專(zhuān)利名稱(chēng)：偏移電壓補(bǔ)償電路及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及一種電路及方法，其用于補(bǔ)償在光電二極管集成電路中依賴(lài)溫度變化的偏移電壓的變化，并且更具體地，涉及這樣一種電路及方法，其能夠通過(guò)疊加用于根據(jù)溫度的變化改變流經(jīng)雙極結(jié)晶體管的電流的電路來(lái)補(bǔ)償依賴(lài)周?chē)鷾囟茸兓钠齐妷旱淖兓渌鼍w管的特性隨周?chē)鷾囟鹊淖兓兓?br> 背景技術(shù)：
近來(lái)光學(xué)存儲(chǔ)技術(shù)在與存儲(chǔ)器、硬盤(pán)和磁盤(pán)技術(shù)的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)中正朝著高密度，高速度和小型化發(fā)展，并且由于優(yōu)于其它存儲(chǔ)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，光學(xué)存儲(chǔ)技術(shù)的重要性正在增加。
這種光學(xué)存儲(chǔ)技術(shù)使用盤(pán)驅(qū)動(dòng)和存儲(chǔ)介質(zhì)(即光盤(pán))被可拆卸地彼此附著的方法。與其它存儲(chǔ)介質(zhì)相比，該存儲(chǔ)介質(zhì)的優(yōu)勢(shì)在于它可以以低成本來(lái)實(shí)施，并且數(shù)據(jù)可被永久儲(chǔ)存在其上。具體來(lái)說(shuō)，與其它存儲(chǔ)介質(zhì)相比，光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)對(duì)于溫度和沖擊的耐用性已知是極佳的。
然而，該光學(xué)存儲(chǔ)技術(shù)的缺點(diǎn)在于它的傳輸速率低，并且它的存儲(chǔ)容量低。為了克服這些缺點(diǎn)，可與磁盤(pán)相比的高容量和高速度光學(xué)存儲(chǔ)技術(shù)近來(lái)已隨著快速的技術(shù)進(jìn)步而被發(fā)展。目前，正在進(jìn)行對(duì)光檢測(cè)器集成電路(PDIC)，即光學(xué)存儲(chǔ)技術(shù)之一的研究。
圖1是典型PDIC的示意圖。
如圖1所示，當(dāng)光入射到光接收元件，例如光電二極管10上時(shí)，PDIC產(chǎn)生電流Iph。通過(guò)電流-電壓轉(zhuǎn)換放大器20和反饋電阻器RF，電流Iph被轉(zhuǎn)換為電壓并且被放大，從而使輸出電壓VOUT被輸出。
當(dāng)輸入的光學(xué)信號(hào)為0時(shí)，亦即當(dāng)?shù)焦怆姸O管10的光學(xué)信號(hào)輸入不存在時(shí)，輸出電壓VOUT理想地必須為0V。然而，從電流-電壓轉(zhuǎn)換放大器20的反相和非反相輸入端子流出電流，并且施加到反饋電阻器RF的電壓出現(xiàn)在輸出端子，因而輸出電壓VOUT不為0。在該情況下，所施加的電壓被稱(chēng)作偏移電壓。
在現(xiàn)有技術(shù)中，為補(bǔ)償這種偏移電壓，通過(guò)減小從反相和非反相輸入端子流出的偏移電流的大小來(lái)補(bǔ)償該偏移電壓的方法被使用。
作為例子，圖2示出了包括補(bǔ)償電路21的常規(guī)電流-電壓轉(zhuǎn)換放大器20的構(gòu)造。
該電流-電壓轉(zhuǎn)換放大器20具有非反相輸入端子(+)和反相輸入端子(-)。圖1的參考符號(hào)RF相應(yīng)于反饋電阻器。金屬-氧化物-硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)P7和P8構(gòu)成有源電阻器24。電容器C1是用于補(bǔ)償頻率特性的電路元件。
當(dāng)光學(xué)信號(hào)不被輸入到連接到非反相輸入端子(+)的光電二極管時(shí)，從晶體管Q1的基極端子流出的偏移電流IB1產(chǎn)生偏移電壓，所述晶體管Q1為雙極結(jié)晶體管(BJT)。
為了便于描述，假定從非反相端子(+)流出的偏移電流的大小為1μA。通過(guò)偏置級(jí)，100μA，50μA和50μA的恒流值被分別設(shè)置在MOSFET P1，P2和P3上。
因此，當(dāng)流經(jīng)作為相同BJT的晶體管Q1和Q2的恒流IC1和IC2每個(gè)都是50μA，并且晶體管Q1的放大系數(shù)為50時(shí)，偏移電流IB1為1μA。也就是說(shuō)，當(dāng)補(bǔ)償電路不存在時(shí)，偏移電流IB1為1μA。
同時(shí)，流經(jīng)MOSFET P3的50μA的電流I1也流經(jīng)晶體管Q3。假定晶體管Q3的放大系數(shù)為50，則晶體管Q3的基極電流IB4為1μA。分電流單元(current division unit)23由電流反射鏡電路組成，并且MOSFETP4和P5以及MOSFET P4和P6構(gòu)成兩對(duì)電流反射鏡。在分電流單元23中，流經(jīng)MOSFET P4的電流IB3被分為電流IB3的半個(gè)，即0.5μA，并且然后被鏡像。鏡像電流0.5μA被施加到非反相輸入端子(+)和反相輸入端子(-)，并且該電流補(bǔ)償所述偏移電流IB1，所以晶體管Q1的基極端子電流為0.5μA。
由于補(bǔ)償電流為0.5μA并且從非反相輸入端子(+)流出的電流為1μA，所以偏移電流為0.5μA。
偏移電壓VOUT受偏移電流IB1大小的影響，并且偏移電流IB1的大小被補(bǔ)償電路21減小。結(jié)果，受偏移電流大小影響的輸出電壓VOUT的變化被減小，即使變化是由任意因素而發(fā)生的。
同時(shí)，在構(gòu)成電流-電壓轉(zhuǎn)換電路22的元件中，BJT Q1，Q2和Q4具有受周?chē)鷾囟茸兓绊懙幕鶚O-發(fā)射極電壓，所以不論何時(shí)當(dāng)周?chē)鷾囟仍黾?℃時(shí)基極-發(fā)射極電壓VBE減小大約2mV，并且不論何時(shí)當(dāng)周?chē)鷾囟葴p小1℃時(shí)基極-發(fā)射極電壓VBE增加2mV。
下面描述晶體管Q4的情況。當(dāng)周?chē)鷾囟仍黾訒r(shí)，流經(jīng)晶體管Q4的電流IC4恒定在50μA，這是由于晶體管Q4的基極-發(fā)射極電壓VBE減小而電流IC4通過(guò)施加到MOSFET P2的偏置而固定在50μA，而不管基極-發(fā)射極電壓VBE的變化，因此輸出電壓VOUT增加。
相反，當(dāng)溫度降低時(shí)，晶體管Q4的基極-發(fā)射極電壓VBE增加，并且流經(jīng)晶體管Q4的電流IC4恒定在50μA，所以輸出電壓VOUT降低。
如上所述，當(dāng)輸出電壓變化時(shí)，被設(shè)計(jì)成為了恒定偏移電壓而被最優(yōu)化的電路的工作受周?chē)鷾囟茸兓挠绊憽?br> 如圖2所示，具有常規(guī)補(bǔ)償電路21的電路不直接補(bǔ)償依賴(lài)于周?chē)鷾囟茸兓钠齐妷旱淖兓?，并且只與偏移電壓成比例地減小偏移電流的大小，因此只產(chǎn)生減小依賴(lài)于溫度變化的偏移電壓變化的效果。
在包括BJT的電路中，需要一種補(bǔ)償電路，其通過(guò)補(bǔ)償依賴(lài)于周?chē)鷾囟茸兓a(chǎn)生的輸出電壓大小的變化來(lái)允許恒定的工作，而不管溫度的變化。
關(guān)于這種補(bǔ)償電路，作為補(bǔ)償偏移電壓的方案的例子，日本未審查的出版號(hào)11-68476的專(zhuān)利公開(kāi)了一種方案，其通過(guò)施加偏移設(shè)置電壓到構(gòu)成差動(dòng)放大器的MOSFET的基底來(lái)校正偏移電壓。
盡管所公開(kāi)的方案可以是用于補(bǔ)償依賴(lài)于溫度變化的工作變化的接近最好的措施，但它不提供由依賴(lài)于溫度變化的元件工作值的變化所引起的問(wèn)題的直接解決方案。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明緊記現(xiàn)有技術(shù)中所發(fā)生的上述問(wèn)題，并且本發(fā)明的目的是提供一種補(bǔ)償電路，其能夠補(bǔ)償包括BJT的電路中依賴(lài)于周?chē)鷾囟茸兓腂JT的特性。
本發(fā)明的另一目的是提供一種電路，其能夠補(bǔ)償依賴(lài)于溫度的BJT特性的變化。
本發(fā)明的進(jìn)一步目的是提供一種補(bǔ)償依賴(lài)于溫度變化的電路工作特性的方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種用于補(bǔ)償偏移電壓的電路，其包括溫度檢測(cè)單元，用于產(chǎn)生隨周?chē)鷾囟茸兓兓碾娏鳎浑娏鱾鬟f單元，其用于傳遞所產(chǎn)生的電流；以及電流調(diào)節(jié)單元，其用于以預(yù)定的比率調(diào)節(jié)從電流傳遞單元傳遞的電流并輸出經(jīng)調(diào)節(jié)的電流。
另外，本發(fā)明的另一實(shí)施例提供一種用于補(bǔ)償偏移電壓的電路，其包括溫度檢測(cè)單元，用于產(chǎn)生隨周?chē)鷾囟茸兓兓碾娏?；電流傳遞單元，用于傳遞所產(chǎn)生的電流；電流調(diào)節(jié)單元，用于放大并傳遞從電流傳遞單元傳遞的電流；以及輸出單元，其被配置成具有用于產(chǎn)生恒流，而不管周?chē)鷾囟茸兓钠骷?，并通過(guò)將從電流調(diào)節(jié)單元接收的電流疊加到在該器件產(chǎn)生的電流來(lái)輸出經(jīng)補(bǔ)償?shù)钠齐妷骸?br> 此外，本發(fā)明提供一種用于補(bǔ)償偏移電壓的方法，其包括步驟產(chǎn)生隨周?chē)鷾囟茸兓兓碾娏?；鏡像并傳遞所產(chǎn)生的電流；以及通過(guò)以預(yù)定的比率放大所傳遞的電流來(lái)產(chǎn)生補(bǔ)償電流并傳遞該補(bǔ)償電流。


通過(guò)下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，本發(fā)明的以上及其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將被更清晰地理解，在附圖中圖1是典型PDIC的示意圖；圖2是示出常規(guī)電流-電壓轉(zhuǎn)換放大器內(nèi)部構(gòu)造的電路圖；圖3是示出典型電流-電壓轉(zhuǎn)換放大器的輸出級(jí)的構(gòu)造的電路圖；圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的用于補(bǔ)償偏移電壓的電路的電路圖；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的用于補(bǔ)償偏移電壓的方法的流程圖；圖6是示出常規(guī)電路的工作效果的曲線(xiàn)圖；以及圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的用于補(bǔ)償偏移電壓的電路工作效果的曲線(xiàn)圖。
具體實(shí)施例方式
下面參考附圖來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。
圖3是電路圖，示出依賴(lài)于周?chē)鷾囟茸兓妮敵鲭妷旱淖兓涫境龅湫偷碾娏?電壓轉(zhuǎn)換放大器的輸出級(jí)的構(gòu)造。當(dāng)溫度增加時(shí)，作為BJT的晶體管B1的基極-發(fā)射極電壓VBE每1℃減小2mV。在此情況下，因?yàn)殡娏鱅C被固定在與電流I1相同的大小，輸出電壓VOUT被減小。
在該情況中，流經(jīng)晶體管B1的電流IC和基極-發(fā)射極電壓VBE具有如以下等式1的關(guān)系IC=ISeVBEVT---(1)]]>其中IS是BJT B1的固有飽和電流值，而VT是BJT B1的固有閾電壓值，其具有恒定值。
因此，基于以上所述關(guān)系，在該常規(guī)電路中，相對(duì)于隨溫度而變化的基極-發(fā)射極電壓VBE，流經(jīng)晶體管B1的電流IC是恒定的，但是如果電流IC的大小動(dòng)態(tài)地變化，則依賴(lài)于溫度的偏移電壓的變化可被補(bǔ)償。
圖4示出一個(gè)PDIC的構(gòu)造，其具有根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于補(bǔ)償依賴(lài)于溫度變化的偏移電壓的變化的電路。
補(bǔ)償電路單元46被連接到電流-電壓轉(zhuǎn)換放大器45的輸出端子VOUT。電流-電壓轉(zhuǎn)換放大器45包括輸出單元48，用于將輸入電流以電壓形式傳遞到輸出端子VOUT。輸出單元48包括BJT Q3，其受周?chē)鷾囟茸兓挠绊?，以及MOSFET P5，其使用偏置級(jí)(未示出)來(lái)產(chǎn)生恒流I3，而不管周?chē)鷾囟鹊淖兓?br> 電流-電壓轉(zhuǎn)換放大器45具有非反相端子(+)和反相端子(-)。反饋電阻器RF對(duì)應(yīng)于圖1的反饋電阻器RF。電容器C1是用于補(bǔ)償頻率特性的電路元件。
通過(guò)偏置級(jí)(未示出)，100μA和50μA的恒流值被設(shè)置在MOSFETP6和P5上。
補(bǔ)償電路單元46包括溫度檢測(cè)單元41，電流傳遞單元42，電流調(diào)節(jié)單元44，以及電流-電壓轉(zhuǎn)換單元45。優(yōu)選地，補(bǔ)償電路單元46可進(jìn)一步包括電壓調(diào)節(jié)元件43。
當(dāng)通過(guò)溫度檢測(cè)單元41產(chǎn)生隨溫度的變化而變化的電流時(shí)，電流傳遞單元42將所產(chǎn)生的電流傳遞到電流調(diào)節(jié)單元44，并且電流調(diào)節(jié)單元44以預(yù)定的比率放大所傳遞的電流并將經(jīng)放大的電流傳遞到電流-電壓轉(zhuǎn)換單元45。
電流-電壓轉(zhuǎn)換單元45的輸出單元48將從電流調(diào)節(jié)單元44傳遞的電流疊加到在電流-電壓轉(zhuǎn)換單元45內(nèi)產(chǎn)生的電流，將被疊加的電流轉(zhuǎn)換為補(bǔ)償電壓，并輸出該補(bǔ)償電壓。電壓調(diào)節(jié)元件43是等價(jià)于二極管的電路，其通過(guò)補(bǔ)償在晶體管Q1處產(chǎn)生的電壓降來(lái)調(diào)節(jié)電流傳遞單元42的兩個(gè)端子之間的電壓差。
下面較詳細(xì)地描述電流-電壓轉(zhuǎn)換單元的工作。
當(dāng)周?chē)鷾囟仍黾訒r(shí)，晶體管Q3的基極-發(fā)射極電壓VBE3每1℃減小2mV，所述晶體管Q3是電流-電壓補(bǔ)償電路的BJT。類(lèi)似地，具有與晶體管Q3相同特性的晶體管Q1的基極-發(fā)射極電壓VBE1也減小。用于供應(yīng)與溫度變化無(wú)關(guān)的恒壓的帶隙基準(zhǔn)(BGR，BandGap Reference)電路被連接到晶體管Q1的基極端子。
相反，當(dāng)周?chē)鷾囟葴p小時(shí)，晶體管Q3和Q1的基極-發(fā)射極電壓VBE3和VBE1兩者都每1℃增加2mV。
流經(jīng)晶體管Q1的電流I1是大小隨晶體管Q1的基極-發(fā)射極電壓VBE3的變化而變化的電流。電流I1通過(guò)電流傳遞單元42來(lái)鏡像，然后被傳遞到電壓調(diào)節(jié)元件43。
優(yōu)選地，電流傳遞單元42可包括兩個(gè)尺寸一樣的MOSFET。電壓調(diào)節(jié)元件43通過(guò)調(diào)節(jié)電流傳遞單元42的兩個(gè)端子之間的電壓差來(lái)補(bǔ)償在晶體管Q1處產(chǎn)生的電壓降。優(yōu)選地，如圖3所示，電壓調(diào)節(jié)元件43可使用基極端子被連接到集電極端子的BJT來(lái)實(shí)現(xiàn)。該BJT是等價(jià)于二極管的電路，并且根據(jù)實(shí)施例，可被替換成二極管或某個(gè)其它元件。
電流調(diào)節(jié)單元44以預(yù)定的比率放大來(lái)自電流傳遞單元42的電流，并將補(bǔ)償電流I2傳遞到電流-電壓轉(zhuǎn)換單元45。電流調(diào)節(jié)單元44可包括具有兩個(gè)彼此在尺寸上不一樣的MOSFET P3和P4的反射鏡電路。放大系數(shù)由MOSFET的尺寸確定。MOSFET的尺寸被定義為寬度(w)與長(zhǎng)度(l)之比。由于長(zhǎng)度(l)的值在設(shè)計(jì)MOSFET時(shí)被固定以不被調(diào)節(jié)，因此優(yōu)選地通過(guò)調(diào)節(jié)寬度(w)的值來(lái)調(diào)節(jié)放大系數(shù)。例如，當(dāng)MOSFET P3和P4的尺寸比為1∶2時(shí)，所傳遞的電流被放大兩倍。放大比可依賴(lài)于電流-電壓轉(zhuǎn)換電路45的晶體管Q3的溫度變化特性而不同。
被電流調(diào)節(jié)單元43放大的電流是補(bǔ)償電流I2，并流經(jīng)MOSFET P4。在該情況中，下列等式被建立。
IC＝I2+I3其中I3是流經(jīng)MOSFET P5的電流并且其大小被固定，而I2是借助于補(bǔ)償電路單元46依賴(lài)溫度而變化的電流。
結(jié)果，作為電流I2與電流I3之和的電流IC隨周?chē)鷾囟鹊淖兓鴦?dòng)態(tài)變化。
因此，當(dāng)晶體管Q3的基極-發(fā)射極電壓VBE隨溫度的變化而變化時(shí)，流經(jīng)晶體管Q3的電流IC也變化，所以輸出電壓VOUT變成恒定的，而不管溫度的變化。
根據(jù)本發(fā)明的用于補(bǔ)償依賴(lài)于溫度變化的偏移電壓的電路可被應(yīng)用到所有包括BJT的電路。
圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的用于補(bǔ)償偏移電壓的方法的流程圖。
在步驟S101產(chǎn)生隨周?chē)鷾囟鹊淖兓兓碾娏鱅1。
如果溫度增加，則晶體管Q1的基極-發(fā)射極電壓VBE的大小減小，所以流經(jīng)連接到晶體管Q1下端子的電阻器R1的電流I1的大小增加。如果溫度降低，則基極-發(fā)射極VBE的大小增加，所以流經(jīng)連接到晶體管Q1下端子的電阻器R1的電流I1的大小減小。
其后，在步驟S102，所產(chǎn)生的電流I1被鏡像并被傳遞。
所產(chǎn)生的電流I1經(jīng)由反射鏡電路以預(yù)定的比率被傳遞，該反射鏡電路包括兩個(gè)一樣尺寸的MOSFET。
本發(fā)明的方法可進(jìn)一步包括步驟調(diào)節(jié)被選擇性傳遞的電流的驅(qū)動(dòng)電壓，在該情況中電路之間的電壓可被調(diào)節(jié)。
如上所述，所傳遞的電流以預(yù)定的比率被放大，所以在步驟S103產(chǎn)生補(bǔ)償電流I2。優(yōu)選地，可使用包括具有不同尺寸的MOSFET的反射鏡電路以預(yù)定比率來(lái)放大該電流。
其后，在步驟S104，通過(guò)將補(bǔ)償電流I2疊加到偏移電壓被補(bǔ)償?shù)碾娐分信c溫度變化無(wú)關(guān)的恒流而產(chǎn)生被疊加的電流IC。
根據(jù)本發(fā)明的補(bǔ)償依賴(lài)于溫度變化的偏移電壓的方法可被應(yīng)用到包括BJT的所有電路。
圖6示出不包括用于補(bǔ)償偏移電壓的電路的情況中依賴(lài)于溫度變化的輸出電壓特性。可以看出輸出電壓VOUT是不穩(wěn)定的，也就是說(shuō)，輸出電壓VOUT與溫度變化成比例地增加或減小。
圖7示出在包括根據(jù)本發(fā)明的用于補(bǔ)償偏移電壓的電路的情況中依賴(lài)于溫度變化的輸出電壓特性?？梢钥闯?，即使溫度變化，輸出電壓VOUT被限制在特定的范圍并且是穩(wěn)定的。
如上所述，本發(fā)明可補(bǔ)償在包括BJT的電路中隨周?chē)鷾囟茸兓兓腂JT的特性。
此外，本發(fā)明可提供一種電路，其中依賴(lài)周?chē)鷾囟茸兓腂JT的特性被補(bǔ)償。
盡管本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例為了說(shuō)明的目的已被公開(kāi)，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，在如所附權(quán)利要求中公開(kāi)的精神和范圍內(nèi)的各種修改、添加和替換是可能的。
權(quán)利要求
1.一種電路，用于補(bǔ)償偏移電壓，包括溫度檢測(cè)單元，用于產(chǎn)生隨周?chē)鷾囟茸兓兓碾娏?；電流傳遞單元，用于傳遞所產(chǎn)生的電流；以及電流調(diào)節(jié)單元，用于以預(yù)定比率調(diào)節(jié)從所述電流傳遞單元傳遞的電流并且輸出經(jīng)調(diào)節(jié)的電流。
2.如權(quán)利要求1所述的電路，其中所述溫度檢測(cè)單元包含晶體管，在其中基極端子和發(fā)射極端子之間的電壓隨周?chē)鷾囟鹊淖兓兓?br> 3.如權(quán)利要求2所述的電路，其中所述溫度檢測(cè)單元包含電壓源，其被配置成供應(yīng)恒壓，而不管周?chē)鷾囟鹊淖兓灰约半娮杵?，其被連接到晶體管的發(fā)射極端子。
4.如權(quán)利要求1所述的電路，其中所述電流傳遞單元包含反射鏡電路，該反射鏡電路具有彼此在尺寸上一樣的兩個(gè)晶體管。
5.如權(quán)利要求1所述的電路，其中所述電流調(diào)節(jié)單元包含反射鏡電路，該反射鏡電路具有兩個(gè)晶體管。
6.如權(quán)利要求1所述的電路，進(jìn)一步包含電壓調(diào)節(jié)器件，用于調(diào)節(jié)所述電流傳遞單元的輸入和輸出端子之間的電壓。
7.一種電路，用于補(bǔ)償偏移電壓，包含溫度檢測(cè)單元，用于產(chǎn)生隨周?chē)鷾囟茸兓兓碾娏鳎浑娏鱾鬟f單元，用于傳遞所產(chǎn)生的電流；電流調(diào)節(jié)單元，用于放大并傳遞從所述電流傳遞單元傳遞的電流；以及輸出單元，其被配置成具有用于產(chǎn)生恒流，而不管周?chē)鷾囟鹊淖兓钠骷?，并通過(guò)將從所述電流調(diào)節(jié)單元接收的電流疊加到在該器件產(chǎn)生的電流來(lái)輸出經(jīng)補(bǔ)償?shù)钠齐妷骸?br> 8.如權(quán)利要求7所述的電路，其中所述溫度檢測(cè)單元包含晶體管，在其中基極端子和發(fā)射極端子之間的電壓隨周?chē)鷾囟鹊淖兓兓?br> 9.如權(quán)利要求所述8的電路，其中所述溫度檢測(cè)單元包含電壓源，所述電壓源被配置成供應(yīng)恒壓，而不管周?chē)鷾囟鹊淖兓灰约半娮杵?，其被連接到所述晶體管的發(fā)射極端子。
10.如權(quán)利要求7所述的電路，其中所述電流傳遞單元包含反射鏡電路，該反射鏡電路具有彼此在尺寸上一樣的兩個(gè)晶體管。
11.如權(quán)利要求7所述的電路，其中所述電流調(diào)節(jié)單元包含反射鏡電路，該反射鏡電路具有兩個(gè)晶體管。
12.如權(quán)利要求1所述的電路，進(jìn)一步包含電壓調(diào)節(jié)器件，用于調(diào)節(jié)所述電流傳遞單元的輸入和輸出之間的電壓。
13.一種用于補(bǔ)償偏移電壓的方法，其包含下列步驟產(chǎn)生隨周?chē)鷾囟茸兓兓碾娏?；鏡像并傳遞所產(chǎn)生的電流；以及通過(guò)以預(yù)定的比率放大所傳遞的電流來(lái)產(chǎn)生補(bǔ)償電流并傳遞該補(bǔ)償電流。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，進(jìn)一步包含下列步驟將所述補(bǔ)償電流疊加到在產(chǎn)生偏移電壓的輸出電路處產(chǎn)生的偏移電流；以及將被疊加的電流轉(zhuǎn)換為偏移電壓被補(bǔ)償?shù)碾妷?，并輸出?jīng)轉(zhuǎn)換的電壓。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中鏡像并傳遞所產(chǎn)生的電流的步驟進(jìn)一步包含調(diào)節(jié)用于所傳遞電流的驅(qū)動(dòng)電壓的步驟。
全文摘要
一種用于補(bǔ)償光檢測(cè)器集成電路(PDIC)中的偏移電壓的電路在此被公開(kāi)。該電路包括溫度檢測(cè)單元，電流傳遞單元和電流調(diào)節(jié)單元。溫度檢測(cè)單元產(chǎn)生隨周?chē)鷾囟茸兓兓碾娏鳌ｋ娏鱾鬟f單元傳遞所產(chǎn)生的電流。電流調(diào)節(jié)單元以預(yù)定比率調(diào)節(jié)從所述電流傳遞單元傳遞的電流并輸出經(jīng)調(diào)節(jié)的電流。
文檔編號(hào)G11B7/13GK1825756SQ20051006641
公開(kāi)日2006年8月30日 申請(qǐng)日期2005年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月23日
發(fā)明者孔正喆, 權(quán)敬洙, 黃鉉奭, 金尚碩 申請(qǐng)人:三星電機(jī)株式會(huì)社