技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及包括溝槽內(nèi)的特征件的電子器件。具體而言，一種可以被圖形化以限定溝槽和特征件的半導(dǎo)體襯底。在一個(gè)實(shí)施例中，能夠形成溝槽使得在以材料填充了溝槽之后，在襯底薄化操作期間可以使所填充溝槽的底面部分暴露。在另一個(gè)實(shí)施例中，溝槽能夠以熱氧化物來(lái)填充。特征件能夠具有減小在特征件和溝槽壁之間的距離將于隨后的處理期間改變的可能性的形狀。一種結(jié)構(gòu)，能夠至少部分形成于溝槽之內(nèi)，其中該結(jié)構(gòu)能夠通過(guò)利用溝槽的深度而具有相對(duì)大的面積。該結(jié)構(gòu)對(duì)制成諸如無(wú)源零件和穿過(guò)襯底的通孔的電子零件能夠是有用的。限定溝槽并形成結(jié)構(gòu)的工藝序列能夠?qū)τ谠S多不同的工藝流程來(lái)調(diào)整。

技術(shù)研發(fā)人員：小J·M·帕西;G·M·格里瓦納
受保護(hù)的技術(shù)使用者：半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司
文檔號(hào)碼：201610882887
技術(shù)研發(fā)日：2011.07.06
技術(shù)公布日：2016.11.23