹啉根合-N,C5’)Pt(II)，(2-(4,6-二氟苯基)吡啶根合-N,C2’)Pt(II)乙酰丙酮化物，或三(2-苯基吡啶根合-N,C2’)Ir(III)(Ir(ppy)₃，綠色)，雙(2-苯基吡啶根合-N,C2)Ir(III)乙酰丙酮化物(Ir(ppy)₂乙酰丙酮化物，綠色，US 2001/0053462A1，Baldo、Thompson等人，Nature 403，(2000)，750-753)，雙(1-苯基異喹啉根合-N,C2’)(2-苯基吡啶根合-N,C2’)Ir(III)，雙(2-苯基吡啶根合-N,C2’)(1-苯基異喹啉根合-N,C2’)Ir(III)，雙(2-(2'-苯并噻吩基)吡啶根合-N,C3’)Ir(III)乙酰丙酮化物，雙(2-(4',6'-二氟苯基)吡啶根合-N,C2’)Ir(III)(吡啶甲酸鹽)(Firpic，藍(lán)色)，雙(2-(4',6'-二氟苯基)吡啶根合-N,C2’)Ir(III)四(1-吡唑基)硼酸鹽，三(2-(聯(lián)苯-3-基)-4-叔丁基吡啶)銥(III)，(ppz)₂Ir(5phdpym)(US2009/0061681A1)，(45ooppz)₂Ir(5phdpym)(US 2009/0061681A1)，2-苯基吡啶-Ir絡(luò)合物的衍生物，例如，雙(2-苯基喹啉基-N,C2’)銥(III)乙酰丙酮化物(PQIr)，三(2-苯基異喹啉根合-N,C)Ir(III)(紅色)，雙(2-(2'-苯并[4,5-a]噻吩基)吡啶根合-N,C3)Ir乙酰丙酮化物([Btp2Ir(acac)]，紅色，Adachi等人，Appl.Phys.Lett.78(2001),1622-1624)。

同樣合適的是三價(jià)鑭系元素例如Tb³⁺和Eu³⁺的絡(luò)合物(J.Kido等人，Appl.Phys.Lett.(應(yīng)用物理快報(bào))65(1994),2124，Kido等人，Chem.Lett.657,1990,US 2007/0252517A1)，或Pt(II)、Ir(I)、Rh(I)與馬來(lái)二腈基二硫烯的磷光絡(luò)合物(Johnson等人，JACS 105,1983,1795)，Re(I)三羰基二亞胺絡(luò)合物(尤其是Wrighton,JACS 96,1974,998)，具有氰基配體和聯(lián)吡啶或菲咯啉配體的Os(II)絡(luò)合物(Ma等人，Synth.Metals(合成金屬)94,1998,245)或Alq₃。

具有三齒配體的其它磷光發(fā)光體描述于US 6824895和US 7029766中。在US 6835469和US 6830828中提及發(fā)紅色光的磷光絡(luò)合物。

特別優(yōu)選的磷光摻雜劑為式(60)的化合物和如在例如US 2001/0053462 A1中所公開(kāi)的其它化合物。

特別優(yōu)選的磷光摻雜劑為式(61)的化合物和如在例如WO 2007/095118 A1中所公開(kāi)的其它化合物。

在US 7378162 B2、US 6835469 B2和JP 2003/253145 A中描述了另外的衍生物。

特別優(yōu)選選自有機(jī)金屬絡(luò)合物的有機(jī)電致發(fā)光化合物。

術(shù)語(yǔ)電致發(fā)光化合物是指一經(jīng)接受通過(guò)施加電壓而產(chǎn)生的能量就經(jīng)歷輻射衰變以發(fā)光的材料。

除了本文中在其它地方提及的金屬絡(luò)合物，根據(jù)本發(fā)明合適的金屬絡(luò)合物可選自過(guò)渡金屬，稀土元素，鑭系元素和錒系元素，也是本發(fā)明的主題。優(yōu)選地，所述金屬選自Ir、Ru、Os、Eu、Au、Pt、Cu、Zn、Mo、W、Rh、Pd或Ag。

在優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述小分子有機(jī)功能材料在紫外(UV)范圍中發(fā)光。合適的UV發(fā)光體材料可選自如下的有機(jī)化合物，其包含具有小的π-共軛體系的部分，在最高占有分子軌道(HOMO)和最低未占分子軌道(LUMO)之間的能隙大。這樣的UV發(fā)光體可優(yōu)選選自如下的小分子化合物，其包括咔唑、茚并咔唑、吲哚并咔唑、硅烷、芴、三嗪、噻吩、二苯并噻吩、呋喃、二苯并呋喃、咪唑、苯并咪唑、蒽、萘、菲、胺、三芳基胺和其衍生物。

根據(jù)本發(fā)明的QD-LEC包含4種、優(yōu)選3種、特別優(yōu)選2種并且非常特別優(yōu)選熒光發(fā)光體。優(yōu)選包含一種EIM的QD-LEC。

根據(jù)本發(fā)明的QD-LEC優(yōu)選包含相對(duì)于發(fā)光層總量為如下濃度的熒光發(fā)光體，該濃度為至少1wt％，特別優(yōu)選至少5wt％，并且非常特別優(yōu)選至少10wt％。

根據(jù)本發(fā)明的QD-LEC包括

(1)第一電極；

(2)第二電極；

(3)位于所述第一電極和所述第二電極之間的發(fā)光層(EML)，其包含至少一種量子點(diǎn)、至少一種離子化合物和至少一種小分子有機(jī)功能材料。

如在本申請(qǐng)之內(nèi)在其它地方所指出的，QD-EC特別適合應(yīng)用于光線(xiàn)療法和PDT中。它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)和制造方面相當(dāng)簡(jiǎn)單，這降低了制造成本。在本發(fā)明內(nèi)已經(jīng)討論了OLEC特別是一種或多種QD-LEC的更多優(yōu)點(diǎn)。所述OLEC優(yōu)選包括至少兩個(gè)電極，特別優(yōu)選兩個(gè)電極，陰極和陽(yáng)極。通過(guò)EML連接兩個(gè)電極。

對(duì)于用于QD-LEC中的電極，優(yōu)選的材料選自金屬，特別優(yōu)選選自Al，Cu，Au，Ag，Mg，F(xiàn)e，Co，Ni，Mn，Zn，Cr，V，Pd，Pt，Ga，In，和它們的合金，導(dǎo)電氧化物，例如ITO、AZO、ZnO，和包含例如聚(亞乙基二氧噻吩)-聚磺苯乙烯(PEDOT:PSSH)、聚苯胺(PANI)的導(dǎo)電有機(jī)薄膜。另外的合適的導(dǎo)電聚合物可例如參見(jiàn)Michael S.Freund和Bhavana Deore編輯的綜述，“Self-Doped Conducting Polymers”(自摻雜的半導(dǎo)體聚合物)，John Willey&Sons股份有限公司，2007。

優(yōu)選地，在柔性基底上制備所述QD-LEC。合適的基底優(yōu)選選自基于聚合物或塑料的膜或箔。用于聚合物或塑料的主要的選擇標(biāo)準(zhǔn)為1)衛(wèi)生性質(zhì)和2)玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。聚合物的玻璃化溫度(T_g)可參考常規(guī)手冊(cè)，例如“Polymer Handbook”(聚合物手冊(cè))，J.Brandrup、E.H.Immergut和E.A.Grulke編著，John Willey&Sons股份有限公司，1999，VI/193-VI/276。優(yōu)選地，所述聚合物的T_g高于100℃，特別優(yōu)選高于150℃，并且非常特別優(yōu)選高于180℃。非常優(yōu)選的基底例如為聚(對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)(PET)和聚(2,6-萘二甲酸乙二醇酯)(PEN)。

為了避免由于氧和水分引起的降解，并且還為了防止在器件中的活性材料例如離子化合物和有機(jī)電致發(fā)光化合物與待處理對(duì)象接觸，對(duì)所述器件進(jìn)行合適封裝，對(duì)應(yīng)用于治療處理和美容病變中而言是先決條件。

有許多技術(shù)適合于封裝根據(jù)本發(fā)明的器件。通常，為了封裝根據(jù)本發(fā)明的器件，可應(yīng)用所有的為有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)、有機(jī)太陽(yáng)能電池、有機(jī)染料敏化太陽(yáng)能電池、有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET)、薄膜電池、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)和電子紙研發(fā)的封裝技術(shù)。

在優(yōu)選的實(shí)施方式中，通過(guò)使用薄膜封裝，封裝了本發(fā)明的器件。通常，薄膜封裝由有機(jī)/無(wú)機(jī)堆疊的多個(gè)交替層組成，其中無(wú)機(jī)層用于實(shí)現(xiàn)充分的阻擋性能，而有機(jī)層用于消除無(wú)機(jī)層不可避免的缺陷。用于無(wú)機(jī)層的材料可選自金屬、金屬氧化物或混合氧化物，例如Ag、SiO_x、SiN_x、AlO_x、ZrO_x、ZnO_x、HfO_x、TiO_x和氧化銦錫等。一些例子為，如Graff,G.L.等人所報(bào)道的真空沉積的丙烯酸酯聚合物/AlO_x交替多層(J.Appl.Phys.(應(yīng)用物理期刊)2004，96，1840)，如Young Gu Lee等人所報(bào)道的Al₂O₃/聚脲層(Org.Electron.(有機(jī)電子)2009，10，1352和Dig.Tech.Pap.-Soc.Inf.Disp.Int.Symp.2008，39，2011)，如Han,Jin Woo等人所報(bào)道的在PET基底上的SiON/SiO₂/聚對(duì)二甲苯(Jpn.J.Appl.Phys.,Part 1(日本應(yīng)用物理期刊第1部分)2006，45，9203)，和如Wang,Li Duo等人所報(bào)道的聚丙烯酸酯(20μm)-Ag(200nm)(Chin.Phys.Lett.(中國(guó)物理快報(bào))2005，22，2684)。

通過(guò)使用先進(jìn)的沉積技術(shù)，例如原子層沉積(ALD)、等離子體輔助脈沖激光沉積(PAPLD)和等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)，可顯著降低在無(wú)機(jī)層中的缺陷，以致可使用所有的無(wú)機(jī)層，例如，如Chang,Chih Yu等人所報(bào)道的通過(guò)ALD的Al₂O₃/HfO₂納米層壓膜(Org.Electron.2009，10，1300))，和如Li,C.Y.等人所報(bào)道的SiNx/SiOx層(IEEE Electron.Compon.Technol.Conf.2008，58^th，1819)，Shimooka,Y.等人的(PECVD SiO)/聚-苯并-唑(PBO)(IEEE Electron.Compon.Technol.Conf.2008，58^th，824)，Meyer,J.等人的Al₂O₃/ZrO₂納米層壓交替層(Appl.Phys.Lett.2009，94，233305/1)，和如Gorrn,Patrick等人所報(bào)道的通過(guò)PAPLD的Al₂O₃/ZrO₂納米層壓制品(J.Phys.Chem.(物理化學(xué)期刊)2009，113，11126)，和如Weidner,W.K.等人所報(bào)道的通過(guò)PECVD的SiC層(Annu.Tech.Conf.Proc–Soc.Vac.Coaters 2005，48^th，158)，如Lifka,H.等人所報(bào)道的通過(guò)PECVD的氮化硅–氧化硅–氮化硅氧化硅–氮化硅(NONON)多層堆疊(Dig.Tech.Pap.-Soc.Inf.Disp.Int.Symp.2004，35，1384)，和如Park,Sang-Hee Ko等人所報(bào)道的聚醚砜(PES)/ALD AlO_x(ETRI期刊，2005，545)。Stoldt、Conrad R等人提供了通過(guò)CVD和ALD的薄膜封裝的綜述((J.Phys.D：Appl.Phys.(物理期刊D：應(yīng)用物理)2006，39，163)。

還開(kāi)發(fā)了其它的單層封裝技術(shù)。單阻擋層的例子為，全氟化的聚合物(Cytop)，可容易地將其旋涂在OLED上，如Granstrom,J.等人所報(bào)道的(Appl.Phys.Lett.2008，93，193304/1)，和通過(guò)使用反應(yīng)性射頻(RF)磁控濺射而由氮氧化鋁(AlO_xN_y)組成的單層，如Huang,L.T.等人所報(bào)道的(Thin Solif Films(固體薄膜)2009，517，4207)，通過(guò)PECVD的單聚SiGe層，如Rusu,Cristina等人所報(bào)道的(J.Microelectromech.Syst.2003，12，816)。

例如在WO 2009/089417、WO 2009/089417、WO 2009/042154、WO 2009/042052、US 2009/081356、US 2009/079328、WO 2008/140313、WO 2008/012460、EP 1868256、KR 2006/084743、KR 2005/023685、US 2005/179379、US 2005/023974、KR 2003/089749、US 2004/170927、US 2004/024105、WO 2003/070625和WO 2001/082390中，公開(kāi)了另外的關(guān)于封裝材料和封裝方法的細(xì)節(jié)。

在另一優(yōu)選的實(shí)施方式中，通過(guò)使用可固化樹(shù)脂與覆蓋物，封裝本發(fā)明的器件，其中所述覆蓋物至少覆蓋發(fā)光區(qū)域，將所述可固化樹(shù)脂應(yīng)用于基底和所述覆蓋物之間。該覆蓋物材料可選自板或箔形式的金屬和塑料，和玻璃覆蓋物。優(yōu)選地，該覆蓋物為柔性的，其優(yōu)選選自金屬箔、塑料箔或金屬化的塑料箔。所述金屬可選自Al、Cu、Fe、Ag、Au、Ni，由此特別優(yōu)選Al。對(duì)于塑料的選擇標(biāo)準(zhǔn)為1)衛(wèi)生方面2)玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(T_g)，其應(yīng)該足夠地高。聚合物的T_g可參考合適的手冊(cè)，例如“Polymer Handbook”，J.Brandrup、E.H.Immergut和E.A.Grulke編著，John Willey&Sons股份有限公司，1999，VI/193-VI/276。優(yōu)選地，適用于覆蓋物材料的聚合物的T_g高于60℃，優(yōu)選高于70℃，特別優(yōu)選高于100℃，并且非常特別優(yōu)選高于120℃。在本發(fā)明中使用的覆蓋物為聚(2,6-萘二甲酸乙二醇酯)(PEN)。

所述的合適樹(shù)脂可熱固化或可UV固化。優(yōu)選地，該樹(shù)脂為可UV固化的，任選通過(guò)加熱以進(jìn)行支持或促進(jìn)。典型的樹(shù)脂為基于環(huán)氧化物的樹(shù)脂，其可商購(gòu)自例如Nagase&Co.股份有限公司和DELO Industrie Klebstoffe?？蓪⒃摌?shù)脂施加至發(fā)光區(qū)域的全部區(qū)域或僅施加至邊緣上，其中在下面沒(méi)有發(fā)光區(qū)域。

優(yōu)選地，在柔性基底上制備QD-LEC。合適的基底優(yōu)選選自基于聚合物或塑料的膜或箔。用于聚合物或塑料的選擇標(biāo)準(zhǔn)為1)衛(wèi)生性質(zhì)和2)玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。聚合物的玻璃化溫度(T_g)可參考合適的手冊(cè)，例如“Polymer Handbook”，J.Brandrup、E.H.Immergut和E.A.Grulke編著，John Willey&Sons股份有限公司，1999，VI/193-VI/276。優(yōu)選地，所述聚合物的T_g高于100℃，非常優(yōu)選高于150℃，并且特別是高于180℃。非常優(yōu)選的基底例如為聚(對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)(PET)和聚(2,6-萘二甲酸乙二醇酯)(PEN)。

QD-LEC特征在于經(jīng)由傳輸帶電荷物質(zhì)發(fā)生電荷傳輸，而不是如在OLED中所觀(guān)察到的純粹傳輸電子和空穴。因此，QD-LEC通常包含離子物質(zhì)。

典型的適合于本發(fā)明QD-LEC的還被稱(chēng)為離子材料的離子物質(zhì)，具有通式K⁺A^-，其中K⁺和A^-分別代表陽(yáng)離子和陰離子。

優(yōu)選地，所述離子材料在與所述有機(jī)發(fā)光材料可溶解的相同溶劑中是可溶解的。這使得可容易地制備包含一種或多種所述發(fā)光體材料和一種或多種所述離子材料的混合物。通常，有機(jī)發(fā)光材料可溶解于普通的有機(jī)溶劑中，例如甲苯、苯甲醚、氯仿。

優(yōu)選地，所述離子材料在室溫下為固體，并且特別優(yōu)選地，所述離子材料在室溫下為固體并且在30至37℃之間變得較軟。

所述陽(yáng)離子可為有機(jī)的或無(wú)機(jī)的。合適的無(wú)機(jī)陽(yáng)離子K⁺可選自例如K⁺(鉀)和Na⁺。合適的有機(jī)陽(yáng)離子K⁺可選自如式(62)至(66)中所示的銨-、、硫脲-(thiouronium-)、胍(guanidinium)陽(yáng)離子，或如式(67)至(94)中所示的雜環(huán)陽(yáng)離子。

其中

R¹至R⁶可彼此獨(dú)立地選自具有1至20個(gè)C原子的直鏈或超支化的烷基基團(tuán)，具有2至20個(gè)C原子和一個(gè)或多個(gè)非共軛雙鍵的直鏈或超支化的烯基基團(tuán)，具有2至20個(gè)C原子和一個(gè)或多個(gè)非共軛三鍵的直鏈或超支化的炔基基團(tuán)，具有3至7個(gè)C原子的飽和、部分飽和或完全飽和的環(huán)烷基，其還可被具有1至6個(gè)C原子的烷基基團(tuán)所取代，其中一個(gè)或多個(gè)取代基R可以部分地或完全地被鹵素取代，特別是被–F和/或–Cl取代，或部分地被-OR’、-CN、-C(O)OH、-C(O)NR’₂、-SO₂NR'₂、-SO₂OH、-SO₂X、-NO₂取代，其中R¹至R⁶的一個(gè)或兩個(gè)非相鄰的并且非α-碳原子的碳原子可被選自-O-、-S-、-S(O)-、-SO₂-、-N⁺R'₂^-、-C(O)NR'-、-SO₂NR'-和-P(O)R'-的基團(tuán)所取代，其中R'＝H，未取代的、部分地或完全地被–F取代的C1至C6烷基，C3至C7環(huán)烷基，未取代的或取代的苯基，并且X＝鹵素。

在式(62)中，R¹至R⁴可為H，條件是所述基團(tuán)R¹至R⁴中的至少一個(gè)不為H。在式(63)中，R¹至R⁴可為H和NR’₂，其中R’定義如上。在式(64)中，R¹至R⁵可為H。在式(65)中，R¹至R⁶可為H、CN和NR’₂，其中R’定義如上。

其中，取代基R¹’至R⁴’彼此獨(dú)立地選自H，CN，具有1至20個(gè)C原子的直鏈或超支化的烷基基團(tuán)，具有2至20個(gè)C原子和一個(gè)或多個(gè)非共軛雙鍵的直鏈或超支化的烯基基團(tuán)，具有2至20個(gè)C原子和一個(gè)或多個(gè)非共軛三鍵的直鏈或超支化的炔基基團(tuán)，具有3至7個(gè)C原子的部分或完全未飽和的環(huán)烷基基團(tuán)，其還可被具有1至6個(gè)C原子的烷基基團(tuán)所取代，飽和的和部分或完全未飽和的雜芳基，雜芳基-C₁-C₆-烷基，或烷基-C₁-C₆-烷基，其中取代基R¹’、R²’、R³’和/或R⁴’一起可形成環(huán)，其中取代基R¹’至R⁴’中的一個(gè)或多個(gè)可部分或完全地被鹵素取代，特別是被–F和/或–Cl取代，和被-OR'、-CN、-C(O)OH、-C(O)NR'₂、-SO₂NR'₂、-C(O)X、-SO₂OH、-SO₂X、-NO₂取代，其中取代基R¹’和R⁴’不同時(shí)被鹵素取代，其中取代基R¹’和R²’的一個(gè)或兩個(gè)非相鄰的并且不與雜原子鍵合的碳原子可被選自-O-、-S-、-S(O)-、-SO₂-、-N⁺R'₂-、-C(O)NR'-、-SO₂NR'-和-P(O)R'-的基團(tuán)所取代，其中R'＝H，具有1至6個(gè)C原子的未取代的、部分地或完全地被–F取代的烷基，具有3至7個(gè)C原子的環(huán)烷基，未取代的或取代的苯基，并且X＝鹵素。

優(yōu)選選自-OR'、-NR'₂、-C(O)OH、-C(O)NR'₂、-SO₂NR'₂)-SO₂OH、-SO₂X和-NO₂的R²’。

在例如US 2007/0262694 A1中公開(kāi)了另外優(yōu)選的離子材料。

另外特別優(yōu)選的離子材料包含具有式(95)所代表結(jié)構(gòu)的陽(yáng)離子。它們包括N,N,N-三甲基丁基銨離子,N-乙基-N,N-二甲基-丙基銨離子,N-乙基-N,N-二甲基丁基銨離子,N,N,-二甲基-N-丙基丁基銨離子,N-(2-甲氧基乙基)-N,N-二甲基乙基銨離子,1-乙基-3-甲基咪唑離子,1-乙基-2,3-二甲基咪唑離子,1-乙基-3,4-二甲基咪唑離子,1-乙基-2,3,4-三甲基咪唑離子,1-乙基-2,3,5-三甲基咪唑離子,N-甲基-N-丙基吡咯烷離子,N-丁基-N-甲基吡咯烷離子,N-仲丁基-N-甲基吡咯烷離子,N-(2-甲氧基乙基)-N-甲基吡咯烷離子,N-(2-乙氧基乙基)-N-甲基吡咯烷離子,N-甲基-N-丙基哌啶離子,N-丁基-N-甲基哌啶離子,N-仲丁基-N-甲基哌啶離子,N-(2-甲氧基乙基)-N-甲基哌啶離子和N-(2-乙氧基乙基)-N-甲基哌啶離子。

非常特別優(yōu)選的是N-甲基-N-丙基哌啶。

可溶解于普通有機(jī)溶劑例如甲苯、苯甲醚和氯仿中的特別優(yōu)選的離子材料為選自如下離子化合物的化合物：三氟甲烷磺酸甲基三辛基銨(MATS)，辛基磺酸1-甲基-3-辛基咪唑，辛基磺酸1-丁基-2,3-二甲基咪唑，雙(三氟甲基磺酰基)亞胺1-十八基-3-甲基咪唑，三(五氟乙基)三氟磷酸1-十八基-3-甲基咪唑，雙(三氟甲基磺?；?亞胺1,1-二丙基吡咯烷，雙(1,2-苯二醇基(2-)-O,O’)硼酸三己基(四癸基)，和三氟甲烷磺酸N,N,N’,N’,N’,N’-五甲基-N’-丙基胍。

另外優(yōu)選的陽(yáng)離子選自如下通式(96)至(101)之一的化合物

其中R¹至R⁴如式(62)、(63)和(67)中所定義的，并且R¹’和R⁴’如式(68)、(82)和(77)中所定義的。

另外優(yōu)選的適合于本發(fā)明QD-LEC的離子材料為如下化合物，其中K⁺或A^-中的一個(gè)與聚合物骨架共價(jià)鍵合。

另外優(yōu)選的適合于本發(fā)明QD-LEC的離子材料選自如下化合物，其中K⁺或A^-中的一個(gè)為有機(jī)發(fā)光材料，其可選自如本發(fā)明范圍內(nèi)其它地方所述的小分子和聚合物發(fā)光材料。

合適的陰離子A^-可選自[HSO₄]^-、[SO₄]^2-、[NO₃]^-、[BF₄]^-、[(R_F)BF3]^-、[(R_F)₂BF₂]^-、[(R_F)₃BF]^-、[(R_F)₄B]^-、[B(CN)₄]^-、[PO₄]^3-、[HPO₄]^2-、[H₂PO₄]^-、[烷基-OPO₃]^2-、[(烷基-O)₂PO₂]^-、[烷基-PO₃]^2-、[R_FPO₃]^2-、[(烷基)₂PO₂]^-、[(R_F)₂PO₂]^-、[R_FSO₃]^-、[HOSO₂(CF₂)_nSO₂O]^-、[OSO₂(CF₂)_nSO₂O]^2-、[烷基-SO₃]^-、[HOSO₂(CH₂)_nSO₂O]^-、[OSO₂(CH₂)_nSO₂O]^2-、[烷基-OSO₃]^-、[烷基-C(O)O]^-、[HO(O)C(CH₂)_nC(O)O]^-、[R_FC(O)O]^-、[HO(O)C(CF₂)_nC(O)O]^-、[O(O)C(CF₂)_nC(O)O]^2-、[(R_FSO₂)₂N]^-、[(FSO₂)₂N]^-、[((R_F)₂P(O))₂N]^-、[(R_FSO₂)₃C]^-、[(FSO₂)₃C]^-、Cl^-和/或Br^-

其中：

n＝1至8；

R_F是m＝1至12并且x＝0至7的式(C_mF_2m-x+1H_x)的氟化烷基，其中m＝1并且x＝0至2，和/或氟化的(還有全氟化的)芳基或烷基-芳基。

上述烷基基團(tuán)可選自如下的直鏈或超支化的烷基基團(tuán)，其具有1至20個(gè)C原子，優(yōu)選具有1至14個(gè)C原子并且特別優(yōu)選具有1至4個(gè)C原子。優(yōu)選地，R_F是指CF₃、C₂F₅、C₃F₇或C₄F₉。

優(yōu)選的陰離子選自PF₆^-、[PF₃(C₂F₅)₃]^-、[PF₃(CF₃)₃]^-、BF₄^-、[BF₂(CF₃)₂]^-、[BF₂(C₂F₅)₂]^-、[BF₃(CF₃)]^-、[BF₃(C₂F₅)]^-、[B(COOCOO)₂^-(BOB^-)、CF₃SO₃^-(Tf^-)、C₄F₉SO₃(Nf^-)、[(CF₃SO₂)₂N]^-(TFSI^-)、[(C₂F₅SO₂)₂N]^-(BETI^-)、[(CF₃SO₂)(C₄F₉SO₂)N]^-、[(CN)₂N]^-(DCA^-)、[CF₃SO₂]₃C]^-和[(CN)₃C]^-。

另外優(yōu)選的適合于本發(fā)明QD-LEC的離子材料選自通式(Kⁿ⁺)_a(A^m-)_b的化合物，其中n、m、a和b為從1至3的整數(shù)，并且n×a–m×b＝0，并且其中Kⁿ⁺或A^m-中的一個(gè)為有機(jī)發(fā)光材料，其可選自包含如本發(fā)明范圍內(nèi)其它地方所概括小分子和聚合物發(fā)光體的基團(tuán)的化合物。優(yōu)選地，n、m、a、b為1。

在優(yōu)選的實(shí)施方式中，在所述的(Kⁿ⁺)_a(A^m-)_b形式的化合物中，Kⁿ⁺或A^m-中的一個(gè)為發(fā)光金屬絡(luò)合物，并且特別優(yōu)選Kⁿ⁺為發(fā)光金屬絡(luò)合物，其中該金屬可選自過(guò)渡金屬，優(yōu)選第VIII族元素的那些金屬，鑭系元素，和錒系元素，特別優(yōu)選選自Rh、Os、Ir、Pt、Au、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Re、Cu、W、Mo、Pd、Ag、Ru，并且非常特別優(yōu)選選自Ru、Os、Ir、Re。Kⁿ⁺的一些非限制性例子為[Ir(ppy)₂(bpy)]⁺、[Ir(ppy)₂(dpp)]⁺、[Ir(ppy)₂(phen)]⁺、[Ru(bpy)₃]²⁺、[Os(bpy)₂L)]²⁺(L＝順式-1,2-雙(二苯基膦基)乙烯)。

在本發(fā)明的另外的實(shí)施方式中，所述QD-LEC包含具有通式(Kⁿ⁺)_a(A^m-)_b的化合物，其中Kⁿ⁺或A^m-中的一個(gè)為發(fā)光單重態(tài)發(fā)光體，并且特別優(yōu)選Kⁿ⁺為發(fā)光單重態(tài)發(fā)光體。這種化合物可選自帶電荷的激光染料，例如對(duì)四聯(lián)苯-4,4”'-二磺酸二鈉鹽(聚苯1)，對(duì)四聯(lián)苯-4,4”'-二磺酸二鉀鹽(聚苯2)，2-(4-聯(lián)苯基)-6-苯基苯并唑四磺酸鉀鹽(呋喃2)，[1,1'-聯(lián)苯]-4-磺酸,4',4”-1,2-乙烯-二基雙-,二鉀鹽(茋1)，2,2'-([1,1'-聯(lián)苯]-4,4'-二基二-2,1-乙烯二基)-雙-苯磺酸二鈉鹽(茋3)，苯并呋喃,2,2'-[1,1'-聯(lián)苯]-4,4'-二基-雙-四磺酸(四鈉鹽)(呋喃1)，2-(對(duì)二甲基氨基苯乙烯基)-吡啶基甲基碘化物(DASPI)，2-(對(duì)二甲基氨基苯乙烯基)-苯并噻唑基乙基碘化物(DASBTI)，3,3'-二乙基氧雜羰花青碘化物(DOCI)，4,4-二氟-1,3,5,7,8-五甲基-4-硼-3a,4a-二氮雜-對(duì)稱(chēng)引達(dá)省1,3,5,7,8-五甲基吡咯亞甲基二氟硼酸酯絡(luò)合物(吡咯亞甲基546)，3,3'-二甲基-9-乙基硫雜羰花青碘化物(DMETCI)，二鈉-1,3,5,7,8-五甲基吡咯亞甲基-2,6-二磺酸-二氟硼酸酯絡(luò)合物(吡咯亞甲基556)，4,4-二氟-2,6-二乙基-1,3,5,7,8-五甲基-4-硼-3a,4a-二氮雜-對(duì)稱(chēng)引達(dá)省2,6-二乙基-1,3,5,7,8-五甲基吡咯亞甲基二氟硼酸酯絡(luò)合物(吡咯亞甲基567)，鄰-(6-氨基-3-亞氨基-3H-氧雜蒽-9-基)-苯甲酸(羅丹明110)，苯甲酸,2-[6-(乙基氨基)-3-(乙基亞氨基)-2,7-二甲基-3H-氧雜蒽-9-基],高氯酸鹽(羅丹明19)，4,4-二氟-2,6-二正丁基-1,3,5,7,8-五甲基-4-硼-3a,4a-二氮雜-對(duì)稱(chēng)引達(dá)省2,6-二正丁基-1,3,5,7,8-五甲基吡咯亞甲基二氟硼酸酯絡(luò)合物(吡咯亞甲基580)，苯甲酸,和2-[6-(乙基氨基)-3-(乙基亞氨基)-2,7-二甲基-3H-氧雜蒽-9-基]-乙酯,單鹽酸鹽(羅丹明6G)，其可從德國(guó)，Goettingen，Lambda Physik AG商購(gòu)。

本發(fā)明的另一目的為所述包含至少一種式(Kⁿ⁺)_a(A^m-)_b化合物的QD-LEC，其特征在于Kⁿ⁺或A^m-中的一個(gè)為發(fā)光的單重態(tài)發(fā)光體。

非常優(yōu)選地，Kⁿ⁺為發(fā)光的單重態(tài)發(fā)光體。Kⁿ⁺優(yōu)選選自上文所限定的基團(tuán)。

優(yōu)選地，所述發(fā)光器件為電致發(fā)光器件。優(yōu)選所述QD-LEC包含3種，特別優(yōu)選2種，并且非常特別優(yōu)選1種所述通式(Kⁿ⁺)_a(A^m-)_b的化合物。

實(shí)際上，如果所述離子物質(zhì)本身是發(fā)光材料，則它被視為如此處所定義的有機(jī)功能材料。在這種情況下，對(duì)于所述QD-LEC，可以不需要另外的小分子功能材料。

原則上，在根據(jù)本發(fā)明的QD-LEC中可使用本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所已知的任何量子點(diǎn)(QD)。

優(yōu)選在如下范圍中具有最大發(fā)光強(qiáng)度的量子點(diǎn)，該范圍為300至2000nm，優(yōu)選350至1500nm。通過(guò)選擇合適的有機(jī)半導(dǎo)體和/或通過(guò)選擇合適的量子點(diǎn)和/或通過(guò)量子點(diǎn)的尺寸，其又可通過(guò)合成進(jìn)行精確調(diào)節(jié)，可容易地調(diào)節(jié)發(fā)光波長(zhǎng)。通過(guò)在所述QD-LEC中使用的確定尺寸的量子點(diǎn)的濃度，也可調(diào)整發(fā)光強(qiáng)度。

優(yōu)選地，本發(fā)明QD-LEC包含的量子點(diǎn)選自族II-VI、族III-V、族IV-VI和族IV的半導(dǎo)體，優(yōu)選ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、MgS、MgSe、GeS、GeSe、GeTe、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb和其組合。

合適的可引入量子點(diǎn)中的半導(dǎo)體材料選自族II-VI的元素，例如CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnO、ZnS、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe，和其合金，例如CdZnSe；族III-V的元素，例如InAs、InP、GaAs、GaP、InN、GaN、InSb、GaSb、AlP、AlAs、AlSb，和其合金，例如InAsP、CdSeTe、ZnCdSe、InGaAs；族IV-VI的元素，例如PbSe、PbTe和PbS，和其合金；族III-VI的元素，例如InSe、InTe、InS、GaSe，和其合金，例如InGaSe、InSeS；族IV的半導(dǎo)體，例如Si和Ge，其合金，和其在復(fù)合結(jié)構(gòu)中的組合。

另外的合適的半導(dǎo)體材料包括在美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)序列號(hào)10/796,832中公開(kāi)的那些半導(dǎo)體材料，并且包括任何類(lèi)型的半導(dǎo)體，包括族II-VI、族III-V、族IV-VI和族IV的半導(dǎo)體。合適的半導(dǎo)體材料包括但不限于Si、Ge、Sn、Se、Te、B、C(包括金剛石)、P、BN、BP、BAs、AlN、AlP、AlAs、AlS、AlSb、BaS、BaSe、BaTe、CaS、CaSe、CaTe、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、BeS、BeSe、BeTe、MgS、MgSe、GeS、GeSe、GeTe、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、CuF、CuCl、CuBr、CuI、Si₃N₄、Ge₃N₄、Al₂O₃、(Al,Ga,In)₂(S,Se,Te)₃、Al₂CO，和兩種或更多種這樣的半導(dǎo)體的合適組合。

優(yōu)選地，所述量子點(diǎn)選自族II-VI、族III-V、族IV-VI和族IV的半導(dǎo)體，特別優(yōu)選選自ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、MgS、MgSe、GeS、GeSe、GeTe、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb，和其組合。

在一些實(shí)施方式中，所述量子點(diǎn)可以包含如下?lián)诫s劑：p-型摻雜劑或n-型摻雜劑。摻雜的量子點(diǎn)的性質(zhì)和合成可參考Moonsub Shim和Philippe Guyot-Sionnest的“n-type colloidal semiconductor nanocrystals”(n型膠體半導(dǎo)體納米晶體)，Nature卷407(2000)第981頁(yè)，和Norris等人的“Doped Nanocrystals”(摻雜的納米晶體)，Science，319(2008)，第1776頁(yè)。本發(fā)明的量子點(diǎn)還可包含II-VI或III-V的半導(dǎo)體。II-VI或III-V半導(dǎo)體納米晶體的例子包括周期表中第II族的元素與第VI族的任何元素的任何組合，其中第II族的元素例如為Zn、Cd和Hg，所述的第VI族的任何元素例如為S、Se、Te、Po；和周期表中第III族的元素與第V族的任何元素的任何組合，其中第III族的元素例如為B、Al、Ga、In和Tl，所述的第V族的任何元素例如為N、P、As、Sb和Bi。

在量子點(diǎn)中，光致發(fā)光和電致發(fā)光起因于納米晶體的帶邊態(tài)。來(lái)自納米晶體的輻射帶邊發(fā)光與源自表面電子態(tài)的非輻射衰變通道競(jìng)爭(zhēng)，如X.Peng等人，J.Am.Chem.Soc.卷119:7019-7029(1997)所報(bào)道的。因此，諸如懸鍵的表面缺陷的存在，提供了非輻射復(fù)合中心和較低的發(fā)光效率。鈍化并除去表面俘獲狀態(tài)的有效方法為在納米晶體的表面上外延生長(zhǎng)無(wú)機(jī)殼材料，如X.Peng等人，J.Am.Chem.Soc.卷119:7019-7029(1997)所報(bào)道的。可選擇殼材料，以使得所述電子能級(jí)相對(duì)于核材料為I型(例如，具有較大的帶隙以提供電位階躍，將電子和空穴定域至核)。結(jié)果，可降低非輻射復(fù)合的幾率。

通過(guò)向含有核納米晶體的反應(yīng)混合物中添加含有殼材料的有機(jī)金屬前體，獲得殼-核結(jié)構(gòu)。在這種情況下，不是在成核事件后生長(zhǎng)，而是核用作晶核，并且從它們的表面生長(zhǎng)殼。保持低反應(yīng)溫度有助于將殼材料單體添加至核表面，同時(shí)防止殼材料納米晶體不受控制的成核。在該反應(yīng)混合物中存在表面活性劑以控制殼材料的生長(zhǎng)并且確保溶解度。當(dāng)在所述兩種材料之間具有低的晶格失配時(shí)，獲得均勻并外延生長(zhǎng)的殼。因此，球形用于從大的曲率半徑最小化界面應(yīng)變能，由此防止形成位錯(cuò)，位錯(cuò)可能劣化納米晶體體系的光學(xué)性質(zhì)。

在優(yōu)選的實(shí)施方式中，使用本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所熟知的合成方法，可將ZnS用作殼材料。

在特別優(yōu)選的實(shí)施方式中，本發(fā)明的量子點(diǎn)包含如下半導(dǎo)體材料，其選自族II-VI半導(dǎo)體、其合金和由此形成的殼/核結(jié)構(gòu)。在另外的實(shí)施方式中，所述族II-VI半導(dǎo)體為CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、ZnTe、其合金、其組合和其殼/核、核-多殼的層狀結(jié)構(gòu)。

在一些實(shí)施方式中，本發(fā)明量子點(diǎn)包含另外的與其表面共軛、協(xié)作、關(guān)聯(lián)或連接的配體。合適的配體包括本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的任何基團(tuán)，包括在US 10/656910和US 60/578236中所公開(kāi)的那些。使用這種配體可強(qiáng)化所述量子點(diǎn)被并入多種溶劑和基質(zhì)材料包括聚合物中的能力。另外優(yōu)選的配體為具有“頭-體-尾”結(jié)構(gòu)的這種配體，如在US 2007/0034833A1中所公開(kāi)的，其中進(jìn)一步優(yōu)選所述“體”具有電子或空穴傳輸功能，如在US 20050109989A1中所公開(kāi)的。

術(shù)語(yǔ)量子點(diǎn)是指在尺寸上基本上單分散的納米晶體。量子點(diǎn)具有至少一個(gè)尺度低于約500nm并且直至低于約1nm數(shù)量級(jí)的區(qū)域或特性尺度。術(shù)語(yǔ)單分散是指尺寸分布在所指出值的+-10％以?xún)?nèi)，例如直徑100nm的單分散納米晶體包括從90nm或更大至110nm或更小的尺寸范圍。

由于QD特別是殼-核QD的限定的尺寸，它們與它們的體相對(duì)物相比而顯示出獨(dú)特的光學(xué)性質(zhì)。通過(guò)單高斯峰確定發(fā)射光譜，其起因于帶邊發(fā)光。作為量子限域效應(yīng)的直接結(jié)果，通過(guò)核粒子尺寸確定發(fā)射峰的位置。Al.L.Efros和M.Rosen在A(yíng)nnu.Rev.Mater.Sci.(材料科學(xué)年度綜述)2000.30:475–521中討論了所述電子和光學(xué)性質(zhì)。此外，如上文所指出的，根據(jù)在所述QD-LEC中使用的濃度，可調(diào)節(jié)發(fā)射強(qiáng)度。

如在本發(fā)明內(nèi)在其它地方所指出的，本發(fā)明QD-LEC包含至少一種離子物質(zhì)。

優(yōu)選地，所述的至少一種離子物質(zhì)選自離子過(guò)渡金屬絡(luò)合物(iTMC)。

例如Rudmann等人，J.Am.Chem.Soc.2002，124，4918-4921和Rothe等人，Adv.Func.Mater.(高級(jí)功能材料)2009，19，2038-2044，報(bào)道了一種典型的iTMC材料。相對(duì)于發(fā)光層(EML)，iTMC在該發(fā)光層中的濃度可為1至50wt％，優(yōu)選5至30wt％，特別優(yōu)選10至30wt％，并且非常特別優(yōu)選10至20wt％。

所述QD-LEC優(yōu)選包含另外的離子傳導(dǎo)材料和/或中性基質(zhì)材料，其相對(duì)于該層總量的濃度可為1至90wt％，優(yōu)選10至80wt％，特別優(yōu)選20至70wt％，并且非常特別優(yōu)選30至70wt％。

根據(jù)權(quán)利要求1至10中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的QD-LEC，特征在于所述量子點(diǎn)中的至少一種為離子物質(zhì)。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式中，根據(jù)本發(fā)明的QD-LEC包含QD，其自身為離子化合物。

合適的離子QD選自包含至少一種離子配體(或覆蓋物)的QD。用于這種實(shí)施方式的合適配體可優(yōu)選選自式(102)和(103)的配體：

[K⁺][A^-–B–D] 式(102)

[A⁺][K^-–B–D] 式(103)

其中D為錨固基團(tuán)，其錨固在QD表面上，例如巰基基團(tuán)；并且B為簡(jiǎn)單的鍵或間隔基團(tuán)，優(yōu)選選自烷基、烷氧基基團(tuán)；并且K^+/-和A^-/+代表如上文所述的陽(yáng)離子和陰離子。

通過(guò)如例如Denis Dorokhin等人所報(bào)道的配體交換(Nanotechnology(納米技術(shù))2010，21，285703)，可合成包含至少一種根據(jù)通式(102)或(103)的離子配體的量子點(diǎn)。該配體可例如具有下式(104)。

通過(guò)在氮?dú)饬飨虏⑶医柚谠诶?0℃下加熱條件下混合三辛基氧化膦(TOPO)覆蓋的殼-核CdSe/ZnS QD的甲苯溶液與式(104)配體的甲苯溶液，可實(shí)現(xiàn)配體交換。通過(guò)控制反應(yīng)時(shí)間，可獲得在TOPO和式(104)陰離子之間不同程度的配體交換。在優(yōu)選的實(shí)施方式中，僅希望部分交換，因此，該反應(yīng)時(shí)間優(yōu)選為短的，例如短于24小時(shí)。

優(yōu)選如下的QD-LEC，其特征在于所述發(fā)光層(EML)包含至少一種離子量子點(diǎn)和至少一種選自主體材料、熒光發(fā)光體、磷光發(fā)光體、空穴傳輸材料(HTM)、空穴注入材料(HIM)、電子傳輸材料(ETM)和電子注入材料(EIM)的有機(jī)功能小分子。所述的電中性小分子有機(jī)功能材料與本發(fā)明內(nèi)在其它地方所指出的相同。

特別優(yōu)選所述如下的QD-LEC，其中所述EML包含2種并且非常特別優(yōu)選1種離子量子點(diǎn)。

在又一優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述QD-LEC的EML包含一種離子量子點(diǎn)和一種選自主體和/或磷光發(fā)光體的小分子有機(jī)功能材料。所述組分在EML中的濃度，對(duì)于量子點(diǎn)，可為1至20wt％，對(duì)于主體，可為50至98wt％，而對(duì)于磷光發(fā)光體，可為1至20wt％。

在一個(gè)另外的優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述QD-LEC的EML包含一種離子量子點(diǎn)和一種選自主體和/或熒光發(fā)光體的小分子有機(jī)功能材料。所述組分在EML中的濃度，對(duì)于量子點(diǎn)，可為1至20wt％，對(duì)于主體，可為50至98wt％，而對(duì)于熒光發(fā)光體，可為1至20wt％。

所述QD-LEC的EML可以包含另外的可為小分子或聚合物的有機(jī)功能材料。

本發(fā)明還涉及離子量子點(diǎn)，其特征在于它包含至少一種根據(jù)通式(102)或(103)的離子配體。

本發(fā)明還涉及用于此處所述實(shí)施方式中的混合物或根據(jù)此處所述實(shí)施方式的混合物，其包含至少一種量子點(diǎn)和至少一種離子化合物和至少一種小分子有機(jī)功能材料。

在優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述混合物包含至少一種QD，至少一種離子化合物，至少一種主體材料和至少一種可選自磷光發(fā)光體或熒光發(fā)光體的發(fā)光體。

在另一優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述混合物包含至少一種離子QD，至少一種主體材料和至少一種可選自磷光發(fā)光體或熒光發(fā)光體的發(fā)光體。

在又一優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述混合物包含至少一種QD，至少一種主體材料和至少一種可選自磷光發(fā)光體或熒光發(fā)光體的離子發(fā)光體。優(yōu)選地，所述離子發(fā)光體選自iTMC。

在另外優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述混合物包含至少離子傳導(dǎo)材料，其對(duì)于Li⁺可選自例如聚乙烯氧化物(PEO)。

在所述混合物中，它可以另外包含其它有機(jī)功能材料，該有機(jī)功能材料可為小分子或聚合物或低聚物或樹(shù)枝狀大分子的形式，并且可選自主體、發(fā)光體、HIM、HTM、ETM、EIM和金屬絡(luò)合物。

在根據(jù)此處所述的任何實(shí)施方式的混合物中，所述QD可以包括至少一種選自族II-VI、族III-V、族IV-VI和族IV半導(dǎo)體的元素，優(yōu)選ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、MgS、MgSe、GeS、GeSe、GeTe、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb，和兩種或更多種這樣的半導(dǎo)體的合適組合，和/或具有其殼/核、核-多殼的層狀結(jié)構(gòu)。

根據(jù)此處所述的任何實(shí)施方式的混合物可以特征在于，將所述QD的濃度選擇為優(yōu)選0.5至30wt％，特別優(yōu)選1至20wt％，并且非常特別優(yōu)選5至15wt％。

根據(jù)此處所述的任何實(shí)施方式的混合物可以包括至少另外的一種發(fā)光體。在根據(jù)此處所述的任何實(shí)施方式的混合物中，所述量子點(diǎn)的發(fā)射光譜可能與所述另外的發(fā)光體的吸收重疊。因此，可實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)移。在根據(jù)此處所述的任何實(shí)施方式的混合物中，所述的另外的發(fā)光體可選自有機(jī)化合物或其它量子點(diǎn)。

根據(jù)另外的實(shí)施方式，電子器件包含根據(jù)此處所述的任何實(shí)施方式的混合物或根據(jù)此處所述的任何實(shí)施方式的離子量子點(diǎn)。所述電子器件可以包括至少一個(gè)陽(yáng)極、一個(gè)陰極和在所述陽(yáng)極和所述陰極之間的功能層，其中所述功能層包含所述混合物或所述量子點(diǎn)。該電子器件可以特征在于，該器件為如下的發(fā)光、光轉(zhuǎn)化、光捕集或光傳感器器件，其選自有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)、聚合物發(fā)光二極管(PLED)、有機(jī)發(fā)光電化學(xué)電池、有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET)、薄膜晶體管(TFT)、有機(jī)太陽(yáng)能電池(O-SC)、有機(jī)激光二極管(O-laser)、有機(jī)集成電路(O-IC)、射頻識(shí)別(RFID)標(biāo)簽、光檢測(cè)器、傳感器、邏輯電路、存儲(chǔ)元件、電容器、電荷注入層、肖特基二極管、平面化層、抗靜電膜、導(dǎo)電基底或圖案、光電導(dǎo)體、電子照像元件、有機(jī)發(fā)光晶體管(OLET)、有機(jī)自旋電子器件和有機(jī)等離子體發(fā)光器件(OPED)，優(yōu)選選自有機(jī)發(fā)光二極管。

本發(fā)明的另一方面涉及制劑，優(yōu)選溶液，其包含根據(jù)此處所述的任何實(shí)施方式的混合物或離子量子點(diǎn)，和一種或多種有機(jī)溶劑。

不受限制地，合適并且優(yōu)選的有機(jī)溶劑的例子包括二氯甲烷、三氯甲烷、一氯苯、鄰二氯苯、四氫呋喃、苯甲醚、嗎啉、甲苯、鄰二甲苯、間二甲苯、對(duì)二甲苯、1,4-二烷、丙酮、甲乙酮、1,2-二氯乙烷、1,1,1-三氯乙烷、1,1,2,2-四氯乙烷、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲亞砜、四氫萘、十氫萘、二氫茚和/或其混合物。

所述混合物在所述溶液中的濃度為優(yōu)選0.1至10wt％，特別優(yōu)選0.5至5wt％。任選地，該溶液還包含一種或多種粘結(jié)劑以調(diào)節(jié)流變性質(zhì)，如在WO 2005/055248 A1中所描述的。

在合適的混合和老化后，將溶液評(píng)價(jià)為如下類(lèi)別中的一類(lèi)：完全溶液、臨界溶液或不溶解。畫(huà)等值線(xiàn)以描繪出區(qū)分溶解和不溶解的溶解度參數(shù)-氫鍵界限?？蓮奈墨I(xiàn)值選擇落在溶解區(qū)域內(nèi)的“完全”溶劑，例如在“Crowley,J.D.，Teague,G.S.Jr和Lowe,J.W.Jr.，Journal of Paint Technology(顏料技術(shù)期刊)，38，496，296(1966)”中所公開(kāi)的。還可以使用溶劑摻混物，并且可如在“Solvents，W.H.Ellis，F(xiàn)ederation of Societies for Coatings Technology，9-10，1986”中所描述的對(duì)其進(jìn)行認(rèn)定。盡管希望在摻混物中具有至少一種真實(shí)的溶劑，但這種步驟可能導(dǎo)致將溶解所述混合物的“非”溶劑的摻混物。

本發(fā)明制劑的另一優(yōu)選的形式為乳液，并且非常特別優(yōu)選為微乳液，其為特別配置的多相體系，其中將穩(wěn)定納米液滴的一個(gè)相分散在第二個(gè)連續(xù)相中。本發(fā)明涉及微乳液，其中將所述混合物的不同組分定位于相同相中或不同相中。優(yōu)選的分布如下：

1)大部分或所有QD和有機(jī)功能材料在納米液滴(不連續(xù)相)中，而大部分或所有離子化合物在連續(xù)相中；

2)大部分或所有有機(jī)功能材料在納米液滴(不連續(xù)相)中，而大部分或所有QD和離子化合物在連續(xù)相中；

無(wú)論是其中連續(xù)相為極性相的微乳液，還是其中連續(xù)相為非極性相的反相微乳液，均可用于本發(fā)明中。優(yōu)選的形式為微乳液。為提高乳液的動(dòng)力學(xué)穩(wěn)定性，可添加一種或多種表面活性劑。對(duì)于兩相和表面活性劑的溶劑選擇，和制備穩(wěn)定微乳液的處理，是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所熟知的，或參考多種出版物，例如Landfester等人(Annu.Rev.Mater.Res.2006，36，231)。

為了在電子器件或光電器件中用作薄層，可以通過(guò)任何合適的方法沉積本發(fā)明的混合物或其制劑。與真空沉積技術(shù)相比，更希望諸如發(fā)光器件的器件的液體涂覆。特別優(yōu)選溶液沉積方法。不受限制地，優(yōu)選的沉積技術(shù)包括浸涂、旋涂、噴墨印刷、凸版印刷、絲網(wǎng)印刷、刮刀涂覆、輥筒印刷、反式輥筒印刷、平版印刷、柔性版印刷、卷筒紙印刷、噴涂、刷涂或移印、狹縫式模頭涂覆。特別優(yōu)選噴墨印刷，因?yàn)樗沟每芍苽涓叻直骘@示器。

可以通過(guò)噴墨印刷或微噴將選擇的本發(fā)明溶液施加至預(yù)制的器件基底。優(yōu)選地，工業(yè)壓電印刷頭，例如但不限制于由Aprion、Hitachi-Koki、InkJet Technology、On Target Technology、Picojet、Spectra、Trident、Xaar提供的那些工業(yè)壓電印刷頭，可以用于將有機(jī)半導(dǎo)體層施加至基底。另外可以使用準(zhǔn)工業(yè)頭，例如由Brother，Epson，Konica，Seiko Instruments Toshiba TEC制造的那些準(zhǔn)工業(yè)頭，或單噴嘴微噴器(microdispenser)，例如由Microdrop和Microfab制造的那些單噴嘴微噴器。

為了通過(guò)噴墨印刷或微噴進(jìn)行施加，應(yīng)首先將本發(fā)明混合物溶解于合適的溶劑中。溶劑必須滿(mǎn)足上文指出的要求，并且不得對(duì)選定的印刷頭產(chǎn)生任何有害作用。另外，為了防止由于溶液在印刷頭內(nèi)干燥而產(chǎn)生的操作性問(wèn)題，溶劑的沸點(diǎn)應(yīng)>100℃，優(yōu)選>140℃并且更優(yōu)選>150℃。除了上文提及的溶劑外，合適的溶劑包括取代和未取代的二甲苯衍生物，二-C_1-2-烷基甲酰胺，取代和未取代的苯甲醚和其它酚醚衍生物，取代的雜環(huán)化合物例如取代的吡啶、吡嗪、嘧啶、吡咯烷酮，取代和未取代的N,N-二-C_1-2-烷基苯胺和其它氟化或氯化的芳族化合物。

優(yōu)選的用于通過(guò)噴墨印刷沉積本發(fā)明混合物的溶劑包含苯衍生物，其具有被一個(gè)或多個(gè)取代基取代的苯環(huán)，其中在所述一個(gè)或多個(gè)取代基中的碳原子的總數(shù)為至少3。例如，該苯衍生物可以被丙基基團(tuán)或三個(gè)甲基基團(tuán)取代，在每種情況下總共具有至少三個(gè)碳原子。這樣的溶劑使得能夠形成在聚合物情況下包含所述溶劑的噴墨印刷流體，其在噴涂期間降低或防止了噴墨的堵塞和組分的分離。所述一種或多種溶劑可以包括選自如下實(shí)例表中的那些溶劑：十二烷基苯、1-甲基-4-叔丁基苯、萜品醇檸檬烯、偏四甲苯、萜品油烯、傘花烴、二乙基苯。這些溶劑可以為溶劑混合物，其為兩種或更多種溶劑的組合，每種溶劑的沸點(diǎn)優(yōu)選>100℃，更優(yōu)選>140℃。一種或多種這樣的溶劑也強(qiáng)化了所沉積層中的成膜性，并降低了在所述層中的缺陷。

所述噴墨印刷流體(其為溶劑、粘結(jié)劑和所述混合物的混合物)在20℃下的粘度優(yōu)選為1至100mPa^.s，特別優(yōu)選1至50mPa^.s并且非常特別優(yōu)選1至30mPa^.s。

本發(fā)明混合物或其制劑可另外包含一種或多種另外的組分，例如表面活性化合物、潤(rùn)滑劑、濕潤(rùn)劑、分散劑、疏水劑、膠粘劑、流動(dòng)性改進(jìn)劑、消泡劑、脫氣劑、可以為反應(yīng)性或非反應(yīng)性的稀釋劑、助劑、著色劑、染料或顏料、敏化劑、穩(wěn)定劑、或抑制劑。

在另一實(shí)施方式中，在光電器件優(yōu)選電致發(fā)光器件的制造中，可使用此處所述任何其它實(shí)施方式的制劑。

可將本發(fā)明QD-LEC并入裝置中。為了滿(mǎn)足另外的功能或準(zhǔn)許裝置的不同組分的相互作用，該裝置可能是必需的?？蓪鲆环N或多種QD-LEC的裝置用于不同應(yīng)用領(lǐng)域中，例如顯示器、普通照明、顯示器背光，和用于光線(xiàn)療法和/或PDT中。因此，本發(fā)明還涉及包含至少一種本發(fā)明QD-LEC的裝置。

所述裝置可具有任何形狀，可為剛性的或柔性的。該裝置需要處于任何形式的電源。該電源可直接與所述裝置關(guān)聯(lián)，或通過(guò)例如電纜與所述裝置分開(kāi)。為了提供對(duì)于待治療對(duì)象舒適的裝置，可以將電池特別是可印刷電池連接至所述裝置，形成總體上自給的便攜式單元。因此，在不影響待治療對(duì)象自身習(xí)慣或日常生活的情況下，可以在任何時(shí)間和任何地點(diǎn)進(jìn)行輻射。本發(fā)明裝置的在家使用是特別優(yōu)選的。該裝置可以是自膠粘的和可拆卸的。它可以與軀體的平面或非平面部分保持一致，或者為可植入的探針。

該裝置可以包含交互式控制單元。該控制單元可以允許從連續(xù)光照轉(zhuǎn)向脈沖光照。它還可以允許精確調(diào)整輻射強(qiáng)度和/或待發(fā)射波長(zhǎng)。該控制單元可以與該裝置直接關(guān)聯(lián)。它還可以經(jīng)由持久性或暫時(shí)性連接與該裝置分開(kāi)。該裝置可以是一次性使用的，并且適合用于醫(yī)院中或醫(yī)院外。

在任何情況下，本發(fā)明裝置作為輕質(zhì)裝置適合于便攜式用途。然而，也可制備固定裝置。所述裝置是充分便攜式的，以致使得能夠進(jìn)行移動(dòng)治療，即其中對(duì)象可自由移動(dòng)的治療。它可隨后在人類(lèi)對(duì)象自己的時(shí)間中除去，因此可幾乎在任何時(shí)間和任何地點(diǎn)進(jìn)行治療。這導(dǎo)致更好的便利性和更低的費(fèi)用(避免了門(mén)診患者和住院患者留在醫(yī)院中)。

在PDT情況下，治療通常伴隨疼痛。本發(fā)明移動(dòng)裝置可在較低光照水平下使用，因?yàn)榭蛇M(jìn)行更長(zhǎng)時(shí)間段的暴露。這克服了在醫(yī)院中使用常規(guī)光源由于輻射度高而在一些患者中產(chǎn)生疼痛的問(wèn)題。此外，由于降低了光藥物的光漂白程度，因此較低的輻射度在PDT中更有效。

所述裝置可設(shè)置有現(xiàn)有的光化學(xué)和/或光藥物制劑。這可以為膠劑、藥膏或乳脂的形式。備選地，或在此基礎(chǔ)上，所述裝置可以設(shè)置有浸漬有光藥物的薄膜。通常，將所述光藥物制劑設(shè)置為與光源接觸的層。如果該光藥物制劑對(duì)于激勵(lì)光的頻率是透明的或充分半透明的，則可容易地應(yīng)用所產(chǎn)生的裝置，而不需要向患者施加光藥物的單獨(dú)步驟。如果在打開(kāi)光源之前吸收會(huì)散射光的乳脂，則它們?nèi)匀皇强梢允褂玫?。可以通過(guò)可剝離的釋放介質(zhì)例如聚硅氧烷后罩板來(lái)覆蓋光藥物層。所述光藥物制劑可以包含在體內(nèi)被代謝成活性化合物的非活性化合物?？赏ㄟ^(guò)離子透入法輔助藥物的遞送。

從有機(jī)發(fā)光半導(dǎo)體的光輸出可以是脈沖的，并且可以設(shè)置電子控制電路或微處理器以控制該脈沖和/或其它方面的裝置功能，例如待治療區(qū)域一處或多處暴露的持續(xù)時(shí)間和發(fā)射光的強(qiáng)度。脈沖裝置可以設(shè)置有光化學(xué)和/或光藥物物質(zhì)的制劑，其為可光漂白的或者其在體內(nèi)被代謝成可光漂白的化學(xué)物質(zhì)。

所述裝置的輸出可以采用脈沖串的形式，優(yōu)選其中該脈沖的持續(xù)時(shí)間與連續(xù)脈沖之間的間隔基本上相同。取決于所述物質(zhì)的光漂白特性，該脈沖串的周期可以例如為20ms至2000s。

優(yōu)選地，所述連接構(gòu)件包含膠粘表面已使得能夠?qū)⑺鲅b置連接至患者。

優(yōu)選地，所述移動(dòng)裝置設(shè)置有現(xiàn)有的光化學(xué)和/或光藥物制劑。所述制劑和其遞送的優(yōu)選的特征如上。特別是，所述光化學(xué)和/或光藥物可以為可光漂白的或者在體內(nèi)可以被代謝成可光漂白的化學(xué)物質(zhì)。

用于激活光源或使其失活的手段可以控制其它方面的裝置功能，例如待治療區(qū)域一處或多處暴露的持續(xù)時(shí)間和發(fā)射光的強(qiáng)度。

所述控制手段可以有利地進(jìn)行操作覆蓋光源以發(fā)射脈沖串，其具有任何一種或多種通過(guò)根據(jù)本發(fā)明第一方面的裝置而產(chǎn)生的脈沖串的優(yōu)選特征。

合適的本發(fā)明裝置選自袖套、繃帶、襯墊、膏藥、可植入的探針、鼻胃管、胸腔引流管、支架、衣服狀裝置、毯子、睡袋、在口腔中固定一顆或多顆牙齒的裝置、和貼劑。

所述裝置可以用作支架，例如半徑1.25至2.25cm長(zhǎng)度10至12cm的用于食管內(nèi)的管狀體。

為了治療例如嬰兒黃疸，所述裝置可以為毯子或睡袋。目前，患黃疸的嬰兒與它們的父母分開(kāi)，并且在保溫箱中在蒙住眼睛的情況下進(jìn)行光照。這無(wú)論是對(duì)于嬰兒還是對(duì)于其父母都代表令人不快的處境。此外，嬰兒不能夠像成人那樣容易地調(diào)整它的體溫，并且在恒溫箱中過(guò)熱是重要問(wèn)題。柔性的毯子和睡袋提供了在沒(méi)有這些問(wèn)題的情況下治療嬰兒的方法。被毯子或睡袋覆蓋的嬰兒當(dāng)躺在其父母臂彎中時(shí)可進(jìn)行輻射，并且嬰兒身體過(guò)熱沒(méi)有常規(guī)治療那么苛刻。這是由于如下事實(shí)，本發(fā)明裝置需要較低的功率，并且因此產(chǎn)生較少熱量。

在牛皮癬患者中，在身體褶皺中常發(fā)現(xiàn)斑塊。常規(guī)的光線(xiàn)療法具有由于如下事實(shí)而引起的問(wèn)題，即光源所發(fā)出的光不能到達(dá)在身體褶皺中的斑塊。OLED理論上提供了設(shè)計(jì)與身體褶皺中牛皮癬皮膚直接接觸的光源的機(jī)會(huì)。如上文指出的，當(dāng)制造OLED時(shí)，彎曲表面代表了技術(shù)性的困難。然而，用QD-LEC可解決該問(wèn)題。為了治療在身體褶皺中發(fā)現(xiàn)的牛皮癬和其它疾病和/或病變，可將QD-LEC設(shè)計(jì)成符合身體褶皺。

一般來(lái)說(shuō)，可將裝置以治療所需的任何方式分別進(jìn)行調(diào)整。

所述裝置自身可以包含在治療期間以可控方式釋放的治療劑。

優(yōu)選地，所述裝置包含如上文所述的塑性離子材料，其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度T_g或熔點(diǎn)在25至45℃的范圍中。因此，為了實(shí)現(xiàn)與皮膚更好的接觸，所述裝置當(dāng)連接至皮膚時(shí)將變得較軟。

在另外優(yōu)選的實(shí)施方式中，本發(fā)明裝置為移動(dòng)裝置。

本發(fā)明還涉及如下裝置，其特征在于它包括用于將所述裝置連接至患者的連接構(gòu)件。

所述裝置可本身為膠粘性的或者可使用輔助材料例如膠帶而被暫時(shí)性固定在作用側(cè)。所述裝置特征在于，它可為膏藥、繃帶、毯子、睡袋、袖套、可植入的探針、鼻胃管、胸腔引流管、襯墊、支架和眼罩。根據(jù)治療的個(gè)體需要和根據(jù)待治療對(duì)象的組成，可調(diào)節(jié)所述裝置的形式和形狀。

本發(fā)明還涉及根據(jù)本發(fā)明的如下裝置，其特征在于該裝置包括電源單元或用于外部電源的接口。如上文所指出的，可將該電源直接連接至該裝置。這使得可設(shè)計(jì)超薄裝置，其例如可在不影響待處理對(duì)象的情況下用于衣服下面。該電源還可在較多的分離單元中，其以任何可能方式與所述裝置連接以供電。

本發(fā)明裝置旨在照射對(duì)象的部分。裝置特征在于，該裝置用于人畜中治療和/或美容疾病和病變的治療和/或預(yù)防中。

本發(fā)明裝置向引起所述治療和/或預(yù)防的區(qū)域發(fā)射電磁輻射，其中所述一個(gè)或多個(gè)QD-LEC具有至少0.5cm²的范圍。該QD-LEC可為連續(xù)的或不連續(xù)的。所述一個(gè)或多個(gè)QD-LEC和它的照射區(qū)域可采用適合于治療的任何形狀。特別是在治療性病變中，這可防止通過(guò)輻射對(duì)象的不需要治療的部位而引起的副作用。

在另外優(yōu)選的實(shí)施方式中，本發(fā)明裝置的范圍為0.5cm²至100000cm²，特別優(yōu)選0.5cm²至50000cm²。

本發(fā)明的QD-LEC和/或裝置可用于治療醫(yī)學(xué)和/或美容病變。因此，本發(fā)明的另一目的為所述QD-LEC和/或包含它們的裝置用于疾病和/或美容病變的治療和/或預(yù)防和/或診斷的用途。

因此包括任何治療策略，即在與其它治療途徑組合或不組合的情況下可使用光對(duì)對(duì)象進(jìn)行治療。例如，在一個(gè)或多個(gè)包含一種或多種本發(fā)明QD-LEC的裝置下，用一個(gè)或多個(gè)波長(zhǎng)實(shí)施治療。此外，除了包含所述QD-LEC的裝置外，可將使用不同技術(shù)的其它光源例如LED、OLED和激光用于治療。此外，使用所述一種或多種QD-LEC和/或包含它們的裝置進(jìn)行治療，可與任何已知的使用藥物和化妝品的治療策略進(jìn)行組合。

如果光線(xiàn)療法與化合物例如藥物和/或化妝品的治療組合，則可使用光以引發(fā)(光)化學(xué)反應(yīng)或激活化合物，這被稱(chēng)為光動(dòng)力治療(PDT)。在不引發(fā)光化學(xué)反應(yīng)或激活的情況下，本發(fā)明的光線(xiàn)療法也可與化合物結(jié)合。對(duì)于治療性疾病治療的效力和安全性的協(xié)同效應(yīng)，可能產(chǎn)生于與光療法和藥物和/或化妝品的連續(xù)、平行和重疊的治療。例如，可首先將所述一種或多種藥物或一種或多種美容化合物進(jìn)行給藥特定的時(shí)期，然后應(yīng)用使用了本發(fā)明QD-LEC或包含它們的裝置的光線(xiàn)療法。取決于藥物、它的光反應(yīng)性、對(duì)象的個(gè)體情況和特定的疾病或病變，在兩種治療之間的時(shí)間間隔還可以變化。兩種治療也可以適時(shí)地部分重疊或完全重疊。確切的治療策略將取決于個(gè)體情況和疾病或病變的嚴(yán)重性。

所述組合治療可具有協(xié)同效應(yīng)，并且可降低常規(guī)治療策略的副作用(例如四環(huán)素的副作用)。這至少部分歸因于如下事實(shí)，即當(dāng)遵循此處所提出的組合策略時(shí)，可以需要較小劑量的藥物。

許多診斷裝置包含光源以?xún)H用于照明或用作功能組件以用于診斷自身的目的，例如用于確定血液參數(shù)例如氧。因此，本發(fā)明還涉及所述用于診斷目的的QD-LEC。用于診斷目的的包含所述QD-LEC的光源的用途，也是本發(fā)明的主題?；诒景l(fā)明的教導(dǎo)，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將沒(méi)有問(wèn)題地開(kāi)發(fā)如下的診斷裝置，對(duì)于該診斷裝置而言，包含所述QD-LEC的光源是必須的。

治療是對(duì)象向所述QD-LEC的輻射的任何暴露?？梢酝ㄟ^(guò)對(duì)象和包含所述一個(gè)或多個(gè)QD-LEC的裝置之間的直接接觸，或者在它們之間不直接接觸的情況下，來(lái)實(shí)施該治療。該治療可以在對(duì)象內(nèi)或?qū)ο笸?。在?duì)象外的治療可以例如為治療皮膚、創(chuàng)傷、眼睛、牙齦、粘膜、舌頭、毛發(fā)、甲床和指甲。在對(duì)象內(nèi)的治療可以例如為治療血管、心臟、胸腔、肺或?qū)ο蟮娜魏纹渌鞴?。?duì)于在對(duì)象內(nèi)的大多數(shù)應(yīng)用，需要特定的裝置。一個(gè)這樣的例子可以為包含一個(gè)或多個(gè)本發(fā)明QD-LEC的支架。所述對(duì)象可以?xún)?yōu)選為人或動(dòng)物。術(shù)語(yǔ)美容包括美學(xué)應(yīng)用。

當(dāng)含于任何種類(lèi)的電子裝置中時(shí)，通過(guò)選擇合適的QD-LEC的組分，可精確調(diào)節(jié)由所述一種或多種QD-LEC和/或裝置所發(fā)射的光的波長(zhǎng)。如上文所指出的，這包括量子點(diǎn)的特定設(shè)計(jì)和使用不同的發(fā)光體或?yàn)V色器和顏色轉(zhuǎn)化器。取決于所述一種或多種QD-LEC的應(yīng)用，每種治療或美容治療要求發(fā)射出較精細(xì)或較不精細(xì)的波長(zhǎng)或波長(zhǎng)范圍。

所述一種或多種QD-LEC優(yōu)選在如下范圍中發(fā)光或輻射，該范圍為200至1000nm，優(yōu)選300至1000nm,，特別優(yōu)選300至950nm，并且非常特別優(yōu)選400至900nm。

如上文所指出的，光線(xiàn)療法的一個(gè)效果為激勵(lì)線(xiàn)粒體中的新陳代謝。在光線(xiàn)療法之后，細(xì)胞顯示出提高的新陳代謝，它們更好地交流，并且它們以更好的方式在應(yīng)激條件下存活。

所述一種或多種QD-LEC和/或所述的包含它們的裝置，可用于細(xì)胞激勵(lì)。優(yōu)選的用于細(xì)胞激勵(lì)的波長(zhǎng)或波長(zhǎng)范圍為600至900nm，特別優(yōu)選620至880nm，并且非常特別優(yōu)選650至870nm。特別優(yōu)選的用于細(xì)胞激勵(lì)的波長(zhǎng)的例子為683.7、667.5、772.3、750.7、846和812.5nm。

使用一種或多種本發(fā)明QD-LEC和所述裝置，可治療涉及光線(xiàn)療法的任何治療性疾病和/或美容病變。這些疾病和/或病變包括例如皮膚疾病和皮膚相關(guān)的病變，包括皮膚老化，和脂肪團(tuán)，毛孔組大，油性皮膚，毛囊炎，癌癥前期的光化性角化病，皮膚損傷、老化、起皺和太陽(yáng)曬傷的皮膚，眼角皺紋，皮膚潰瘍(糖尿病患者、壓力、靜脈停滯)，紅斑痤瘡損傷，脂肪團(tuán)；分泌脂質(zhì)的油腺和周?chē)M織的光調(diào)作用；緩解皺紋，痤瘡疤痕和痤瘡細(xì)菌，炎癥，疼痛，創(chuàng)傷，心理和神經(jīng)相關(guān)的疾病和病變，水腫，佩吉特病，原發(fā)的和轉(zhuǎn)移的腫瘤，結(jié)締組織病，哺乳動(dòng)物組織中膠原質(zhì)、纖維原細(xì)胞和源于纖維原細(xì)胞的細(xì)胞水平的控制，視網(wǎng)膜輻射，腫瘤，新生血管和肥大疾病，炎癥和過(guò)敏反應(yīng)，汗熱病，分泌腺(汗)或頂泌腺的出汗或手汗癥，黃疸，白癜風(fēng)，眼睛新生血管疾病，神經(jīng)性暴食癥，皰疹，季節(jié)性情緒失調(diào)，情緒、睡眠障礙，皮膚癌，克里格勒-納賈爾，異位性皮炎，糖尿病患者皮膚潰瘍，壓力性潰瘍，膀胱感染，緩解肌肉疼痛，疼痛，關(guān)節(jié)僵硬，減少細(xì)菌，齒齦炎，美白牙齒，口腔中牙齒和阻止的治療，創(chuàng)傷修復(fù)。

美容病變優(yōu)選選自痤瘡，皮膚更生和皮膚起皺，脂肪團(tuán)和白癜風(fēng)。許多治療性治療也具有美容組分。例如，牛皮癬可為輕微的，輕微至中等的，中等的，中等至嚴(yán)重的，和嚴(yán)重的。這些類(lèi)別中的任何種具有美容組分，這是受感染患者的嚴(yán)重心理問(wèn)題的起因。

優(yōu)選地，所述一種或多種QD-LEC用于人和/或動(dòng)物的治療和/或預(yù)防。優(yōu)選地，所述一種或多種本發(fā)明的QD-LEC用于人的治療和/或預(yù)防。

適合于通過(guò)用一種或多種本發(fā)明QD-LEC和/或裝置輻射進(jìn)行治療的其它對(duì)象為植物、微生物、細(xì)菌、真菌和液體。微生物包括但不限于原核生物，例如細(xì)菌和古生菌，和真核生物，例如原生生物，動(dòng)物，真菌和植物。優(yōu)選的液體為飲料，并且特別優(yōu)選水。

優(yōu)選QD-LEC和/或包含它們的裝置用于皮膚疾病和/或美容皮膚病變的治療和/或預(yù)防和/或診斷的用途。

如此處所使用的皮膚被限定為外皮系統(tǒng)的最大器官，包括毛發(fā)、鱗屑、羽毛和指甲。術(shù)語(yǔ)皮膚也包括舌頭、粘膜和齒齦。

如已經(jīng)提及的，原則上，本發(fā)明覆蓋了光線(xiàn)療法涉及的任何治療性病變和美容病變。如上文所指出的，術(shù)語(yǔ)治療性和美容之間的區(qū)別取決于個(gè)體情況、病變的嚴(yán)重程度和醫(yī)師的評(píng)價(jià)。如在本發(fā)明中所指出的，不依賴(lài)于治療性疾病的嚴(yán)重程度，許多醫(yī)療病變與美容效果有關(guān)系。

所述皮膚疾病和皮膚相關(guān)病變包括但不限于痤瘡狀出疹，自身炎癥性皮膚疾病或病變，慢性發(fā)皰，粘膜病變，皮膚附件的病變，皮下脂肪的病變，結(jié)締組織疾病，皮膚纖維和彈性組織的異常，皮膚和皮下增生，皮炎，異位性皮炎，接觸性皮炎，濕疹，膿皰性皮炎，脂溢性皮炎和濕疹，色素淀積失調(diào)，藥物出疹，內(nèi)分泌相關(guān)的疾病和病變，表皮痣疾病和病變，腫瘤，囊腫，紅疹，遺傳性皮膚病，感染相關(guān)的疾病和病變，細(xì)菌相關(guān)的疾病和病變，分支桿菌相關(guān)的疾病和病變，霉菌病相關(guān)的疾病和病變，寄生蟲(chóng)感染，刺痛，和咬傷，病毒相關(guān)的疾病和病變，苔癬樣疹，淋巴相關(guān)的疾病和病變，黑素細(xì)胞痣和腫瘤，單核細(xì)胞和巨噬細(xì)胞相關(guān)的疾病和病變，粘蛋白(mucinose)、皮神經(jīng)、非傳染性免疫缺陷相關(guān)的疾病和病變，營(yíng)養(yǎng)相關(guān)的疾病和病變，鱗屑性丘疹角化相關(guān)的疾病和病變，瘙癢癥相關(guān)的疾病和病變，牛皮癬(輕微的，輕微至嚴(yán)重的，和嚴(yán)重的)，反應(yīng)性嗜中性的疾病和病變，頑固性掌跖出疹，源于新陳代謝缺陷的疾病和病變，源于物理因素的疾病和病變，蕁麻疹和血管性水腫，血管相關(guān)疾病和病變，和牙周炎或齒齦的其它疾病和病變。

皮膚相關(guān)的疾病和病變還包括皮膚腫瘤，惡性前腫瘤，惡性腫瘤，細(xì)胞癌，二次轉(zhuǎn)移，放射性皮炎和角化病。

創(chuàng)傷的修復(fù)也可歸于皮膚疾病和皮膚相關(guān)的病變。創(chuàng)傷修復(fù)因此可出現(xiàn)在待治療對(duì)象的外表面處，在它的內(nèi)部部位、皮膚、眼睛、指甲或甲床、在對(duì)象口腔中的任何表面處，和在粘膜、齒齦、對(duì)象身體血管系統(tǒng)或其它部位的上皮面處。

優(yōu)選治療和/或預(yù)防和/或診斷如下的皮膚疾病和/或美容皮膚病變，其選自痤瘡、牛皮癬、濕疹、皮炎、異位性皮炎、異位性濕疹、水腫、白癜風(fēng)、皮膚老化、皮膚起皺、皮膚退敏化、鮑溫病、腫瘤、惡性前腫瘤、惡性腫瘤、基底細(xì)胞癌、鱗狀細(xì)胞癌、二次轉(zhuǎn)移、皮膚T細(xì)胞淋巴癌、光化性角化病、砷角化病、放射性皮炎、皮膚發(fā)紅、粉刺和脂肪團(tuán)。

所述一種或多種本發(fā)明的QD-LEC和裝置可用于皮膚護(hù)理和皮膚修復(fù)的化妝品中，例如用作光膏藥。所述一種或多種QD-LEC和/或裝置發(fā)射的波長(zhǎng)或波長(zhǎng)范圍為400至800nm，優(yōu)選450至750nm，特別優(yōu)選500至700nm，并且非常特別優(yōu)選580至640nm。

優(yōu)選的皮膚疾病和皮膚相關(guān)的病變選自痤瘡、牛皮癬、濕疹、水腫、皮炎、異位性皮炎、白癜風(fēng)、鮑溫病、腫瘤、惡性前腫瘤、惡性腫瘤、基底細(xì)胞癌、鱗狀細(xì)胞癌、二次轉(zhuǎn)移、皮膚T細(xì)胞淋巴癌、光化性角化病、砷角化病、放射性皮炎和脂肪團(tuán)。

另外優(yōu)選的皮膚疾病和皮膚相關(guān)的病變選自牛皮癬、多形性日光疹、日光性蕁麻疹、光化性類(lèi)網(wǎng)狀細(xì)胞增多異位性濕疹、白癜風(fēng)、瘙癢癥、扁平苔癬、早期皮膚T細(xì)胞淋巴癌、皮膚劃痕癥和苔癬樣糠疹。優(yōu)選地，用如下的光治療這些疾病和病變，所述光的波長(zhǎng)或波長(zhǎng)范圍為200至500nm，特別優(yōu)選250至400nm，并且非常特別優(yōu)選270至350nm。

所述一種或多種QD-LEC和/或裝置可用于PUVA治療。PUVA治療源自補(bǔ)骨脂素(7H-氟[3,2-g]色滿(mǎn)-7-酮)和其衍生物連同UV-A光的治療應(yīng)用。PUVA可用于治療特征在于增生過(guò)多的皮膚疾病。補(bǔ)骨脂素是天然產(chǎn)物族中的母體化合物。它在結(jié)構(gòu)上與香豆素相關(guān)并且可優(yōu)選用于治療牛皮癬、濕疹、白癜風(fēng)、蕈狀真菌病、皮膚T細(xì)胞淋巴癌和其它自身免疫疾病。用PUVA還可以治療異位性濕疹、扁平苔癬、著色性蕁麻疹、多形性日光疹和斑禿。

補(bǔ)骨脂素可口服或局部地給藥至皮膚。優(yōu)選的化合物為補(bǔ)骨脂素、8-甲氧基補(bǔ)骨脂素(8-MOP)、5-甲氧基補(bǔ)骨脂素(5-MOP)和4,5’,8-三甲基補(bǔ)骨脂素(TMP)?？诜?-MOP之后，患者變得逐漸對(duì)UV-A具有反應(yīng)性并因此進(jìn)行光化治療。在攝取該藥物后，患者最多2至3小時(shí)有反應(yīng)性，并且在這個(gè)期間進(jìn)行輻射。

在白癜風(fēng)的情況下，可使用呋喃并色酮代替補(bǔ)骨脂素。呋喃并色酮和光的組合治療通常稱(chēng)為KUVA。

所述一種或多種本發(fā)明的QD-LEC和/或裝置還可用于光分離置換。光分離置換是如下的步驟，通過(guò)該步驟將周邊血液在體外循環(huán)流動(dòng)系統(tǒng)中暴露于光敏化的5-MOP，并且代表對(duì)由于異常T淋巴細(xì)胞引起的紊亂的治療。它用于治療晚期皮膚T細(xì)胞淋巴癌、尋常性天皰瘡和進(jìn)行性系統(tǒng)性硬化癥(硬皮病)。它還可用于治療自體免疫性紊亂。另外的可治療的疾病包括多發(fā)性硬化、器官移植排斥、風(fēng)濕性關(guān)節(jié)炎和AIDS。

本發(fā)明特別涉及一種或多種本發(fā)明QD-LEC和/或裝置用于治療痤瘡狀出疹。術(shù)語(yǔ)痤瘡狀出疹是指如下的皮膚病，其包括尋常痤瘡、紅斑痤瘡、毛囊炎和口周皮炎。一般說(shuō)來(lái)，痤瘡狀出疹由毛囊皮脂腺中的變化引起，并且選自夏季痤瘡(馬略卡島痤瘡)、聚會(huì)性痤瘡、美容性痤瘡、暴發(fā)性痤瘡(急性發(fā)熱潰瘍性痤瘡)、瘢痕疙瘩性痤瘡(頸項(xiàng)部瘢痕性痤瘡、發(fā)部乳頭性皮炎、瘢痕疙瘩性毛囊炎、項(xiàng)部疤痕疙瘩性毛囊炎、項(xiàng)部疤痕疙瘩性痤瘡)、機(jī)械性痤瘡(acne mecánica)、藥物性痤瘡、粟粒壞死性痤瘡(痘樣痤瘡)、尋常痤瘡、伴隨面部水腫的痤瘡(堅(jiān)固的面部水腫)、痤瘡狀出疹、瞼瘤、erythrotelangiectatic紅斑痤瘡(erthemaotelangiectatic紅斑痤瘡)、表皮脫落性痤瘡(少女人工痤瘡，挖擠者痤瘡)、腺狀紅斑痤瘡、gnathophyma、革蘭氏陰性紅斑痤瘡、肉芽腫面部皮炎、肉芽腫口周皮炎、鹵素痤瘡、化膿性汗腺炎(反常性痤瘡、維爾納伊病)、自發(fā)性面部無(wú)菌肉芽腫瘤、嬰兒痤瘡、狼瘡狀紅斑痤瘡(肉芽腫紅斑痤瘡、微丘疹性結(jié)核疹、Lewandowsky紅斑痤瘡狀結(jié)核疹)、面部播散性粟粒性狼瘡、metophyma、新生痤瘡(嬰兒痤瘡、新生兒痤瘡)、職業(yè)性痤瘡、眼睛紅斑痤瘡(眼紅斑痤瘡、ophthalmorosacea)、耳腫瘤(otophyma)、頑固性紅斑痤瘡水腫(慢性上面部紅斑水腫、Morbihan病、薔薇色淋巴水腫)、發(fā)膏劑痤瘡、丘疹膿包性紅斑痤瘡、膿腫性穿鑿性頭部毛囊周?chē)?頭皮解剖蜂窩組織炎、解剖毛囊炎、Hoffman膿腫性穿鑿性頭部毛囊周?chē)?、口周皮炎、眶周皮炎(眼周皮炎)、面部膿皮病(暴發(fā)性紫癜紅斑痤瘡)、肥大性酒渣鼻、紅斑痤瘡(酒糟鼻痤瘡)、紅斑痤瘡型粉刺(rosacea conglobata)、暴發(fā)性紫癜紅斑痤瘡、SAPHO綜合癥、激素紅斑痤瘡、熱帶痤瘡。

尋常痤瘡(通常稱(chēng)為痤瘡)是常見(jiàn)的皮膚病變，經(jīng)由雄性激素刺激，由毛囊皮脂腺中的變化引起，毛囊皮脂腺是由毛囊和其相關(guān)皮脂腺組成的皮膚結(jié)構(gòu)。它特征在于非炎性小囊丘疹或黑頭粉刺，以及特征在于炎性丘疹、膿皰和更嚴(yán)重形式的結(jié)節(jié)。尋常痤瘡影響具有最密集皮脂腺囊的皮膚區(qū)域；這些區(qū)域包括臉、胸的上部和背。嚴(yán)重的痤瘡是炎性的，但是痤瘡也可以非炎性形式出現(xiàn)。痤瘡病變一般是指丘疹、疤、斑點(diǎn)、青春痘或僅僅痤瘡。

痤瘡最常見(jiàn)地發(fā)生在在青春期期間，影響超過(guò)89％的青少年，并頻繁持續(xù)至成年期。在青春期中，通常由雄性激素的增加而引起痤瘡，兩種性別的人均在青春期間積累雄性激素。對(duì)于大部分人，在到達(dá)二十幾歲后，痤瘡隨時(shí)間而緩解并趨向于消失-或至少降低。然而，沒(méi)有方法預(yù)知它花多長(zhǎng)時(shí)間才會(huì)徹底消失，并且一些個(gè)體會(huì)帶著這種病變進(jìn)入他們的三十歲、四十歲和更長(zhǎng)的年歲。

臉和上頸部是最通常受到影響的，但是胸、背和肩也具有痤瘡。上臂也可具有痤瘡，但在那里發(fā)現(xiàn)的病變通常為毛發(fā)角化病。典型的痤瘡病變?yōu)楹陬^粉刺、炎性丘疹、膿皰和結(jié)節(jié)。一些大的結(jié)節(jié)也被稱(chēng)為囊腫，并且術(shù)語(yǔ)結(jié)節(jié)囊腫已經(jīng)用于描述重癥的炎性痤瘡。

除了形成瘢痕外，它的主要影響為心理上的，例如降低自信，并且在一些情況下沮喪或自殺。痤瘡?fù)ǔ３霈F(xiàn)在青春期期間，此時(shí)人們已經(jīng)趨向于最不具社會(huì)安全感。因此一些人提倡趁早的和主動(dòng)的治療以緩解對(duì)個(gè)體的整體壓力。

光暴露可用于治療痤瘡。每周使用兩次，這已經(jīng)顯示出降低了大約64％的痤瘡病變的量，并且當(dāng)每天應(yīng)用時(shí)甚至更有效。該機(jī)制似乎如下，當(dāng)受到420nm和更短波長(zhǎng)的光的輻射時(shí)，在P.痤瘡內(nèi)產(chǎn)生的卟啉(糞卟啉III)生成自由基。特別是當(dāng)施加數(shù)天的輻射時(shí)，這些自由基基本上殺死細(xì)菌。因?yàn)檫策谄渌矫娌淮嬖谟谄つw中，并且未使用UV光，因此它顯得是安全的。

如果在紫色/藍(lán)色光和紅色可見(jiàn)光(例如660nm)的混合物的情況下使用，則所述治療明顯地效果更好，對(duì)于80％患者，在三個(gè)月的每日治療之后，導(dǎo)致76％的病變降低；并且整體清除與過(guò)氧化苯甲酰相似或比其更好。與大部分其它治療不同，即使一般經(jīng)歷消極的副作用，也幾乎沒(méi)有副作用，并且看起來(lái)非常不可能發(fā)展細(xì)菌對(duì)該治療的耐性。治療之后，與一般的局部或口服抗生素治療相比，清除可保持更久；數(shù)月是尋常的。此外，基礎(chǔ)科學(xué)和皮膚科醫(yī)生的臨床工作已經(jīng)提出證據(jù)，特別是當(dāng)用提高卟啉產(chǎn)生的Δ-氨基乙酰丙酸(ALA)預(yù)治療了P.痤瘡時(shí)，強(qiáng)烈的藍(lán)色/紫色光(405至425nm)在四周的治療中可降低60至70％的炎性痤瘡病變的量。

本發(fā)明因此還涉及所述一種或多種QD-LEC或所述裝置和活性藥物或活性成分的組合，其用于治療性疾病和/或美容病變的治療。特別是，本發(fā)明涉及用于治療痤瘡的所述一種或多種QD-LEC和藥物的組合使用。該藥物可選自通常用于治療痤瘡的任何藥物，例如抗生素(局部的和/或口服的)，荷爾蒙治療藥物，局部類(lèi)維生素A，局部殺菌劑，硫。合適的局部殺菌劑例如為過(guò)氧化苯甲酰、三氯生和葡萄糖酸氯己定。合適的局部抗生素例如為紅霉素、克林霉素和四環(huán)素。合適的口服抗生素例如為紅霉素、四環(huán)素抗菌素(例如氧四環(huán)素、脫氧土霉素、二甲胺四環(huán)素或賴(lài)甲環(huán)素)、甲氧芐氨嘧啶和二甲胺四環(huán)素。

合適的荷爾蒙例如選自雌性激素、孕激素、雌性激素和孕激素的組合、環(huán)丙孕酮、雌激素、環(huán)丙孕酮和雌激素的組合、屈螺酮、螺內(nèi)酯和可的松。合適的口服類(lèi)維生素A例如為維他命A衍生物，例如異維甲酸(例如同維甲酸(Accutane)、異維A酸(Amnesteem)、異維A酸(Sotret)、Claravis、克拉魯斯(Clarus))。合適的局部類(lèi)維生素A例如為維甲酸(例如全反維生素A酸(Retin-A))、阿達(dá)帕林(例如Differin)、他扎羅汀(例如Tazorac)、異維甲酸和視黃醇。另外的合適的藥物例如選自抗炎藥物。

所述一種或多種本發(fā)明的QD-LEC和包含它們的裝置還可與磨皮法組合使用以治療或預(yù)防痤瘡。磨皮法是美容醫(yī)學(xué)步驟，其中通過(guò)磨耗(砂磨)除去皮膚表層。

因此包括任何治療策略。例如，可首先服用所述藥物特定的時(shí)期，然后使用根據(jù)本發(fā)明的一種或多種QD-LEC或所述裝置以應(yīng)用光線(xiàn)療法。取決于藥物、它的光反應(yīng)性、對(duì)象的個(gè)體情況和特定的疾病或病變，在兩種治療之間的時(shí)間間隔還可以變化。兩種治療也可以適時(shí)地部分重疊或完全重疊。確切的治療策略將取決于個(gè)體情況和疾病或病變的嚴(yán)重性。

所述組合治療可具有協(xié)同效應(yīng)，并且可降低常規(guī)治療策略的副作用(例如四環(huán)素的副作用)。這是由于如下事實(shí)，即當(dāng)遵循如此處所提出的組合方法時(shí)，可以需要較小劑量的藥物。

通過(guò)使用根據(jù)本發(fā)明的一種或多種QD-LEC或裝置的光線(xiàn)療法，還可治療黑頭粉刺，其也被稱(chēng)為黑頭。黑頭粉刺是在皮膚上的黃色或帶黑色的腫塊或堵頭。事實(shí)上，它是一種類(lèi)型的尋常痤瘡。在皮脂腺管道中累積了的余油引起黑頭粉刺。在這些腫塊中發(fā)現(xiàn)的物質(zhì)主要由角蛋白和改性皮脂組成，其當(dāng)氧化時(shí)變暗。其中時(shí)常出現(xiàn)黑頭的堵塞毛囊不規(guī)則地反射光以生成黑頭粉刺。為此原因，當(dāng)從孔穴中提取時(shí)，堵塞并不必然地看起來(lái)呈黑色，但由于它的黑色素含量的結(jié)果而可具有比較黃-褐的顏色。

相比之下，也被稱(chēng)為密閉粉刺的所謂白頭，是充滿(mǎn)相同材料皮脂但對(duì)皮膚表面具有微小開(kāi)口的囊。因?yàn)榭諝獠荒艿竭_(dá)該囊，因此所述材料不氧化并保持白色。

用于治療痤瘡的根據(jù)本發(fā)明的一種或多種QD-LEC或裝置，優(yōu)選包含至少一種如下的有機(jī)電致發(fā)光化合物，其發(fā)光范圍為350至900nm，優(yōu)選380至850nm，特別優(yōu)選400至850nm，并且非常特別優(yōu)選400至800nm。

進(jìn)一步特別優(yōu)選的用于治療痤瘡的光為藍(lán)色光。優(yōu)選的用于治療痤瘡的藍(lán)色光的發(fā)射波長(zhǎng)為390、391、392、393、394、395、396、397、398、399、400、401、402、403、404、405、406、407、408、409、410、411、412、413、414、415、416、417、418、419、420、421、422、423、424、425、426、427、428、429和430nm。例如，為了殺死P.痤瘡細(xì)菌并幫助治療現(xiàn)存污損并防止其它疾病發(fā)作，414和415nm是特別合適的。

關(guān)于應(yīng)用光線(xiàn)療法以治療痤瘡的研究顯示，不同波長(zhǎng)或波長(zhǎng)范圍的組合對(duì)于有效治療痤瘡是特別合適的。特別優(yōu)選的因此是紅色光和藍(lán)色光的組合以治療痤瘡。所述紅色光優(yōu)選選自如下范圍，即590至750nm，特別優(yōu)選600至720nm，并且非常特別優(yōu)選620至700nm。兩種進(jìn)一步優(yōu)選的用于治療痤瘡的波長(zhǎng)為633和660nm。所述藍(lán)色光可選自如上文所述的波長(zhǎng)。

在黑頭粉刺的情況下，特別優(yōu)選一種或多種包含一種或多種發(fā)射如下光的發(fā)光化合物的QD-LEC，該光的波長(zhǎng)為500nm或該光的波長(zhǎng)為500至700nm。

脂肪團(tuán)描述了據(jù)稱(chēng)存在于大部分女性中的病變，其中下肢、腹部和骨盤(pán)區(qū)域的皮膚變得有波紋。脂肪團(tuán)的起因難以理解，并且可能涉及在新陳代謝和生理學(xué)中的變化，例如性別特異性的二態(tài)皮膚構(gòu)造、結(jié)締組織結(jié)構(gòu)的改變、血管變化和炎性過(guò)程。應(yīng)用兩種療法以防止或治療脂肪團(tuán)。熱量和提高血流量是兩種常規(guī)技術(shù)。因此光療法被認(rèn)為有益于患有脂肪團(tuán)的個(gè)體。根據(jù)本發(fā)明的一種或多種QD-LEC和/或裝置適合于脂肪團(tuán)的治療和/或預(yù)防。PDT也適合于脂肪團(tuán)的治療和/或預(yù)防。

由本發(fā)明一種或多種QD-LEC和/或裝置發(fā)出的用于治療和/或預(yù)防脂肪團(tuán)的波長(zhǎng)的范圍為400至1000nm，優(yōu)選400至900nm，特別優(yōu)選450至900nm，并且非常特別優(yōu)選500至850nm。

比較一般的術(shù)語(yǔ)皮膚老化是指形成皺紋和色素沉著過(guò)度。由于內(nèi)在因素和外在因素對(duì)皮膚的影響而導(dǎo)致的人體皮膚老化的標(biāo)志，由以下方面確定：出現(xiàn)皺紋和細(xì)線(xiàn)，皮膚變黃，其顯現(xiàn)干癟外觀(guān)并伴隨出現(xiàn)色素沉著污損外觀(guān)，皮膚厚度的變化，其通常導(dǎo)致角質(zhì)層和表皮的變厚和真皮層變薄，彈性蛋白和膠原纖維的紊亂，其導(dǎo)致失去彈性、柔韌度和緊致度，還有毛細(xì)管擴(kuò)張的出現(xiàn)。

這些標(biāo)志中的一些更特別是與內(nèi)在或生理老化有關(guān)，即，與“正常”老化有關(guān)，這與年齡有關(guān)，然而其它標(biāo)志更針對(duì)于外在的老化，即，通常歸因于環(huán)境的老化；這種老化更特別是歸因于日曬的光老化。引起皮膚老化的其它因素為大氣污染、創(chuàng)傷、感染、外傷、缺氧、香煙煙霧、荷爾蒙狀態(tài)、神經(jīng)肽、電磁場(chǎng)、重力、生活方式(例如過(guò)度嗜酒)、重復(fù)表情、睡眠姿勢(shì)和心理壓力。

由于內(nèi)在老化而出現(xiàn)的皮膚變化為涉及遺傳學(xué)控制序列的內(nèi)因性因素的結(jié)果。這種內(nèi)在老化特別是導(dǎo)致皮膚細(xì)胞再生的減速，這基本體現(xiàn)在臨床傷害的外觀(guān)中，例如皮下脂肪組織減少和出現(xiàn)細(xì)線(xiàn)或小皺紋，并且體現(xiàn)在組織病理變化中，例如彈性纖維的數(shù)量和粗度的增加，從彈性組織膜中損失垂直纖維，以及在這種彈性組織的細(xì)胞中存在大的不規(guī)則纖維原細(xì)胞。

相比之下，外在老化導(dǎo)致臨床傷害，例如厚皺紋和形成松弛的和歷盡滄桑的皮膚，并且導(dǎo)致組織病理變化，例如在上真皮中彈性物質(zhì)的過(guò)度累積和膠原纖維的降解。

有不同的作為皮膚老化原因的生物機(jī)制和分子機(jī)制，并且目前尚未完全理解該過(guò)程。然而認(rèn)識(shí)到，內(nèi)在和外在的皮膚老化因素共享一般機(jī)制[P.U.Giacomoni等人，Biogerontology 2004，2，219-229]。這些因素觸發(fā)了導(dǎo)致在皮膚中累積傷害的過(guò)程，其導(dǎo)致皮膚老化，因?yàn)榧?xì)胞粘附分子的表達(dá)驅(qū)使循環(huán)免疫細(xì)胞的更新和滲出，其通過(guò)分泌膠原酶、髓過(guò)氧化物酶和反應(yīng)性氧物質(zhì)而消化細(xì)胞外基質(zhì)(ECM)。

這些溶胞過(guò)程的活化激起這些常駐細(xì)胞的隨機(jī)傷害，其又分泌前列腺素和白細(xì)胞三烯。這些信號(hào)分子包括釋放內(nèi)分泌物組胺和細(xì)胞激素TNFα的常駐肥大細(xì)胞的脫粒，由此激活內(nèi)襯相鄰毛細(xì)血管的內(nèi)皮細(xì)胞，其釋放P選擇素，并激活細(xì)胞粘附分子例如E選擇素和ICAM-1的合成。這關(guān)閉了自維持的微炎性循環(huán)，這導(dǎo)致累積ECM傷害，即皮膚老化。

對(duì)于用于治療或預(yù)防皮膚老化的新策略，有強(qiáng)烈的美容需要和醫(yī)療需要。已知多種特別是旨在防止或治療皮膚老化的美容和治療性組合物(包括用于皮膚護(hù)理)。特別是在US 4603146中，已將視黃酸和其衍生物描述為皮膚護(hù)理、美容或皮膚科組合物中的防老化劑。羥基酸，例如乳酸、乙醇酸或備選的檸檬酸，也以該相同應(yīng)用而聞名，在很多專(zhuān)利和出版物(例如EP-A-413528)中已描述了這些酸，并將其引入市場(chǎng)上很多皮膚護(hù)理、美容或皮膚科組合物中。還已經(jīng)提出了芳族鄰羥基酸例如水楊酸(例如WO 93/10756和WO 93/10755)。

所有這些化合物通過(guò)脫皮來(lái)抗皮膚老化，即除去在角質(zhì)層表面處的死亡細(xì)胞。這種脫皮還被稱(chēng)為角質(zhì)層分離性質(zhì)。然而，這些化合物還具有副作用，包含刺痛和泛紅，使用者發(fā)現(xiàn)這令人不愉快。因此，仍然需要如下抗老化方法，該方法至少與所述已知化合物同樣有效，但又不顯示它們的缺點(diǎn)。與用于治療或預(yù)防皮膚老化的已確定策略不同，調(diào)節(jié)選擇素功能是如下新概念，其在非常早的階段介入微炎性級(jí)聯(lián)并且根據(jù)本發(fā)明治療和預(yù)防內(nèi)在和外在的皮膚老化，代表不具有其它策略已知缺點(diǎn)的策略。

光線(xiàn)療法提供了治療皮膚老化的新方法。因此，本發(fā)明的另一目的為根據(jù)本發(fā)明的一種或多種QD-LEC和/或裝置用于治療和/或預(yù)防皮膚老化的用途。這意味著，本發(fā)明提供了特別是用于皮膚更生并降低或防止形成皺紋的解決方案。

由本發(fā)明一種或多種QD-LEC和/或裝置發(fā)出的用于治療皮膚老化的波長(zhǎng)的范圍為400至950nm。優(yōu)選地，該波長(zhǎng)的范圍為550至900nm，并且特別優(yōu)選550至860nm。

本發(fā)明的一種或多種QD-LEC和/或裝置還可以發(fā)射不同波長(zhǎng)或波長(zhǎng)范圍的光，其也適用于本發(fā)明的其它實(shí)施方式。

在本發(fā)明另一優(yōu)選的實(shí)施方式中，用于治療皮膚老化的一種或多種QD-LEC和/或裝置所發(fā)射光的范圍為600nm至650nm，特別優(yōu)選620nm至650nm。

用于治療和/或預(yù)防皮膚老化的本發(fā)明一種或多種QD-LEC和/或裝置，優(yōu)選包含至少一種在如下范圍發(fā)光的有機(jī)電致發(fā)光化合物，該范圍為350至950nm，優(yōu)選380至900nm，并且特別優(yōu)選400至900nm。

進(jìn)一步特別優(yōu)選的用于治療和/或預(yù)防皮膚老化的光為藍(lán)色光。優(yōu)選的用于治療和/或預(yù)防皮膚老化的藍(lán)色光的發(fā)射波長(zhǎng)為390、391、392、393、394、395、396、397、398、399、400、401、402、403、404、405、406、407、408、409、410、411、412、413、414、415、416、417、418、419、420、421、422、423、424、425、426、427、428、429和430nm。例如415nm是特別合適的。

另外特別優(yōu)選的用于治療和/或預(yù)防皮膚老化的光的波長(zhǎng)為400至900nm。

使用波長(zhǎng)為830nm或者稍微低于或高于該值的光，也可實(shí)現(xiàn)皮膚更生。因此，在如下波長(zhǎng)發(fā)光的本發(fā)明一種或多種QD-LEC和/或裝置也是本發(fā)明的主題，該波長(zhǎng)為700nm至1000nm，優(yōu)選750nm至900nm，特別優(yōu)選750nm至860nm，并且非常特別優(yōu)選800nm至850nm。

通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的一種或多種QD-LEC和/或裝置，可治療對(duì)象的皮膚發(fā)紅。由本發(fā)明一種或多種QD-LEC和/或裝置發(fā)出的用于治療和/或預(yù)防發(fā)紅的波長(zhǎng)的范圍為460至660nm。優(yōu)選地，該波長(zhǎng)的范圍為500至620nm，并且特別優(yōu)選540至580nm。用于該目的的一個(gè)特別優(yōu)選的波長(zhǎng)為560nm。

通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的一種或多種QD-LEC和/或裝置，可治療對(duì)象的皮炎。由本發(fā)明一種或多種QD-LEC和/或裝置發(fā)出的用于治療和/或預(yù)防皮炎的波長(zhǎng)的范圍為470至670nm。優(yōu)選地，該波長(zhǎng)的范圍為490至650nm，并且特別優(yōu)選530至610nm。用于該目的的兩個(gè)特別優(yōu)選的波長(zhǎng)為550nm和590nm。

通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的一種或多種QD-LEC和/或裝置，可治療對(duì)象的異位性濕疹。由本發(fā)明一種或多種QD-LEC和/或裝置發(fā)出的用于治療和/或預(yù)防異位性濕疹的波長(zhǎng)的范圍為470至670nm。優(yōu)選地，該波長(zhǎng)的范圍為490至650nm，并且特別優(yōu)選530至610nm。用于該目的的一個(gè)特別優(yōu)選的波長(zhǎng)為320nm。

通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的一種或多種QD-LEC和/或裝置，可治療牛皮癬。由本發(fā)明一種或多種QD-LEC和/或裝置發(fā)出的用于治療和/或預(yù)防牛皮癬的波長(zhǎng)的范圍為240至500nm。優(yōu)選地，該波長(zhǎng)的范圍為290至400nm，并且特別優(yōu)選300至330nm。用于該目的的兩個(gè)特別優(yōu)選的波長(zhǎng)為311nm和320nm。

通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的一種或多種QD-LEC和/或裝置，可治療白癜風(fēng)。由本發(fā)明一種或多種QD-LEC和/或裝置發(fā)出的用于治療和/或預(yù)防白癜風(fēng)的波長(zhǎng)的范圍為240至500nm。優(yōu)選地，該波長(zhǎng)的范圍為290至400nm，并且特別優(yōu)選300至330nm。用于該目的的一個(gè)特別優(yōu)選的波長(zhǎng)為311nm。

靶向光線(xiàn)療法以使得能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)特定皮膚病的紫外線(xiàn)治療劑量，同時(shí)將健康皮膚的暴露最小化。特別地，在紫外B范圍中308nm波長(zhǎng)的光已經(jīng)顯示出對(duì)許多皮膚病特別有效，包括白癜風(fēng)；牛皮癬；和白斑病，例如與疤痕、皮質(zhì)白紋(striae alba)和CO₂激光重整后有關(guān)的白斑病。

本發(fā)明的一種或多種QD-LEC和/或裝置還可用于治療水腫。以前被稱(chēng)為浮腫或積水的水腫，是液體在皮膚下或在一個(gè)或多個(gè)身體空腔中的異常積聚。通常，通過(guò)流體體內(nèi)平衡確定間質(zhì)流體的量，并且增加的流體分泌物進(jìn)入間隙中或受損性除去這種流體均可能導(dǎo)致水腫。五種因素可導(dǎo)致形成水腫：(1)它可能由如下因素促成，即在血管內(nèi)升高的流體靜壓力或降低的膨脹壓，或(2)炎癥時(shí)血管壁滲透性升高，或(4)經(jīng)由淋巴腺的流體清除受阻，或(5)組織自身的保水性的變化。升高的流體靜壓力通常反映腎臟保持水分和鈉。

用于治療水腫的本發(fā)明的一種或多種QD-LEC和/或裝置優(yōu)選在如下范圍中發(fā)光，該范圍為760至940nm，優(yōu)選780至920nm，特別優(yōu)選800至900nm，并且非常特別優(yōu)選820至880nm。

用于治療水腫的一個(gè)特別優(yōu)選的發(fā)射波長(zhǎng)為850nm。

本發(fā)明的另一主題涉及根據(jù)本發(fā)明的一種或多種QD-LEC和/或裝置用于治療和/或預(yù)防感染和炎性、神經(jīng)性和心理性疾病和/或病變。

使用光線(xiàn)療法可治療許多炎性疾病、紊亂和病變。用于治療和/或預(yù)防炎性紊亂的根據(jù)本發(fā)明的一種或多種QD-LEC和/或裝置也是本發(fā)明的主題。炎性疾病和病變覆蓋了大范圍的適應(yīng)癥。許多看起來(lái)與炎性無(wú)關(guān)的疾病或病變，具有可使用根據(jù)本發(fā)明的一種或多種QD-LEC和/或裝置進(jìn)行治療的炎性成分。在本發(fā)明中所提及的皮膚疾病和病變例如痤瘡、牛皮癬、異位性皮炎、濕疹，都具有炎性成分?？墒褂帽景l(fā)明一種或多種QD-LEC和/或裝置進(jìn)行治療的其它炎性疾病和病變的非限制性選擇為關(guān)節(jié)炎、炎性腸胃疾病、齒齦炎、粘膜炎、甲床炎、動(dòng)脈硬化和血管系統(tǒng)的炎癥。

優(yōu)選的用于治療和/或預(yù)防炎性病的波長(zhǎng)的范圍為350至900nm，特別優(yōu)選380至900nm，并且非常特別優(yōu)選400至860nm。進(jìn)一步優(yōu)選的用于治療和/或預(yù)防炎性病的波長(zhǎng)為405、420和850nm。

所述一種或多種QD-LEC和/或裝置可用于治療和/或預(yù)防感染。感染可由細(xì)菌和病毒引起。光對(duì)于感染具有數(shù)種積極效果。如在本發(fā)明中在其它地方所指出的，光通過(guò)激勵(lì)組織而具有例如抗炎效果。

使用了本發(fā)明一種或多種QD-LEC和/或裝置的光線(xiàn)療法，對(duì)于治療創(chuàng)傷的用途是有利的。創(chuàng)傷修復(fù)通常與炎性有關(guān)。因此，可應(yīng)用與用于治療和/或預(yù)防炎性病所指出的相同的波長(zhǎng)和波長(zhǎng)范圍。通過(guò)光線(xiàn)療法治療創(chuàng)傷還防止形成疤痕。特別優(yōu)選的用于創(chuàng)傷和/或疤痕的治療和/或預(yù)防的波長(zhǎng)范圍為600至950nm，并且非常特別優(yōu)選650至900nm。進(jìn)一步優(yōu)選的用于創(chuàng)傷和疤痕的治療和/或預(yù)防的波長(zhǎng)為660、720和880nm。

可使用根據(jù)本發(fā)明的一種或多種QD-LEC和/或裝置進(jìn)行有效治療的其它感染由細(xì)菌引起。

可使用根據(jù)本發(fā)明的一種或多種QD-LEC和/或裝置進(jìn)行有效治療的其它感染由病毒引起。本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式為所述一種或多種QD-LEC和/或裝置用于治療和/或預(yù)防特別是被如下病毒引起的病毒感染的用途，所述病毒為巨細(xì)胞病毒(CMV)，腦心肌炎病毒(EMCV)，脊髓灰質(zhì)炎病毒，流感病毒，副流感病毒呼吸流感病毒，呼吸道合胞體病毒，日本腦炎病毒，登革病毒，甲型肝炎病毒(HAV)乙型肝炎病毒(HBV)，丙型肝炎病毒(HCV)，丁型肝炎病毒(HDV)，戊型肝炎病毒(HEV)，己型肝炎病毒(HFV)，庚型肝炎病毒(HGV)，愛(ài)潑斯坦巴爾病毒(EBV)，1型人類(lèi)免疫缺陷病毒(HIV-I)，2型人類(lèi)免疫缺陷病毒(HIV-2)，水痘帶狀皰疹病毒，單純性皰疹病毒，特別是1型單純性皰疹病毒(HSV-I)、2型單純性皰疹病毒(HSV-2)，或人類(lèi)皰疹病毒1、2、3、4、7或8，卡波西肉瘤相關(guān)的皰疹病毒(KSHV)，輪狀病毒，乳頭狀瘤病毒，和人乳頭狀瘤病毒(HPV)，特別是如下型的HPV：1、2、3、4、5、8、9、11、12、13、14、15、16、17、18、19-29、31、32、34、36-38、46-50、56或58。

使用根據(jù)本發(fā)明的一種或多種QD-LEC和/或裝置，特別是可治療病毒性皮膚病和/或腫瘤紊亂，例如，由乳頭狀瘤病毒引起的生殖器疣、皮膚和/或粘膜的良性腫瘤，特別是跖疣(verrucae plantares)、尋常疣(verrucae vulgares)、青少年平面疣(verrucae planae juveniles)、疣狀表皮發(fā)育不良、尖銳濕疣、平面濕疣、鮑溫樣丘疹病、在喉頭和口腔粘膜上的刺瘤、局灶性上皮增生、口唇皰疹、水痘和帶狀皰疹。

在本發(fā)明的特別優(yōu)選的實(shí)施方式中，本發(fā)明的一種或多種QD-LEC和/或裝置可用于治療和/或預(yù)防疣。在本發(fā)明一種或多種QD-LEC和/或裝置的情況下，脈沖光療法可能是一種治療疣的方法。

本發(fā)明一種或多種QD-LEC和/或裝置用于治療和/或預(yù)防神經(jīng)性或心理性疾病和/或病變，也是本發(fā)明的主題。

優(yōu)選的根據(jù)本發(fā)明的神經(jīng)性疾病為莫比斯帕金森癥(Morbus Parkinson，MB)。當(dāng)光到達(dá)一定的強(qiáng)度水平時(shí)，它抑制褪黑激素，其又限制產(chǎn)生多巴胺。通過(guò)限制多巴胺，應(yīng)導(dǎo)致在腦中更好地產(chǎn)生和使用多巴胺。近年來(lái)，關(guān)于涉及強(qiáng)光療法的MB患者的光療法病例研究已具有正面結(jié)果，僅暴露90分鐘的情況下，在大多患者中在動(dòng)作遲緩和僵硬方面具有顯著改進(jìn)。

另外優(yōu)選的根據(jù)本發(fā)明的神經(jīng)性和心理性疾病和/或病變涉及心情和睡眠。公知，光在很多情況下對(duì)于心情有利。還可用光線(xiàn)療法治療抑郁癥、季節(jié)性情緒失調(diào)(SAD)、非季節(jié)性抑郁癥、生理節(jié)律睡眠障礙(生理節(jié)律睡眠障礙(CRSD)，環(huán)境形成的CRSD)。

美國(guó)國(guó)家醫(yī)學(xué)圖書(shū)館注意到，一些人當(dāng)季節(jié)變化時(shí)經(jīng)歷嚴(yán)重的情緒變化。他們可能睡得太多，沒(méi)有活力，并且嗜食甜食和淀粉類(lèi)食物。他們可能還覺(jué)得抑郁。盡管癥狀嚴(yán)重，但它們時(shí)常消失。該病變?cè)谙奶焱ǔ１环Q(chēng)為反向季節(jié)性情緒失調(diào)，并且可能還包括高度焦灼。根據(jù)估計(jì)，在美國(guó)1.5至9％的成年人經(jīng)歷SAD。

關(guān)于典型的(基于冬天的)季節(jié)性情緒失調(diào)，有不同的治療方法，包括亮光情況下的光療法，抗抑郁藥物，認(rèn)知行為療法，電離空氣給藥，和謹(jǐn)慎地定時(shí)補(bǔ)充激素褪黑激素。

由所述一種或多種QD-LEC和/或裝置發(fā)出的用于治療和/或預(yù)防這些神經(jīng)性和心理性疾病和/或病變的波長(zhǎng)的范圍為350至600nm。優(yōu)選地，所述波長(zhǎng)的范圍為400至550nm，并且特別優(yōu)選440至500nm。用于這種目的的兩個(gè)特別優(yōu)選的波長(zhǎng)為460和480nm。

根據(jù)本發(fā)明的一種或多種QD-LEC和/或裝置還可以用于治療和/或預(yù)防疼痛。通過(guò)光線(xiàn)療法來(lái)緩解疼痛是眾所周知的。使用光線(xiàn)療法可成功治療如下病變產(chǎn)生的疼痛：腕管綜合癥、慢性創(chuàng)傷、上踝炎、頭痛、偏頭痛、足底筋膜炎、肌腱炎(tendonditis)和粘液囊炎、頸痛、背痛、肌肉痛、三叉神經(jīng)痛和與鞭打相關(guān)的傷痛。

優(yōu)選地，使用發(fā)射紅色光或紅外光的一種或多種QD-LEC和/或裝置治療肌肉痛。

斑禿是種影響人類(lèi)的病變，其中從身體的一些或全部區(qū)域脫去毛發(fā)，通常是從頭皮脫去毛發(fā)。因?yàn)樗貏e是在第一階段中導(dǎo)致在頭皮上形成禿斑，因此有時(shí)也被稱(chēng)為斑形脫發(fā)。在1至2％的病例中，該病變可擴(kuò)展至全部頭皮(禿頭癥)或擴(kuò)展至全部表皮(普禿)。類(lèi)似斑禿的病變或具有類(lèi)似原因的病變也存在于其它物種中。

通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的一種或多種QD-LEC和/或裝置，可治療斑禿(自體免疫性脫發(fā))。由本發(fā)明一種或多種QD-LEC和/或裝置發(fā)出的用于治療和/或預(yù)防斑禿的波長(zhǎng)的范圍為240至500nm。優(yōu)選地，該波長(zhǎng)的范圍為290至400nm，并且特別優(yōu)選300至330nm。用于這種目的的一個(gè)特別優(yōu)選的波長(zhǎng)為311nm。

所述用于飲料和營(yíng)養(yǎng)品的消毒和/或殺菌和/或保存的一種或多種QD-LEC和/或裝置也是本發(fā)明的主題。

光用于消毒和/或殺菌和/或保存目的的用途是眾所周知的。根據(jù)本發(fā)明的一種或多種QD-LEC和/或裝置可用于這種目的。因此，是指任何種類(lèi)的消毒和/或殺菌和/或保存，并且不受限制地包括創(chuàng)傷、營(yíng)養(yǎng)品和固體及液體對(duì)象的消毒，這樣的美容醫(yī)療裝置，用于外科和飲料的裝置。

優(yōu)選用于如下對(duì)象的消毒和/或殺菌和/或保存的一種或多種QD-LEC和/或裝置，該對(duì)象為飲料，優(yōu)選水，并且特別優(yōu)選飲用水。受污染的水在世界上導(dǎo)致許多感染，并且時(shí)常導(dǎo)致個(gè)體的嚴(yán)重疾病或死亡。

商業(yè)供應(yīng)商的濾水器系統(tǒng)利用了離子交換技術(shù)。然而，該過(guò)濾器易于受到微生物污染，其又導(dǎo)致產(chǎn)生被微生物污染的水。一種解決方案是添加銀鹽，但其從毒物學(xué)觀(guān)點(diǎn)來(lái)看可能是成問(wèn)題的。本發(fā)明的一種或多種QD-LEC和/或裝置為這個(gè)問(wèn)題提供了解決方案。它們可用于被并入濾水器系統(tǒng)中，以便提供安全、高效并且低成本的方法以提供微生物污染程度低的水。所述光源既可在過(guò)濾前或過(guò)濾后輻射水，又可輻射濾芯本身。優(yōu)選地，包括所述一種或多種QD-LEC的光源既輻射濾芯又輻射經(jīng)過(guò)過(guò)濾的水。

類(lèi)似地，如上文所指出的消毒和/或殺菌和/或保存水的步驟可基本上適用于任何其它液體，特別是飲料。

因此，根據(jù)本發(fā)明的一種或多種QD-LEC和/或裝置，可用于消毒和/或保存用于人和動(dòng)物的飲料和營(yíng)養(yǎng)品。

根據(jù)本發(fā)明用于消毒和/或殺菌和/或保存的波長(zhǎng)的范圍為200nm至600nm，優(yōu)選250nm至500nm，并且非常特別優(yōu)選280nm至450nm。

在另一實(shí)施方式中，本發(fā)明涉及所述一種或多種QD-LEC和/或裝置用于光動(dòng)力治療(PDT)中。

根據(jù)本發(fā)明，PDT所需的波長(zhǎng)的范圍為300至700nm，優(yōu)選400至700nm，并且非常特別優(yōu)選500至700nm。四個(gè)進(jìn)一步優(yōu)選的波長(zhǎng)為595、600、630和660nm。

使用根據(jù)本發(fā)明的一種或多種QD-LEC和/或裝置和包含它們的裝置，可處理被稱(chēng)為PDT的任何療法。特別是，使用根據(jù)本發(fā)明的一種或多種QD-LEC和/或裝置可處理如在本發(fā)明范圍內(nèi)所指出的PDT。如下性質(zhì)是眾所周知的，即，具有多環(huán)烴型化學(xué)結(jié)構(gòu)的染料在腫瘤組織中比在正常組織中累積更大的量。所述染料包括吖啶、氧雜蒽、補(bǔ)骨脂素和卟啉。較后面的染料，特別是血卟啉(Hp)和其一些化學(xué)衍生物(例如Hp D，其中Hp D為Hp衍生物的混合物)，具有優(yōu)異的腫瘤定位性質(zhì)，這是在系統(tǒng)性給藥所述藥物后用紅色光輻射預(yù)定時(shí)間以對(duì)腫瘤進(jìn)行光療法治療的基礎(chǔ)。

用于PDT的藥物優(yōu)選選自氨基乙酰丙酸/氨基乙酰丙酸甲酯、乙丙昔羅(efaproxiral)卟啉衍生物(卟吩姆鈉(porfimer sodium)、他拉泊芬(talaporfin)、替莫泊芬(temoporfin)、維替泊芬(verteporfin))。

在另外的實(shí)施方式中，本發(fā)明涉及所述一種或多種QD-LEC和/或裝置用于黃疸和克里格勒-納賈爾優(yōu)選黃疸的治療和/或預(yù)防。

還被認(rèn)為是黃疸病(icterus)的黃疸是皮膚、在鞏膜(眼白)上的結(jié)膜和其它粘膜的淡黃色變色。這種變色由血膽紅素過(guò)多(血液中膽紅素水平升高)引起。血膽紅素過(guò)多隨后引起在細(xì)胞外液中膽紅素水平升高。將黃疸分為三組，肝前(溶血性)黃疸、肝性(肝細(xì)胞)黃疸和肝后(阻塞性)黃疸。

導(dǎo)致溶血即紅細(xì)胞破裂速率上升的任何原因，導(dǎo)致肝前黃疸。在熱帶國(guó)家，瘧疾可能以這種方式導(dǎo)致黃疸。某些遺傳病，例如鏈狀細(xì)胞性貧血、球形紅細(xì)胞癥和葡萄糖-6-磷酸脫氫酶不足，可導(dǎo)致紅細(xì)胞溶胞上升，并因此導(dǎo)致溶血性黃疸。通常，腎臟疾病例如溶血尿毒癥綜合癥，也可導(dǎo)致變色。膽紅素新陳代謝中的缺陷也表現(xiàn)為黃疸。黃疸通常伴隨發(fā)高燒。鼠熱(細(xì)螺旋體病)也可導(dǎo)致黃疸。

肝性黃疸的原因包括急性肝炎、肝毒性和酒精性肝病，由此細(xì)胞壞死降低了肝臟代謝和排泄膽紅素的能力，導(dǎo)致在血液中逐漸積聚。較不常見(jiàn)的原因包括原發(fā)性膽汁性肝硬化、Gilbert綜合癥(膽紅素代謝的遺傳缺陷，其可導(dǎo)致輕度黃疸，在約5％的人群中發(fā)現(xiàn)該病)、克里格勒-納賈爾綜合癥、轉(zhuǎn)移性癌和尼曼-匹克病(Niemann-Pick disease)，被認(rèn)為是新生兒黃疸的在新生嬰兒中發(fā)現(xiàn)的C型黃疸是常見(jiàn)的，幾乎存在于每個(gè)新生嬰兒中，因?yàn)橹钡匠錾蠹s兩周，配合和排泄膽紅素的肝機(jī)制才完全成熟。

由膽道系統(tǒng)中膽汁管的阻塞引起還被稱(chēng)為阻塞性黃疸的肝后黃疸。最常見(jiàn)的原因?yàn)樵谀懣偣苤械哪懡Y(jié)石和在胰腺頭部中的胰腺癌。另外，被稱(chēng)為“肝吸蟲(chóng)”的一組寄生蟲(chóng)可住進(jìn)膽總管中，引起阻塞性黃疸。其它原因包括膽總管狹窄、膽管閉鎖、導(dǎo)管癌、胰腺炎和胰腺假性囊腫。阻塞性黃疸的罕見(jiàn)原因?yàn)镸irizzi綜合癥。

如果沒(méi)有治療或沒(méi)有合適地治療，則黃疸特別是新生兒黃疸可導(dǎo)致嚴(yán)重的醫(yī)學(xué)后果。膽紅素濃度升高可導(dǎo)致被稱(chēng)為核黃疸的智力傷害性病變，導(dǎo)致重大的終身傷殘；由于對(duì)新生兒血膽紅素過(guò)多的檢測(cè)和治療不充分，近年來(lái)這種病變?cè)龆?，引起關(guān)注。早期治療通常包括將嬰兒在不同程度隔離的保溫箱中暴露于強(qiáng)烈的光線(xiàn)療法。這種療法對(duì)于嬰兒和父母通常代表情感上和心理上困難的狀況?？墒褂帽景l(fā)明的一種或多種QD-LEC和/或裝置，以提供靈活的和移動(dòng)的裝置，例如毯子。因此，可在嬰兒躺在它父母臂彎中時(shí)進(jìn)行治療。常規(guī)療法還容易導(dǎo)致嬰兒過(guò)熱，使用本發(fā)明的一種或多種QD-LEC和/或裝置和包含它們的裝置還可顯著緩解這個(gè)問(wèn)題。

優(yōu)選地，本發(fā)明涉及用于治療新生兒黃疸的一種或多種QD-LEC和/或裝置。

通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的一種或多種QD-LEC和/或裝置可治療對(duì)象的黃疸。由本發(fā)明一種或多種QD-LEC和/或裝置發(fā)出的用于治療和/或預(yù)防黃疸的波長(zhǎng)的范圍為300至700nm。優(yōu)選地，所述波長(zhǎng)的范圍為350至600nm，并且特別優(yōu)選370至580nm。進(jìn)一步優(yōu)選的波長(zhǎng)的范圍為400至550nm。特別優(yōu)選的波長(zhǎng)的范圍為410至470nm。用于這種目的的兩個(gè)特別優(yōu)選的波長(zhǎng)為450和466nm。

在另一實(shí)施方式中，苯發(fā)明涉及所述一種或多種QD-LEC用于制備如下裝置的用途，所述裝置用于治療性疾病和/或美容病變的治療和/或預(yù)防。所述治療性疾病和病變與本發(fā)明中其它地方所描述的相同。

應(yīng)該理解，可作出本發(fā)明前述實(shí)施方式的變體，然而其仍然落入本發(fā)明的范圍內(nèi)。在本說(shuō)明書(shū)中公開(kāi)的每一個(gè)特征，除非另外指出，可被用于相同、等同或類(lèi)似目的的備選特征所代替。因此，除非另外指出，公開(kāi)的每一特征是上位系列的等同特征或類(lèi)似特征的一個(gè)實(shí)施例。

在該說(shuō)明書(shū)中公開(kāi)的所有特征可以以任何組合進(jìn)行組合，其中至少一些特征和/或步驟互相排斥的組合除外。特別是，本發(fā)明的優(yōu)選特征適用于本發(fā)明的所有方面，并且可以以任何組合使用。同樣地，在非必要組合中描述的特征可單獨(dú)使用(而非以組合的方式)。

應(yīng)該理解，上述特征中的許多特征，特別是優(yōu)選實(shí)施方式的特征，是本身有創(chuàng)造性的，而非僅僅作為本發(fā)明的實(shí)施方式的一部分。對(duì)于除目前要求保護(hù)的任何發(fā)明之外的或作為其替代物的這些特征，可以尋求獨(dú)立的保護(hù)。

如此處所公開(kāi)的教導(dǎo)，可從公開(kāi)的其它例子中提煉，以及與公開(kāi)的其它例子組合。

本發(fā)明的其它特征，將在如下對(duì)示例性實(shí)施方式和附圖的說(shuō)明過(guò)程中變得清楚，其用于示例本發(fā)明，而不是旨在限制本發(fā)明。

附圖說(shuō)明

圖1：QD-LEC的器件結(jié)構(gòu)，具有基底(101)，陽(yáng)極(102)，緩沖層或HIL(103)，中間層(104)，EML(105)和陰極(106)。

圖2：用于在柔性基底上制備QD-LEC的方案。

圖3：印刷電池與包含QD-LEC的膏藥的連接。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例

實(shí)施例1：

材料

下述材料將作為實(shí)施例用于本發(fā)明中。

量子點(diǎn)(QD1)為德國(guó)柏林Plasmachem GmbH的核-殼型量子點(diǎn)，具有CdSe球形核，核上覆蓋有外延的ZnS殼。QD1具有主要包含三辛基氧化膦的疏水表面層。使用羅丹明6G作為標(biāo)準(zhǔn)物測(cè)量QD1的光致發(fā)光量子效率(PLQE)，并發(fā)現(xiàn)其為約30％。

三重態(tài)綠色發(fā)光體TEG1：

三重態(tài)基質(zhì)材料TMM1

三重態(tài)基質(zhì)材料TMM2

用于單重態(tài)單重態(tài)體系的基質(zhì)SMB1

單重態(tài)藍(lán)色發(fā)光體SEB1

將聚(氧化乙烯)(PEO，M_w＝5×10⁶g/mol，Aldrich)用作離子導(dǎo)體；并且將三氟甲烷磺酸鋰(LiTrf，99.995％金屬基；Aldrich)用作離子源。

HIL-012是空穴傳輸材料和電子阻擋材料，并且用作中間層(IL)。

實(shí)施例2：

從溶液制備QD-LEC

根據(jù)如下步驟，制備如圖1中所示的具有結(jié)構(gòu)陰極/EML/中間層/HIL/ITO的QD-LEC：

1.通過(guò)旋涂將80nm的PEDOT(Baytron P AI 4083)作為空穴注入層(HIL)沉積至ITO涂覆的玻璃基底上。

2.在手套箱中通過(guò)旋涂從濃度為0.5％wt/l的HIL-012甲苯溶液沉積20nm的中間層。

3.在手套箱中將中間層在180℃下加熱1小時(shí)。

4.通過(guò)使用刮刀涂覆技術(shù)(備選地，還可使用浸涂)，從氯苯溶液沉積發(fā)光層(EML)至250nm的厚度；在表1中列出了EML的材料、相應(yīng)的溶液和EML的厚度。旋涂不是涂覆EML的最適方法。這是因?yàn)榕c其它有機(jī)化合物相比，量子點(diǎn)具有高得多的分子量，在旋涂中由于離心力可能失去它們的大部分。

5.將該器件加熱以除去殘留的溶劑；對(duì)于兩種器件的加熱條件為在60℃下30分鐘。熱處理不導(dǎo)致在EML中的重結(jié)晶化。

6.通過(guò)真空熱蒸鍍?cè)贓ML上沉積陰極(150nm Al)；

7.使用UV固化環(huán)氧樹(shù)脂(UV Resin T-470/UR7114，Nagase Chemtex Corporation)和玻璃覆蓋物封裝該器件。

表1

實(shí)施例3：

測(cè)量和比較結(jié)果

通過(guò)確定如下性質(zhì)來(lái)表征QD-LEC：VIL特性，EL光譜和顏色坐標(biāo)，效率，激勵(lì)電壓。

在表2中概括了QD-LE的性能，其中Uon代表開(kāi)啟電壓，U(100)代表在100尼特(nit)時(shí)的電壓。

實(shí)施例4：

柔性紅色QD-LEC

柔性發(fā)光器件QD-LEC3和QD-LEC4的制備如下，并顯示在表2中，其中QD-LEC3與QD-LEC1具有相同EML，而QD-LEC4與QD-LEC2具有相同EML。

1.如表2中所示，將150nm的ITO濺射在PEN上，其使用了掩模。所述基底(PEN)和所述發(fā)光區(qū)域的尺寸分別為3×3cm和2×2cm。

2.見(jiàn)實(shí)施例2第2步。

3.見(jiàn)實(shí)施例2第3步。

4.見(jiàn)實(shí)施例2第4步。

5.見(jiàn)實(shí)施例2第5步。

6.封裝該器件。通過(guò)使用UV固化樹(shù)脂UV Resin T-470/UR7114(Nagase Chemtex Corporation)和PEN覆蓋物實(shí)現(xiàn)發(fā)光器件的封裝，該P(yáng)EN覆蓋物小于基底以使得接觸襯墊不受約束，如圖2的第4步中所示的。首先將UV樹(shù)脂施加在像素的邊緣上，然后將覆蓋物定位于它們的上部。然后將該器件在UV光下暴露30秒。所有這些步驟是在手套箱中進(jìn)行的。

實(shí)施例5：

用于治療和/或美容應(yīng)用的裝置

例如通過(guò)將所述QD-LEC器件連接至膏藥，可實(shí)現(xiàn)用于治療和美容應(yīng)用中的最終裝置。通過(guò)接觸襯墊可施加外部電源。

電池是優(yōu)選的用于所述裝置的電源，特別優(yōu)選的是輕質(zhì)的印刷薄膜電池。該印刷薄膜電池可得自例如Fraunhofer Institute，如圖3中所示的。

在一些治療中，在脈沖模式下驅(qū)動(dòng)所述裝置。因此可使用用于脈沖驅(qū)動(dòng)的控制器，特別是小型便攜式控制器。這可通過(guò)使用可商購(gòu)的閃光燈組或閃光燈單元而實(shí)現(xiàn)。根據(jù)一般觸發(fā)電路的原理，如在例如Fachkunde Elektrotechnik，Verlag Europa-Lehrmittel，Nourney，Vollmer GmbH&Co.，5657Haan-Gruiten，227所示的，可將另外的這種閃光燈組集成于電源單元中。

實(shí)施例6：

治療魚(yú)尾紋

QD-LEC1用于治療和/或預(yù)防皺紋。根據(jù)實(shí)施例5制備膏藥，其具有印刷電池作為電源。所述電池在每張膏藥上提供提供用于輻射30分鐘時(shí)間的能量。

根據(jù)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員熟知的標(biāo)準(zhǔn)方法，以15名年齡在30至40歲的女人為對(duì)象，開(kāi)展了為期22周的初步研究。在該研究中，對(duì)于研究對(duì)象的主要選擇標(biāo)準(zhǔn)之一為在臉的兩側(cè)即在左眼和右眼附近出現(xiàn)幾乎相等表現(xiàn)形式的魚(yú)尾紋。每個(gè)對(duì)象用包含QD-LEC1的膏藥在右側(cè)治療30分鐘，隔天治療，持續(xù)22周。在左眼和右眼附近處的皮膚的比較表明，在治療側(cè)的皮膚具有顯著的改進(jìn)。所述魚(yú)尾紋較短并且沒(méi)有那么深。與未治療的皮膚相比，使用由QD-LEC器件所發(fā)射的光治療的皮膚看起來(lái)更加光滑。