1.一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其包括：
封裝基板，其具有第一表面和第二表面，所述第一表面與所述第二表面相對(duì)，所述第二表面設(shè)置有第一焊墊；
第一電子組件，其設(shè)置于所述第一表面；
第二電子組件，其設(shè)置于所述第二表面；
引線框架，其包括：
第一承座和第二承座，其中所述第二承座具有連接部；
連接材料，其包覆所述連接部且連接所述第一焊墊；及
第一封裝膠體，其至少包覆所述封裝基板、所述第一電子組件及所述第二電子組件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中所述第一電子組件包括第一芯片和第二封裝膠體，所述第一芯片承載于所述第一表面且經(jīng)配置經(jīng)過所述連接材料和所述連接部以電連接至所述引線框架，所述第二封裝膠體包覆所述第一芯片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中所述第二電子組件包括第二芯片，所述第二芯片承載于所述第二表面且經(jīng)配置經(jīng)過所述連接材料和所述連接部以電連接至所述引線框架。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中所述引線框架的材料為除錫之外的金屬材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造還包括第三封裝膠體，所述第三封裝膠體被注塑填充在所述第一承座和所述第二承座的空隙中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中所述封裝基板包括孔洞。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中所述連接部具有粗糙表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，進(jìn)一步包括屏蔽層，其經(jīng)配置以至少覆蓋所述第一封裝膠體。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中所述連接部突出所述第二承座的表面。
10.一種制造半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的方法，其包括：
提供封裝基板，所述封裝基板包括：
第一表面和第二表面，所述第一表面與所述第二表面相對(duì)，所述第二表面設(shè)置有第一焊墊；
提供第一電子組件和第二電子組件，將所述第一電子組件設(shè)置于所述第一表面，將所述第二電子組件設(shè)置于所述第二表面；
設(shè)置錫球于所述第一焊墊上；
提供引線框架，其包括第一承座和第二承座，其中所述第二承座具有連接部；
壓合所述封裝基板和所述引線框架且進(jìn)行回焊，使所述錫球形成連接材料，所述連接材料包覆所述連接部且連接所述第一焊墊；及
注塑形成第一封裝膠體，所述第一封裝膠體至少包覆所述封裝基板、所述第一電子組件及所述第二電子組件。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第一電子組件包括第一芯片和第二封裝膠體，所述第一芯片經(jīng)配置以承載于所述第一表面且經(jīng)配置經(jīng)過所述連接材料和所述連接部以電連接至所述引線框架，所述第二封裝膠體包覆所述第一芯片。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第二電子組件包括第二芯片，所述第二芯片經(jīng)配置以承載于所述第二表面且經(jīng)配置經(jīng)過所述連接材料和所述連接部以電連接至所述引線框架。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述引線框架的材料為除錫之外的金屬材料。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中在提供所述引線框架的步驟前，預(yù)先注塑填充第三封裝膠體在所述第一承座和所述第二承座的空隙中。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，進(jìn)一步包括設(shè)置孔洞于所述封裝基板上。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述連接部具有粗糙表面。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其進(jìn)一步包括形成屏蔽層以至少覆蓋所述第一封裝膠體。