專利名稱：超高電壓位準(zhǔn)偏移器的電路結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種超高電壓位準(zhǔn)偏移器，特別是關(guān)于一種超高電壓位準(zhǔn)偏移器的電路結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
如圖1所示，在高側(cè)浮閘驅(qū)動系統(tǒng)10的應(yīng)用中，由于高側(cè)晶體管QH連接的電源 Vin為超高電壓，可達(dá)400V，因此在其運(yùn)作時相節(jié)點(diǎn)PHASE的電壓在0 400V之間浮動，為此需要超高電壓位準(zhǔn)偏移器(ultra high voltage level shifter) 12將低電壓的控制信號P麗轉(zhuǎn)換為高電壓以驅(qū)動高側(cè)晶體管QH的閘極。圖2是圖1的超高電壓位準(zhǔn)偏移器12 的電路圖，其利用0 12V的控制訊號kt、Reset使MOS Ql及Q2交互切換，經(jīng)由升壓端 BOOT使MOS Q1、Q2和電阻R1、R2的連接點(diǎn)電壓VI、V2達(dá)到高電壓，使門閂電路(latch) 14 產(chǎn)生高電壓的驅(qū)動信號。由于和MOS Q1、Q2串連的電阻R1、R2的另一端連接升壓端BOOT， 因此運(yùn)作時升壓端BOOT的電壓也隨著相節(jié)點(diǎn)PHASE的電壓于12 400V之間浮動，因而連接點(diǎn)電壓V1、V2也會達(dá)到400V的高電壓。因此，除了 MOS Q1、Q2需要耐高電壓，虛線16中的線路都有因高電壓造成電路毀壞的可能性。圖3是現(xiàn)有的MOS Ql附近的電路結(jié)構(gòu)，金屬1是Ql與Rl的連接點(diǎn)，其電壓Vl在運(yùn)作時會達(dá)到400V左右，而MOS Ql所在的基底層為低電位準(zhǔn)位且通常為接地電位，因此金屬1和該基底層之間的壓差ΔΥ將接近400V。若如圖3所示只有一層介電質(zhì)于該金屬1和該基底層之間，將會很容易因?yàn)楦邏翰疃鴼?。美國專利號?6300使用布線(layout)的方法解決此高電壓的問題，在布線時使用一個頸(neck)結(jié)構(gòu)去克服，但是此方法有布線面積增加、難以計(jì)算電場且易燒斷等缺
點(diǎn)ο因此，還有待于開發(fā)一種可耐高壓且容易實(shí)現(xiàn)的超高電壓位準(zhǔn)偏移器的電路結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一，在于提出一種超高電壓位準(zhǔn)偏移器的電路結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明，一種超高電壓位準(zhǔn)偏移器的電路結(jié)構(gòu)包含一低電壓的基底層，該超高電壓位準(zhǔn)偏移器的電路組件放置于該基底層上，一超高電壓重布層，以及一鈍化層介于該基底層與該重布層之間，用以避免該基底層及該重布層之間的壓差所造成的破壞。本發(fā)明是將承載高電壓的線路都分配布于重布層中，使該些承載高電壓的線路與基底層的距離拉遠(yuǎn)，并且在重布層與基底層之間存在一鈍化層，鈍化層具有電性隔離的功能，更能避免該基底層及該重布層之間的壓差所造成的破壞。而且本發(fā)明所揭露之方法不需要太復(fù)雜的硅化物制程就可以輕易達(dá)成并實(shí)現(xiàn)。


圖1是高壓浮閘驅(qū)動系統(tǒng)的電路圖；圖2是圖1的超高電壓位準(zhǔn)偏移器的電路圖；圖3是現(xiàn)有的MOS附近的電路結(jié)構(gòu)；以及圖4是本發(fā)明的MOS附近的電路結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合說明書附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)描述。根據(jù)本發(fā)明，圖4是圖2中晶體管Ql附近的電路結(jié)構(gòu)的實(shí)施例，其與圖3的差異在于以重布層(Re-Distribution Layer,RDL)作為溝通橋梁取代原來的金屬層。在現(xiàn)有技術(shù)中，重布層原來主要是擔(dān)任繞線的工作，覆蓋在已經(jīng)經(jīng)過鈍化(passivation)的芯片上用以重新安排接點(diǎn)位置，使芯片(chip)封裝時更加便利。本發(fā)明是將承載高電壓的線路都分配布于重布層中，使該些承載高電壓的線路與基底層的距離拉遠(yuǎn)，并且在重布層與基底層之間存在一鈍化層(passivation layer)，鈍化層具有電性隔離的功能，更能避免該基底層及該重布層之間的壓差所造成的破壞。而且本發(fā)明所揭露之方法不需要太復(fù)雜的硅化物制程就可以輕易達(dá)成并實(shí)現(xiàn)。以上，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求所界定的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種超高電壓位準(zhǔn)偏移器的電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含一低電壓基底層，該超高電壓位準(zhǔn)偏移器的電路組件放置于該基底層上； 一超高電壓重布層；以及一鈍化層介于該基底層與該重布層之間，用以避免該基底層及該重布層之間的壓差所造成的破壞。
2.如權(quán)利要求1所述的超高電壓位準(zhǔn)偏移器的電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基底層的電壓準(zhǔn)位為接地電壓準(zhǔn)位。
全文摘要
本發(fā)明公開一種超高電壓位準(zhǔn)偏移器的電路結(jié)構(gòu)，該電路結(jié)構(gòu)包含一具有低電壓準(zhǔn)位的基底層，該超高電壓位準(zhǔn)偏移器的電路組件放置于該基底層上，一重布層具有超高電壓準(zhǔn)位，以及一鈍化層介于該基底層與該重布層之間，用以避免該基底層及該重布層之間的高電壓差所造成的破壞。
文檔編號H01L27/06GK102214656SQ20101013840
公開日2011年10月12日 申請日期2010年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月2日
發(fā)明者唐健夫, 陳曜洲 申請人:立锜科技股份有限公司