具有電氣和機(jī)械應(yīng)力和壽命漂移效應(yīng)的補(bǔ)償?shù)南到y(tǒng)參考的制作方法
【專利摘要】討論了補(bǔ)償電氣和機(jī)械應(yīng)力的應(yīng)力補(bǔ)償系統(tǒng)和方法。一個(gè)示例性系統(tǒng)可以包括第一電路和全局應(yīng)力補(bǔ)償組件。第一電路可以被配置為生成第一信號(hào)，并且可以包括至少一個(gè)局部應(yīng)力補(bǔ)償組件（例如，采用動(dòng)態(tài)元件匹配、斬波等）。全局應(yīng)力補(bǔ)償組件可以包括一個(gè)或多個(gè)應(yīng)力傳感器，該一個(gè)或多個(gè)應(yīng)力傳感器配置為感測(cè)與系統(tǒng)相關(guān)聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)應(yīng)力組件。全局應(yīng)力補(bǔ)償組件可以被配置為接收第一信號(hào)，并且補(bǔ)償?shù)谝恍盘?hào)上的應(yīng)力效應(yīng)。
【專利說(shuō)明】
具有電氣)和機(jī)械應(yīng)力和壽命漂移效應(yīng)的補(bǔ)償?shù)南到y(tǒng)參考
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本公開涉及補(bǔ)償電氣和機(jī)械應(yīng)力以及壽命漂移效應(yīng)的系統(tǒng)參考。
【背景技術(shù)】
[0002] 芯片，特別是封裝中的芯片，經(jīng)受負(fù)面地影響性能的機(jī)械應(yīng)力效應(yīng)和壽命漂移效 應(yīng)。作為示例，諸如帶隙參考的系統(tǒng)電壓參考用于廣泛的各種系統(tǒng)中。然而，機(jī)械應(yīng)力效應(yīng) (諸如由塑料封裝引起的那些）以及壽命漂移效應(yīng)可能隨時(shí)間影響參考電壓的準(zhǔn)確度，導(dǎo)致 系統(tǒng)性能的下降。
【附圖說(shuō)明】
[0003] 圖1是圖示根據(jù)本文描述的各種方面的補(bǔ)償至少一個(gè)信號(hào)上的應(yīng)力效應(yīng)的示例性 系統(tǒng)的框圖。
[0004] 圖2是圖示根據(jù)本文描述的各種方面的示例性第一電路的框圖，該示例性第一電 路示出可以補(bǔ)償由第一電路輸出的至少一個(gè)信號(hào)上的局部應(yīng)力效應(yīng)的示例性局部應(yīng)力補(bǔ) 償組件。
[0005] 圖3是圖示根據(jù)本文描述的各種方面的示例性全局應(yīng)力補(bǔ)償組件的多個(gè)變體的框 圖，該示例性全局應(yīng)力補(bǔ)償組件示出可以包括在全局應(yīng)力補(bǔ)償組件中的可選局部應(yīng)力補(bǔ)償 組件和其他組件。
[0006] 圖4是圖示根據(jù)本文描述的各種方面的可以經(jīng)由模擬乘法或加法生成至少一個(gè)補(bǔ) 償信號(hào)的示例性系統(tǒng)的框圖。
[0007] 圖5是圖示根據(jù)本文描述的各種方面的可以經(jīng)由數(shù)字乘法或加法或多項(xiàng)式平滑來(lái) 生成至少一個(gè)補(bǔ)償信號(hào)的示例性系統(tǒng)的框圖。
[0008] 圖6是圖示根據(jù)本文描述的各種方面的可以經(jīng)由與至少一個(gè)補(bǔ)償信號(hào)的數(shù)字乘法 或加法來(lái)補(bǔ)償至少一個(gè)信號(hào)中的應(yīng)力效應(yīng)的示例性系統(tǒng)的框圖。
[0009] 圖7是圖示根據(jù)本文描述的各種方面的可以經(jīng)由由補(bǔ)償數(shù)字到模擬轉(zhuǎn)換器(DAC) 所生成的至少一個(gè)補(bǔ)償信號(hào)來(lái)補(bǔ)償至少一個(gè)信號(hào)中的應(yīng)力效應(yīng)的示例性系統(tǒng)的框圖。 [0010]圖8是圖示根據(jù)本文描述的各種方面的可以通過(guò)經(jīng)由與至少一個(gè)補(bǔ)償信號(hào)的模擬 加法或乘法生成至少一個(gè)補(bǔ)償?shù)男盘?hào)來(lái)補(bǔ)償至少一個(gè)信號(hào)中的應(yīng)力效應(yīng)的示例性系統(tǒng)的 框圖。
[0011] 圖9是圖示根據(jù)本文描述的各種方面的補(bǔ)償至少一個(gè)信號(hào)中的應(yīng)力效應(yīng)的方法的 流程圖。
[0012] 圖10是圖示可能在溝槽附近發(fā)生的不同的應(yīng)力分量〇lj和壓電系數(shù)的框圖。
[0013] 圖11是示出局部應(yīng)力效應(yīng)可以如何影響電路的框圖。
[0014]圖12A是圖示芯片上的機(jī)械應(yīng)力的一些可能原因的圖。
[0015]圖12B是圖示由于塑料封裝中的濕度改變而導(dǎo)致的機(jī)械應(yīng)力改變所引起的溫度循 環(huán)期間的滯后效應(yīng)的圖。
[0016] 圖13是圖示示例性帶隙參考和放大器級(jí)的示意圖，示出了電氣應(yīng)力效應(yīng)可以如何 引起各種組件中的失配。
[0017] 圖14是圖示根據(jù)本文描述的各種方面的多芯片封裝的圖，多芯片封裝具有由每一 個(gè)都具有不同的熱膨脹系數(shù)的穿硅通孔(TSV)、不同的芯片、引線框架圖和塑料封裝所引起 的應(yīng)力效應(yīng)。
[0018] 圖15是圖示根據(jù)本文描述的各種方面的具有DEM和斬波的示例性帶隙參考和放大 器級(jí)的示意圖。
[0019] 圖16是圖示根據(jù)本文描述的各種方面的具有DEM和斬波系統(tǒng)ADC的示例性斬波應(yīng) 力傳感器的示意圖。
[0020] 圖17是圖示根據(jù)本文描述的各種方面的包括帶隙電路和傳感器的系統(tǒng)的示例性 布局的圖。
[0021] 圖18是圖示應(yīng)力傳感器輸出和帶隙電壓之間的關(guān)系的圖。
[0022]圖19是圖示在不具有激活的應(yīng)力補(bǔ)償和具有激活的應(yīng)力補(bǔ)償?shù)那闆r下由塑料封 裝中的濕度改變所引起的帶隙電壓漂移的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023] 現(xiàn)在將參考所附的繪制圖來(lái)描述本公開，在附圖中，貫穿全文，相似的附圖標(biāo)記用 于指代相似的元件，并且其中圖示的結(jié)構(gòu)和設(shè)備不一定按比例繪制。如本文使用的，術(shù)語(yǔ) "組件"、"系統(tǒng)"、"接口"等意在指代計(jì)算機(jī)相關(guān)的實(shí)體、硬件、軟件(例如，執(zhí)行中的）和/或 固件。例如，組件可以是處理器(例如，微處理器、控制器或其他處理設(shè)備）、在處理器上運(yùn)行 的進(jìn)程、控制器、對(duì)象、可執(zhí)行檔、程序、存儲(chǔ)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、平板PC和/或具有處理設(shè)備的移 動(dòng)電話。作為說(shuō)明，在服務(wù)器上運(yùn)行的應(yīng)用和該服務(wù)器也可以是組件。一個(gè)或多個(gè)組件可以 駐留在進(jìn)程內(nèi)，并且組件可以位于一個(gè)計(jì)算機(jī)上和/或分布在兩個(gè)或更多個(gè)計(jì)算機(jī)之間。在 本文中可以描述元件集合或其他組件的集合，其中術(shù)語(yǔ)"集合"可以被解釋為"一個(gè)或多 個(gè)"。
[0024] 此外，例如，這些組件可以從其上(諸如以模塊)存儲(chǔ)有各種數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的各種計(jì)算 機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)執(zhí)行。組件可以諸如根據(jù)具有一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)分組（例如，來(lái)自在本地系 統(tǒng)、分布式系統(tǒng)中和/或跨網(wǎng)絡(luò)與另一組件交互的一個(gè)組件的數(shù)據(jù)，網(wǎng)絡(luò)諸如是因特網(wǎng)、局 域網(wǎng)、廣域網(wǎng)或經(jīng)由信號(hào)與其他系統(tǒng)一起的類似網(wǎng)絡(luò))的信號(hào)經(jīng)由本地和/或遠(yuǎn)程進(jìn)程進(jìn)行 通信。
[0025] 作為另一示例，組件可以是具有由機(jī)械部分提供的特定功能的裝置，該機(jī)械部分 由電氣或電子電路操作，其中電氣或電子電路可以通過(guò)由一個(gè)或多個(gè)處理器執(zhí)行的軟件應(yīng) 用或固件應(yīng)用來(lái)操作。該一個(gè)或多個(gè)處理器可以在所述裝置內(nèi)部或外部，并且可以執(zhí)行軟 件或固件應(yīng)用的至少一部分。作為又另一示例，組件可以是不通過(guò)機(jī)械部分的情況下通過(guò) 電子組件提供特定功能的裝置；電子組件可以在其中包括一個(gè)或多個(gè)處理器，以執(zhí)行至 少部分地賦予電子組件的功能的軟件和/或固件。
[0026] 詞語(yǔ)"示例性"的使用意在以具體方式呈現(xiàn)原理。如本申請(qǐng)中使用的，術(shù)語(yǔ)"或"意 在指包含性的"或"而不是排他性的"或"。即，除非另外明確說(shuō)明或從上下文是清楚的，"X采 用A或B"意在指自然的包括性置換中的任何一個(gè)。即，如果X采用A;X采用B;或X采用A和B二 者，則在前述實(shí)例中的任何一個(gè)情況下，"X采用A或B"被滿足。此外，在本申請(qǐng)中和所附的權(quán) 利要求中使用的冠詞"一"和"一個(gè)"通常應(yīng)當(dāng)被解釋為指"一個(gè)或多個(gè)"，除非另有明確說(shuō)明 或根據(jù)上下文清楚的是針對(duì)單數(shù)形式。此外，就術(shù)語(yǔ)"包括"、"具有"、"帶有"或其變體在具 體描述和權(quán)利要求中使用而言，這樣的術(shù)語(yǔ)意在是以類似于術(shù)語(yǔ)"包含"的方式是包括性 的。
[0027] 本文討論的實(shí)施例可以對(duì)于片上系統(tǒng)或封裝中的系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)非常高準(zhǔn)確度的信號(hào) (例如，參考電壓、電流和/或時(shí)鐘信號(hào)等），以補(bǔ)償在系統(tǒng)的壽命內(nèi)和貫穿溫度循環(huán)的應(yīng)力 效應(yīng)。
[0028] 參考圖1，圖示了根據(jù)本文描述的各種方面的補(bǔ)償至少一個(gè)信號(hào)上的應(yīng)力效應(yīng)的 示例性系統(tǒng)100的框圖。如本文使用的，應(yīng)力效應(yīng)包括機(jī)械應(yīng)力的效應(yīng)(包括壓阻和壓電結(jié) 效應(yīng)、溫度循環(huán)或溫度梯度的效應(yīng)、濕度改變)和電氣應(yīng)力的效應(yīng)(包括晶體管和其他組件 的參數(shù)的改變，諸如由所施加的電源電壓引起的那些）。系統(tǒng)100包括一個(gè)或多個(gè)電路110 (例如，第一電路、第二電路等)和全局應(yīng)力補(bǔ)償組件120,所述一個(gè)或多個(gè)電路110每一個(gè) 都可以包括具有一個(gè)或多個(gè)局部應(yīng)力補(bǔ)償組件112X-112N的集合，全局應(yīng)力補(bǔ)償組件120包 括一個(gè)或多個(gè)應(yīng)力傳感器122X-122N，并且可選地包括具有一個(gè)或多個(gè)局部應(yīng)力補(bǔ)償組件 124-12%的第二集合。在各種方面中，系統(tǒng)100可以被包括作為片上系統(tǒng)或封裝中系統(tǒng)的一 部分，以補(bǔ)償應(yīng)力效應(yīng)，在多芯片封裝中包括有芯片堆疊布置，其中應(yīng)力效應(yīng)特別高。
[0029] 通常，雖然系統(tǒng)100可以包括多于一個(gè)電路110,但是為了便于討論，下文結(jié)合第一 電路110來(lái)描述，其中，類似的細(xì)節(jié)適用于包括在系統(tǒng)100中的任何附加電路110。第一電路 110被配置為生成至少一個(gè)信號(hào)(例如，第一信號(hào)、第二信號(hào)等）。雖然僅出于說(shuō)明的目的，在 本文中提供了示例和討論，其中第一電路110包括參考電路(例如，帶隙參考等），但是本文 描述的系統(tǒng)、組件和技術(shù)可以應(yīng)用于其中第一電路110包括生成至少一個(gè)輸出信號(hào)的任 何電路(例如，溫度傳感器等）的實(shí)施例。在第一電路110包括參考電路的實(shí)施例中，所述至 少一個(gè)信號(hào)可以包括至少一個(gè)參考信號(hào)（例如，一個(gè)或多個(gè)參考電壓、一個(gè)或多個(gè)參考電 流、一個(gè)或多個(gè)參考時(shí)鐘頻率等）。第一電路110向全局應(yīng)力補(bǔ)償組件120輸出所述至少一個(gè) 信號(hào)，并且根據(jù)實(shí)施例，還可以被輸出到一個(gè)或多個(gè)其他組件，諸如系統(tǒng)ADC或系統(tǒng)放大器。 根據(jù)具體實(shí)施例，第一電路110可以包括用于生成所述至少一個(gè)信號(hào)的各種組件。例如，第 一電路可以包括帶隙參考或某種其他系統(tǒng)參考(例如，模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)等），并且可 以包括用于生成所述至少一個(gè)參考信號(hào)(例如，（一個(gè)或多個(gè))參考電壓、（一個(gè)或多個(gè))參考 電流、（一個(gè)或多個(gè))參考時(shí)鐘信號(hào)等）的組件，該組件的性質(zhì)根據(jù)具體實(shí)施例而變化。在下 文中討論可以被包括的示例性實(shí)施例和組件。
[0030] 第一電路110額外包括具有一個(gè)或多個(gè)局部應(yīng)力補(bǔ)償組件112X-112N的第一集合， 局部應(yīng)力補(bǔ)償組件112X-112N補(bǔ)償所述至少一個(gè)信號(hào)(例如，至少一個(gè)參考信號(hào)等)上的應(yīng)力 效應(yīng)(例如，第一電路110內(nèi)的局部應(yīng)力效應(yīng)，諸如機(jī)械應(yīng)力效應(yīng)、電氣應(yīng)力效應(yīng)、老化效應(yīng) 等，例如由于接近溝槽而引起的機(jī)械應(yīng)力效應(yīng)等）。例如，具有一個(gè)或多個(gè)局部應(yīng)力補(bǔ)償組 件112^112〃的第一集合可以包括斬波器，斬波器對(duì)第一電路110的一個(gè)或多個(gè)組件(例如， (一個(gè)或多個(gè))放大器、（一個(gè)或多個(gè))ADC等)的輸入和/或輸出信號(hào)進(jìn)行斬波，這可以補(bǔ)償局 部應(yīng)力效應(yīng)（例如，通過(guò)減小漂移）。作為另一示例，具有一個(gè)或多個(gè)局部應(yīng)力補(bǔ)償組件 112X-112N的第一集合可以包括一個(gè)或多個(gè)動(dòng)態(tài)元件匹配(DEM)組件，以采用DEM來(lái)在第一 電路(或其組件，諸如第一電路110的電流鏡的晶體管等)的多個(gè)組件(例如，晶體管、電阻器 等)之間循環(huán)，從而通過(guò)平均出個(gè)體組件的隨機(jī)局部應(yīng)力效應(yīng)來(lái)減少與個(gè)體組件相關(guān)聯(lián)的 局部應(yīng)力效應(yīng)。在另一示例中，具有一個(gè)或多個(gè)局部應(yīng)力補(bǔ)償組件112X-112N的第一集合可 以包括一個(gè)或多個(gè)自動(dòng)調(diào)零組件(例如，自動(dòng)調(diào)零放大器等），以通過(guò)減小漂移來(lái)補(bǔ)償局 部應(yīng)力效應(yīng)。斬波和自動(dòng)調(diào)零是每一個(gè)都可以補(bǔ)償偏移效應(yīng)的元件的兩個(gè)技術(shù)或布置。自 動(dòng)調(diào)零具有與斬波相同的消除(例如，放大器、ADC等的)偏移的效果。然而，代替在周期的不 同階段中（如在斬波中）交換輸入，在自動(dòng)調(diào)零中，第一階段用于截短輸入以存儲(chǔ)偏移，并且 第二階段用于將組件(放大器等)連接到傳感器或輸入信號(hào)，并且減去先前測(cè)量的偏移信 號(hào)。本文中對(duì)斬波器、斬波信號(hào)、斬波等的討論（以及附圖中的圖示)還意在附加地或替代地 包括經(jīng)由自動(dòng)調(diào)零組件、自動(dòng)調(diào)零信號(hào)、自動(dòng)調(diào)零等實(shí)現(xiàn)類似效果的各方面。
[0031]全局應(yīng)力補(bǔ)償組件120還可以補(bǔ)償在至少一個(gè)信號(hào)上的應(yīng)力效應(yīng)(例如，影響系統(tǒng) 100的全局應(yīng)力效應(yīng)等），并且可以包括一個(gè)或多個(gè)組件(根據(jù)實(shí)施例），用于以各種方式 (例如，通過(guò)接收至少一個(gè)信號(hào)并且輸出至少一個(gè)補(bǔ)償?shù)男盘?hào)，通過(guò)生成可以與至少一個(gè)信 號(hào)組合(例如，以相加方式、相乘方式等)的至少一個(gè)補(bǔ)償信號(hào)或輸出等)補(bǔ)償至少一個(gè)信號(hào) 上的應(yīng)力效應(yīng)。全局應(yīng)力補(bǔ)償組件120可以包括一個(gè)或多個(gè)應(yīng)力傳感器122X-122N，其可以 感測(cè)與系統(tǒng)100相關(guān)聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)應(yīng)力分量(例如，應(yīng)力張量的分量或其函數(shù)，諸如線性 組合）。至少部分地基于感測(cè)的（一個(gè)或多個(gè))應(yīng)力分量，全局應(yīng)力補(bǔ)償組件120可以補(bǔ)償所 述至少一個(gè)信號(hào)上的應(yīng)力效應(yīng)。在局部和全局應(yīng)力補(bǔ)償之后，最后補(bǔ)償?shù)闹辽僖粋€(gè)信號(hào)(例 如，參考電壓、電流等)獨(dú)立于物理和其他特性，諸如溫度、電源電壓、應(yīng)力、（一個(gè)或多個(gè))傳 感器信號(hào)等。
[0032]在各方面中，全局應(yīng)力補(bǔ)償組件120可以包括多個(gè)應(yīng)力傳感器122X-122N，并且多個(gè) 應(yīng)力分量中的至少兩個(gè)可以感測(cè)不同應(yīng)力分量，例如，如下各項(xiàng)中的兩個(gè)或更多個(gè):第一應(yīng) 力分量(例如〇xx)、正交于第一應(yīng)力分量的第二應(yīng)力分量(例如，Oyy)、兩個(gè)正交應(yīng)力分量的 和(0 XX +0yy )、兩個(gè)正交應(yīng)力分量的差(0XX_ Oyy )等。
[0033]在各方面中，全局應(yīng)力補(bǔ)償組件120可以包括具有局部應(yīng)力補(bǔ)償組件以也-以如的 第二集合，局部應(yīng)力補(bǔ)償組件124-124N可以補(bǔ)償全局應(yīng)力補(bǔ)償組件120中的應(yīng)力效應(yīng)，該應(yīng) 力效應(yīng)可能以其他方式影響全局應(yīng)力補(bǔ)償組件120的補(bǔ)償至少一個(gè)信號(hào)上的應(yīng)力效應(yīng)的能 力。具有局部應(yīng)力補(bǔ)償組件12A-124N的第二集合可以包括類似于結(jié)合具有局部應(yīng)力組件 112X-112N的第一集合描述的那些的一個(gè)或多個(gè)組件，諸如DEM組件、斬波器（例如，放大器 和/或ADC等的斬波器）、自動(dòng)調(diào)零組件等。例如，全局應(yīng)力補(bǔ)償組件120可以包括多個(gè)應(yīng)力傳 感器122^122〃，并且具有局部應(yīng)力補(bǔ)償組件12^-12%的第二集合可以包括用于在所述多 個(gè)應(yīng)力傳感器122X-122N中的一些或全部之間循環(huán)的DEM組件。在另外方面中，DEM可以與感 測(cè)不同應(yīng)力分量的多個(gè)傳感器122X-122N組合，使得對(duì)于每個(gè)不同的應(yīng)力分量(或其子集）， 感測(cè)該不同應(yīng)力分量的多個(gè)傳感器可以經(jīng)由DEM組件在之間進(jìn)行循環(huán)。在另一示例中，具有 一個(gè)或多個(gè)局部應(yīng)力補(bǔ)償組件124-124N的第二集合可以包括斬波器，斬波器對(duì)全局應(yīng)力補(bǔ) 償組件120的一個(gè)或多個(gè)組件(例如，（一個(gè)或多個(gè))ADC等)的輸入和/或輸出信號(hào)進(jìn)行斬波。 [0034]雖然在一些方面中，補(bǔ)償?shù)闹辽僖粋€(gè)信號(hào)可以以模擬方式來(lái)表示，但在其他方面 中，該補(bǔ)償?shù)闹辽僖粋€(gè)信號(hào)可以以數(shù)字方式表示。例如，考慮ADC參考具有適度的應(yīng)力相關(guān) 性，諸如處于不同應(yīng)力處的以下參考電壓:在OMPa處IV，在lOOMPa處1.002 V，以及在200MPa 處1.004 V(例如，2%/GPa)。在ADC處的穩(wěn)定輸入電壓的情況下，數(shù)字ADC輸出可以輕微衰減 如下:在OMPa處為1/1 ? 000，在lOOMPa處為1/1 ? 002，并且在200MPa處為1/1 ? 004。在這種情況 下，ADC之后的數(shù)字校正可以通過(guò)把輸出乘以如下各項(xiàng)來(lái)進(jìn)行補(bǔ)償以消除應(yīng)力的效應(yīng):在 MPa處乘以1.000，在lOOMPa處乘以1.002，以及在200MPa處乘以1.004。以這樣的方式，該數(shù) 字系統(tǒng)參考可以被穩(wěn)定。
[0035]圖2圖示了根據(jù)本文描述的各方面的示例性第一電路110的框圖，該框圖示出了可 以補(bǔ)償至少一個(gè)信號(hào)上的局部應(yīng)力效應(yīng)的示例性局部應(yīng)力補(bǔ)償組件112^112〃。在第一電路 110包括ADC 202的實(shí)施例中，具有局部應(yīng)力組件112X-112N的第一集合可以可選地包括:ADC 輸入斬波器1 12h(例如，模擬斬波器），用于對(duì)ADC的輸入信號(hào)進(jìn)行斬波；和/或ADC輸出斬波 器112:(例如，數(shù)字?jǐn)夭ㄆ鳎糜趯?duì)ADC的輸出信號(hào)進(jìn)行斬波。在第一電路110包括放大器 204的實(shí)施例中，具有局部應(yīng)力組件112i-l 1 2n的第一集合可以可選地包括:放大器輸入斬波 器112j(例如，模擬斬波器），用于對(duì)放大器的輸入信號(hào)進(jìn)行斬波;和/或放大器輸出斬波器 112k(例如，數(shù)字?jǐn)夭ㄆ鳎糜趯?duì)放大器的輸出信號(hào)進(jìn)行斬波。另外，具有局部應(yīng)力補(bǔ)償組 件112X-112N的第一集合可以包括:至少一個(gè)動(dòng)態(tài)元件匹配組件112l，用于在第一電路110的 多個(gè)電阻器206之間（例如，可旋轉(zhuǎn)地交換等)循環(huán);和/或至少一個(gè)動(dòng)態(tài)元件匹配組件112m， 用于在第一電路11 〇的多個(gè)晶體管208 (例如，電流鏡的晶體管，輸出參考電壓的晶體管等） 之間循環(huán)。
[0036]圖3圖示了根據(jù)本文描述的各種方面的示出示例性全局應(yīng)力補(bǔ)償組件120的多個(gè) 變體的框圖，該框圖示出了可以包括在全局應(yīng)力補(bǔ)償組件中的可選局部應(yīng)力補(bǔ)償組件 124^12%和其他組件。在各方面中，至少一個(gè)DEM組件124i可以被包括以采用DEM來(lái)在一個(gè) 或多個(gè)應(yīng)力傳感器122i_122n之間循環(huán)。另外，一個(gè)或多個(gè)溫度傳感器302i_302n可以被包括 以測(cè)量與系統(tǒng)(例如，系統(tǒng)100)相關(guān)聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)溫度和/或溫度梯度。在各方面中，二次 或其他更高階溫度補(bǔ)償電路或曲率溫度補(bǔ)償電路可以被包括，以補(bǔ)償在至少一個(gè)信號(hào)上的 一個(gè)或多個(gè)溫度和/或溫度梯度的效應(yīng)?？蛇x地，至少一個(gè)DEM組件124j可以被包括以采用 DEM來(lái)在一個(gè)或多個(gè)溫度傳感器302廣302〃之間循環(huán)。在各方面中，還可以結(jié)合應(yīng)力傳感器 和/或溫度傳感器來(lái)采用斬波。
[0037] 在一個(gè)示例性實(shí)施例中，可以基于一個(gè)或多個(gè)應(yīng)力傳感器122i-122N和/或一個(gè)或 多個(gè)溫度傳感器302^302〃的輸出來(lái)生成至少一個(gè)補(bǔ)償信號(hào)，并且可以將至少一個(gè)補(bǔ)償信號(hào) 與所述至少一個(gè)信號(hào)組合(例如，經(jīng)由模擬乘法或加法組件304等），以補(bǔ)償所述至少一個(gè)信 號(hào)上的應(yīng)力效應(yīng)(例如，通過(guò)生成至少一個(gè)補(bǔ)償?shù)男盘?hào)等）。圖4圖示了根據(jù)本文描述的各種 方面的可以經(jīng)由模擬乘法或加法(例如，經(jīng)由模擬乘法器、模擬增益調(diào)整放大器級(jí)等）來(lái)生 成至少一個(gè)補(bǔ)償信號(hào)的示例性系統(tǒng)400的框圖。在示例性系統(tǒng)400中，第一電路110是斬波的 帶隙參考，其采用DEM并且輸出至少帶隙參考電壓作為所述至少一個(gè)信號(hào)中的一個(gè)，并且一 個(gè)或多個(gè)應(yīng)力傳感器122X-122N也被斬波并且采用DEM。補(bǔ)償?shù)膮⒖茧妷嚎梢员惶峁┳鳛閷?duì) 系統(tǒng)ADC 410的應(yīng)力補(bǔ)償?shù)膮⒖?，系統(tǒng)ADC 410可以具有斬波輸入(經(jīng)由模擬系統(tǒng)ADC輸入斬 波器412〗)和斬波的輸出（經(jīng)由模擬系統(tǒng)ADC輸出斬波器412〇)作為具有局部應(yīng)力補(bǔ)償組件的 第三集合的一部分，以補(bǔ)償接收所述至少一個(gè)補(bǔ)償?shù)男盘?hào)的至少一個(gè)組件(在該情況下為 系統(tǒng)ADC 410)中的局部應(yīng)力效應(yīng)。
[0038]在其他不例性實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)應(yīng)力傳感器122i_122n和/或一個(gè)或多個(gè)溫 度傳感器302^302〃的輸出可以由傳感器ADC 306來(lái)接收，傳感器ADC 306可以生成一輸出， 該輸出可以以多種方式被用于補(bǔ)償至少一個(gè)信號(hào)上的應(yīng)力效應(yīng)(例如，通過(guò)生成可以與所 述至少一個(gè)信號(hào)組合以補(bǔ)償應(yīng)力效應(yīng)的至少一個(gè)補(bǔ)償信號(hào)，通過(guò)生成可以用作針對(duì)所述至 少一個(gè)信號(hào)的（一個(gè)或多個(gè))補(bǔ)償替換的至少一個(gè)補(bǔ)償信號(hào)等）。此外，具有局部應(yīng)力補(bǔ)償組 件124i_124n的第二集合可以包括傳感器ADC輸入斬波器122k(例如，模擬斬波器)或傳感器 ADC輸出斬波器1 22l (例如，數(shù)字?jǐn)夭ㄆ鳑_的至少一個(gè)。
[0039] 在采用傳感器ADC 306的示例性實(shí)施例的第一集合中，傳感器ADC 306的輸出可以 由數(shù)字乘法或加法組件308或由數(shù)字濾波器和/或多項(xiàng)式平滑(或補(bǔ)償)組件310來(lái)接收。無(wú) 論包括組件308或組件310中的哪一個(gè)都可以生成至少一個(gè)補(bǔ)償信號(hào)（例如，通過(guò)經(jīng)由組件 308的數(shù)字乘法或加法，或通過(guò)經(jīng)由組件310的數(shù)字濾波和/或多項(xiàng)式平滑），該信號(hào)可以由 數(shù)字可編程增益組件312來(lái)接收，數(shù)字可編程增益組件312可以設(shè)置針對(duì)所述至少一個(gè)補(bǔ)償 信號(hào)的增益。圖5圖示了根據(jù)本文描述的各種方面的示例性系統(tǒng)500的框圖，系統(tǒng)500可以經(jīng) 由數(shù)字乘法或加法或多項(xiàng)式平滑來(lái)生成至少一個(gè)補(bǔ)償?shù)男盘?hào)。在示例性系統(tǒng)500中，第一電 路110是斬波帶隙參考，其采用DEM并且輸出至少帶隙參考電壓作為所述至少一個(gè)信號(hào)中的 一個(gè)，并且一個(gè)或多個(gè)應(yīng)力傳感器122X-122N也被斬波并且采用DEM。補(bǔ)償?shù)膮⒖茧妷嚎梢员?提供作為對(duì)傳感器ADC306的應(yīng)力補(bǔ)償參考，如上所述，并且數(shù)字可編程增益組件312的輸出 信號(hào)可以由系統(tǒng)放大器510接收作為應(yīng)力補(bǔ)償?shù)膮⒖肌Ｏ到y(tǒng)放大器510可以具有斬波的輸入 (經(jīng)由模擬系統(tǒng)放大器輸入斬波器512i)和斬波的輸出(經(jīng)由系統(tǒng)放大器輸入斬波器412〇)作 為具有局部應(yīng)力補(bǔ)償組件的第三集合的一部分，以補(bǔ)償接收所述至少一個(gè)補(bǔ)償?shù)男盘?hào)的至 少一個(gè)組件(在該情況下為系統(tǒng)放大器510,其中系統(tǒng)參考作為數(shù)字可編程增益組件312的 輸入信號(hào)）中的局部應(yīng)力效應(yīng)。
[0040] 在采用傳感器ADC 306的下一示例性實(shí)施例中，傳感器ADC 306的輸出可以由數(shù)字 濾波器和/或多項(xiàng)式平滑(或補(bǔ)償)組件310來(lái)接收。在通過(guò)組件310進(jìn)行數(shù)字濾波和/或多項(xiàng) 式平滑之后，可以生成至少一個(gè)補(bǔ)償信號(hào)，該補(bǔ)償信號(hào)可以被提供作為對(duì)數(shù)字乘法或加法 組件314的輸出。數(shù)字乘法或加法組件314還可以接收由系統(tǒng)ADC或系統(tǒng)TDC輸出的信號(hào)，系 統(tǒng)ADC或系統(tǒng)TDC從第一電路110接收所述至少一個(gè)信號(hào)（例如，參考電壓等），并且可以使由 系統(tǒng)ADC或系統(tǒng)TDC輸出的信號(hào)與所述至少一個(gè)補(bǔ)償信號(hào)數(shù)字地相加或相乘，以補(bǔ)償所述至 少一個(gè)信號(hào)上的應(yīng)力效應(yīng)。圖6圖示了根據(jù)本文描述的各種方面的可以經(jīng)由與至少一個(gè)補(bǔ) 償信號(hào)的數(shù)字乘法或加法來(lái)補(bǔ)償至少一個(gè)信號(hào)中的應(yīng)力效應(yīng)的示例性系統(tǒng)600的框圖。在 示例性系統(tǒng)600中，第一電路110是斬波帶隙參考，其采用DEM并且輸出至少帶隙參考電壓作 為所述至少一個(gè)信號(hào)中的一個(gè)，并且一個(gè)或多個(gè)應(yīng)力傳感器122^122〃也被斬波并且采用 DEM。如上所述，補(bǔ)償?shù)膮⒖茧妷嚎梢员惶峁┑絺鞲衅鰽DC 306,并且然后可以被提供到多項(xiàng) 式系數(shù)和/或數(shù)字濾波器組件310,以生成至少一個(gè)補(bǔ)償信號(hào)。參考電壓還可以被提供給系 統(tǒng)ADC 410，系統(tǒng)ADC 410可以具有斬波的輸入(經(jīng)由模擬系統(tǒng)ADC輸入斬波器412〗）和斬波 的輸出（經(jīng)由模擬系統(tǒng)ADC輸出斬波器412〇)，作為具有局部應(yīng)力補(bǔ)償組件的第三集合的一 部分，以補(bǔ)償接收所述至少一個(gè)信號(hào)的至少一個(gè)組件(在該情況下為系統(tǒng)ADC 410)中的局 部應(yīng)力效應(yīng)。系統(tǒng)ADC 410的輸出和來(lái)自多項(xiàng)式系數(shù)和/或數(shù)字濾波器組件310的至少一個(gè) 補(bǔ)償信號(hào)可以被提供給可以生成輸出信號(hào)的數(shù)字乘法或加法組件314,由此補(bǔ)償參考電壓 上的應(yīng)力效應(yīng)。
[0041]在采用傳感器ADC 306和數(shù)字濾波器和/或多項(xiàng)式平滑(或補(bǔ)償)組件310的附加示 例性實(shí)施例中，組件310的輸出可以被提供給補(bǔ)償數(shù)字到模擬(DAC)轉(zhuǎn)換器316。補(bǔ)償DAC 316可以輸出至少一個(gè)補(bǔ)償?shù)男盘?hào)（例如，補(bǔ)償?shù)膮⒖茧妷旱龋?。圖7圖示了根據(jù)本文描述的 各種方面的示例性系統(tǒng)700的框圖，系統(tǒng)700可以經(jīng)由由補(bǔ)償DAC 316生成的至少一個(gè)補(bǔ)償 信號(hào)來(lái)補(bǔ)償至少一個(gè)信號(hào)中的應(yīng)力效應(yīng)。在示例性系統(tǒng)700中，第一電路110是斬波帶隙參 考，其采用DEM并且輸出至少帶隙參考電壓作為所述至少一個(gè)信號(hào)中的一個(gè)，并且一個(gè)或多 個(gè)應(yīng)力傳感器122^122〃也被斬波并且采用DEM。如上所述，補(bǔ)償?shù)膮⒖茧妷嚎梢员惶峁┑絺?感器ADC 306,并且然后可以被提供到數(shù)字多項(xiàng)式補(bǔ)償組件310。數(shù)字多項(xiàng)式補(bǔ)償組件310的 輸出可以由補(bǔ)償DAC 316來(lái)接收，補(bǔ)償DAC 316可以向系統(tǒng)ADC 410提供補(bǔ)償?shù)膮⒖茧妷?或 參考電流、參考電阻、參考電容等）。系統(tǒng)ADC 410可以具有斬波的輸入(經(jīng)由模擬系統(tǒng)ADC輸 入斬波器412〗)和斬波的輸出（經(jīng)由模擬系統(tǒng)ADC輸出斬波器412〇)作為具有局部應(yīng)力補(bǔ)償組 件的第三集合的一部分，以補(bǔ)償接收所述至少一個(gè)信號(hào)的至少一個(gè)組件(在該情況下為系 統(tǒng)ADC 410)中的局部應(yīng)力效應(yīng)。
[0042]本文中還描述了另一示例性實(shí)施例，該另一示例性實(shí)施例采用傳感器ADC 306、數(shù) 字濾波器和/或多項(xiàng)式平滑(或補(bǔ)償)組件310和補(bǔ)償DAC 316。在該另一示例性實(shí)施例中，補(bǔ) 償DAC 316的輸出（至少一個(gè)補(bǔ)償信號(hào))可以被提供給模擬乘法或加法組件318。模擬乘法或 加法組件可以使所述至少一個(gè)補(bǔ)償信號(hào)與所述至少一個(gè)信號(hào)相乘或相加，并且輸出至少一 個(gè)補(bǔ)償?shù)男盘?hào)。圖8圖示了根據(jù)本文描述的各種方面的示例性系統(tǒng)800的框圖，系統(tǒng)800可以 通過(guò)經(jīng)由與至少一個(gè)補(bǔ)償信號(hào)的模擬相加或相乘生成至少一個(gè)補(bǔ)償?shù)男盘?hào)，來(lái)補(bǔ)償至少一 個(gè)信號(hào)中的應(yīng)力效應(yīng)。在示例性系統(tǒng)700中，第一電路110是斬波帶隙參考，其采用DEM并且 輸出至少帶隙參考電壓作為所述至少一個(gè)信號(hào)中的一個(gè)，并且一個(gè)或多個(gè)應(yīng)力傳感器 122X-122N也被斬波并且采用DEM。如上所述，補(bǔ)償?shù)膮⒖茧妷嚎梢员惶峁┑絺鞲衅鰽DC 306， 并且然后可以被提供給數(shù)字多項(xiàng)式補(bǔ)償組件310。數(shù)字多項(xiàng)式補(bǔ)償組件310的輸出可以由補(bǔ) 償DAC 316來(lái)接收，補(bǔ)償DAC 316可以輸出補(bǔ)償信號(hào)。補(bǔ)償信號(hào)和參考電壓可以通過(guò)模擬乘 法或加法組件318來(lái)接收，模擬乘法或加法組件318可以輸出補(bǔ)償?shù)膮⒖茧妷?。替代地，補(bǔ)償 DAC 316可以被包括在模擬乘法或加法組件318內(nèi)，并且可以包括一個(gè)或多個(gè)可編程電阻 器、可編程開關(guān)電容器或可編程晶體管，他們可以并聯(lián)或串聯(lián)地開關(guān)以調(diào)整模擬乘法或加 法組件318的輸出參考電壓。
[0043] 圖9圖示了根據(jù)本文描述的各種方面的補(bǔ)償至少一個(gè)信號(hào)中的應(yīng)力效應(yīng)的方法 900的流程圖。方法900可以包括，在910處，經(jīng)由至少一個(gè)電路(例如，至少一個(gè)參考電路)來(lái) 生成至少一個(gè)信號(hào)(例如至少一個(gè)參考信號(hào)，例如至少一個(gè)參考電壓、電流或時(shí)鐘頻率）。方 法900還可以包括，在920處，經(jīng)由所述至少一個(gè)電路補(bǔ)償所述至少一個(gè)信號(hào)上的應(yīng)力效應(yīng) (例如，經(jīng)由斬波、DEM、自動(dòng)調(diào)零等）。在930處，方法900可以包括感測(cè)至少一個(gè)應(yīng)力分量(例 如，應(yīng)力張量的至少一個(gè)分量或其函數(shù)，諸如應(yīng)力張量的分量的線性組合）。在940處，方法 900可以包括至少部分地基于感測(cè)的至少一個(gè)應(yīng)力分量來(lái)補(bǔ)償在所述至少一個(gè)信號(hào)上的應(yīng) 力效應(yīng)。
[0044] 本文描述的各方面可以提供對(duì)應(yīng)力效應(yīng)的補(bǔ)償，以便在系統(tǒng)的壽命內(nèi)并且貫穿溫 度循環(huán)從片上系統(tǒng)(包括多芯片系統(tǒng)，例如片堆疊布置等)或封裝中系統(tǒng)中的電路提供非常 高準(zhǔn)確度的信號(hào)。在具有參考電路(例如，帶隙參考等）的實(shí)施例中，如本文所述，可以通過(guò) 補(bǔ)償由電氣和機(jī)械應(yīng)力引起的老化和其他效應(yīng)來(lái)獲得片上高精度和壽命穩(wěn)定參考電壓或 系統(tǒng)參考。這樣的實(shí)施例可以提供與非常低的溫度漂移組合的穩(wěn)定參考信號(hào)和廉價(jià)的低功 率片上帶隙參考。
[0045]約l_7mV的漂移（約0.1 ... 0.6%漂移）可以由下述的組合來(lái)引起:雙極晶體管中 的壓電結(jié)效應(yīng)、電阻器中的壓電電阻效應(yīng)和/或安裝的硅管芯中的非均勻或方向相關(guān)的應(yīng) 力分量，特別是在使用淺或深的溝槽的現(xiàn)代技術(shù)的情況下。此外，電路中的設(shè)備可以具有由 方向引起的不同應(yīng)力相關(guān)性或不同布局條件。圖10圖示了示出可以在溝槽附近發(fā)生的不同 應(yīng)力分量〇ij和壓電系數(shù)Hij的框圖。〇 XX和〇yy的局部變化可以與諸如〇XX + 〇yy、〇XX - 〇yy或應(yīng) 力分量的其他組合之類的全局應(yīng)力變化相關(guān)。
[0046] 雖然已經(jīng)嘗試通過(guò)曲率補(bǔ)償來(lái)實(shí)現(xiàn)溫度范圍上的50ppm的漂移，但是壽命漂移在 壽命內(nèi)或在塑料封裝中的濕度改變的情況下導(dǎo)致500ppm或更大。大漂移的一個(gè)原因是由以 下各項(xiàng)中的一項(xiàng)或多項(xiàng)引起的機(jī)械應(yīng)力:塑料封裝中的封裝、焊接、濕度改變;管芯的彎曲 效應(yīng);相鄰器件上的溝槽影響等。該機(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致參考電路中的電流和電壓改變，并且導(dǎo)致 無(wú)源組件(諸如片上電阻器）中的大約3%的改變，以及由壓電結(jié)效應(yīng)引起的大約l-7mV的帶 隙電路中雙極晶體管中的改變。圖11圖示了示出局部應(yīng)力效應(yīng)可以如何影響電路infill〗 的框圖 。局部應(yīng)力效應(yīng)在很大程度上是不可預(yù)測(cè)的 ，但是可以部分地由對(duì)溝槽的接近 等而引起，局部應(yīng)力效應(yīng)可以顯著影響電路(例如，差分輸入級(jí)、電流反射鏡等）的性能。電 路1102和1104是最壞情況的情形，其中僅一個(gè)電路在該溝槽附近，從而在一個(gè)示例性測(cè)量 中在二者之間引起13mV的偏移差。電路1106和1108是較好情況的情形，其中二者都遭受類 似的系統(tǒng)變動(dòng)，從而在該示例性測(cè)量中在二者之間引起9mV的偏移差。電路1110和1112是最 好情況的情形，其中二者都經(jīng)歷相同的變動(dòng)，從而在該示例性測(cè)量中在二者之間引起OmV的 偏移差。
[0047] 雖然機(jī)械應(yīng)力效應(yīng)經(jīng)常被視為壽命或溫度循環(huán)效應(yīng)，但是約高達(dá)90%的機(jī)械效應(yīng) 可能由管芯上的封裝、焊接、濕度改變和溫度梯度的組合引起。塑料封裝的擴(kuò)展(例如，由于 上面列出的原因中的任何一個(gè))可以引起芯片的彎曲，從而引起機(jī)械應(yīng)力效應(yīng)。圖12A圖示 了指示芯片上的機(jī)械應(yīng)力的一些可能的原因的圖。圖12B圖示了示出溫度循環(huán)期間滯后效 應(yīng)的圖，該滯后效應(yīng)由塑料封裝中的濕度改變而導(dǎo)致的機(jī)械應(yīng)力改變所引起。
[0048] 通常被認(rèn)為是壽命或老化效應(yīng)的現(xiàn)象的第二個(gè)原因是，電氣應(yīng)力改變晶體管參數(shù) (例如，在電氣偏置或供電期間），從而引起不穩(wěn)定并且不可預(yù)測(cè)的失配，并且無(wú)法由機(jī)械應(yīng) 力傳感器來(lái)完全補(bǔ)償。這些電氣應(yīng)力效應(yīng)可以改變放大器或差分級(jí)、帶隙電流鏡、應(yīng)力傳感 器的電流鏡的電流鏡比率和偏移電壓以及ADC的偏移等。
[0049] 圖13圖示了示例性帶隙參考1300和放大器級(jí)1310的示意圖，示出了電氣應(yīng)力效應(yīng) 可以如何引起各種組件中的失配。壽命內(nèi)的電氣應(yīng)力效應(yīng)可以導(dǎo)致下述中的任何一個(gè)或全 部的改變，從而引起失配：電流鏡比率（圖13中的l:N:p)、電阻器比率(Rl:R2)、Vbe改變（1: M:q)、放大器中的偏移改變(例如，由非對(duì)稱Vds-A Vth改變引起）。當(dāng)與原始失配相比時(shí)， 統(tǒng)計(jì)測(cè)量值已經(jīng)示出了在壽命期間的30% A Vth的漂移。
[0050] 第三個(gè)問題是閃變?cè)肼曅?yīng)，閃變?cè)肼曅?yīng)在低頻改變帶隙電壓。這些效應(yīng)也主 要由放大或差分級(jí)的電流鏡比率和偏移電壓的改變引起。
[0051] 第四個(gè)問題是熱梯度。通常，在帶隙的環(huán)境中，可以針對(duì)固定的電源電壓并且針對(duì) 固定的功率來(lái)校準(zhǔn)熱梯度。然而，由相鄰電路中的功率改變引起的電源電壓改變和變化的 熱梯度可以引起額外的錯(cuò)誤。例如，接通或關(guān)閉芯片中系統(tǒng)或封裝中系統(tǒng)中的相鄰微處理 器可能引起包括額外錯(cuò)誤的熱梯度。熱膨脹系數(shù)的變化可以隨著溫度或溫度梯度的改變而 導(dǎo)致額外的機(jī)械應(yīng)力。圖14圖示了多芯片封裝的圖，多芯片封裝具有由每一個(gè)都具有不同 的熱膨脹系數(shù)的穿硅通孔(TSV)、不同的芯片、引線框架和塑料封裝引起的應(yīng)力效應(yīng)。
[0052]如本文中使用的術(shù)語(yǔ)，這些問題中的任何一個(gè)或全部可以引起應(yīng)力效應(yīng)。
[0053]在帶隙參考電路的示例中，帶隙電壓受電阻器中的改變及其失配、雙極或金屬氧 化物半導(dǎo)體(M0S)晶體管及其失配、（一個(gè)或多個(gè))放大器級(jí)的電流鏡失配和偏移電壓(和偏 移電壓漂移)的影響。帶隙電路中的帶隙電壓V BC是電流鏡比率和雙極晶體管的基極-射極電 壓導(dǎo)致的，如等式1和2示出的：
(1) 其中kb是玻爾茲曼常數(shù);qe是基本電荷;T是結(jié)的絕對(duì)溫度;p、q和n是電流鏡比率，并且 m是面積比率。
[0054]基極-射極電壓取決于雙極晶體管的飽和電流。在n=p=q=l的情況下，帶隙電壓如 等式(3)中那樣： 由于平面中應(yīng)力0 = 0XX + C%而導(dǎo)致的飽和電流的改變可以如等式4中那樣被近似： 并且由于平面中應(yīng)力〇 = 〇xx + 〇yy的改變而導(dǎo)致的帶隙電壓的改變?nèi)绲仁剑?)中那 樣： Acr)--^.(cr) ⑶ ? A<x)]x [/, (0")/l5(^ -f- A.€r)§
[0055]帶隙電壓的應(yīng)力相關(guān)性主要由電阻器或電流鏡的應(yīng)力相關(guān)性和雙極晶體管的飽 和電流來(lái)確定。然而，額外的應(yīng)力相關(guān)性是由電流鏡中的局部失配導(dǎo)致的，局部失配更加不 可預(yù)測(cè)，并且受電氣壽命漂移效應(yīng)的影響。
[0056]本文描述的各方面可以補(bǔ)償全局平面內(nèi)應(yīng)力效應(yīng)、局部機(jī)械應(yīng)力效應(yīng)和電氣應(yīng)力 效應(yīng)，以提供更穩(wěn)定和可預(yù)測(cè)的應(yīng)力補(bǔ)償系數(shù)。因此，如本文描述的那樣補(bǔ)償?shù)男盘?hào)具有更 高和更穩(wěn)定的準(zhǔn)確度。
[0057]應(yīng)力傳感器受到溫度和平面內(nèi)應(yīng)力二者的影響，但是具有（通常）不同應(yīng)力靈敏 度，如等式6和7中所示： 屢，，） ⑶ 然而，應(yīng)力分量(0XX - 〇yy)的差異可以被測(cè)量，以補(bǔ)償系統(tǒng)局部應(yīng)力效應(yīng)(例如，附近 溝槽)或在本文中討論的電路(例如，帶隙參考)中的晶體管和/或電阻器的不同定向。例如， 在圖15中示出（下文討論）的應(yīng)力傳感器Vndiff(感測(cè)〇xx - 〇yy)使用處于相對(duì)于正常芯片 定向45°的L形布置中的n擴(kuò)散電阻器，該n擴(kuò)散電阻器具有Rlv，n2~l+144%/GPA*(〇 xx - 〇yy) 的應(yīng)力相關(guān)性。
[0058] 本文描述的實(shí)施例能夠補(bǔ)償信號(hào)上的所有機(jī)械和電氣應(yīng)力效應(yīng)。相比之下，僅采 用模擬應(yīng)力補(bǔ)償?shù)某Ｒ?guī)系統(tǒng)(例如，經(jīng)由電阻器的組合)無(wú)法通過(guò)應(yīng)力相關(guān)補(bǔ)償值的乘法或 加法來(lái)補(bǔ)償具有ADC參考效應(yīng)或數(shù)字補(bǔ)償?shù)乃邢到y(tǒng)壽命效應(yīng)。然而，本文描述的實(shí)施例可 以提供(例如，帶隙電路、帶隙中的放大器等的）電氣壽命漂移補(bǔ)償，并且可以補(bǔ)償二階或更 高階的溫度和應(yīng)力效應(yīng)。通過(guò)充分補(bǔ)償電氣和機(jī)械應(yīng)力和漂移效應(yīng)二者，可以在片上系統(tǒng) 或封裝中系統(tǒng)實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)明顯更高的總體準(zhǔn)確度。本文描述的各方面可以由于乘法效應(yīng) 而提供可實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確度和壽命穩(wěn)定性的顯著提高:利用更好和更準(zhǔn)確的應(yīng)力測(cè)量和初始帶隙 參考(例如，通過(guò)斬波、DEM、自動(dòng)調(diào)零等），可以得到更好的補(bǔ)償和更穩(wěn)定的應(yīng)力系數(shù)。在流 水線生產(chǎn)中，無(wú)法獨(dú)立地找到最好的相關(guān)系數(shù)或最好的應(yīng)力系數(shù)來(lái)補(bǔ)償每個(gè)樣本的個(gè)體變 化。然而，本文描述的各方面可以用于獲得穩(wěn)定的系數(shù)和準(zhǔn)確的測(cè)量，這可以促進(jìn)對(duì)至少一 個(gè)設(shè)計(jì)或封裝的補(bǔ)償。
[0059] 圖15圖示了根據(jù)本文描述的各種方面的利用DEM和斬波的示例性帶隙參考1500和 放大器級(jí)1510的示意圖。圖16圖示了根據(jù)本文描述的各個(gè)方面的利用1600處的DEM和1610 處的斬波系統(tǒng)ADC的示例性斬波的應(yīng)力傳感器的示意圖。帶隙參考1500和應(yīng)力傳感器1600 的組合可以提供應(yīng)力補(bǔ)償?shù)膮⒖夹盘?hào)給系統(tǒng)ADC 1610,使得1620處的數(shù)字乘法或加法之后 的系統(tǒng)輸出針對(duì)機(jī)械和電氣應(yīng)力效應(yīng)被補(bǔ)償。在1630處，示出了應(yīng)力傳感器的不同示例性 配置，在左側(cè)針對(duì)橫向應(yīng)力傳感器Rlv，n，在右側(cè)針對(duì)垂直應(yīng)力傳感器Rv，n。下面，等式8和9 示出了用于補(bǔ)償電路中的應(yīng)力效應(yīng)的示例性加權(quán)偏置電流生成：
其中，匕可以具有正值或負(fù)值。
[0060] 圖17圖示了根據(jù)本文描述的各種方面的包括帶隙電路和傳感器的系統(tǒng)的示例性 布局的圖。圖17中所示的示例性布局中的應(yīng)力測(cè)量可以通過(guò)差分電壓測(cè)量來(lái)實(shí)現(xiàn)。如在圖 17的帶隙電路周圍的應(yīng)力傳感器中看見的，可以使用不同的機(jī)械應(yīng)力系數(shù)，不同的機(jī)械應(yīng) 力系數(shù)可以通過(guò)在電流源和基于帶隙的副本電路中的兩個(gè)不同的電阻器類型來(lái)實(shí)現(xiàn)。作為 說(shuō)明性示例，可以結(jié)合具有3i xx+3iyy = +52%/GPa(總和）的（一個(gè)或多個(gè))垂直n擴(kuò)散或n阱電 阻器來(lái)使用具有Jixx + 3% = -24%/GPa (總和)和3ixx- %y = +144%/GPa的正壓電電阻效應(yīng) 的與晶圓平坦部成45°和橫向L形n擴(kuò)散或n阱電阻器(一個(gè)或多個(gè)）。通過(guò)使用這些不同的電 阻器，可以得到不同的（例如，X和Y)應(yīng)力相關(guān)校正信號(hào)。這些校正信號(hào)可以是模擬電壓或電 流等，或經(jīng)由ADC從應(yīng)力傳感器得到的數(shù)字校正信號(hào)。
[0061] 基于帶隙的參考電壓Vref被溫度補(bǔ)償，并且具有低應(yīng)力相關(guān)性（由于所使用的電 阻器的壓電電阻效應(yīng)的小影響和小的壓電結(jié)效應(yīng)而導(dǎo)致）。應(yīng)力效應(yīng)的主要源來(lái)自在帶隙 中使用的偏置電阻器和雙極晶體管。此外，失配效應(yīng)導(dǎo)致了帶隙電壓的機(jī)械和電氣漂移。
[0062] 頻繁使用的n摻雜多晶硅電阻器具有-11%/GPa的應(yīng)力系數(shù)，該應(yīng)力系數(shù)在芯片中 間和周圍的平面中應(yīng)力的200MPa處引起大約l-2mV變動(dòng)(例如，由正常封裝工藝引起），以及 由濕度改變、壽命效應(yīng)和焊接引起大約+/_〇. 01-0.07%的不穩(wěn)定性。
[0063] 雖然在溝槽附近應(yīng)力可以以不同的方式改變(例如，以具有X或Y相關(guān)性的值），但 是這些局部應(yīng)力仍然與全局應(yīng)力相關(guān)。這些效果可以用第二恒定電流來(lái)補(bǔ)償，其還可以使 用帶隙固有電壓VPTAT和VNTAT來(lái)實(shí)現(xiàn)溫度補(bǔ)償。
[0064] 例如，可以采用具有+4.4%/GPa的L形p摻雜電阻器連接具有與基于n多晶硅的電流 相比大約4.4/11的電流比率的相同或不同帶隙電路。L形的擴(kuò)散電阻器可以使應(yīng)力系數(shù)獨(dú) 立于應(yīng)力的方向。L形臂的差異可以用于分離參考的X和Y應(yīng)力相關(guān)性。
[0065] 然后，得到的電阻器可以被設(shè)計(jì)為被幾乎應(yīng)力補(bǔ)償，或者兩個(gè)電阻器類型之間的 比率可以被調(diào)整以補(bǔ)償在比較器延遲或參考電壓或電容器中的剩余應(yīng)力效應(yīng)。應(yīng)力和溫度 的一階補(bǔ)償可以通過(guò)基于固定比率的調(diào)整來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0066] 如上所述，可以針對(duì)X和Y方向來(lái)生成不同的應(yīng)力補(bǔ)償信號(hào)，以補(bǔ)償電路帶隙或系 統(tǒng)參考中的應(yīng)力效應(yīng)。這些應(yīng)力效應(yīng)與芯片的機(jī)械彎曲效應(yīng)相關(guān)，并且是壽命變動(dòng)或封裝 效應(yīng)的主要原因。
[0067] 圖18圖示了示出應(yīng)力傳感器輸出和帶隙電壓之間的相關(guān)性的圖。圖19圖示了示出 在不具有激活的應(yīng)力補(bǔ)償和具有激活的應(yīng)力補(bǔ)償?shù)那闆r下的塑料封裝中的濕度改變所引 起的帶隙電壓漂移的圖（被示出為溫度獨(dú)立補(bǔ)償和溫度相關(guān)補(bǔ)償）。如可以看到的，在溫度 相關(guān)應(yīng)力補(bǔ)償?shù)那闆r下，漂移明顯降低。
[0068] 與傳統(tǒng)系統(tǒng)和技術(shù)相比，本文描述的實(shí)施例可以補(bǔ)償局部應(yīng)力效應(yīng)(例如，參考電 路110內(nèi)和/或全局應(yīng)力補(bǔ)償組件120內(nèi)）和全局應(yīng)力效應(yīng)二者，無(wú)論性質(zhì)是機(jī)械還是電氣 的。常規(guī)應(yīng)力補(bǔ)償電路僅可以補(bǔ)償全局平面內(nèi)機(jī)械應(yīng)力效應(yīng)，并且僅部分地解決電氣老化 效應(yīng)(例如，在晶體管對(duì)的壽命內(nèi)的V th的不同漂移）。然而，局部應(yīng)力效應(yīng)(例如，在差分晶體 管對(duì)中或在針對(duì)(一個(gè)或多個(gè))應(yīng)力傳感器的電流鏡中，局部應(yīng)力效應(yīng)可以在現(xiàn)代技術(shù)中通 過(guò)深溝槽來(lái)引起)無(wú)法由常規(guī)系統(tǒng)來(lái)充分補(bǔ)償，因?yàn)榫植繎?yīng)力與全局應(yīng)力傳感器信號(hào)的不 良相關(guān)性，并且因?yàn)榫植繎?yīng)力效應(yīng)部分地不可預(yù)測(cè)。此外，由偏置電壓或偏置電流引起的電 氣應(yīng)力效應(yīng)在其壽命內(nèi)引起M0S晶體管的閾值電壓Vth的漂移。
[0069] 相比之下，在本文中描述的各方面中，局部應(yīng)力效應(yīng)(例如，機(jī)械效應(yīng)、電氣效應(yīng)、 老化效應(yīng)等)可以通過(guò)斬波和/或DEM來(lái)補(bǔ)償。此外，如果參考電路(例如，帶隙參考等)本身 和(一個(gè)或多個(gè))應(yīng)力傳感器和相關(guān)聯(lián)的ADC具有通過(guò)斬波和/或DEM補(bǔ)償?shù)木植渴?例如， 由局部應(yīng)力效應(yīng)引起），則得到的準(zhǔn)確度具有倍增效應(yīng)，如上所述。
[0070] 通過(guò)組合對(duì)全局和局部應(yīng)力效應(yīng)二者的補(bǔ)償，產(chǎn)生了利用常規(guī)系統(tǒng)本來(lái)不可能的 很多結(jié)果。例如，甚至實(shí)現(xiàn)更可預(yù)測(cè)的應(yīng)力系數(shù)和相關(guān)性，這對(duì)應(yīng)力補(bǔ)償具有顯著影響，因 為系統(tǒng)將不具有個(gè)性化的應(yīng)力補(bǔ)償，因此不同樣本的并且針對(duì)不同生產(chǎn)批次的該系數(shù)的穩(wěn) 定性將影響個(gè)體樣本中的實(shí)際應(yīng)力補(bǔ)償。因此，通過(guò)提供更穩(wěn)定的系數(shù)，本文描述的各方面 可以在個(gè)體樣本的壽命內(nèi)提高參考的穩(wěn)定性。此外，本文討論的實(shí)施例可以采用二次或曲 率補(bǔ)償，而在常規(guī)系統(tǒng)中，期望的曲率補(bǔ)償由于老化或封裝效應(yīng)而被破壞。在本文中描述的 各方面中，應(yīng)力敏感電路的電氣壽命漂移可以通過(guò)局部應(yīng)力組件(例如，DEM組件、斬波器、 自動(dòng)調(diào)零組件等）來(lái)補(bǔ)償。此外，當(dāng)排除局部失配(例如，通過(guò)斬波或DEM)時(shí)，從全局到局部 應(yīng)力效應(yīng)的相關(guān)性可以用于補(bǔ)償。在各個(gè)方面中，即使當(dāng)應(yīng)力的效應(yīng)在不同方向上明顯不 同（例如，到溝槽且接近溝槽的電阻器，或者垂直于溝槽并且接近溝槽電阻器)時(shí)，也可以補(bǔ) 償應(yīng)力效應(yīng)。由于如本文討論的對(duì)應(yīng)力效應(yīng)的補(bǔ)償?shù)男再|(zhì)，帶隙可以甚至在封裝之前在晶 圓上被修整，因?yàn)榉庋b效應(yīng)有效地通過(guò)補(bǔ)償來(lái)消除。此外，在采用ADC的各方面中，ADC的時(shí) 鐘可以被劃分和以同步方式用于局部應(yīng)力補(bǔ)償組件的任何斬波、自動(dòng)調(diào)零或DEM。
[0071] 本公開所說(shuō)明的實(shí)施例的以上描述，包括摘要中描述的內(nèi)容，不意在是窮舉的或 將所公開的實(shí)施例限制為所公開的確切形式。盡管再在本文中出于說(shuō)明性目的描述了特定 實(shí)施例和示例，但是如相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人員可以認(rèn)識(shí)到的，在這樣的實(shí)施例和示例的范圍內(nèi) 考慮的各種修改是可能的。
[0072] 在這方面，盡管已經(jīng)結(jié)合各種實(shí)施例和對(duì)應(yīng)附圖描述了所公開的主題，但是在適 當(dāng)時(shí)，應(yīng)當(dāng)理解，可以使用其他類似的實(shí)施例，或者可以對(duì)所描述的實(shí)施例進(jìn)行修改和添 加，以用于在不與公開的主題偏離的情況下執(zhí)行所公開的主題的相同、類似、替代或替換的 功能。因此，所公開的主題不應(yīng)當(dāng)被限制為在本文中描述的任何單個(gè)實(shí)施例，而是應(yīng)當(dāng)根據(jù) 以下所附權(quán)利要求在寬度和范圍方面被解釋。
[0073] 具體地，關(guān)于由上述組件或結(jié)構(gòu)(套件、設(shè)備、電路、系統(tǒng)等)執(zhí)行的各種功能，除非 另有說(shuō)明，否則用于描述這樣的組件的術(shù)語(yǔ)(包括對(duì)"裝置"的提及)意在對(duì)應(yīng)于執(zhí)行所描述 的組件的特定功能(例如，在功能上是等效）的任何組件或結(jié)構(gòu)，即使在結(jié)構(gòu)上不等同于執(zhí) 行本文中說(shuō)明的示例性實(shí)現(xiàn)中的功能的所公開的結(jié)構(gòu)。此外，盡管可能已經(jīng)關(guān)于若干實(shí)現(xiàn) 中的僅一個(gè)公開了具體特征，但是這樣的特征可以與其他實(shí)現(xiàn)的一個(gè)或多個(gè)其他特征組 合，如可能期望并且有利于任何給定或具體的應(yīng)用的。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種系統(tǒng)，包括： 參考電路，配置為生成至少一個(gè)參考信號(hào)，其中，參考電路包括具有局部應(yīng)力補(bǔ)償組件 的第一集合，局部應(yīng)力補(bǔ)償組件被配置為補(bǔ)償所述至少一個(gè)參考信號(hào)上的應(yīng)力效應(yīng)，其中， 所述至少一個(gè)參考信號(hào)包括參考電壓、參考電流或參考時(shí)鐘頻率中的至少一個(gè);以及 全局應(yīng)力補(bǔ)償組件，包括一個(gè)或多個(gè)應(yīng)力傳感器，所述一個(gè)或多個(gè)應(yīng)力傳感器配置為 感測(cè)與所述系統(tǒng)相關(guān)聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)應(yīng)力分量，其中，全局應(yīng)力補(bǔ)償組件被配置為至少部 分地基于感測(cè)的一個(gè)或多個(gè)應(yīng)力分量來(lái)補(bǔ)償所述至少一個(gè)參考信號(hào)上的應(yīng)力效應(yīng)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，具有局部應(yīng)力補(bǔ)償組件的第一集合包括第一動(dòng)態(tài) 元件匹配(DEM)組件，第一動(dòng)態(tài)元件匹配組件被配置為采用DEM來(lái)在參考電路的多個(gè)晶體管 或參考電路的多個(gè)電阻器中的至少一個(gè)之間循環(huán)，以補(bǔ)償所述至少一個(gè)參考信號(hào)上的應(yīng)力 效應(yīng)。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，參考電路包括電流鏡，電流鏡包括多個(gè)晶體管，其 中，具有局部應(yīng)力補(bǔ)償組件的第一集合包括第二動(dòng)態(tài)元件匹配(DEM)組件，并且其中，第二 DEM組件被配置為采用DEM來(lái)在電流鏡的所述多個(gè)晶體管之間循環(huán)，以補(bǔ)償所述至少一個(gè)參 考信號(hào)上的應(yīng)力效應(yīng)。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，參考電路包括放大器或模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC) 中的至少一個(gè)，其中，具有局部應(yīng)力補(bǔ)償組件的第一集合包括自動(dòng)調(diào)零組件或斬波器中的 至少一個(gè)，其中，自動(dòng)調(diào)零組件或斬波器被配置為消除放大器或ADC的輸入信號(hào)或輸出信號(hào) 的偏移。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述一個(gè)或多個(gè)應(yīng)力傳感器包括多個(gè)應(yīng)力傳感 器，其中，所述多個(gè)應(yīng)力傳感器中的至少兩個(gè)被配置為感測(cè)所述一個(gè)或多個(gè)應(yīng)力分量中的 不同應(yīng)力分量。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述一個(gè)或多個(gè)應(yīng)力傳感器包括多個(gè)應(yīng)力傳感 器，并且其中，全局應(yīng)力補(bǔ)償組件包括具有局部應(yīng)力補(bǔ)償組件的第二集合，其中，具有局部 應(yīng)力補(bǔ)償組件的第二集合包括動(dòng)態(tài)元件匹配(DEM)組件，動(dòng)態(tài)元件匹配組件配置為采用動(dòng) 態(tài)元件匹配(DEM)來(lái)在所述多個(gè)應(yīng)力傳感器之間循環(huán)，以補(bǔ)償全局應(yīng)力補(bǔ)償組件上的應(yīng)力 效應(yīng)。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，全局應(yīng)力補(bǔ)償組件包括至少一個(gè)溫度傳感器，所 述至少一個(gè)溫度傳感器被配置為感測(cè)與所述系統(tǒng)相關(guān)聯(lián)的至少一個(gè)溫度，其中，全局應(yīng)力 補(bǔ)償組件被配置為至少部分地基于感測(cè)的至少一個(gè)溫度來(lái)補(bǔ)償所述至少一個(gè)參考信號(hào)上 的溫度效應(yīng)。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，全局應(yīng)力補(bǔ)償組件包括傳感器模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換器 (ADC)，傳感器模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換器基于感測(cè)的一個(gè)或多個(gè)應(yīng)力分量來(lái)測(cè)量所述一個(gè)或多個(gè) 應(yīng)力分量。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中，全局應(yīng)力補(bǔ)償組件包括具有局部應(yīng)力補(bǔ)償組件的 第二集合，其中，具有局部應(yīng)力補(bǔ)償組件的第二集合包括傳感器ADC自動(dòng)調(diào)零組件或傳感器 ADC斬波器中的至少一個(gè)，其中，傳感器ADC自動(dòng)調(diào)零組件或傳感器ADC斬波器被配置為消除 傳感器ADC的輸入信號(hào)或輸出信號(hào)的偏移。10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中，全局應(yīng)力補(bǔ)償組件包括補(bǔ)償數(shù)字到模擬轉(zhuǎn)換器 (DAC)，補(bǔ)償數(shù)字到模擬轉(zhuǎn)換器被配置為從傳感器ADC接收輸出信號(hào)，并且生成補(bǔ)償輸出信 號(hào)，其中，全局應(yīng)力補(bǔ)償組件被配置為至少部分地基于調(diào)整所述參考電壓來(lái)補(bǔ)償所述至少 一個(gè)參考信號(hào)上的應(yīng)力效應(yīng)，調(diào)整所述參考電壓基于所述補(bǔ)償輸出信號(hào)。11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括系統(tǒng)模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)或系統(tǒng)時(shí)間 到數(shù)字轉(zhuǎn)換器(TDC)，其中，系統(tǒng)ADC或系統(tǒng)TDC被配置為接收所述至少一個(gè)參考信號(hào)，并且 包括具有本地應(yīng)力補(bǔ)償組件的第三集合，其中，具有本地應(yīng)力補(bǔ)償組件的第三集合包括系 統(tǒng)轉(zhuǎn)換器自動(dòng)調(diào)零組件或系統(tǒng)轉(zhuǎn)換器斬波器中的至少一個(gè)，其中，所述系統(tǒng)轉(zhuǎn)換器自動(dòng)調(diào) 零組件或所述系統(tǒng)轉(zhuǎn)換器斬波器被配置為消除系統(tǒng)ADC或系統(tǒng)TDC的輸入信號(hào)或輸出信號(hào) 的偏移。12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括數(shù)字乘法器，數(shù)字乘法器被配置為接收系 統(tǒng)ADC或系統(tǒng)TDC的輸出信號(hào)，其中，數(shù)字乘法器進(jìn)一步被配置為補(bǔ)償所述至少一個(gè)參考信 號(hào)上的應(yīng)力效應(yīng)或系統(tǒng)ADC或系統(tǒng)TDC上的應(yīng)力效應(yīng)中的至少一個(gè)。13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括系統(tǒng)放大器，系統(tǒng)放大器配置為接收所述 至少一個(gè)參考信號(hào)， 其中，全局應(yīng)力補(bǔ)償組件包括數(shù)字可編程放大器或模擬乘法組件，其中，數(shù)字可編程放 大器或模擬乘法組件被配置為補(bǔ)償所述至少一個(gè)參考信號(hào)上的應(yīng)力效應(yīng)。14. 一種多芯片封裝，包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，多芯片封裝以片堆疊配置 來(lái)布置。15. -種方法，包括： 經(jīng)由參考電路來(lái)生成至少一個(gè)參考信號(hào)，其中，生成參考電壓包括經(jīng)由參考電路來(lái)補(bǔ) 償所述至少一個(gè)參考信號(hào)上的應(yīng)力效應(yīng)，其中，所述至少一個(gè)參考信號(hào)包括參考電壓、參考 電流或參考時(shí)鐘頻率中的至少一個(gè)； 經(jīng)由至少一個(gè)應(yīng)力傳感器來(lái)感測(cè)至少一個(gè)應(yīng)力分量；以及 基于感測(cè)的至少一個(gè)應(yīng)力分量來(lái)補(bǔ)償所述至少一個(gè)參考信號(hào)上的應(yīng)力效應(yīng)。16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，經(jīng)由參考電路來(lái)補(bǔ)償在所述至少一個(gè)參考信號(hào) 上的應(yīng)力效應(yīng)包括:采用動(dòng)態(tài)元件匹配(DEM)以在參考電路的多個(gè)晶體管和參考電路的多 個(gè)電阻器中的至少一個(gè)之間循環(huán)。17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，經(jīng)由參考電路來(lái)補(bǔ)償在所述至少一個(gè)參考信號(hào) 上的應(yīng)力效應(yīng)包括:在參考電路的放大器的輸入信號(hào)或參考電路的放大器的輸出信號(hào)中的 至少一個(gè)處進(jìn)行斬波或自動(dòng)調(diào)零。18. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，感測(cè)至少一個(gè)應(yīng)力分量包括感測(cè)至少兩個(gè)不同 的應(yīng)力分量，并且其中，基于感測(cè)的至少一個(gè)應(yīng)力分量來(lái)補(bǔ)償所述至少一個(gè)參考信號(hào)上的 應(yīng)力效應(yīng)包括:基于感測(cè)的至少兩個(gè)不同的應(yīng)力分量來(lái)補(bǔ)償所述至少一個(gè)參考信號(hào)上的應(yīng) 力效應(yīng)。19. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述至少一個(gè)應(yīng)力傳感器包括多個(gè)應(yīng)力傳感 器，并且方法進(jìn)一步包括采用動(dòng)態(tài)元件匹配(DEM)來(lái)在所述多個(gè)應(yīng)力傳感器之間循環(huán)以補(bǔ) 償所述多個(gè)應(yīng)力傳感器上的應(yīng)力效應(yīng)。 20 · -種應(yīng)力補(bǔ)償系統(tǒng)，包括： 第一電路，被配置為生成第一信號(hào)，其中，第一電路包括動(dòng)態(tài)元件匹配、自動(dòng)調(diào)零或斬 波中的至少一個(gè);以及 全局應(yīng)力補(bǔ)償組件，包括一個(gè)或多個(gè)應(yīng)力傳感器，所述一個(gè)或多個(gè)應(yīng)力傳感器被配置 為感測(cè)與所述系統(tǒng)相關(guān)聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)應(yīng)力分量，其中，全局應(yīng)力補(bǔ)償組件被配置為接收 第一信號(hào)，并且補(bǔ)償?shù)谝恍盘?hào)上的應(yīng)力效應(yīng)。
【文檔編號(hào)】G05D15/01GK105892513SQ201610086900
【公開日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2016年2月16日
【發(fā)明人】M.莫茨
【申請(qǐng)人】英飛凌科技股份有限公司