偏移電壓補償?shù)闹谱鞣椒?br>【專利摘要】本發(fā)明涉及偏移電壓補償。電橋偏移電壓補償方法以及具有電橋電路和隧道磁阻（TMR）電阻器級聯(lián)的電路。電橋電路包括分支電路。TMR電阻器級聯(lián)與分支電路串聯(lián)耦合，并且被配置為提供用于補償電橋電路的電橋偏移電壓的電阻。
【專利說明】偏移電壓補償
【背景技術(shù)】
[0001] 惠斯登電橋是用于通過平衡電橋的兩個分支來測量未知的電氣電阻的電路，其中 的一個分支包括未知電阻。為了在諸如角度傳感器的傳感器中使用惠斯登電橋時獲得最佳 性能，電橋偏移電壓需要在芯片上被校正。通常，電橋偏移電壓呈現(xiàn)出溫度系數(shù)，這可能導 致在與電橋偏移電壓被校正的溫度不同的溫度下的顯著偏移。
【附圖說明】
[0002] 圖1A圖示了隧道磁阻(TMR)堆疊。
[0003] 圖1B圖示了 TMR電阻器。
[0004] 圖1C圖示了底部電極電阻器。
[0005] 圖2A圖示了用于使用激光熔絲來補償在全橋中的電橋偏移電壓的電路。
[0006] 圖2B圖示了用于使用激光熔絲來補償在半橋中的電橋偏移電壓的電路。
[0007] 圖3圖示了用于補償電橋偏移電壓和溫度系數(shù)的電路。
[0008] 圖4圖示了用于補償電橋偏移電壓或者補償電橋偏移電壓和溫度系數(shù)的示出全橋 電路的電路。
[0009] 圖5圖示了用于使用接觸焊盤來補償電橋偏移電壓的電路。
[0010] 圖6A圖示了用于補償全橋中的電橋偏移電壓的方法的流程圖。
[0011] 圖6B圖示了用于補償半橋中的電橋偏移電壓的方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0012] 本公開涉及用于補償電橋偏移電壓的TMR電阻器級聯(lián)。TMR電阻器級聯(lián)的電阻調(diào)整 可以使用激光熔絲或者替代地通過開關(guān)或通過使級聯(lián)的個體TMR電阻器短路來完成。此外， TMR電阻器級聯(lián)和具有相對溫度系數(shù)的底部電極電阻器級聯(lián)的組合可以用于產(chǎn)生具有零或 基本上接近零的溫度系數(shù)的偏移電壓補償。
[0013] 圖1A-1C圖示了如本文中公開的用于補償電橋偏移電壓的基本部件。
[0014] 圖1A圖示了隧道磁阻(TMR)堆疊100AJMR堆疊100A包括具有鐵磁性質(zhì)的底部電極 110A和具有鐵磁性質(zhì)的頂部電極130A，在其之間是隧穿勢皇120A。如已知的，隧穿勢皇120A 的電導取決于頂部和底部電極ll〇A、130A關(guān)于其磁的性質(zhì)是平行的還是反平行的而變化。
[0015] 圖1B圖示了 TMR電阻器100B。類似于TMR堆疊100A，TMR電阻器100B包括鐵磁底部電 極110B和鐵磁頂部電極130B，在其之間是隧穿勢皇120B。然而，對于TMR電阻器100B而言，使 用標準TMR蝕刻工藝來蝕刻頂部電極130B，以定義磁活性區(qū)域。TMR電阻器100B具有負溫度 系數(shù)nTK，這意味著，隨著增加的溫度，TMR電阻器100B的隧穿電阻減小。溫度系數(shù)可以是大 約-0.1%/K 〇
[0016] 圖1C圖示了底部電極電阻器100C。底部電極電阻器100C包括鐵磁底部電極110C和 隧穿勢皇120C。與TMR電阻器100B相反，底部電極電阻器100C具有正的溫度系數(shù)pTk，這意味 著，隨著增加的溫度，底部電極電阻器100C的電阻增加。正的溫度系數(shù)pTk可以是大約+ 0.1%/Ko
[0017] 本公開的電橋偏移電壓補償利用以兩個步驟執(zhí)行的TMR堆疊100A的通常結(jié)構(gòu)化方 法。在第一步驟中，將頂部電極130向下蝕刻到隧穿勢皇120,以定義傳感器層的幾何形狀。 在第二步驟中，在另一蝕刻工藝中結(jié)構(gòu)化鐵磁底部電極110。在單個沉積結(jié)構(gòu)化工藝中，因 此有可能定義如圖1B中示出的TMR電阻器100B和如圖1C中示出的鐵磁底部電極電阻器100C 兩者。在另一實施例中，第一步驟的蝕刻工藝在鐵磁底部電極110中或在鐵磁底部電極110 內(nèi)停止在隧穿勢皇120以下，如圖1C中示出的那樣。
[0018] 圖2A圖示了用于補償全橋中的電橋偏移電壓而不補償溫度系數(shù)Tk的電路200A。 [0019]電橋偏移電壓補償電路200A包括惠斯登電橋、TMR電阻器級聯(lián)220A和激光熔絲電 路230A。
[0020] 惠斯登電橋包括并聯(lián)耦合的第一分支電路210和第二分支電路(未示出）。第一分 支電路210可以包括串聯(lián)耦合的第一 TMR電阻器211和第二TMR電阻器212,在其之間是輸出 電壓點V。^。為了簡單起見，僅示出了惠斯登電橋的第一分支電路210。如同第一分支電路 210,第二分支電路包括在輸出電壓點之間串聯(lián)耦合的兩個TMR電阻器，如在圖4中示出并且 如下描述的那樣。
[0021] TMR電阻器級聯(lián)220A與第一分支電路210串聯(lián)耦合，并且被配置為提供用于補償電 橋偏移電壓的電阻。該示例中的TMR電阻器級聯(lián)220A包括分別具有電阻R、R/2、R/4、R/8、R/ 16、R/32、R/64 和 R/128 的八個 TMR 電阻器，其用標記 4、24、44、84、164、324、644和128六來表 示，其中R表示電阻值。TMR電阻器級聯(lián)220A被配置為具有加倍的面積大小，即，具有減半的 從電阻器到電阻器的電阻。電阻由頂部電極130的尺寸來定義，尺寸越大，電流越大并且電 阻越小。TMR電阻器級聯(lián)220A的電阻器的隧穿勢皇120的厚度與第一和第二TMR電阻器211、 212的厚度相同。
[0022] 具有八個TMR電阻器的TMR電阻器級聯(lián)220A不意味著是限制性的。可以存在適合于 預(yù)期目的的任何數(shù)目的TMR電阻器。而且，也不需要減半的從電阻器到電阻器的電阻。
[0023]盡管未示出，但是第二分支電路類似地與第二TMR電阻器級聯(lián)串聯(lián)耦合，并且還被 配置為提供用于補償電橋偏移電壓的電阻偏移。
[0024] 激光熔絲電路230A與TMR電阻器級聯(lián)220A并聯(lián)耦合。激光熔絲電路230A包括耦合 到電壓源VDD的低歐姆金屬線239和多個激光熔絲231-238。激光熔絲231-238分別與TMR電 阻器1284、644、324、164、84、44、24和六相對應(yīng)，并且被配置為調(diào)整了]\?電阻器級聯(lián)22(^的電 阻。更具體地，如果需要額外電阻來補償電橋偏移電壓，則個體激光熔絲231-238被配置為 在預(yù)定位置處斷開低歐姆金屬線239,以強制電流經(jīng)過通過TMR電阻器級聯(lián)220A定義的電流 流動路徑。在該示例中，在零和2R-R/128之間的任何電阻可以用R/128的分辨率來實現(xiàn)。 [0025] 激光熔絲電路230A可以替代地用低歐姆開關(guān)電路來代替。低歐姆開關(guān)電路包括低 歐姆金屬線239和多個開關(guān)，作為代替多個激光熔絲231-238的單片集成半導體開關(guān)。
[0026]圖2B圖示了用于使用激光熔絲來補償半橋中的電橋偏移電壓的電路200B。電路 200B類似于圖2A的電路200A，添加了另一TMR電阻器級聯(lián)220B，其中相應(yīng)的激光熔絲電路 230B被串聯(lián)耦合在GND端子和TMR電阻器212之間。在該電路200B中，惠斯登半橋配置的偏移 補償被啟用。與圖2A的電路200A類似，激光熔絲電路230B可以替代地用低歐姆開關(guān)電路來 代替。
[0027]圖3圖示了具有針對溫度系數(shù)Tk的額外補償?shù)挠糜谘a償電橋偏移電壓的電路300。 [0028]電橋偏移電壓補償電路300包括惠斯登電橋和TMR電阻器級聯(lián)220A，如以上關(guān)于圖 2A所描述的那樣，但是現(xiàn)在額外地包括底部電極電阻器級聯(lián)340。
[0029] 底部電極電阻器級聯(lián)340與TMR電阻器級聯(lián)220A串聯(lián)耦合。該示例中的底部電極電 阻器級聯(lián)340包括具有電阻1?、1?/2、1?/4、1?/8、1?/16、1?/32、1?/64和1?/128的八個底部電極電阻 器，其中R表示電阻值。與TMR電阻器級聯(lián)220A類似，底部電極電阻器級聯(lián)340被配置為具有 加倍的處于特定長度的寬度，即，具有減半的從電阻器到電阻器的電阻。本公開不限于具有 八個電阻器和/或具有減半的從電阻器到電阻器的電阻的底部電極電阻器級聯(lián)340,但是可 以被配置為適合于預(yù)期目的。
[0030]激光熔絲電路330包括圖2A的激光熔絲231-238,并且額外地包括與底部電極電阻 器級聯(lián)340的底部電極電阻器對應(yīng)的激光熔絲331 -338。
[0031] TMR電阻器級聯(lián)220A具有負的溫度系數(shù)nTK，并且底部電極電阻器級聯(lián)340具有正 的溫度系數(shù)pTk，如以上所描述的那樣?？梢酝ㄟ^首先根據(jù)以下等式1計算變量a來計算要被 調(diào)整以補償電橋偏移電壓的級聯(lián)220A、340的電阻值：
(等式1) 其中，Tk_0ffSettarget是要被補償?shù)钠齐妷旱臏y量的溫度系數(shù)Tk。此外，Tk_R麗和Tk_ RBott?分別表不TMR電阻器級聯(lián)220A和底部電極電阻器級聯(lián)340的電阻的溫度系數(shù)。
[0032]如果系數(shù)a的符號是負的，則
(等式2A和2B) 其中，RBott?和Rtmr分別表示針對TMR電阻器級聯(lián)220A和底部電極電阻器級聯(lián)340要通過 激光熔斷調(diào)整的電阻。Rkr是補償電橋電路的偏移電壓所需要的電阻。
[0033]替代地，如果系數(shù)a的符號是正的，則
(等式3A和3B) 在零和2R-R/128之間的任何補償電阻可以用Tk_RB!R和Tk_RBcittcim之間的任何溫度系數(shù) 的偏移Tk_0ff set來實現(xiàn)，以完成具有零或基本上接近零的溫度系數(shù)Tk的電橋偏移電壓補 償。
[0034] 如果TMR電阻器級聯(lián)220A和底部電極電阻器級聯(lián)340的電阻的幅值基本相等，則是 有利的。在這樣的情況下，TMR電阻器級聯(lián)220A和底部電極電阻器級聯(lián)340的相對溫度系數(shù) Tk導致了具有零或基本上接近零的溫度系數(shù)Tk的電橋偏移電壓補償。
[0035]雖然未示出，但是第二分支電路類似地與第二TMR電阻器級聯(lián)和第二底部電極電 阻器級聯(lián)串聯(lián)耦合，并且還被配置為提供用于用針對溫度系數(shù)Tk的額外補償來補償電橋偏 移電壓的電阻偏移。
[0036]此外，電路300被描述為補償電橋偏移電壓并且具有對關(guān)于全橋的溫度系數(shù)Tk的 額外補償。以與以上關(guān)于圖2B的電路200B的半橋描述類似的方式，電路300的概念通過添加 在GND端子和TMR電阻器212之間串聯(lián)耦合的另一 TMR電阻器級聯(lián)和另一底部電極電阻器級 聯(lián)而還適用于半橋。
[0037]圖4圖示了用于補償電橋偏移電壓或者電橋偏移電壓和溫度系數(shù)的電路400。電路 400示出了全惠斯登電橋420，與在圖2和3中示出的僅半橋相反。
[0038]惠斯登電橋420包括并聯(lián)親合的第一分支電路210和第二分支電路410。第一分支 電路210包括耦合到TMR電阻器212的TMR電阻器211，在其之間是輸出電壓點Voun。第二分支 電路410包括耦合到TMR電阻器414的TMR電阻器413,在其之間是輸出電壓點V QUT2。如已知 的，輸出電壓點VciUTl和V〇UT2之間的電壓差表不電橋偏移電壓。
[0039] 第一電阻器級聯(lián)430與第一分支電路210串聯(lián)耦合。該第一電阻器級聯(lián)430可以包 括TMR電阻器級聯(lián)220A，或者替代地包括TMR電阻器級聯(lián)220A和底部電極電阻器級聯(lián)340的 組合，如以上分別關(guān)于圖2A和圖3描述的那樣。類似地，第二電阻器級聯(lián)440與第二分支電路 410串聯(lián)耦合，并且類似地如第一電阻器級聯(lián)430那樣被配置。
[0040] 通過示例的方式，如果電橋偏移電壓是由TMR電阻器414的電阻過高而產(chǎn)生的，則 可以通過增加與TMR電阻器413串聯(lián)耦合的第二級聯(lián)440的電阻來減少電橋偏移電壓。而且 如果例如電橋偏移電壓是由TMR電阻器212的電阻過高而產(chǎn)生的，則可以通過增加與TMR電 阻器211串聯(lián)耦合的第一級聯(lián)430的電阻來減少電橋偏移電壓。如果第一和第二級聯(lián)430、 440中的每一個包括TMR電阻器級聯(lián)220A和底部電極電阻器級聯(lián)340的組合，則溫度系數(shù)Tk 還可以被減小到零或基本上接近零。
[0041] 圖5圖示了用于使用接觸焊盤來補償電橋偏移電壓的電路500。
[0042]該偏移電壓補償電路500類似于圖2A的偏移電壓補償電路200A，除了代替激光熔 絲電路230而存在在TMR電阻器級聯(lián)220A的各個TMR電阻器之間耦合的多個接觸焊盤530 (531-539)。
[0043] 可以通過跨其頂部和底部電極130B、110B施加高于擊穿電壓VBD的電壓來使TMR電 阻器短路。隧穿勢皇120B被破壞并且被永久短路，從而產(chǎn)生了具有低電阻的TMR電阻器。 [0044] 接觸焊盤531-539可以用于使TMR電阻器級聯(lián)220A的TMR電阻器中的任何一個短 路，從而以電氣方式調(diào)整TMR電阻器級聯(lián)220A的電阻。例如，當大于擊穿電壓VBD的電壓被施 加到接觸焊盤538和539時，第一 TMR電阻器R被短路，由此使TMR電阻器級聯(lián)220A的電阻減少 了 R。使用該方法，有可能在不使用激光或開關(guān)的情況下以電氣方式補償電橋偏移電壓。 [0045]雖然未示出，但是第二分支電路類似地與第二TMR電阻器級聯(lián)串聯(lián)耦合，并且還被 配置為提供用于補償電橋偏移電壓的電阻偏移。
[0046]此外，電路500被描述為補償關(guān)于全橋的電橋偏移電壓。以與以上關(guān)于圖2B的電路 200B的半橋描述那樣類似的方式，電路500的概念通過添加在GND端子和TMR電阻器212之間 串聯(lián)耦合的另一 TMR電阻器級聯(lián)而還適用于半橋。
[0047]圖6A圖示了用于補償全橋中的電橋偏移電壓的方法的流程圖600A。
[0048]在步驟610A處，提供了具有并聯(lián)耦合的第一分支電路210和第二分支電路410的惠 斯登電橋420。
[0049] 在步驟620A處，第一電阻器級聯(lián)430與第一分支電路210串聯(lián)耦合。
[0050] 在步驟630A處，第二電阻器級聯(lián)440與第二分支電路410串聯(lián)耦合。
[0051]在步驟640A處，測量惠斯登電橋420的電橋偏移電壓。可以使用以上關(guān)于圖3描述 的計算來執(zhí)行該測量步驟640A。
[0052] 在步驟650A處，基于測量的電橋偏移電壓來配置第一和第二電阻器級聯(lián)430、440 中的至少一個的電阻，以提供用于補償電橋偏移電壓的電阻。
[0053]電橋電路被示出為惠斯登電橋，盡管本公開不在該方面受限制。本公開適用于其 中電阻需要被調(diào)整為高準確度的任何電路。而且，電橋電路可以被包括在諸如在汽車中找 到的傳感器的傳感器內(nèi)，盡管本公開在該方面不受限制。
[0054]圖6B圖示了用于補償半橋中的電橋偏移電壓的方法的流程圖600B。
[0055]在步驟610B處，提供了具有分支電路210的半橋電路。
[0056] 在步驟620B處，TMR電阻器級聯(lián)220B與分支電路210串聯(lián)耦合。
[0057]在步驟640B處，測量分支電路210的電橋偏移電壓?？梢允褂靡陨详P(guān)于圖3描述的 計算來執(zhí)行該測量步驟640B。
[0058] 在步驟650B處，基于測量的電橋偏移電壓來將TMR電阻器級聯(lián)220B的電阻配置為 提供用于補償電橋偏移電壓的電阻。
[0059]雖然已經(jīng)結(jié)合示例性實施例描述前述內(nèi)容，但是理解的是，術(shù)語"示例性"僅意味 著作為示例，而不是最佳或最優(yōu)的。因此，本公開旨在涵蓋可以被包括在本公開的范圍內(nèi)的 替換、修改和等價物。
[0060]盡管在本文中已經(jīng)圖示和描述了具體實施例，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將領(lǐng)會的 是，在不脫離本公開的范圍的情況下，各種替換和/或等價實施方式可以代替示出和描述的 具體實施例。本公開旨在涵蓋在本文中討論的具體實施例的任何適配或變化。
【主權(quán)項】
1. 一種電橋偏移電壓補償電路，包括： 具有第一分支電路的電橋電路；以及 隧道磁阻（TMR)電阻器級聯(lián)，與所述第一分支電路串聯(lián)耦合并且被配置為提供用于補 償電橋電路的電橋偏移電壓的電阻。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電橋偏移電壓補償電路，進一步包括： 低歐姆金屬線，與TMR電阻器級聯(lián)并聯(lián)耦合并且具有熔絲， 其中，所述熔絲被配置為調(diào)整TMR電阻器級聯(lián)的電阻。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電橋偏移電壓補償電路，其中，所述熔絲被配置為在預(yù)定位置 處斷開低歐姆金屬線，以建立通過TMR電阻器級聯(lián)的定義的電流流動路徑。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電橋偏移電壓補償電路，進一步包括： 低歐姆金屬線，與TMR電阻器級聯(lián)并聯(lián)耦合并且具有開關(guān)元件， 其中，所述開關(guān)元件被配置為調(diào)整TMR電阻器級聯(lián)的電阻。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電橋偏移電壓補償電路，其中， 所述TMR電阻器級聯(lián)在第一分支電路和電壓源之間串聯(lián)耦合，并且 所述電橋偏移電壓補償電路進一步包括在第一分支電路和接地端子之間串聯(lián)耦合的 另一 TMR電阻器級聯(lián)。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電橋偏移電壓補償電路，其中，TMR電阻器級聯(lián)的各個TMR電阻 器的電阻值增加到兩倍。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電橋偏移電壓補償電路，其中， 所述電橋電路具有與第一分支電路并聯(lián)耦合的第二分支電路，并且 電橋偏移電壓補償電路進一步包括第二TMR電阻器級聯(lián)，所述第二TMR電阻器級聯(lián)與第 二分支電路串聯(lián)耦合并且被配置為提供用于補償電橋偏移電壓的電阻。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的電橋偏移電壓補償電路，其中，電橋電路是惠斯登電橋。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電橋偏移電壓補償電路，進一步包括： 多個接觸焊盤，耦合在TMR電阻器級聯(lián)的各個TMR電阻器之間， 其中，多個接觸焊盤被配置為提供施加的電壓，其大于TMR電阻器級聯(lián)的TMR電阻器中 的至少一個的擊穿電壓，以使TMR電阻器中的至少一個短路并且降低TMR電阻器級聯(lián)的電 阻。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電橋偏移電壓補償電路，進一步包括： 與TMR電阻器級聯(lián)串聯(lián)耦合的底部電極電阻器級聯(lián)， 其中，TMR電阻器級聯(lián)具有負的溫度系數(shù)，并且底部電極電阻器級聯(lián)具有正的溫度系 數(shù)。11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的電橋偏移電壓補償電路，其中，所述TMR電阻器級聯(lián)的電阻 的幅值和底部電極電阻器級聯(lián)的電阻的幅值基本上相等。12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的電橋偏移電壓補償電路，其中，所述電橋偏移電壓具有零或 基本上接近零的溫度系數(shù)。13. -種傳感器，包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏移電壓補償電路。14. 一種電橋偏移電壓補償電路，包括： 具有第一分支電路的電橋電路；以及 第一電阻器級聯(lián)，與第一分支電路串聯(lián)耦合并且具有正的溫度系數(shù)；以及 第二電阻器級聯(lián)，與第一分支電路和第一電阻器級聯(lián)串聯(lián)耦合并且具有負的溫度系 數(shù)， 其中，第一和第二電阻器級聯(lián)被配置為提供用于補償電橋電路的電橋偏移電壓的電 阻，并且電橋偏移電壓具有零或基本上接近零的溫度系數(shù)。15. -種補償電橋偏移電壓的方法，包括： 提供具有分支電路的電橋電路； 提供與分支電路串聯(lián)耦合的隧道磁阻(TMR)電阻器級聯(lián)； 測量電橋電路的電橋偏移電壓；以及 基于測量的電橋偏移電壓來配置用于補償電橋電路的電橋偏移電壓的TMR電阻器級聯(lián) 的電阻。16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法， 進一步包括提供與TMR電阻器級聯(lián)并聯(lián)耦合并且具有熔絲的低歐姆金屬線， 其中，配置步驟包括使用熔絲在預(yù)定位置處斷開低歐姆金屬線，以建立通過TMR電阻器 級聯(lián)的定義的電流流動路徑。17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法， 進一步包括為TMR電阻器級聯(lián)提供在TMR電阻器級聯(lián)的各個TMR電阻器之間耦合的多個 接觸焊盤， 其中，配置步驟包括使用多個接觸焊盤對TMR電阻器中的至少一個提供大于擊穿電壓 的電壓，以降低TMR電阻器級聯(lián)的電阻。18. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法， 進一步包括提供與TMR電阻器級聯(lián)串聯(lián)耦合的底部電極電阻器級聯(lián)， 其中，TMR電阻器級聯(lián)具有負的溫度系數(shù)，并且底部電極電阻器級聯(lián)具有正的溫度系 數(shù)。19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法， 進一步包括提供與TMR電阻器級聯(lián)和底部電極電阻器級聯(lián)并聯(lián)耦合的低歐姆金屬線， 其中，所述低歐姆金屬線具有熔絲， 其中，配置步驟包括使用熔絲在預(yù)定位置處斷開低歐姆金屬線，以建立通過TMR電阻器 級聯(lián)和底部電極電阻器級聯(lián)的定義的電流流動路徑。20. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，配置步驟包括： 根據(jù)以下等式來計算變量α:其中，Tk_Off Settarget是電橋電路的電橋偏移電壓的測量的溫度系數(shù)，并且 如果變量α的符號是負的，則TMR電阻器級聯(lián)的補償電阻是Rtmr = (l-α)· Rccirr,并且底 部電極電阻器級聯(lián)的補償電阻是Rbott? = α · Rkr，并且 如果變量α的符號是正的，則TMR電阻器級聯(lián)的補償電阻是Rtmr = a*RCc)rr，并且底部電 極電阻器級聯(lián)的補償電阻是Rbottom = (1-a) ^Rccirr, 其中，Rccirr是補償電橋電路的電橋偏移電壓所需要的電阻。
【文檔編號】G01R17/10GK105891577SQ201610090465
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2016年2月18日
【發(fā)明人】J.齊默
【申請人】英飛凌科技股份有限公司