本申請案是發(fā)明名稱為“發(fā)光模塊”,申請?zhí)枮?01210248821.8的發(fā)明專利國際申請案的分案申請,原申請案的申請日是2012年07日18日。
技術領域
本發(fā)明是有關于一種發(fā)光模塊,且特別是有關于一種以發(fā)光二極管芯片作為光源的發(fā)光模塊。
背景技術:
發(fā)光二極管是一種由含有III-Ⅴ族元素的半導體材料所構成的發(fā)光元件,且發(fā)光二極管具有壽命長、體積小、高抗震性、低熱產(chǎn)生及低功率消耗等優(yōu)點,因此已被廣泛應用于家用及各種設備中的指示器或光源。近年來,發(fā)光二極管已向多色彩及高亮度發(fā)展,因此其應用領域已擴展至大型戶外看板、交通信號燈及相關領域。在未來,發(fā)光二極管甚至可能成為兼具省電及環(huán)保功能的主要照明光源。
在已知的發(fā)光二極管模塊的設計中,由于發(fā)光二極管芯片所發(fā)出的光束是直接投射下來的,也就是說,發(fā)光二極管芯片所產(chǎn)生的光束指向性強,因此容易產(chǎn)生光均勻度不佳及眩光(glare)而讓使用者感到不舒服。再者,為了產(chǎn)生白光發(fā)光二極管光源,通常會將多個尺寸相同且不同顏色(如紅色、藍色及綠色)的發(fā)光二極管芯片呈陣列放置于承載器上以進行封裝。然而,由于這些發(fā)光二極管芯片所發(fā)出來的光線是直接往前發(fā)射的,因此需要較大的混光區(qū)域以調和光束,但此舉將增加整個發(fā)光二極管模塊的體積,進而造成不便。
為了解決上述問題,在目前的發(fā)光二極管模塊中,通常會搭配光學透鏡,來使發(fā)光二極管芯片的所發(fā)出的光束能夠有效地被利用。然而,若在發(fā)光二極管芯片上覆蓋光學透鏡,則會因為不同顏色的光對于光學透鏡有不同的折射角度,而使整個發(fā)光二極管照明模塊所產(chǎn)生的照明角度偏小或集中于某一區(qū)塊,例如部分的紅光會顯現(xiàn)在一特定范圍里,而使得整個照明區(qū)域的色度分布并不均勻,進而導致發(fā)光二極管模塊有光不均勻及光源顯色性偏低等的問題。
技術實現(xiàn)要素:
本發(fā)明提供一種發(fā)光模塊,整合了多個不同尺寸的發(fā)光二極管芯片,且可改善已知發(fā)光二極管模塊色度不均勻的問題。
本發(fā)明提出一種發(fā)光模塊,其包括一基板、多個第一發(fā)光二極管芯片以及多個第二發(fā)光二極管芯片?;寰哂幸皇中沃行膮^(qū)域以及一環(huán)繞十字形中心區(qū)域的周邊區(qū)域。第一發(fā)光二極管芯片配置于基板上,且至少位于十字形中心區(qū)域內(nèi)。第二發(fā)光二極管芯片配置于基板上,且至少位于周邊區(qū)域內(nèi)。每一第二發(fā)光二極管芯片的尺寸小于每一第一發(fā)光二極管的尺寸。第一發(fā)光二極管芯片位在周邊區(qū)域內(nèi)的個數(shù)小于位在十字形中心區(qū)域內(nèi)的個數(shù)。第二發(fā)光二極管芯片位在十字形中心區(qū)域內(nèi)的個數(shù)小于位在周邊區(qū)域內(nèi)的個數(shù)。
在本發(fā)明一實施例中,上述第一發(fā)光二極管芯片的主要發(fā)光波長在一特定色光的波長范圍內(nèi),且至少有兩個第一發(fā)光二極管芯片的主要發(fā)光波長的差值大于等于5納米。
在本發(fā)明一實施例中,上述第一發(fā)光二極管芯片為藍光發(fā)光二極管芯片,且主要發(fā)光波長為440~480納米。
在本發(fā)明一實施例中,上述第二發(fā)光二極管芯片的主要發(fā)光波長在一特定色光的波長范圍內(nèi),且至少有兩個第二發(fā)光二極管芯片的主要發(fā)光波長的差值大于等于5納米。
在本發(fā)明一實施例中,上述第二發(fā)光二極管芯片為紅光發(fā)光二極管芯片,且主要發(fā)光波長為600~760納米。
在本發(fā)明一實施例中,上述發(fā)光模塊還包括一透鏡,配置于基板上,且至少覆蓋第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片于基板上所占總面積的70%以上。
在本發(fā)明一實施例中,上述透鏡的外型包括圓形或橢圓形。
在本發(fā)明一實施例中,上述發(fā)光模塊還包括多個熒光層,分別配置于第一發(fā)光二極管芯片以及第二發(fā)光二極管芯片上。
在本發(fā)明一實施例中,上述每一第一發(fā)光二極管芯片的邊長為L1,而每一第二發(fā)光二極管芯片的邊長為L2,則
在本發(fā)明一實施例中,上述發(fā)光模塊還包括多個第三發(fā)光二極管芯片,配置于基板上,且至少位于周邊區(qū)域內(nèi),其中每一第三發(fā)光二極管芯片的尺寸小于每一第二發(fā)光二極管的尺寸,且第三發(fā)光二極管芯片位在十字形中心區(qū)域內(nèi)的個數(shù)小于位在周邊區(qū)域內(nèi)的個數(shù)。
在本發(fā)明一實施例中,上述每一第一發(fā)光二極管芯片的邊長為L1,而每一第三發(fā)光二極管芯片的邊長為L3,則L3≤L1/2。
在本發(fā)明一實施例中,上述第三發(fā)光二極管芯片的主要發(fā)光波長在一特定色光的波長范圍內(nèi),且至少有兩個第三發(fā)光二極管芯片的主要發(fā)光波長的差值大于等于5納米。
在本發(fā)明一實施例中,上述第三發(fā)光二極管芯片為綠光發(fā)光二極管芯片,且主要發(fā)光波長為500~560納米。
在本發(fā)明一實施例中,上述第一發(fā)光二極管芯片、第二發(fā)光二極管芯片以及第三發(fā)光二極管芯片均為藍光發(fā)光二極管芯片,且主要發(fā)光波長為440~480納米。
在本發(fā)明一實施例中,上述第三發(fā)光二極管芯片為多個覆晶式發(fā)光二極管芯片。
在本發(fā)明一實施例中,上述第一發(fā)光二極管芯片為多個覆晶式發(fā)光二極管芯片。
在本發(fā)明一實施例中,上述第二發(fā)光二極管芯片為多個覆晶式發(fā)光二極管芯片。
基于上述,由于本發(fā)明的發(fā)光模塊的設計是將多數(shù)個大尺寸的發(fā)光二極管芯片設置于十字中心區(qū)域,而將多數(shù)個小尺寸的發(fā)光二極管芯片設置于周邊區(qū)域。因此,可有效利用角落的區(qū)域,達到基板的最大配置利用率,此外,小尺寸的發(fā)光二極管芯片可輔助大尺寸的發(fā)光二極管芯片的色度表現(xiàn),而使得發(fā)光模塊具有較佳的色度均勻度。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂,下文特舉實施例,并配合附圖作詳細說明如下。
附圖說明
圖1A為本發(fā)明一實施例的一種發(fā)光模塊的俯視示意圖;
圖1B為沿圖1A的線I-I的剖面示意圖;
圖2為本發(fā)明一實施例的一種發(fā)光模塊的俯視示意圖;
圖3A為本發(fā)明一實施例的一種發(fā)光模塊的俯視示意圖;
圖3B為沿圖3A的線II-II的剖面示意圖。
附圖標記說明:
100a、100b、100c:發(fā)光模塊;
110:基板;
112:十字形中心區(qū)域;
114:周邊區(qū)域;
120:第一發(fā)光二極管芯片;
130:第二發(fā)光二極管芯片;
140:第三發(fā)光二極管芯片;
150a、150b、150c:透鏡;
160:熒光層;
L1、L2、L3:邊長。
具體實施方式
圖1A為本發(fā)明一實施例的一種發(fā)光模塊的俯視示意圖。圖1B為沿圖1A的線I-I的剖面示意圖。請同時參考圖1A與圖1B,在本實施例中,發(fā)光模塊100a包括一基板110、多個第一發(fā)光二極管芯片120以及多個第二發(fā)光二極管芯片130。
詳細來說,基板110具有一十字形中心區(qū)域112以及一環(huán)繞十字形中心區(qū)域112的周邊區(qū)域114。第一發(fā)光二極管芯片120配置于基板110上,且至少位于十字形中心區(qū)域112內(nèi)。因此,第一發(fā)光二極管芯片120電極連接基板110,且第一發(fā)光二極管芯片120例如為覆晶式發(fā)光二極管芯片。第二發(fā)光二極管芯片130配置于基板110上,且至少位于周邊區(qū)域114內(nèi)。因此,第二發(fā)光二極管芯片130電極連接基板110,且第二發(fā)光二極管芯片130例如為覆晶式發(fā)光二極管芯片。
特別是,每一第二發(fā)光二極管芯片130的尺寸小于每一第一發(fā)光二極管120的尺寸,而第一發(fā)光二極管芯片120位在周邊區(qū)域114內(nèi)的個數(shù)小于位在十字形中心區(qū)域112內(nèi)的個數(shù),且第二發(fā)光二極管芯片130位在十字形中心區(qū)域112內(nèi)的個數(shù)小于位在周邊區(qū)域114內(nèi)的個數(shù)。也就是說,大尺寸的第一發(fā)光二極管芯片120大部分是位于十字形中心區(qū)域112內(nèi),而小尺寸的第二發(fā)光二極管芯片130大部分是位在周邊區(qū)域114內(nèi)。因此,每一第一發(fā)光二極管芯片120的邊長為L1,而每一第二發(fā)光二極管芯片130的邊長為L2,較佳地,則
更具體來說,第一發(fā)光二極管芯片120的主要發(fā)光波長在一特定色光的波長范圍內(nèi),其中第一發(fā)光二極管芯片120為藍光發(fā)光二極管芯片,且主要發(fā)光波長為440~480納米。在本實施例中,至少有兩個第一發(fā)光二極管芯片120的主要發(fā)光波長的差值大于等于5納米,因此可減少第一發(fā)光二極管芯片120的庫存問題,以有效降低庫存成本。第二發(fā)光二極管芯片130的主要發(fā)光波長在一特定色光的波長范圍內(nèi),其中第二發(fā)光二極管芯片130為紅光發(fā)光二極管芯片,且主要發(fā)光波長為600~760納米。在本實施例中,至少有兩個第二發(fā)光二極管芯片130的主要發(fā)光波長的差值大于等于5納米,因此可減少第二發(fā)光二極管芯片130的庫存問題,以有效降低庫存成本。
此外,本實施例的發(fā)光模塊還包括一透鏡150a以及多個熒光層160。詳細來說,透鏡150a配置于基板110上,且至少覆蓋第一發(fā)光二極管芯片120與第二發(fā)光二極管芯片130于基板110上所占總面積的70%以上。如圖1A及圖1B所示,本實施例的透鏡150a完全覆蓋第一發(fā)光二極管芯片120與第二發(fā)光二極管芯片130。此處,透鏡150a的外型是由一圓形透鏡部及一平板部所組成,其中圓形透鏡部完全覆蓋第一發(fā)光二極管芯片120與第二發(fā)光二極管芯片130。熒光層160分別且直接配置于第一發(fā)光二極管芯片120以及第二發(fā)光二極管芯片130上,用以增加第一發(fā)光二極管芯片120與第二發(fā)光二極管芯片130的發(fā)光效率。
由于本實施例的發(fā)光模塊100a的設計是將大尺寸的第一發(fā)光二極管芯片120設置于基板110的十字中心區(qū)域112,而將小尺寸的第二發(fā)光二極管芯片130設置于基板110的周邊區(qū)域114。因此,小尺寸且主要波長較長的第二發(fā)光二極管芯片130(即紅光發(fā)光二級體芯片)可輔助大尺寸且主要波長較短的發(fā)光二極管芯片120(即藍光發(fā)光二極管芯片)的色度表現(xiàn),而形成均勻度較佳的白光,進而使得發(fā)光模塊100a具有較佳的色度均勻度。再者,本實施例的不同尺寸的第一發(fā)光二極管芯片120與第二發(fā)光二極管芯片130的排列方式可與透鏡150a的幾何形狀相互搭配,即較小的第二發(fā)光二極管芯片130可放置于基板110對應透鏡150a的角落的位置,除了可有效利用角落的區(qū)域而達到基板110的最大配置利用率外,也可有效提升發(fā)光模塊100a的色度均勻度。
在此必須說明的是,下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內(nèi)容,其中采用相同的標號來表示相同或近似的元件,并且省略了相同技術內(nèi)容的說明。關于省略部分的說明可參考前述實施例,下述實施例不再重復贅述。
圖2為本發(fā)明一實施例的一種發(fā)光模塊的俯視示意圖。請參考圖2,本實施例的發(fā)光模塊100b與圖1A的發(fā)光模塊100a相似,惟二者主要差異之處在于:本實施例的發(fā)光模塊100b的透鏡150b的外型為橢圓形,且發(fā)光模塊100b還包括多個第三發(fā)光二極管芯片140。第三發(fā)光二極管140配置于基板110上,且至少位于周邊區(qū)域114內(nèi),其中第三發(fā)光二極管芯片140位在基板110的十字形中心區(qū)域112內(nèi)的個數(shù)小于位在基板110的周邊區(qū)域112內(nèi)的個數(shù)。也就是說,第三發(fā)光二極管芯片140大部分是位于周邊區(qū)域114內(nèi)。因此,熒光層160也直接配置于第三發(fā)光二極管芯片140上。
如圖2所示,本實施例的透鏡150b完全覆蓋第一發(fā)光二極管芯片120、第二發(fā)光二極管芯片130及第三發(fā)光二極管芯片140。每一第三發(fā)光二極管芯片140的尺寸小于每一第二發(fā)光二極管130的尺寸,且第三發(fā)光二極管芯片140例如是覆晶式發(fā)光二極管芯片。在此,每一第一發(fā)光二極管芯片的邊長為L1,而每一第三發(fā)光二極管芯片的邊長為L3,較佳地,則L3≤L1/2。此外,第三發(fā)光二極管芯片140的主要發(fā)光波長在一特定色光的波長范圍內(nèi),其中第三發(fā)光二極管芯片140為綠光發(fā)光二極管芯片,且主要發(fā)光波長為500~560納米。也就是說,第三發(fā)光二極管芯片140的主要發(fā)光波長也大于第一發(fā)光二極管芯片120的主要發(fā)光波長。此外,至少有兩個第三發(fā)光二極管芯片140的主要發(fā)光波長的差值大于等于5納米,因此可減少第一發(fā)光三極體芯片140的庫存問題,以有效降低庫存成本。
由于本實施例的發(fā)光模塊100b的設計是將多數(shù)個大尺寸的第一發(fā)光二極管芯片120設置于基板110的十字中心區(qū)域112,而將多數(shù)個小尺寸的第二發(fā)光二極管芯片130及第三發(fā)光二極管芯片140設置于基板110的周邊區(qū)域114。因此,第二發(fā)光二極管芯片130(即紅光發(fā)光二極管芯片)與第三發(fā)光二極管芯片140(即綠光發(fā)光二極管芯片)可輔助第一發(fā)光二極管芯片120(即藍光發(fā)光二極管芯片)的色度表現(xiàn),進而使得發(fā)光模塊100b可具有較佳的色度均勻度。此外,第一發(fā)光二極管芯片120、第二發(fā)光二極管芯片130以及第三發(fā)光二極管芯片140的排列方式,除了可有效利用基板110對應透鏡150b的角落的位置而達到基板110的最大配置利用率外,也可有效提升發(fā)光模塊100b的色度均勻度。
圖3A為本發(fā)明一實施例的一種發(fā)光模塊的俯視示意圖。圖3B為沿圖3A的線II-II的剖面示意圖。請同時參考圖3A與圖3B,本實施例的發(fā)光模塊100c與圖1A的發(fā)光模塊100a相似,惟二者主要差異之處在于:本實施例的透鏡150c并未完全覆蓋第一發(fā)光二極管芯片120與第二發(fā)光二極管芯片130,更具體來說,透鏡150c的外型是由一圓形透鏡部及一平板部所組成,其中圓形透鏡部并未完全覆蓋第一發(fā)光二極管芯片120與第二發(fā)光二極管芯片130。透鏡150c僅覆蓋第一發(fā)光二極管芯片120與第二發(fā)光二極管芯片130于基板110上所占總面積的70%。
由于透鏡150c所覆蓋的區(qū)域大都位于基板110的十字中心區(qū)域114,即第一發(fā)光二極管芯片120所在的位置,因此當透鏡150c所覆蓋的面積小于第一發(fā)光二極管芯片120及第二發(fā)光二極管芯片130于基板110上所占總面積時,此仍不影響整體發(fā)光模塊100c的發(fā)光效率及色度均勻度。
值得一提的是,本發(fā)明并不限定透鏡150a、150b、150c的外型,雖然此處所提及的透鏡150a、150b、150c的外型具體化為圓形及橢圓形,但已知的其他能達到同等混光效果的結構設計,如透鏡的外型為連續(xù)的弧形等,仍屬于本發(fā)明可采用的技術方案,不脫離本發(fā)明所欲保護的范圍。
綜上所述,由于本發(fā)明的發(fā)光模塊的設計是將大尺寸的發(fā)光二極管芯片設置于十字中心區(qū)域,而將小尺寸的發(fā)光二極管芯片設置于周邊區(qū)域。因此,小尺寸且主要波長較長的發(fā)光二極管芯片可輔助大尺寸且主要波長較短的發(fā)光二極管芯片的色度表現(xiàn),而使得發(fā)光模塊具有較佳的色度均勻度。再者,本發(fā)明的不同尺寸的發(fā)光二極管芯片的排列方式可與透鏡的幾何形狀相互搭配,即較小的發(fā)光二極管芯片可放置于基板對應透鏡的角落的位置,除了可有效利用角落的區(qū)域而達到基板的最大配置利用率外,也可有效提升發(fā)光模塊的色度均勻度。
最后應說明的是:以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案,而非對其限制;盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明,本領域的普通技術人員應當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改,或者對其中部分或者全部技術特征進行等同替換;而這些修改或者替換,并不使相應技術方案的本質脫離本發(fā)明各實施例技術方案的范圍。