技術總結
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管，包括柵電極、源電極和漏電極，所述柵電極、所述源電極和所述漏電極中的至少一者包括從上至下依次層疊的輔助電極層、第一防護電極層和主電極層，制成所述輔助電極層的材料的活潑性大于制成所述第一防護電極層的材料的活潑性。本發(fā)明還提供一種陣列基板、該陣列基板的制造方法和包括所述陣列基板的顯示面板。在本發(fā)明中，光刻膠涂敷在輔助導電材料層上。由于形成輔助導電材料層的金屬活潑性較高，因此，材料原子外層的電子非常容易失去，使得所述輔助導電材料層能夠牢固地吸附光刻膠層。并且，在刻蝕的過程中，遮擋圖形也不容易剝離，從而可以獲得更加精確的導電圖形，提高制造薄膜晶體管的良率。

技術研發(fā)人員：崔承鎮(zhèn)
受保護的技術使用者：京東方科技集團股份有限公司
文檔號碼：201610941853
技術研發(fā)日：2016.10.25
技術公布日：2017.06.23