1.一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵電極、源電極和漏電極，其特征在于，所述柵電極、所述源電極和所述漏電極中的至少一者包括從上至下依次層疊的輔助電極層、第一防護電極層和主電極層，制成所述輔助電極層的材料的活潑性大于制成所述第一防護電極層的材料的活潑性。
2.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述輔助電極層的材料與所述主電極層的材料相同。
3.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一防護電極層的材料包括鉬鈮合金，所述主電極層的材料包括銅。
4.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括氧化物半導體材料制成的有源層，包括所述輔助電極層、所述第一防護電極層和所述主電極層的電極圖形為所述源電極和所述漏電極，所述源電極和所述漏電極位于所述有源層上方。
5.根據(jù)權利要求1至4中任意一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述輔助電極層的厚度小于所述主電極層的厚度。
6.根據(jù)權利要求1至4中任意一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，包括所述輔助電極層、所述第一防護電極層和所述主電極層的電極還包括第二防護電極層，所述第二防護電極層設置在所述主電極層下方。
7.一種陣列基板，所述陣列基板包括多個薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管為權利要求1至6中任意一項所述的薄膜晶體管，所述陣列基板還包括多組電極線，多組電極線包括與所述柵電極同層設置的柵線和與所述源電極和所述漏電極同層設置的數(shù)據(jù)線，至少一組所述電極線包括從上至下依次層疊的輔助電極線層、第一防護電極線層和主電極線層，制成所述輔助電極線層的材料的活潑性大于制成所述第一防護電極線層的材料的活潑性，所述第一防護電極線層與同層設置的第一防護電極層材料相同，所述主電極線層與同層設置的主電極層材料相同。
8.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括陣列基板，其特征在于，所述陣列基板為權利要求7所述的陣列基板。
9.一種權利要求7所述的陣列基板的制造方法，所述陣列基板包括多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，多條柵線和多條數(shù)據(jù)線相交錯將所述陣列基板劃分為多個像素單元，每個像素單元內均設置有薄膜晶體管，其特征在于，所述制造方法包括形成第一圖形的步驟和形成第二圖形的步驟，所述第一圖形包括所述柵線和所述薄膜晶體管的柵電極，所述第二圖形包括所述數(shù)據(jù)線和所述薄膜晶體管的源電極和漏電極的圖形，形成所述第一圖形和所述第二圖形中的至少一者包括：
形成導電材料層，包括：依次形成主導電材料層、第一防護導電材料層和輔助導電材料層，其中，所述輔助導電材料層的材料的活潑性大于所述第一防護導電材料層的材料；
在所述輔助導電材料層上涂敷光刻膠層；
對光刻膠層進行曝光顯影，以在所述輔助導電材料層的上表面上形成遮擋圖形；
對形成有遮擋圖形的導電材料層進行刻蝕。
10.根據(jù)權利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述第二圖形包括所述主導電圖形層、防護導電圖形層和輔助導電圖形層，所述制造方法還包括在形成主導電材料層之前進行的：
形成有源材料層，所述有源材料層由氧化物半導體材料制成；
在光刻膠層進行曝光顯影的步驟包括：
利用半色調掩膜板對所述光刻膠層進行曝光顯影獲得所述遮擋圖形，所述遮擋圖形包括中間遮擋圖形，所述中間遮擋圖形覆蓋的區(qū)域與有源圖形一致，且所述中間遮擋圖形包括源極區(qū)、漏極區(qū)和位于所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)之間的間隔區(qū)，所述間隔區(qū)的厚度小于所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)的厚度；
對形成有遮擋圖形的導電材料層進行刻蝕的步驟包括：
對所述導電材料層和所述有源材料層進行濕刻，以獲得中間功能圖形，所述中間功能圖形包括有源層和覆蓋在所述有源層上的中間導電圖形；
對所述遮擋圖形進行灰化，以刻蝕所述間隔區(qū)，并進一步刻蝕所述中間導電圖形，使得中間導電圖形在對應于所述間隔區(qū)的位置斷開，以獲得源電極和漏電極；
向工藝腔內通入一氧化二氮工藝氣體，并對所述一氧化二氮工藝氣體進行等離子化；
所述制造方法還包括：
在所述第二圖形上形成鈍化層；
在所述鈍化層上形成過孔，所述過孔對應于所述漏電極，所述過孔貫穿所述鈍化層和所述漏電極上由所述輔助導電材料形成的部分；
形成包括像素電極的圖形。