技術(shù)編號(hào)：12827452
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件以及形成場效應(yīng)晶體管的方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了指數(shù)增長。IC材料和設(shè)計(jì)的技術(shù)進(jìn)步產(chǎn)生了多代IC，其中，每一代都具有比前一代更小且更復(fù)雜的電路。在IC發(fā)展過程中，功能密度(即每芯片面積上互連器件的數(shù)量)通常增大了而幾何尺寸(即，使用制造工藝可以做出的最小的元件(或線))減小了。這種按比例縮小工藝通常通過增加產(chǎn)量效率和降低相關(guān)成本來提供很多益處。這種按比例縮小工藝也增大了加工和制造IC的復(fù)雜度。例如，與在短溝道晶體管中的傳統(tǒng)平面FET相比，諸如鰭式場...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。