1.一種降低背照式CMOS圖像傳感器白像素的方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟S1：在晶圓完成CMOS圖像傳感器像素區(qū)的工藝之后，對所述像素區(qū)表面沉積層間介質(zhì)層；
步驟S2：在所述晶圓保護層沉積完成后，且在所述晶圓封裝前，對所述晶圓表面進行至少一次紫外光照射，以降低背照式CMOS圖像傳感器白像素。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低背照式CMOS圖像傳感器白像素的方法，其特征在于，所述的紫外光照射為四次，所述步驟S2具體包括：
步驟S21：對所述晶圓表面進行第一次紫外光照射；
步驟S22：靜置所述晶圓第一預(yù)設(shè)時間后對晶圓表面進行第二次紫外光照射；
步驟S23：靜置所述晶圓第二預(yù)設(shè)時間后對晶圓表面進行第三次紫外光照射；
步驟S24：靜置所述晶圓第三預(yù)設(shè)時間后對晶圓表面進行第四次紫外光照射，以去除所述層間介質(zhì)層內(nèi)俘獲的電荷。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的降低背照式CMOS圖像傳感器白像素的方法，其特征在于，所述第一預(yù)設(shè)時間、第二預(yù)設(shè)時間和第三預(yù)設(shè)時間相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的降低背照式CMOS圖像傳感器白像素的，其特征在于，所述第一預(yù)設(shè)時間、第二預(yù)設(shè)時間和第三預(yù)設(shè)時間為10分鐘。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低背照式CMOS圖像傳感器白像素的方法，其特征在于，所述紫外光所選波長為280nm～330nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低背照式CMOS圖像傳感器白像素的方法，其特征在于，所述紫外光照射環(huán)境溫度控制為110～180℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低背照式CMOS圖像傳感器白像素的方法，其特征在于，所述紫外光強控制在210～270mv/cm2。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低背照式CMOS圖像傳感器白像素的方法，其特征在于，所述紫外光照時間控制為480s。