本發(fā)明有關(guān)于一種感測(cè)裝置及其制造方法，特別為有關(guān)于以晶圓級(jí)封裝制程制作感測(cè)生物特征的感測(cè)裝置。

背景技術(shù)：

晶片封裝制程是形成電子產(chǎn)品過(guò)程中的重要步驟。晶片封裝體除了將晶片保護(hù)于其中，使其免受外界環(huán)境污染外，還提供晶片內(nèi)部電子元件與外界的電性連接通路。具有感測(cè)功能的晶片封裝體通常與其他電子構(gòu)件一起接合于電路板上，進(jìn)而形成感測(cè)裝置，并進(jìn)一步組合于電子產(chǎn)品內(nèi)。

然而，傳統(tǒng)的感測(cè)裝置的制程繁復(fù)、良率低。感測(cè)裝置通常凹陷于電子產(chǎn)品外殼內(nèi)，而不利于使用者的操作，且一旦感測(cè)晶片或晶片封裝體毀損或失效，整個(gè)感測(cè)裝置即無(wú)法使用。

因此，有必要尋求一種新穎的感測(cè)裝置及其制造方法，其能夠解決或改善上述的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種感測(cè)裝置的制造方法，包括提供一第一基底。第一基底具有一第一表面及與其相對(duì)的一第二表面，且一感測(cè)區(qū)鄰近于第一表面。在第一表面上提供一暫時(shí)性蓋板，以覆蓋感測(cè)區(qū)。在第二表面上形成一重布線層，重布線層電性連接至感測(cè)區(qū)。在形成重布線層之后，去除暫時(shí)性蓋板。在去除暫時(shí)性蓋板之后，將第一基底接合至一第二基底及一蓋板，使得第一基底位于第二基底與蓋板之間。重布線層電性連接至第二基底。在第二基底與蓋板之間填入一封膠層，以環(huán)繞第一基底。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種感測(cè)裝置，包括一第一基底。第一基底位于一第二基底與一蓋板之間。一感測(cè)區(qū)感測(cè)區(qū)鄰近于第一基底面向蓋板的表面。一重布線層位于第一基底與第二基底之間。重布線層電性連接至感測(cè)區(qū)及第二基底。一底膠層位于重布線層與第二基底之間。一封膠層環(huán)繞第一基底及底膠層。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種感測(cè)裝置，包括一基底。基底承載于一支撐基底上，且基底具有一第一表面及與其相對(duì)的一第二表面。多個(gè)感測(cè)區(qū)鄰近于第一表面，且用以感測(cè)生物特征。多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于第二表面，且電性連接至對(duì)應(yīng)的該測(cè)區(qū)。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)彼此電性絕緣。一溝槽延伸于感測(cè)區(qū)之間及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間，且露出支撐基底。

本發(fā)明提供了簡(jiǎn)化的制程，可有效降低制造成本及縮小感測(cè)裝置的尺寸，且有利于提供感測(cè)裝置平坦的感測(cè)表面。

附圖說(shuō)明

圖1a至1e及圖1g至1i是繪示出根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的感測(cè)裝置的制造方法的剖面示意圖。

圖1f是繪示出根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的感測(cè)裝置的制造方法的平面示意圖。

圖2a至2c是繪示出根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的感測(cè)裝置的制造方法的剖面示意圖。

其中，附圖中符號(hào)的簡(jiǎn)單說(shuō)明如下：100：第一基底；100a：第一表面；100b：第二表面；110：感測(cè)區(qū)；120：晶片區(qū)；130：絕緣層；140：導(dǎo)電墊；165：暫時(shí)性粘著層；170：暫時(shí)性蓋板；190：第一開(kāi)口；200：第二開(kāi)口；210：絕緣層；220：重布線層；230：保護(hù)層；240：孔洞；250：導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；260：第二基底；270a：框體；270b：切割膠帶；280：底膠層；290：粘著層；300：蓋板；310：封膠層；320、330：感測(cè)裝置；a、b：子結(jié)構(gòu)；sc：切割道；sc’：溝槽。

具體實(shí)施方式

以下將詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的制作與使用方式。然而應(yīng)注意的是，本發(fā)明提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念，其可以多種特定型式實(shí)施。文中所舉例討論的特定實(shí)施例僅為制造與使用本發(fā)明的特定方式，非用以限制本發(fā)明的范圍。此外，在不同實(shí)施例中可能使用重復(fù)的標(biāo)號(hào)或標(biāo)示。這些重復(fù)僅為了簡(jiǎn)單清楚地?cái)⑹霰景l(fā)明，不代表所討論的不同實(shí)施例及/或結(jié)構(gòu)之間具有任何關(guān)聯(lián)性。再者，當(dāng)述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時(shí)，包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。

本發(fā)明某些實(shí)施例的晶片封裝體可用以封裝微機(jī)電系統(tǒng)晶片。然其應(yīng)用不限于此，例如在本發(fā)明的晶片封裝體的實(shí)施例中，其可應(yīng)用于各種包含有源元件或無(wú)源元件(activeorpassiveelements)、數(shù)字電路或模擬電路(digitaloranalogcircuits)等集成電路的電子元件(electroniccomponents)，例如是有關(guān)于光電元件(optoelectronicdevices)、微機(jī)電系統(tǒng)(microelectromechanicalsystem，mems)、生物辨識(shí)元件(biometricdevice)、微流體系統(tǒng)(microfluidicsystems)、或利用熱、光線、電容及壓力等物理量變化來(lái)測(cè)量的物理感測(cè)器(physicalsensor)。特別是可選擇使用晶圓級(jí)封裝(waferscalepackage，wsp)制程對(duì)影像感測(cè)元件、發(fā)光二極管(light-emittingdiodes，leds)、太陽(yáng)能電池(solarcells)、射頻元件(rfcircuits)、加速計(jì)(accelerators)、陀螺儀(gyroscopes)、指紋辨識(shí)器(fingerprintrecognitiondevice)、微制動(dòng)器(microactuators)、表面聲波元件(surfaceacousticwavedevices)、壓力感測(cè)器(processsensors)或噴墨頭(inkprinterheads)等半導(dǎo)體晶片進(jìn)行封裝。

其中上述晶圓級(jí)封裝制程主要是指在晶圓階段完成封裝步驟后，再予以切割成獨(dú)立的封裝體，然而，在一特定實(shí)施例中，例如將已分離的半導(dǎo)體晶片重新分布在一承載晶圓上，再進(jìn)行封裝制程，亦可稱(chēng)之為晶圓級(jí)封裝制程。另外，上述晶圓級(jí)封裝制程亦適用于通過(guò)堆迭(stack)方式安排具有集成電路的多片晶圓，以形成多層電路(multi-layerintegratedcircuitdevices)的晶片封裝體或系統(tǒng)級(jí)封裝(systeminpackage，sip)的晶片封裝體。

以下配合圖1a至1i說(shuō)明本發(fā)明某些實(shí)施例的感測(cè)裝置的制造方法，其中圖1a至1e及圖1g至1i是繪示出根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的感測(cè)裝置的制造方法的剖面示意圖，且圖1f是繪示出根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的感測(cè)裝置的制造方法的平面示意圖。

請(qǐng)參照?qǐng)D1a，提供一第一基底100，其具有一第一表面100a及與其相對(duì)的一第二表面100b，且包括多個(gè)晶片區(qū)120。為簡(jiǎn)化圖式，此處僅繪示出一完整的晶片區(qū)120及與其相鄰的晶片區(qū)120的一部分。在某些實(shí)施例中，第一基底100可為一硅基底或其他半導(dǎo)體基底。在某些實(shí)施例中，第一基底100為一硅晶圓，以利于進(jìn)行晶圓級(jí)封裝制程。

第一基底100的第一表面100a上具有一絕緣層130。一般而言，絕緣層130可由層間介電層(interlayerdielectric，ild)、金屬間介電層(inter-metaldielectric，imd)及覆蓋的鈍化層(passivation)組成。為簡(jiǎn)化圖式，此處僅繪示出單層絕緣層130。在某些實(shí)施例中，絕緣層130可包括無(wú)機(jī)材料，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金屬氧化物或前述的組合或其他適合的絕緣材料。

在某些實(shí)施例中，每一晶片區(qū)120的絕緣層130內(nèi)具有一個(gè)或一個(gè)以上的導(dǎo)電墊140。在某些實(shí)施例中，導(dǎo)電墊140可為單層導(dǎo)電層或具有多層的導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)。為簡(jiǎn)化圖式，此處僅以單層導(dǎo)電層作為范例說(shuō)明。在某些實(shí)施例中，每一晶片區(qū)120的絕緣層130內(nèi)包括一個(gè)或一個(gè)以上的開(kāi)口，露出對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電墊140，以通過(guò)露出的導(dǎo)電墊140進(jìn)行預(yù)先檢測(cè)。

在某些實(shí)施例中，每一晶片區(qū)120內(nèi)具有一感測(cè)區(qū)110。感測(cè)區(qū)110可鄰近于絕緣層130及第一基底100的第一表面100a，且可通過(guò)內(nèi)連線結(jié)構(gòu)(未繪示)與導(dǎo)電墊140電性連接。在某些實(shí)施例中，感測(cè)區(qū)110用以感測(cè)生物特征，且感測(cè)區(qū)110內(nèi)可包括一指紋辨識(shí)元件(例如，一電容式指紋辨識(shí)元件)。

在某些實(shí)施例中，可依序進(jìn)行半導(dǎo)體裝置的前段(frontend)制程(例如，在第一基底100內(nèi)制作集成電路)及后段(backend)制程(例如，在第一基底100上制作絕緣層130、內(nèi)連線結(jié)構(gòu)及導(dǎo)電墊140)來(lái)提供前述結(jié)構(gòu)。換句話說(shuō)，以下感測(cè)裝置的制造方法用于對(duì)完成后段制程的基底進(jìn)行后續(xù)的封裝制程。

接著，可通過(guò)一暫時(shí)性粘著層165將一暫時(shí)性蓋板170接合至第一基底100，暫時(shí)性蓋板170覆蓋感測(cè)區(qū)110及導(dǎo)電墊140。暫時(shí)性蓋板170用以在后續(xù)的制程期間提供保護(hù)及支撐的功能。在某些實(shí)施例中，暫時(shí)性蓋板170可包括玻璃、半導(dǎo)體材料(例如，硅)或其他適合的基底材料。在某些實(shí)施例中，暫時(shí)性蓋板170的尺寸(例如，寬度及/或長(zhǎng)度)大致上等于第一基底100的尺寸。

在某些實(shí)施例中，暫時(shí)性粘著層165為雙面膠材或其他適合的可移除式粘著材料。形成于暫時(shí)性蓋板170與第一基底100之間的暫時(shí)性粘著層165完全覆蓋第一基底100的第一表面100a，因此導(dǎo)電墊140及感測(cè)區(qū)110也被暫時(shí)性粘著層165所覆蓋。

請(qǐng)參照?qǐng)D1b，以暫時(shí)性蓋板170作為承載基板，對(duì)第一基底100的第二表面100b進(jìn)行薄化制程(例如，蝕刻制程、銑削(milling)制程、磨削(grinding)制程或研磨(polishing)制程)，以減少第一基底100的厚度。在某些實(shí)施例中，第一基底100薄化后的厚度小于大約100μm(例如，大約85μm)。

接著，通過(guò)微影制程及蝕刻制程(例如，干蝕刻制程、濕蝕刻制程、電漿蝕刻制程、反應(yīng)性離子蝕刻制程或其他適合的制程)，在每一晶片區(qū)120的第一基底100內(nèi)同時(shí)形成多個(gè)第一開(kāi)口190及第二開(kāi)口200，第一開(kāi)口190及第二開(kāi)口200自第一基底100的第二表面100b露出絕緣層130。在其他實(shí)施例中，可分別通過(guò)刻痕(notching)制程以及微影及蝕刻制程形成第二開(kāi)口200以及第一開(kāi)口190。

在某些實(shí)施例中，第一開(kāi)口190對(duì)應(yīng)于導(dǎo)電墊140而貫穿第一基底100，且第一開(kāi)口190鄰近于第一表面100a的口徑小于其鄰近于第二表面100b的口徑，因此第一開(kāi)口190具有傾斜的側(cè)壁，進(jìn)而降低后續(xù)形成于第一開(kāi)口190內(nèi)的膜層的制程難度，并提高可靠度。舉例來(lái)說(shuō)，由于第一開(kāi)口190鄰近于第一表面100a的口徑小于其鄰近于第二表面100b的口徑，因此后續(xù)形成于第一開(kāi)口190內(nèi)的膜層(例如，后續(xù)形成的絕緣層210及重布線層220)能夠較輕易地沉積于第一開(kāi)口190與絕緣層130之間的轉(zhuǎn)角，以避免影響電性連接路徑或產(chǎn)生漏電流的問(wèn)題。

在某些實(shí)施例中，第二開(kāi)口200沿著相鄰晶片區(qū)120之間的切割道sc延伸且貫穿第一基底100，使得每一晶片區(qū)120內(nèi)的第一基底100彼此分離。在某些實(shí)施例中，相鄰兩晶片區(qū)120內(nèi)的多個(gè)第一開(kāi)口190沿著第二開(kāi)口200間隔排列，且第一開(kāi)口190與第二開(kāi)口200通過(guò)第一基底100的一部分(例如，側(cè)壁部分)互相間隔且完全隔離。在某些實(shí)施例中，第二開(kāi)口200可沿著晶片區(qū)120延伸而環(huán)繞第一開(kāi)口190。

在某些其他實(shí)施例中，第一開(kāi)口190與第二開(kāi)口200連通。例如，第一開(kāi)口190鄰近于第二表面100b的部分與第二開(kāi)口200鄰近于第二表面100b的部分彼此連通，使得第一基底100具有一側(cè)壁部分低于第二表面100b。由于第一開(kāi)口190與第二開(kāi)口200彼此連通，而并非通過(guò)第一基底100的一部分完全隔離，因此能夠防止應(yīng)力累積于第一開(kāi)口190與第二開(kāi)口200之間的第一基底100，且可通過(guò)第二開(kāi)口200緩和及釋放應(yīng)力，進(jìn)而避免第一基底100的側(cè)壁部分出現(xiàn)破裂。

請(qǐng)參照?qǐng)D1c，可通過(guò)沉積制程(例如，涂布制程、物理氣相沉積制程、化學(xué)氣相沉積制程或其他適合的制程)，在第一基底100的第二表面100b上形成一絕緣層210，絕緣層210順應(yīng)性沉積于第一開(kāi)口190及第二開(kāi)口200的側(cè)壁及底部上。在某些實(shí)施例中，絕緣層210可包括環(huán)氧樹(shù)脂、無(wú)機(jī)材料(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金屬氧化物或前述的組合)、有機(jī)高分子材料(例如，聚酰亞胺樹(shù)脂、苯環(huán)丁烯、聚對(duì)二甲苯、萘聚合物、氟碳化物、丙烯酸酯)或其他適合的絕緣材料。

接著，可通過(guò)微影制程及蝕刻制程，去除第一開(kāi)口190底部的絕緣層210及其下方的絕緣層130，使得第一開(kāi)口190延伸至絕緣層130內(nèi)而露出對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電墊140。

可通過(guò)沉積制程(例如，涂布制程、物理氣相沉積制程、化學(xué)氣相沉積制程、電鍍制程、無(wú)電鍍制程或其他適合的制程)、微影制程及蝕刻制程，在絕緣層210上形成圖案化的重布線層220。重布線層220順應(yīng)性延伸至第一開(kāi)口190的側(cè)壁及底部，而未延伸至第二開(kāi)口200內(nèi)，且重布線層220延伸至第一開(kāi)口190與第二開(kāi)口200之間的第二表面100b上。

在某些實(shí)施例中，重布線層220可通過(guò)絕緣層210與第一基底100電性隔離，且可經(jīng)由第一開(kāi)口190直接電性接觸或間接電性連接露出的導(dǎo)電墊140。因此，第一開(kāi)口190內(nèi)的重布線層220也稱(chēng)為硅通孔電極(throughsiliconvia，tsv)。在其他實(shí)施例中，重布線層220也可能以t型接觸(t-contact)或其他適合的方式電性連接至對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電墊140。在某些實(shí)施例中，重布線層220可包括鋁、銅、金、鉑、鎳、錫、前述的組合、導(dǎo)電高分子材料、導(dǎo)電陶瓷材料(例如，氧化銦錫或氧化銦鋅)或其他適合的導(dǎo)電材料。

請(qǐng)參照?qǐng)D1d，可通過(guò)沉積制程，在第一基底100的第二表面100b上形成一保護(hù)層230，且填入第一開(kāi)口190及第二開(kāi)口200，以覆蓋重布線層220。在某些實(shí)施例中，保護(hù)層230可包括環(huán)氧樹(shù)脂、綠漆、無(wú)機(jī)材料(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金屬氧化物或前述的組合)、有機(jī)高分子材料(例如，聚酰亞胺樹(shù)脂、苯環(huán)丁烯、聚對(duì)二甲苯、萘聚合物、氟碳化物、丙烯酸酯)或其他適合的絕緣材料。

在某些實(shí)施例中，保護(hù)層230僅部分填充第一開(kāi)口190而未填滿第一開(kāi)口190，使得一孔洞240形成于第一開(kāi)口190內(nèi)的重布線層220與保護(hù)層230之間。由于保護(hù)層230部分填充于第一開(kāi)口190而留下孔洞240，因此后續(xù)制程中遭遇熱循環(huán)(thermalcycle)時(shí)，孔洞240能夠作為保護(hù)層230與重布線層220之間的緩沖，以降低保護(hù)層230與重布線層220之間由于熱膨脹系數(shù)不匹配所引發(fā)不必要的應(yīng)力，且防止外界溫度或壓力劇烈變化時(shí)保護(hù)層230會(huì)過(guò)度拉扯重布線層220，進(jìn)而可避免靠近導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)的重布線層220剝離甚至斷路的問(wèn)題。在某些實(shí)施例中，孔洞240與保護(hù)層230之間的界面具有拱形輪廓。在某些實(shí)施例中，重布線層220的末端可位于孔洞240內(nèi)。在某些其他實(shí)施例中，保護(hù)層230亦可填滿第一開(kāi)口190。

接著，可通過(guò)微影制程及蝕刻制程，在第一基底100的第二表面100b上的保護(hù)層230內(nèi)形成開(kāi)口，以露出圖案化的重布線層220的一部分。接著，可通過(guò)電鍍制程、網(wǎng)版印刷制程或其他適合的制程，在保護(hù)層230的開(kāi)口內(nèi)填入導(dǎo)電結(jié)構(gòu)250(例如，焊球、凸塊或?qū)щ娭?，以與露出的重布線層220電性連接。在某些實(shí)施例中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)250可包括錫、鉛、銅、金、鎳、或前述的組合。

請(qǐng)參照?qǐng)D1e，在形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)250之后，將暫時(shí)性粘著層165及暫時(shí)性蓋板170去除，且露出絕緣層130。在某些實(shí)施例中，經(jīng)由加熱來(lái)消除暫時(shí)性粘著層165的黏性，進(jìn)而將暫時(shí)性蓋板170分離及移除(debond)。例如，可利用紫外光(ultraviolet，uv)來(lái)進(jìn)行加熱。

接著，將第一基底100承載于一支撐基底上。在某些實(shí)施例中，支撐基底可包括框體270a及由框體270a圍繞的切割膠帶270b，如圖1f所示。之后，沿著切割道sc(等同于沿著第二開(kāi)口200)切割保護(hù)層230及絕緣層130，進(jìn)而形成多個(gè)獨(dú)立的子結(jié)構(gòu)a。舉例來(lái)說(shuō)，可使用切割刀具或激光進(jìn)行切割制程，其中使用激光切割制程可以避免上下膜層發(fā)生位移。

在某些實(shí)施例中，第一基底100為晶圓級(jí)尺寸的基底，且可切割出多個(gè)晶片級(jí)尺寸(chiplevel)的子結(jié)構(gòu)a，多個(gè)子結(jié)構(gòu)a之間彼此電性絕緣。在某些實(shí)施例中，分離的第一基底100及切割后的絕緣層130可共同視為晶片/晶粒。在某些實(shí)施例中，進(jìn)行切割制程之后，沿著切割道sc形成一溝槽sc’，溝槽sc’延伸于多個(gè)感測(cè)區(qū)110之間及多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)250之間，且露出一部分的支撐基底(例如，切割膠帶270b)，如圖1f所示。

在某些實(shí)施例中，可利用支撐基底承載切割后的子結(jié)構(gòu)a而直接運(yùn)送多個(gè)子結(jié)構(gòu)a。在某些實(shí)施例中，在運(yùn)送的過(guò)程中，支撐基底上的多個(gè)子結(jié)構(gòu)a上方貼附有一保護(hù)膠帶，使得所有的感測(cè)區(qū)110皆能夠避免受到污染或破壞而影響感測(cè)性能。之后，可移除保護(hù)膠帶，且將各個(gè)子結(jié)構(gòu)a自支撐基底取起，并繼續(xù)對(duì)子結(jié)構(gòu)a進(jìn)行后續(xù)的制程。

請(qǐng)參照?qǐng)D1g，提供一第二基底260。在某些實(shí)施例中，第二基底260可包括一電路板、一陶瓷基底或其他適合的基底材料。接著，將子結(jié)構(gòu)a接合至第二基底260上，且導(dǎo)電墊140通過(guò)第一基底100的第二表面100b上的重布線層220及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)250而與第二基底260電性連接。舉例來(lái)說(shuō)，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)250可由焊料(solder)所構(gòu)成，將子結(jié)構(gòu)a自支撐基底取起且放置于第二基底260上后，可進(jìn)行回焊(reflow)制程，以通過(guò)焊球?qū)⒆咏Y(jié)構(gòu)a接合至第二基底260上。

在某些實(shí)施例中，在將子結(jié)構(gòu)a接合至第二基底260上之前，可通過(guò)表面粘著技術(shù)(surfacemounttechnology，smt)將所需的無(wú)源元件(例如，電感、電容、電阻或其他電子部件)形成于第二基底260上。如此一來(lái)，可盡可能防止子結(jié)構(gòu)a受到外界環(huán)境的污染。在某些其他實(shí)施例中，可能通過(guò)同一回焊制程將子結(jié)構(gòu)a及上述無(wú)源元件同時(shí)接合至第二基底260上，或者也可能在將子結(jié)構(gòu)a接合至第二基底260上之后，通過(guò)表面粘著技術(shù)將上述無(wú)源元件形成于已接合子結(jié)構(gòu)a的第二基底260上。

接著，可通過(guò)點(diǎn)膠(dispensing)制程或其他適合制程，將一底膠層280填入保護(hù)層230與第二基底260之間。底膠層280連續(xù)地環(huán)繞導(dǎo)電結(jié)構(gòu)250，以保護(hù)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)250。在某些實(shí)施例中，底膠層280與重布線層220因保護(hù)層230而互相分離。在某些實(shí)施例中，底膠層280由具有高擴(kuò)散性及流動(dòng)性且可加熱固化的材料所構(gòu)成。在某些實(shí)施例中，底膠層280包括樹(shù)脂或其他適合的材料。

在某些實(shí)施例中，加熱固化后的底膠層280的側(cè)壁可能由于毛細(xì)現(xiàn)象而具有曲形表面。在某些實(shí)施例中，底膠層280完全填滿子結(jié)構(gòu)a與第二基底260之間的空間。再者，底膠層280延伸超出子結(jié)構(gòu)a的邊緣，且露出第二基底260的上表面的一部分。在某些其他實(shí)施例中，底膠層280可完全覆蓋第二基底260的上表面。

請(qǐng)參照?qǐng)D1h，通過(guò)一粘著層290將一蓋板300接合于子結(jié)構(gòu)a上，使得子結(jié)構(gòu)a位于蓋板300與第二基底260之間。在某些實(shí)施例中，在形成底膠層280之后，可先對(duì)已接合子結(jié)構(gòu)a的第二基底260進(jìn)行檢測(cè)，而僅對(duì)品質(zhì)良好的封裝構(gòu)件進(jìn)行后續(xù)制程(例如，接合高品質(zhì)及高成本的蓋板300)，因此能夠確保感測(cè)裝置的品質(zhì)，并有效節(jié)省制造成本。

在某些實(shí)施例中，粘著層290包括粘著膠或其他具有粘性的材料。在某些實(shí)施例中，位于子結(jié)構(gòu)a與蓋板300之間的粘著層290包括高介電常數(shù)(k)材料，以增加感測(cè)裝置的感測(cè)靈敏度。在某些實(shí)施例中，蓋板300包括藍(lán)寶石(sapphire)材料或其他適合的材料，以提供耐磨、防刮及高可靠度的平坦表面，進(jìn)而避免在使用感測(cè)裝置的感測(cè)功能的過(guò)程中感測(cè)裝置受到污染或破壞。再者，蓋板300具有遮蔽性，例如蓋板300由具有色彩且非透明的材料所構(gòu)成。

在某些實(shí)施例中，蓋板300的尺寸(例如，寬度及/或長(zhǎng)度)大于子結(jié)構(gòu)a的尺寸。在某些實(shí)施例中，蓋板300的尺寸(例如，寬度及/或長(zhǎng)度)大致上等于第二基底260的尺寸。在某些其他實(shí)施例中，蓋板300的尺寸可大于第二基底260的尺寸。蓋板300的尺寸不小于第二基底260的尺寸可確保感測(cè)裝置能夠容納于電子產(chǎn)品內(nèi)預(yù)定提供給感測(cè)裝置的空間，以使感測(cè)裝置后續(xù)可順利組合于電子產(chǎn)品之中。

接著，可通過(guò)點(diǎn)膠制程、模塑成型(molding)制程或其他適合制程，將一封膠層310填入蓋板300與第二基底260所圍成的空間，且將封膠層310加熱固化，進(jìn)而完成感測(cè)裝置320的制作。封膠層310連續(xù)地環(huán)繞位于蓋板300與第二基底260之間的子結(jié)構(gòu)a，以保護(hù)子結(jié)構(gòu)a。在某些實(shí)施例中，封膠層310進(jìn)一步連續(xù)地環(huán)繞粘著層290及底膠層280，且封膠層310與底膠層280共同完全填滿蓋板300與第二基底260之間的空間。

在某些實(shí)施例中，封膠層310由具有高擴(kuò)散性及流動(dòng)性且可加熱固化的材料所構(gòu)成。在某些實(shí)施例中，封膠層310包括底膠材料、模塑成型材料或其他適合的材料(例如，樹(shù)脂)。在某些實(shí)施例中，加熱固化后的封膠層310的側(cè)壁由于毛細(xì)現(xiàn)象而具有曲形表面。在某些實(shí)施例中，封膠層310可能延伸至第二基底260的側(cè)壁。

在某些實(shí)施例中，底膠層280及封膠層310可包括相同或不同材料。在某些實(shí)施例中，底膠層280與封膠層310之間具有一可視界面。在某些其他實(shí)施例中，底膠層280與封膠層310之間可能沒(méi)有可視界面。

以下配合圖2a至2c說(shuō)明本發(fā)明某些實(shí)施例的感測(cè)裝置的制造方法。圖2a至2c是繪示出根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的感測(cè)裝置的制造方法的剖面示意圖，其中相同于圖1a至1i中的部件使用相同的標(biāo)號(hào)并省略其說(shuō)明。

請(qǐng)參照?qǐng)D2a，可通過(guò)與圖1a相同或相似的步驟，通過(guò)暫時(shí)性粘著層165將暫時(shí)性蓋板170接合至第一基底100。接著，通過(guò)與圖1b相同或相似的步驟，對(duì)第一基底100進(jìn)行薄化制程，且在第一基底100內(nèi)形成第一開(kāi)口190及第二開(kāi)口200。接著，通過(guò)與圖1c相同或相似的步驟，在基底100的第二表面100b上形成絕緣層210及重布線層220。

之后，通過(guò)與圖1e相同或相似的步驟，將暫時(shí)性粘著層165及暫時(shí)性蓋板170去除。接著，通過(guò)與圖1f相同或相似的步驟，沿著切割道sc(等同于沿著第二開(kāi)口200)進(jìn)行切割制程，進(jìn)而形成多個(gè)獨(dú)立的子結(jié)構(gòu)b。在某些實(shí)施例中，子結(jié)構(gòu)b中的第一基底100的第二表面100b上不具有保護(hù)層，因而完全露出重布線層220。在某些其他實(shí)施例中，也可選擇性在第一基底100的第二表面100b上形成保護(hù)層(例如，保護(hù)層230)，且在保護(hù)層內(nèi)形成露出重布線層220的開(kāi)口。

請(qǐng)參照?qǐng)D2b，將子結(jié)構(gòu)b接合至第二基底260上，且通過(guò)重布線層220與第二基底260之間的多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)250而與第二基底260電性連接。在某些實(shí)施例中，可使用浸焊(dippingflow)技術(shù)形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)250。舉例來(lái)說(shuō)，在將子結(jié)構(gòu)b接合至第二基底260上之前，預(yù)先在第二基底260上形成由焊料所構(gòu)成的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)250，接著進(jìn)行回焊制程，以通過(guò)焊料凸塊或焊墊將子結(jié)構(gòu)b接合至第二基底260上。如此一來(lái)，可降低導(dǎo)電結(jié)構(gòu)250的高度，進(jìn)而有利于縮小感測(cè)裝置的整體尺寸。再者，子結(jié)構(gòu)b具有露出的重布線層220，有利于子結(jié)構(gòu)b順利地電性連接至形成于第二基底260上的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)250。

在某些其他實(shí)施例中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)250可為導(dǎo)電膠或其他具有粘性的導(dǎo)電材料，以將子結(jié)構(gòu)b粘貼至第二基底260上，且通過(guò)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)250作為電性連接路徑。如此一來(lái)，可更進(jìn)一步降低導(dǎo)電結(jié)構(gòu)250的高度，且無(wú)須使用可能造成污染問(wèn)題的回焊制程或浸焊技術(shù)。再者，可在將感測(cè)裝置b接合至第二基底260上之前，通過(guò)表面粘著技術(shù)將所需的無(wú)源元件(例如，電感、電容、電阻或其他電子部件)形成于第二基底260上。如此一來(lái)，可盡可能防止子結(jié)構(gòu)b受到外界環(huán)境的污染。

在某些其他實(shí)施例中，可能通過(guò)同一回焊制程將子結(jié)構(gòu)b及上述無(wú)源元件同時(shí)接合至第二基底260上，或者也可能在將子結(jié)構(gòu)b接合至第二基底260上之后，通過(guò)表面粘著技術(shù)將上述無(wú)源元件形成于已接合子結(jié)構(gòu)b的第二基底260上。

請(qǐng)參照?qǐng)D2c，可通過(guò)點(diǎn)膠制程或其他適合制程，將底膠層280填入重布線層220與第二基底260之間。底膠層280連續(xù)地環(huán)繞導(dǎo)電結(jié)構(gòu)250，以保護(hù)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)250。在某些實(shí)施例中，底膠層280直接接觸重布線層220。在某些實(shí)施例中，底膠層280全部填滿第一開(kāi)口190及/或第二開(kāi)口200。在某些實(shí)施例中，底膠層280局部填入第一開(kāi)口190及/或第二開(kāi)口200內(nèi)。在某些其他實(shí)施例中，底膠層280未填入第一開(kāi)口190及/或第二開(kāi)口200內(nèi)。

接著，可通過(guò)與圖1h相同或相似的步驟，利用粘著層290將蓋板300接合于子結(jié)構(gòu)b上，使得子結(jié)構(gòu)b位于蓋板300與第二基底260之間。接著，可通過(guò)與第1i圖相同或相似的步驟，將封膠層310填入蓋板300與第二基底260所圍成的空間，進(jìn)而完成感測(cè)裝置330的制作。

根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施例，提供了簡(jiǎn)化的制程，能夠?qū)⒏袦y(cè)晶片及所需的無(wú)源元件整合于同一感測(cè)裝置中，且由于以硅通孔電極作為感測(cè)裝置的外部電性連接路徑，而不需進(jìn)行打線接合制程來(lái)形成焊線，因此可有效降低制造成本及縮小感測(cè)裝置的尺寸，還有利于提供感測(cè)裝置平坦的感測(cè)表面。

再者，在制作感測(cè)裝置的過(guò)程中，暫時(shí)性蓋板提供保護(hù)及支撐的功能，有效防止感測(cè)區(qū)受到污染而影響感測(cè)性能，也避免第一基底產(chǎn)生彎曲或翹曲的問(wèn)題，以提供有利于使用感測(cè)功能的平坦表面。再者，在進(jìn)行切割制程之前(即，在晶圓級(jí)制程期間)而非在進(jìn)行切割制程之后將暫時(shí)性蓋板去除，不僅有利于簡(jiǎn)化制程步驟，還能夠降低移除暫時(shí)性蓋板的制程難度以及進(jìn)行切割制程的難度。

以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請(qǐng)的權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。