技術特征：

技術總結
一種半導體器件，其包括存儲單元陣列，該存儲單元陣列進一步包括第一磁性存儲單元的陣列和第二磁性存儲單元的陣列。第一磁性存儲單元中的每一個包括具有可逆阻抗狀態(tài)的第一磁隧道結結構，而第二磁性存儲單元中的每一個包括具有單次可編程(OTP)阻抗狀態(tài)的第二磁隧道結結構。

技術研發(fā)人員：徐輔永;李龍圭;高寬協;李重在
受保護的技術使用者：三星電子株式會社
技術研發(fā)日：2016.10.14
技術公布日：2017.08.11