1.一種連接孔圖形光罩缺點(diǎn)的檢測方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟S01：設(shè)計(jì)一連接孔唯獨(dú)刻蝕工藝的薄膜結(jié)構(gòu)，所述連接孔唯獨(dú)刻蝕工藝的薄膜結(jié)構(gòu)以常規(guī)連接孔/溝槽總刻蝕工藝的薄膜結(jié)構(gòu)為設(shè)計(jì)基礎(chǔ)，所述常規(guī)連接孔/溝槽總刻蝕工藝的薄膜結(jié)構(gòu)包括依次形成于晶圓襯底上的氮摻雜碳層、低k介質(zhì)層、連接孔刻蝕阻擋層、溝槽刻蝕阻擋層、頂層氧化物層、光阻層，所述連接孔唯獨(dú)刻蝕工藝的薄膜結(jié)構(gòu)去除了所述常規(guī)連接孔/溝槽總刻蝕工藝的薄膜結(jié)構(gòu)中的溝槽刻蝕阻擋層；
步驟S02：提供一具有連接孔唯獨(dú)刻蝕工藝的薄膜結(jié)構(gòu)的第一光刻工藝能量/焦距矩陣晶圓，其以連接孔光刻工藝窗口的最外圍條件作為能量/焦距矩陣的起始條件，以一定步階進(jìn)行擴(kuò)展，并在其能量/焦距矩陣中設(shè)置第一監(jiān)控組，其以連接孔光刻工藝窗口的若干外圍條件作為其能量/焦距條件進(jìn)行組合；在進(jìn)行連接孔刻蝕、并省略溝槽圖形形成工藝后，進(jìn)行第一連接孔缺陷檢測，記錄位于第一監(jiān)控組內(nèi)的第一準(zhǔn)光罩缺點(diǎn)坐標(biāo)；
步驟S03：提供一具有連接孔唯獨(dú)刻蝕工藝的薄膜結(jié)構(gòu)的第二光刻工藝能量/焦距矩陣晶圓，其以工藝窗口的基準(zhǔn)條件作為能量/焦距矩陣的起始條件，以一定步階進(jìn)行擴(kuò)展，并在其能量/焦距矩陣中設(shè)置與第一監(jiān)控組位置相同、能量/焦距條件一一對應(yīng)的第二監(jiān)控組；在進(jìn)行連接孔刻蝕、并省略溝槽圖形形成工藝后，進(jìn)行第二連接孔缺陷檢測，根據(jù)所述第一準(zhǔn)光罩缺點(diǎn)坐標(biāo)，定點(diǎn)觀察位于第二監(jiān)控組內(nèi)的相同位置是否存在與第一準(zhǔn)光罩缺點(diǎn)一致的第二準(zhǔn)光罩缺點(diǎn)；
步驟S04：將存在第二準(zhǔn)光罩缺點(diǎn)的所述第二光刻工藝能量/焦距矩陣晶圓流片到連接孔填充平坦化工藝步驟之后，對其進(jìn)行第三連接孔缺陷檢測，以判斷第二準(zhǔn)光罩缺點(diǎn)是否為真正的連接孔圖形光罩缺點(diǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連接孔圖形光罩缺點(diǎn)的檢測方法，其特征在于，在所述第一、第二光刻工藝能量/焦距矩陣晶圓上形成連接孔唯獨(dú)刻蝕工藝的薄膜結(jié)構(gòu)時(shí)，對晶圓襯底上各層次按比例進(jìn)行減薄處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連接孔圖形光罩缺點(diǎn)的檢測方法，其特征在于，所述第一光刻工藝能量/焦距矩陣晶圓的能量/焦距矩陣中，其基準(zhǔn)條件兩側(cè)的兩個最外圍條件以基準(zhǔn)條件為中心向內(nèi)側(cè)以一定步階對稱擴(kuò)展，所述第二光刻工藝能量/焦距矩陣晶圓的能量/焦距矩陣中，其以基準(zhǔn)條件為中心向兩側(cè)外圍條件方向以一定步階對稱擴(kuò)展，所述第一、第二監(jiān)控組分別位于所述第一、第二光刻工藝能量/焦距矩陣晶圓的能量/焦距矩陣的一個中心軸的兩側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的連接孔圖形光罩缺點(diǎn)的檢測方法，其特征在于，所述能量/焦距矩陣中，沿監(jiān)控組所在中心軸的另一相對中心軸，設(shè)有基準(zhǔn)條件組。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連接孔圖形光罩缺點(diǎn)的檢測方法，其特征在于，利用一掃描電鏡，以亮場掃描模式進(jìn)行第一、第二連接孔缺陷檢測。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連接孔圖形光罩缺點(diǎn)的檢測方法，其特征在于，利用一掃描電鏡，以電壓襯度掃描模式進(jìn)行第三連接孔缺陷檢測。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的連接孔圖形光罩缺點(diǎn)的檢測方法，其特征在于，在利用掃描電鏡進(jìn)行連接孔缺陷檢測時(shí)，進(jìn)一步利用透射電鏡進(jìn)行分析，以判斷第二準(zhǔn)光罩缺點(diǎn)是否為真正的連接孔圖形光罩缺點(diǎn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連接孔圖形光罩缺點(diǎn)的檢測方法，其特征在于，所述連接孔刻蝕阻擋層為氧化物硬掩模層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連接孔圖形光罩缺點(diǎn)的檢測方法，其特征在于，所述溝槽刻蝕阻擋層為金屬硬掩膜層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連接孔圖形光罩缺點(diǎn)的檢測方法，其特征在于，所述低k介質(zhì)層為多層結(jié)構(gòu)。