技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
半導(dǎo)體器件包括具有第一半導(dǎo)體材料的鰭。鰭包括源極/漏極(S/D)區(qū)域和溝道區(qū)域。S/D區(qū)域提供頂面和兩個(gè)側(cè)壁表面。S/D區(qū)域的寬度小于溝道區(qū)域的寬度。半導(dǎo)體器件還包括在S/D區(qū)域上方且具有摻雜的第二半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體膜。半導(dǎo)體膜提供分別地基本上平行于S/D區(qū)域的頂面和兩個(gè)側(cè)壁表面的頂面和兩個(gè)側(cè)壁表面。半導(dǎo)體器件還包括半導(dǎo)體膜的頂面和兩個(gè)側(cè)壁表面上方的且用于與S/D區(qū)域電通信的金屬接觸件。本發(fā)明的實(shí)施例還涉及形成場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法。

技術(shù)研發(fā)人員：楊育佳;卡洛斯·H·迪亞茲;王志豪;葉凌彥;孫元成
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.21
技術(shù)公布日：2017.07.07