技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括邏輯區(qū)和鄰近邏輯區(qū)的存儲區(qū)。存儲區(qū)包括第N金屬層、第N金屬層上方的底部電極、底部電極上方的磁性隧道結(jié)(MTJ)層、MTJ層上方的頂部電極以及在頂部電極上方的第(N+1)金屬層。頂部電極包括具有的氧化速率比鉭或鉭的衍生物的氧化速率低的材料。N是大于或等于1的整數(shù)。本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。

技術(shù)研發(fā)人員：莊學(xué)理;沈桂弘
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.20
技術(shù)公布日：2017.08.11