本發(fā)明涉及體彈性波器件及其制造方法，該體彈性波器件利用了在物質(zhì)的內(nèi)部傳播的體彈性波(BAW：Bulk Acoustic Wave)。

背景技術(shù)：

在以移動(dòng)電話為首的無(wú)線通信設(shè)備中，僅使希望的頻段的電信號(hào)通過(guò)的帶通濾波器占有重要的位置。作為該帶通濾波器中的一種，公知利用了表面彈性波(SAW：Surface Acoustic Wave)的SAW器件(SAW濾波器)。

SAW器件例如具有由水晶(SiO₂)等壓電材料構(gòu)成的結(jié)晶基板和形成于結(jié)晶基板的正面的梳齒狀的電極(IDT：Inter Digital Transducer，互連數(shù)字轉(zhuǎn)換器)，該SAW器件僅使根據(jù)壓電材料的種類(lèi)或電極的間隔等而確定的頻段的電信號(hào)通過(guò)。

但是，在該SAW器件中，產(chǎn)生在輸入側(cè)的電極附近的彈性波的一部分有時(shí)在結(jié)晶基板的內(nèi)部傳播而在背面?zhèn)缺环瓷洹．?dāng)所反射的彈性波到達(dá)輸出側(cè)的電極時(shí)，SAW器件的頻率特性會(huì)退化。因此，在結(jié)晶基板的背面上形成微細(xì)的凹凸構(gòu)造以使彈性波變得容易漫射，來(lái)防止反射的彈性波到達(dá)電極(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2003-8396號(hào)公報(bào)

近年來(lái)，作為SAW器件的改進(jìn)型，利用了在物質(zhì)的內(nèi)部傳播的體彈性波(BAW：Bulk Acoustic Wave)的BAW器件(BAW濾波器)備受矚目。BAW器件例如具有共振器(壓電元件)，在該共振器中，在由鉬(Mo)等構(gòu)成的電極之間夾入了由氮化鋁(AlN)等壓電材料構(gòu)成的壓電膜。

該共振器例如形成在由硅(Si)等半導(dǎo)體材料構(gòu)成的基板上。由于BAW器件不具有SAW器件那樣的梳齒狀的電極構(gòu)造，所以有利于實(shí)現(xiàn)低損失化、高承受功率化。并且，由于不需要使用由壓電材料構(gòu)成的結(jié)晶基板，所以還能夠與其他的有源器件一體地形成。

在制造BAW器件時(shí)，例如，對(duì)在正面?zhèn)刃纬捎卸鄠€(gè)共振器的基板的背面進(jìn)行磨削而將其薄化至規(guī)定的厚度，之后通過(guò)劃片來(lái)分割成與各共振器對(duì)應(yīng)的多個(gè)BAW器件。由于該BAW器件的頻率特性也會(huì)因在基板的背面?zhèn)劝l(fā)生反射的彈性波而退化，所以在上述的工序中，實(shí)施粗磨削以便形成微細(xì)的凹凸構(gòu)造，并通過(guò)蝕刻來(lái)去除所產(chǎn)生的機(jī)械畸變。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

但是，當(dāng)為了去除因磨削產(chǎn)生的機(jī)械畸變而采用蝕刻時(shí)，存在對(duì)環(huán)境的負(fù)荷變大的問(wèn)題。本發(fā)明是鑒于該問(wèn)題點(diǎn)而完成的，其目的在于提供BAW器件和BAW器件的制造方法，將制造時(shí)對(duì)環(huán)境的負(fù)荷抑制為較低。

根據(jù)本發(fā)明，提供一種體彈性波器件，其具有基板以及形成在該基板的正面上的壓電元件，其特征在于，在該基板的內(nèi)部設(shè)置有對(duì)彈性波進(jìn)行擴(kuò)散的彈性波擴(kuò)散區(qū)域，該彈性波擴(kuò)散區(qū)域是利用激光光線對(duì)該基板進(jìn)行改質(zhì)而形成的。

并且，根據(jù)本發(fā)明，提供一種體彈性波器件的制造方法，制造出上述的體彈性波器件，其特征在于，該體彈性波器件的制造方法包含如下的彈性波擴(kuò)散區(qū)域形成工序：在從該基板的背面?zhèn)葘?duì)于該基板具有透過(guò)性的波長(zhǎng)的該激光光線的聚光點(diǎn)定位在該基板的內(nèi)部的狀態(tài)下照射該激光光線，形成以規(guī)定的間隔對(duì)該基板的內(nèi)部進(jìn)行了改質(zhì)的彈性波擴(kuò)散區(qū)域。

關(guān)于本發(fā)明的BAW器件，由于在基板的內(nèi)部具有利用激光光線對(duì)基板進(jìn)行了改質(zhì)而形成的、對(duì)從壓電元件傳播的彈性波等進(jìn)行擴(kuò)散的彈性波擴(kuò)散區(qū)域，所以不需要如以往的BAW器件那樣對(duì)基板的背面進(jìn)行粗磨削而形成微細(xì)的凹凸構(gòu)造。因此，不需要為了去除因磨削產(chǎn)生的機(jī)械畸變而采用蝕刻，能夠?qū)⒅圃鞎r(shí)對(duì)環(huán)境的負(fù)荷抑制為較低。

附圖說(shuō)明

圖1的(A)是示意性地示出BAW器件的上表面?zhèn)韧庥^的立體圖，圖1的(B)是示意性地示出BAW器件的下表面?zhèn)韧庥^的立體圖，圖1的(C)是示意性地示出BAW器件的層疊構(gòu)造的剖視圖。

圖2的(A)是示意性地示出形成有多個(gè)共振單元的基板的結(jié)構(gòu)例的立體圖，圖2的(B)是示意性地示出形成有多個(gè)共振單元的基板的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。

圖3是示意性地示出激光加工裝置的結(jié)構(gòu)例的立體圖。

圖4的(A)是示意性地示出彈性波擴(kuò)散區(qū)域形成工序的局部剖視側(cè)視圖，圖4的(B)是示意性地示出改質(zhì)層形成工序的局部剖視側(cè)視圖。

圖5的(A)和圖5的(B)是示意性地示出分割工序的局部剖視側(cè)視圖。

標(biāo)號(hào)說(shuō)明

11：BAW器件；13：基板；13a：第1面(正面)；13b：第2面(背面)；15：共振單元；17：音響多層膜；19：第1膜；21：第2膜；23：共振器(壓電元件)；25：下部電極；27：壓電膜；29：上部電極；31：彈性波擴(kuò)散區(qū)域；33：基板；33a：第1面(正面)；33b：第2面(背面)；35：分割預(yù)定線(間隔道)；37：保護(hù)帶；39：改質(zhì)層；41：劃片帶；43：框架；L1、L2：激光光線；2：激光加工裝置；4：基臺(tái)；6：卡盤(pán)工作臺(tái)；6a：保持面；8：水平移動(dòng)機(jī)構(gòu)；10：X軸導(dǎo)軌；12：X軸移動(dòng)工作臺(tái)；14：X軸滾柱絲杠；16：X軸脈沖電動(dòng)機(jī)；18：X軸標(biāo)尺；20：Y軸導(dǎo)軌；22：Y軸移動(dòng)工作臺(tái)；24：Y軸滾柱絲杠；26：Y軸脈沖電動(dòng)機(jī)；28：Y軸標(biāo)尺；30：支承臺(tái)；32：支承構(gòu)造；34：支承臂；36：激光照射單元；38：照相機(jī)；62：擴(kuò)張裝置；64：支承構(gòu)造；66：擴(kuò)張鼓；68：框架支承工作臺(tái)；70：夾具；72：升降機(jī)構(gòu)；74：缸筒；76：活塞桿。

具體實(shí)施方式

參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖1的(A)是示意性地示出BAW器件的上表面?zhèn)韧庥^的立體圖，圖1的(B)是示意性地示出BAW器件的下表面?zhèn)韧庥^的立體圖，圖1的(C)是示意性地示出BAW器件的層疊構(gòu)造的剖視圖。

如圖1的(A)、圖1的(B)和圖1的(C)所示，本實(shí)施方式的BAW器件(BAW器件芯片)11具有由硅(Si)等半導(dǎo)體材料構(gòu)成的矩形的基板13。在基板13的第1面(正面)13a上設(shè)置有共振單元15，在共振單元15中層疊了具有各種功能的膜。

共振單元15包含形成在下方側(cè)(基板13側(cè))的音響多層膜17。音響多層膜17是通過(guò)交替地重疊第1膜19和第2膜21而形成的，其中，第1膜19由音響阻抗較低的氧化硅(SiO₂)等材料構(gòu)成，第2膜21由音響阻抗較高的鎢(W)等材料構(gòu)成。

在音響多層膜17的上方(基板13的相反側(cè))設(shè)置有共振器(壓電元件)23。共振器23包含：下部電極25，其由鉬(Mo)等導(dǎo)電材料構(gòu)成；壓電膜27，其形成在下部電極25的上表面上，并由氮化鋁(AlN)等壓電材料構(gòu)成；以及上部電極29，其形成在壓電膜27的上表面上，并由鉬等導(dǎo)電材料構(gòu)成。

該共振器23使由壓電膜27產(chǎn)生的體彈性波以中心頻率共振，該中心頻率根據(jù)下部電極25、壓電膜27、上部電極29的材質(zhì)、厚度等來(lái)確定。構(gòu)成音響多層膜17的第1膜19和第2膜21的厚度形成為以上述中心頻率共振的體彈性波在各膜中的波長(zhǎng)的1/4，對(duì)利用共振器23共振的體彈性波在互相加強(qiáng)的條件下進(jìn)行反射。由此，能夠抑制由共振器23產(chǎn)生的體彈性波向基板13傳播。

但是，即使是這樣構(gòu)成的BAW器件11，從壓電膜27產(chǎn)生的體彈性波有時(shí)也會(huì)少量地漏出至基板13側(cè)。當(dāng)該體彈性波經(jīng)基板13的第2面(背面)13b反射而再次入射至共振器23時(shí)，BAW器件11的頻率特性會(huì)退化。

因此，在本實(shí)施方式的BAW器件11中，在基板13的內(nèi)部排列使體彈性波擴(kuò)散(漫射)的多個(gè)彈性波擴(kuò)散區(qū)域31。該彈性波擴(kuò)散區(qū)域31是利用激光光線對(duì)基板13的內(nèi)部進(jìn)行改質(zhì)而使體彈性波的傳播特性發(fā)生了變化的區(qū)域。

彈性波擴(kuò)散區(qū)域31的大小、間距等條件可以在能夠適當(dāng)?shù)財(cái)U(kuò)散體彈性波的范圍內(nèi)進(jìn)行任意地調(diào)整。另外，在本實(shí)施方式中，以11μm×15μm的間距形成大小(寬度、直徑)為7μm～8μm的彈性波擴(kuò)散區(qū)域31。能夠通過(guò)在基板13的內(nèi)部形成這樣的彈性波擴(kuò)散區(qū)域31，使在基板13的內(nèi)部傳播的體彈性波擴(kuò)散而抑制其向共振器23入射。

因此，在本實(shí)施方式中，無(wú)需為了使體彈性波擴(kuò)散而對(duì)基板的背面進(jìn)行粗磨削來(lái)形成微細(xì)的凹凸構(gòu)造。即，由于也不需要為了去除因磨削產(chǎn)生的機(jī)械畸變而對(duì)基板13進(jìn)行蝕刻，所以能夠?qū)⒅圃鞎r(shí)對(duì)環(huán)境的負(fù)荷抑制為較低。

另外，該彈性波擴(kuò)散區(qū)域31不僅能夠使從壓電膜27漏出的體彈性波擴(kuò)散，還能夠使因其他原因產(chǎn)生的體彈性波等噪聲成分?jǐn)U散。因此，憑借本實(shí)施方式的BAW器件11，與以往的BAW器件相比能夠?qū)崿F(xiàn)良好的頻率特性。

接著，對(duì)制造上述的BAW器件11的BAW器件的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，準(zhǔn)備好形成有多個(gè)共振單元15的基板。圖2的(A)是示意性地示出形成有多個(gè)共振單元15的基板的結(jié)構(gòu)例的立體圖，圖2的(B)是示意性地示出形成有多個(gè)共振單元15的基板的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。

基板33例如是由硅等半導(dǎo)體材料形成的圓形的晶片。該基板33的第1面(正面)33a被呈格子狀排列的分割預(yù)定線(間隔道)35劃分成多個(gè)區(qū)域，在各區(qū)域內(nèi)設(shè)置有上述的共振單元15。

能夠通過(guò)沿著分割預(yù)定線35對(duì)基板33進(jìn)行分割，而制造出包含矩形的基板13的BAW器件11。另外，基板33的材質(zhì)、厚度等條件能夠在適合于彈性波擴(kuò)散區(qū)域31的形成的范圍內(nèi)進(jìn)行任意地變更。例如也可以使用由氧化鋁(Al₂O₃)等陶瓷構(gòu)成的基板33。

在準(zhǔn)備了上述的基板33之后，實(shí)施彈性波擴(kuò)散區(qū)域形成工序，在基板33的內(nèi)部形成彈性波擴(kuò)散區(qū)域31。圖3是示意性地示出彈性波擴(kuò)散區(qū)域形成工序等中使用的激光加工裝置的結(jié)構(gòu)例的立體圖，圖4的(A)是示意性地示出彈性波擴(kuò)散區(qū)域形成工序的局部剖視側(cè)視圖。如圖3所示，激光加工裝置2具有搭載有各構(gòu)造的基臺(tái)4。

在基臺(tái)4的上表面上設(shè)置有水平移動(dòng)機(jī)構(gòu)8，該水平移動(dòng)機(jī)構(gòu)8使對(duì)基板33進(jìn)行吸引、保持的卡盤(pán)工作臺(tái)6在X軸方向(加工進(jìn)給方向)和Y軸方向(分度進(jìn)給方向)上移動(dòng)。水平移動(dòng)機(jī)構(gòu)8具有一對(duì)X軸導(dǎo)軌10，該一對(duì)X軸導(dǎo)軌10固定在基臺(tái)4的上表面上并與X軸方向平行。

在X軸導(dǎo)軌10上以能夠滑動(dòng)的方式安裝有X軸移動(dòng)工作臺(tái)12。在X軸移動(dòng)工作臺(tái)12的背面?zhèn)?下表面?zhèn)?設(shè)置有螺母部(未圖示)，該螺母部與平行于X軸導(dǎo)軌10的X軸滾柱絲杠14螺合。

X軸脈沖電動(dòng)機(jī)16與X軸滾柱絲杠14的一端部連結(jié)。利用X軸脈沖電動(dòng)機(jī)16來(lái)使X軸滾柱絲杠14旋轉(zhuǎn)，由此，X軸移動(dòng)工作臺(tái)12沿著X軸導(dǎo)軌10在X軸方向上移動(dòng)。在與X軸導(dǎo)軌10相鄰的位置上設(shè)置有X軸標(biāo)尺18，其用于對(duì)X軸移動(dòng)工作臺(tái)12的X軸方向的位置進(jìn)行檢測(cè)。

在X軸移動(dòng)工作臺(tái)12的正面(上表面)上固定有與Y軸方向平行的一對(duì)Y軸導(dǎo)軌20。Y軸移動(dòng)工作臺(tái)22以能夠滑動(dòng)的方式安裝在Y軸導(dǎo)軌20上。在Y軸移動(dòng)工作臺(tái)22的背面?zhèn)?下表面?zhèn)?設(shè)置有螺母部(未圖示)，該螺母部與平行于Y軸導(dǎo)軌20的Y軸滾柱絲杠24螺合。

Y軸脈沖電動(dòng)機(jī)26與Y軸滾柱絲杠24的一端部連結(jié)。利用Y軸脈沖電動(dòng)機(jī)26來(lái)使Y軸滾柱絲杠24旋轉(zhuǎn)，由此，Y軸移動(dòng)工作臺(tái)22沿著Y軸導(dǎo)軌20在Y軸方向上移動(dòng)。在與Y軸導(dǎo)軌20相鄰的位置上設(shè)置有Y軸標(biāo)尺28，其用于對(duì)Y軸移動(dòng)工作臺(tái)22的Y軸方向的位置進(jìn)行檢測(cè)。

在Y軸移動(dòng)工作臺(tái)22的正面?zhèn)?上表面?zhèn)?設(shè)置有支承臺(tái)30，在該支承臺(tái)30的上部配置有卡盤(pán)工作臺(tái)6?？ūP(pán)工作臺(tái)6的正面(上表面)成為對(duì)上述的基板33的第2面(背面)33b側(cè)進(jìn)行吸引、保持的保持面6a。

該保持面6a通過(guò)形成于卡盤(pán)工作臺(tái)6的內(nèi)部的吸引路(未圖示)等與吸引源(未圖示)連接。在卡盤(pán)工作臺(tái)6的下方設(shè)置有旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)源(未圖示)，通過(guò)該旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)源使卡盤(pán)工作臺(tái)6繞與Z軸方向平行的旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)。

在水平移動(dòng)機(jī)構(gòu)8的后方設(shè)置有柱狀的支承構(gòu)造32。在支承構(gòu)造32的上部固定有沿Y軸方向延伸的支承臂34，在該支承臂34的前端部設(shè)置有激光照射單元36，該激光照射單元36對(duì)卡盤(pán)工作臺(tái)6上的基板33照射脈沖振蕩出的激光光線。

在與激光照射單元36相鄰的位置上設(shè)置有照相機(jī)38，該照相機(jī)38對(duì)基板33的第1面33a側(cè)進(jìn)行拍攝。例如在對(duì)基板33與激光照射單元36的位置等進(jìn)行調(diào)整時(shí)，使用利用照相機(jī)38對(duì)基板33等進(jìn)行拍攝而形成的圖像。

卡盤(pán)工作臺(tái)6、水平移動(dòng)機(jī)構(gòu)8、激光照射單元36、照相機(jī)38等各結(jié)構(gòu)要素與控制單元(未圖示)連接?？刂茊卧獙?duì)各結(jié)構(gòu)要素的動(dòng)作進(jìn)行控制以便適當(dāng)?shù)貙?duì)基板33進(jìn)行加工。

在彈性波擴(kuò)散區(qū)域形成工序中，如圖4的(A)所示，首先，在基板33的第1面33a側(cè)(共振單元15側(cè))粘貼保護(hù)帶37。接著，以使該保護(hù)帶37與保持面6a相對(duì)的方式將基板33載置到卡盤(pán)工作臺(tái)6上，并使吸引源的負(fù)壓作用于保持面6a。由此，基板33以第2面33b側(cè)朝向上方露出的狀態(tài)被吸引、保持在卡盤(pán)工作臺(tái)6上。

接著，使卡盤(pán)工作臺(tái)6移動(dòng)、旋轉(zhuǎn)而使激光加工單元36對(duì)準(zhǔn)彈性波擴(kuò)散區(qū)域31的形成開(kāi)始位置。并且，如圖4的(A)所示，一邊從激光加工單元36朝向基板33照射難以被基板33吸收的波長(zhǎng)(具有透過(guò)性的波長(zhǎng))的激光光線L1，一邊使卡盤(pán)工作臺(tái)6在水平方向上移動(dòng)。

這里，將激光光線L1的聚光點(diǎn)定位在基板33的內(nèi)部。這樣，在從基板33的第2面33b側(cè)將難以被基板33吸收的波長(zhǎng)的激光光線L1會(huì)聚到基板33的內(nèi)部的狀態(tài)下進(jìn)行照射，由此，能夠?qū)?3的內(nèi)部進(jìn)行改質(zhì)而形成彈性波擴(kuò)散區(qū)域31。

例如，在對(duì)由硅構(gòu)成的基板33以11μm×15μm的間距形成7μm～8μm大小(寬度、直徑)的彈性波擴(kuò)散區(qū)域31的情況下的條件按照如下方式設(shè)定。

波長(zhǎng)：1064nm(YVO4脈沖激光)

重復(fù)頻率：50kHz～120kHz

輸出：0.1W～0.3W

當(dāng)在這樣的條件下對(duì)除了分割預(yù)定線35的附近之外的基板33的整體形成彈性波擴(kuò)散區(qū)域31時(shí)，彈性波擴(kuò)散區(qū)域形成工序結(jié)束。另外，加工的條件并不限定于此，能夠與彈性波擴(kuò)散區(qū)域31的大小和間距等相符地任意地變更。

在彈性波擴(kuò)散區(qū)域形成工序之后實(shí)施改質(zhì)層形成工序，沿著基板33的分割預(yù)定線35形成作為分割的起點(diǎn)的改質(zhì)層。圖4的(B)是示意性地示出改質(zhì)層形成工序的局部剖視側(cè)視圖。改質(zhì)層形成工序繼續(xù)由上述的激光加工裝置2實(shí)施。

具體地說(shuō)，首先，使卡盤(pán)工作臺(tái)移動(dòng)、旋轉(zhuǎn)而使激光加工單元36對(duì)準(zhǔn)作為加工對(duì)象的分割預(yù)定線35的端部。并且，如圖4的(B)所示，一邊從激光加工單元36朝向基板33照射難以被基板33吸收的波長(zhǎng)的激光光線L2，一邊使卡盤(pán)工作臺(tái)6在與加工對(duì)象的分割預(yù)定線35平行的方向上移動(dòng)。

即，從基板33的背面13b側(cè)沿著分割預(yù)定線35照射難以被基板33吸收的波長(zhǎng)的激光光線L2。這里，將激光光線L2的聚光點(diǎn)的位置預(yù)先對(duì)準(zhǔn)基板33的內(nèi)部。由此，能夠沿著加工對(duì)象的分割預(yù)定線35對(duì)基板33的內(nèi)部進(jìn)行改質(zhì)而形成改質(zhì)層39。

例如，在對(duì)由硅構(gòu)成的基板33形成改質(zhì)層39的情況下的條件按照以下方式設(shè)定。

波長(zhǎng)：1064nm(YVO4脈沖激光)

重復(fù)頻率：100kHz

輸出：1W～1.5W

移動(dòng)速度(加工進(jìn)給速度)：100mm/s

另外，激光光線L2的功率密度等條件在能夠在基板33的內(nèi)部形成合適的改質(zhì)層39的范圍中進(jìn)行調(diào)整。當(dāng)重復(fù)該步驟、沿著所有的分割預(yù)定線35形成改質(zhì)層39時(shí)，改質(zhì)層形成工序結(jié)束。

在改質(zhì)層形成工序之后實(shí)施分割工序，對(duì)基板33施加外力而沿著分割預(yù)定線15將基板33分割成多個(gè)基板13(BAW器件11)。圖5的(A)和圖5的(B)是示意性地示出分割工序的局部剖視側(cè)視圖。

在分割工序中，首先，在基板33的第2面33b上粘貼擴(kuò)張帶41，并將環(huán)狀的框架43固定在該擴(kuò)張帶41的外周部分。并且，將粘貼在基板33的第1面33a上的保護(hù)帶剝離、去除。

如圖5的(A)和圖5的(B)所示，擴(kuò)張裝置62具有：支承構(gòu)造64，其對(duì)基板33進(jìn)行支承；以及圓筒狀的擴(kuò)張鼓66，其對(duì)粘貼于基板33的擴(kuò)張帶41進(jìn)行擴(kuò)張。擴(kuò)張鼓66的內(nèi)徑比基板33的直徑大，擴(kuò)張鼓66的外徑比框架43的內(nèi)徑小。

支承構(gòu)造64包含對(duì)框架43進(jìn)行支承的框架支承工作臺(tái)68。該框架支承工作臺(tái)68的上表面成為對(duì)框架43進(jìn)行支承的支承面。在框架支承工作臺(tái)68的外周部分設(shè)置有用于對(duì)框架43進(jìn)行固定的多個(gè)夾具70。

在支承構(gòu)造64的下方設(shè)置有升降機(jī)構(gòu)72。升降機(jī)構(gòu)72具有：缸筒74，其固定于下方的基臺(tái)(未圖示)；以及活塞桿76，其插入到缸筒74中。在活塞桿76的上端部固定有框架支承工作臺(tái)68。

該升降機(jī)構(gòu)72使支承構(gòu)造64升降，以使得框架支承工作臺(tái)68的上表面(支承面)在與擴(kuò)張鼓66的上端為相等的高度的基準(zhǔn)位置與比擴(kuò)張鼓66的上端靠下方的擴(kuò)張位置之間移動(dòng)。

在分割工序中，如圖5的(A)所示，將框架43載置在移動(dòng)到基準(zhǔn)位置的框架支承工作臺(tái)68的上表面上，并通過(guò)夾具70固定。由此，擴(kuò)張鼓66的上端與位于基板33與框架43之間的擴(kuò)張帶41接觸。

接著，利用升降機(jī)構(gòu)72使支承構(gòu)造64下降，如圖5的(B)所示，使框架支承工作臺(tái)68的上表面移動(dòng)至比擴(kuò)張鼓66的上端靠下方的擴(kuò)張位置。其結(jié)果是，擴(kuò)張鼓66相對(duì)于框架支承工作臺(tái)68上升，擴(kuò)張帶41以被擴(kuò)張鼓66頂起的方式擴(kuò)張。

當(dāng)擴(kuò)張帶41擴(kuò)張時(shí)，對(duì)基板33施加有使擴(kuò)張帶41擴(kuò)張的方向的外力。由此，基板33以改質(zhì)層39為起點(diǎn)被分割成多個(gè)基板13，完成BAW器件11。

另外，本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式的記載，能夠?qū)嵤└鞣N變更。例如，在上述實(shí)施方式中，在彈性波擴(kuò)散區(qū)域形成工序之后實(shí)施改質(zhì)層形成工序，但也可以在改質(zhì)層形成工序之后實(shí)施彈性波擴(kuò)散區(qū)域形成工序。

并且，雖然在上述實(shí)施方式的分割工序中，使用擴(kuò)張裝置62來(lái)對(duì)基板33進(jìn)行分割，但例如也可以采用通過(guò)按壓刃對(duì)基板33沿著分割預(yù)定線15進(jìn)行按壓的方法等來(lái)對(duì)基板33進(jìn)行分割。

另外，上述實(shí)施方式的構(gòu)造、方法等能夠在不脫離本發(fā)明的目的的范圍內(nèi)進(jìn)行適當(dāng)?shù)刈兏?/p>