技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管外延片的生長方法，屬于半導體技術(shù)領(lǐng)域。所述生長方法包括：依次在襯底上生長低溫緩沖層、高溫緩沖層、N型層、MQW層、P型層，所述MQW層包括交替層疊的InGaN量子阱層和GaN量子壘層；量子阱層分成第一類量子阱、第二類量子阱、第三類量子阱三種，第一類量子阱中的量子阱層的生長溫度逐層降低，第二類量子阱中的量子阱層的In含量逐層變化，第三類量子阱中的量子阱層的In含量和Ga含量的比值逐層減小，所有量子阱層沿發(fā)光二極管外延片的生長方向依次屬于第一類量子阱、第二類量子阱、第三類量子阱。本發(fā)明可以有效提高電子波函數(shù)和空穴波函數(shù)的重疊程度，最終提高了LED的發(fā)光效率。

技術(shù)研發(fā)人員：姚振;從穎;胡加輝
受保護的技術(shù)使用者：華燦光電（浙江）有限公司
文檔號碼：201610887200
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.11
技術(shù)公布日：2017.02.22