技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種降低背照式CMOS圖像傳感器白像素的方法，其包括：在晶圓完成CMOS圖像傳感器像素區(qū)的工藝之后，對(duì)像素區(qū)表面沉積層間介質(zhì)層；在晶圓保護(hù)層沉積完成后，且在晶圓封裝前，對(duì)晶圓表面進(jìn)行至少一次紫外光照射，以降低背照式CMOS圖像傳感器白像素。因此，本發(fā)明通過(guò)去除氮化硅介質(zhì)層內(nèi)俘獲電荷的方法，從而達(dá)到降低暗電流，減少白像素產(chǎn)生的目的。

技術(shù)研發(fā)人員：蔡彬;范曉;陳昊瑜;王奇?zhèn)?br/>受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華力微電子有限公司
文檔號(hào)碼：201610884399
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.10
技術(shù)公布日：2017.02.22