本發(fā)明屬于發(fā)光二極管(LED)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種白光LED及背光模組。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的LED主要由LED芯片和LED支架兩部分組成，LED支架作為L(zhǎng)ED芯片在封裝之前的底基座，起到安裝LED芯片、保護(hù)固晶線和封裝成型的作用。LED因具有高色彩表現(xiàn)力、高光效和低功耗等特點(diǎn)，被廣泛用于制作液晶顯示屏的背光源，使得顯示屏能呈現(xiàn)豐富的色彩。液晶顯示屏的色彩表現(xiàn)度常用其在NTSC色域的范圍來衡量，液晶顯示屏在NTSC色域的范圍越高，其色彩的表現(xiàn)力越好，顯示的色彩就越豐富。

現(xiàn)有的液晶顯示屏包括彩色濾光片、背光源和TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)，其中，彩色濾光片由R、G、B三種濾光片組成，這三種濾光片按一定方式排列，并與TFT基板上的TFT子像素一一對(duì)應(yīng)，每個(gè)子像素由R、G、B三個(gè)長(zhǎng)方形色塊組成。當(dāng)背光源發(fā)出的光經(jīng)過彩色濾光片后，就變換成相應(yīng)的R、G、B光，液晶顯示屏再通過TFT陣列來調(diào)節(jié)加在各個(gè)子像素上的電壓值，以改變各色光的投射強(qiáng)度，進(jìn)而混合不同強(qiáng)度的R、G、B色光，實(shí)現(xiàn)彩色的顯示。

液晶顯示屏中的背光源通常采用白光LED，若白光LED中的LED芯片發(fā)射出的光經(jīng)熒光層混合成的白光光譜與彩色濾光片越匹配，則透過彩色濾光片的R、G、B光的單色性就更好，光譜純度更高，發(fā)光顏色更加鮮明，即白光LED在NTSC色域的范圍也就越廣。為了增加白光LED發(fā)射出的白光與彩色濾光片的匹配度，通常會(huì)考慮采用窄半峰寬的紅色熒光粉來制作白光LED，以生成單色性較好的紅光，進(jìn)而擴(kuò)大白光LED在NTSC色域的范圍。但是，由于傳統(tǒng)的紅色熒光粉的半峰寬很寬，而窄半峰寬的新型紅色熒光材料的開發(fā)又進(jìn)展得非常緩慢，這就造成白光LED在NTSC色域的范圍被限制，進(jìn)而導(dǎo)致白光LED的顯色性能無法提升。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述問題，本發(fā)明的其中一個(gè)目的是提供一種白光LED，其NTSC色域得以大幅度提升，能夠降低白光LED高NTSC值對(duì)所需的紅色熒光粉半峰寬的苛刻要求。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的一種白光LED，包括一LED支架，所述LED支架具有用于安裝LED芯片的凹槽，還包括：第一LED芯片，安裝在所述凹槽的底部，所述第一LED芯片是藍(lán)光LED芯片或紫外LED芯片；第二LED芯片，安裝在所述凹槽的底部，與所述第一LED芯片相鄰，所述第二LED芯片是藍(lán)光LED芯片；第一隔離層，設(shè)于所述第一LED芯片與所述第二LED芯片之間，用于防止所述第一LED芯片側(cè)面漏光；紅色熒光轉(zhuǎn)換層，包覆在所述第一LED芯片上；粗化層，設(shè)于所述紅色熒光轉(zhuǎn)換層上，用于對(duì)波長(zhǎng)小于紅光的光進(jìn)行全反射；以及綠色熒光轉(zhuǎn)換層，包覆在所述第二LED芯片上隔離層隔離層。

作為上述方案的改進(jìn)，所述粗化層包括多個(gè)三棱鏡，每個(gè)所述三棱鏡的入射角介于第一臨界角與第二臨界角之間，所述第一臨界角是橙光由所述三棱鏡進(jìn)入所述綠色熒光轉(zhuǎn)換層的臨界角，所述第二臨界角是紅光由所述三棱鏡進(jìn)入所述綠色熒光轉(zhuǎn)換層的臨界角。

作為上述方案的改進(jìn)，在所述粗化層和所述第一隔離層上覆蓋有所述綠色熒光轉(zhuǎn)換層，所述綠色熒光轉(zhuǎn)換層包括第一綠色熒光轉(zhuǎn)換層和第二綠色熒光轉(zhuǎn)換層，所述第一綠色熒光轉(zhuǎn)換層和所述第二綠色熒光轉(zhuǎn)換層由下至上依次層疊分布。

作為上述方案的改進(jìn)，所述第一綠色熒光轉(zhuǎn)換層的折射率大于所述第二綠色熒光轉(zhuǎn)換層的折射率。

作為上述方案的改進(jìn)，所述白光LED還包括：第三LED芯片，設(shè)于所述凹槽的底部，與所述第一LED芯片相鄰，所述第三LED芯片是藍(lán)光LED芯片或紫光LED芯片；第二隔離層，設(shè)于所述第一LED芯片與所述第三LED芯片之間，用于防止所述第一LED芯片側(cè)面漏光；所述第二隔離層和所述第三LED芯片上覆蓋有所述綠色熒光轉(zhuǎn)換層。

作為上述方案的改進(jìn)，所述粗化層設(shè)于所述紅色熒光轉(zhuǎn)換層上的方式為化學(xué)或物理刻蝕、激光表面蝕紋和納米壓印中的一種或多種組合。

作為上述方案的改進(jìn)，所述第一LED芯片包括一個(gè)或多個(gè)；所述第二LED芯片包括一個(gè)或多個(gè)。

作為上述方案的改進(jìn)，所述紅色熒光轉(zhuǎn)換層包含有紅色熒光粉和硅膠，其中，所述紅色熒光粉為氮化物、LaSN無機(jī)發(fā)光材料中的一種或兩種組合。

作為上述方案的改進(jìn)，所述綠色熒光轉(zhuǎn)換層包含有綠色熒光粉和硅膠，其中，所述綠色熒光粉為β-sialon、硅酸鹽、LuAG、GaYAG和鎂鋁酸鹽中的一種或多種組合。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提供一種背光模組，包括上述任一白光LED。

本發(fā)明提供的技術(shù)方案具有如下有益效果：

1、采用本發(fā)明結(jié)構(gòu)的白光LED，其在第一LED芯片與第二LED芯片之間設(shè)有用于防止第一LED芯片側(cè)面漏光的第一隔離層，且在紅色熒光轉(zhuǎn)換層上覆蓋有對(duì)波光小于紅光的光進(jìn)行全反射的粗化層，就能將紅色熒光轉(zhuǎn)換層中波長(zhǎng)小于紅光的光隔離，僅讓紅光進(jìn)入綠色熒光轉(zhuǎn)換層，使得紅光的半峰寬窄化，提升紅光的單色性，擴(kuò)大白光LED在NTSC色域的范圍。

2、采用本發(fā)明結(jié)構(gòu)的白光LED，和傳統(tǒng)的紅色熒光粉封裝的LED器件相比，其在不使用窄半峰寬的紅色熒光轉(zhuǎn)換層的情況下，就能排除紅光與綠光重疊部分對(duì)紅光半峰寬的影響，降低白色LED高NTSC色域?qū)t色熒光轉(zhuǎn)換層窄半峰寬的苛刻要求，增加廣色域器件對(duì)紅色熒光轉(zhuǎn)換層的選擇范圍。

3、采用本發(fā)明結(jié)構(gòu)的白光LED，和傳統(tǒng)的綠色熒光粉封裝的LED器件相比，其產(chǎn)生進(jìn)入綠色熒光轉(zhuǎn)換層的紅光單色性好，可降低白色LED高NTSC色域?qū)G色熒光轉(zhuǎn)換層窄半峰寬的苛刻要求，增加廣色域器件對(duì)綠色熒光轉(zhuǎn)換層的選擇范圍。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例1的一種白光LED的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明實(shí)施例1中三棱鏡的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本發(fā)明實(shí)施例2的一種白光LED的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4是本發(fā)明實(shí)施例3的一種白光LED的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5是本發(fā)明實(shí)施例4的一種白光LED的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于此描述的其他方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。

本發(fā)明提供一種白光LED，該白光LED包括：一LED支架，該LED支架具有用于安裝LED芯片的凹槽；安裝在所述凹槽的底部的第一LED芯片和第二LED芯片，其中，第一LED芯片是藍(lán)光LED芯片或紫外LED芯片，第二LED芯片是藍(lán)光LED芯片；設(shè)于第一LED芯片和第二LED芯片之間用于防止第一LED芯片側(cè)面漏光的第一隔離層；覆蓋于第一LED芯片上的紅色熒光轉(zhuǎn)換層；設(shè)于該紅色熒光轉(zhuǎn)換層的粗化層，該粗化層用于對(duì)波長(zhǎng)小于紅光的光進(jìn)行全反射；以及覆蓋于第二LED芯片上的綠色熒光轉(zhuǎn)換層。第一LED芯片發(fā)出藍(lán)光或紫外光，其中部分藍(lán)光或紫外光激發(fā)紅色熒光轉(zhuǎn)換層產(chǎn)生紅光，該紅光透過粗化層進(jìn)入綠色熒光轉(zhuǎn)換層，第二LED芯片發(fā)出藍(lán)光，藍(lán)光中的一部分進(jìn)入綠色熒光轉(zhuǎn)換層，另一部分激發(fā)綠色熒光轉(zhuǎn)換層產(chǎn)生綠光，綠色熒光轉(zhuǎn)換層中的紅光、藍(lán)光和綠光混合形成白光。

由于凹槽的側(cè)面與第一隔離層圍成隔離墻可有效防止第一LED芯片側(cè)面漏光，并且粗化層將波長(zhǎng)小于紅光波長(zhǎng)的光隔離，避免其進(jìn)入綠色熒光轉(zhuǎn)換層，而只讓紅光透過，可以使紅光的半峰寬窄化，提升紅光的單色性，擴(kuò)大白光LED在NTSC色域的范圍；同時(shí)，該白光LED在不使用窄半峰寬的紅色熒光轉(zhuǎn)換層的情況下，就能排除紅光與綠光重疊部分對(duì)紅光半峰寬的影響，降低白光LED高NTSC色域?qū)t色熒光轉(zhuǎn)換層窄半峰寬的苛刻要求，增加廣色域器件對(duì)紅色熒光轉(zhuǎn)換層的選擇范圍。另外，因?yàn)橥高^粗化層的光僅為紅光，其純色度高，可進(jìn)一步降低白光LED高NTSC色域?qū)G色熒光轉(zhuǎn)換層窄半峰寬的苛刻要求，增加廣色域器件對(duì)綠色熒光轉(zhuǎn)換層的選擇范圍。

下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)一步進(jìn)行詳細(xì)說明：

實(shí)施例1

參見圖1，是本發(fā)明實(shí)施例1的一種白光LED的結(jié)構(gòu)示意圖。

本發(fā)明實(shí)施例1所提供的白光LED包括：設(shè)于LED支架10的凹槽底部的第一LED芯片11和第二LED芯片12、設(shè)于第一LED芯片11和第二LED芯片12之間的第一隔離層16、覆蓋于第一LED芯片11上的紅色熒光轉(zhuǎn)換層13、設(shè)于紅色熒光轉(zhuǎn)換層13上的粗化層14以及覆蓋于第二LED芯片12上的綠色熒光轉(zhuǎn)換層15，其中，紅色熒光轉(zhuǎn)換層13用于產(chǎn)生紅光，第一隔離層16與LED支架10的凹槽側(cè)面圍成用于防止第一LED芯片11側(cè)面漏光的隔離墻，粗化層14用于對(duì)波長(zhǎng)小于紅光的光進(jìn)行全反射且僅透過紅光，綠色熒光轉(zhuǎn)換層15用于產(chǎn)生綠光。

本發(fā)明的白光LED中，第一LED芯片11可以是藍(lán)光LED芯片或紫外LED芯片，第一LED芯片11用于發(fā)出藍(lán)光或紫外光，其中部分藍(lán)光或紫外光激發(fā)紅色熒光轉(zhuǎn)換層13產(chǎn)生紅光，紅光透過粗化層14進(jìn)入綠色熒光轉(zhuǎn)換層15；第二LED芯片12是藍(lán)光LED芯片，該藍(lán)光LED芯片發(fā)出藍(lán)光，一部分藍(lán)光進(jìn)入綠色熒光轉(zhuǎn)換層15，另一部分藍(lán)光激發(fā)綠色熒光轉(zhuǎn)換層15產(chǎn)生綠光；進(jìn)入綠色熒光轉(zhuǎn)換層15的紅光、藍(lán)光和綠光混合成白光。其中，紅色熒光轉(zhuǎn)換層13包含有紅色熒光粉和硅膠，該紅色熒光粉為氮化物、LaSN無機(jī)發(fā)光材料中的一種或多種組合；綠色熒光轉(zhuǎn)換層15包含有綠色熒光粉和硅膠，該綠色熒光粉為β-sialon、硅酸鹽、LuAG、GaYAG和鎂鋁酸鹽中的一種或多種組合。

優(yōu)選地，第一隔離層16的上邊緣與紅色熒光轉(zhuǎn)換層13的上表面齊平。

由于第一隔離層16與LED支架10的凹槽側(cè)面圍成隔離墻，該隔離墻能有效防止第一LED芯片11側(cè)面漏光，使得第一LED芯片11發(fā)出的藍(lán)光或紫紫外光，以及由部分藍(lán)光或紫外光激發(fā)紅色熒光轉(zhuǎn)換層13所產(chǎn)生的紅光都朝向粗化層14方向出光，而粗化層14對(duì)波長(zhǎng)小于紅光的光進(jìn)行全反射，僅僅讓紅光透過，可有效避免波長(zhǎng)小于紅光的光進(jìn)入綠色熒光轉(zhuǎn)換層15，窄化紅光的半峰寬，提升紅光的單色性，從而擴(kuò)大白光LED在NTSC色域的范圍。另外，本發(fā)明的白光LED中的紅光熒光轉(zhuǎn)換層13在不使用窄半峰寬的紅色熒光粉的情況下，就能有效隔離紅光與綠光的重疊部分，可降低白光LED高NTSC色域?qū)λ杓t色熒光粉為窄半峰寬的苛刻要求，增加廣色域器件對(duì)紅色熒光粉的選擇范圍；同時(shí)，由于粗化層14將不利于寬范圍NTSC色域的光隔離，也進(jìn)一步降低白光LED高NTSC色域?qū)λ杈G色熒光粉為窄半峰寬的苛刻要求。

需要注意的是，本發(fā)明所述的第一LED芯片和第二LED芯片在LED支架凹槽內(nèi)的布置包括但不限于附圖1所示，其還可以為其它的布置，比如第一LED芯片的出光面可高于第二LED芯片的出光面，或者第一LED芯片的出光面還可以低于第二LED芯片的出光面等，這些變化均不會(huì)對(duì)本發(fā)明所獲得的技術(shù)效果構(gòu)成影響，因此，其屬于本發(fā)明的等效保護(hù)范圍。

實(shí)施例2

本實(shí)施例提供了一種白光LED，其和實(shí)施例1基本相同，對(duì)于相同之處不在贅述，下面對(duì)不同之處進(jìn)行說明。

本實(shí)施例提供的白光LED與實(shí)施例1相比，其不同之處在于：本實(shí)施例的白光LED其粗化層14可采用多個(gè)三棱鏡141制成，其中，每個(gè)三棱鏡141的底面與紅色熒光轉(zhuǎn)換層13的上表面連接且依次緊挨排列，該三棱鏡141的入射角142介于第一臨界角與第二臨界角之間，其中，第一臨界角為峰值波長(zhǎng)為600nm的橙光由三棱鏡141進(jìn)入第一綠色熒光轉(zhuǎn)換層15的臨界角，第二臨界角為峰值波長(zhǎng)為620nm的紅光由三棱鏡141進(jìn)入第一綠色熒光轉(zhuǎn)換層15的臨界角。

在本實(shí)施例中，由于三棱鏡141的入射角142大于第一臨界角且小于第二臨界角，當(dāng)峰值波長(zhǎng)為600nm橙光及該橙光以下的光入射到三棱鏡141與綠色熒光轉(zhuǎn)換層15的臨界面時(shí)，會(huì)發(fā)生全反射，使得600nm橙光及其以下的光被反射回紅色熒光轉(zhuǎn)換層13；當(dāng)峰值波長(zhǎng)為600nm橙光以上的紅光入射到三棱鏡141與綠色熒光轉(zhuǎn)換層15的臨界面時(shí)，就會(huì)折射至綠色熒光轉(zhuǎn)換層15，進(jìn)而使得紅光的半峰寬窄化。例如，峰值波長(zhǎng)為600nm的橙光在三棱鏡141與綠色熒光轉(zhuǎn)換層15的臨界面的臨界角為41.34度，峰值波長(zhǎng)為620nm的紅光在三棱鏡141與綠色熒光轉(zhuǎn)換層15的臨界面的臨界角為41.8度，三棱鏡141的入射角為41.7度。當(dāng)峰值波長(zhǎng)小于等于600nm的可見光入射到三棱鏡141與綠色熒光轉(zhuǎn)換層15的臨界面時(shí)，則發(fā)生全反射；而峰值波長(zhǎng)大于等于620nm的紅光在入射到三棱鏡141與綠色熒光轉(zhuǎn)換層15的臨界面時(shí)，則折射至綠色熒光轉(zhuǎn)換層15。

優(yōu)選地，為提高三棱鏡入射角的精度，本發(fā)明的實(shí)施例2中的白光LED中可采用化學(xué)或物理刻蝕、激光表面蝕紋和納米壓印中的一種或多種組合的方式將三棱鏡141設(shè)于紅色熒光轉(zhuǎn)換層13的上表面。

優(yōu)選地，在本發(fā)明實(shí)施例1～2中，紅色熒光轉(zhuǎn)換層13可由峰值波長(zhǎng)為640nm的氮化物紅色熒光材料與硅膠混合而成，綠色熒光轉(zhuǎn)換層15可由峰值波長(zhǎng)為535nm的氮化物綠色材料跟硅膠混合而成；其中紅色熒光轉(zhuǎn)換層13的折射率大于綠色熒光轉(zhuǎn)換層15的折射率，例如，紅色熒光轉(zhuǎn)換層13的折射率為1.57，綠色熒光轉(zhuǎn)換層15的折射率為1.54。

實(shí)施例3

參見圖3，是本發(fā)明實(shí)施例3的一種白光LED的結(jié)構(gòu)示意圖。

本發(fā)明實(shí)施例3所提供的白光LED與實(shí)施例1中的白光LED相似，其不同之處在于，該白光LED還包括：第三LED芯片17，設(shè)于LED支架10的凹槽底部，與第一LED芯片11相鄰，第三LED芯片可以是紫光LED芯片或藍(lán)光LED芯片；第二隔離層18，設(shè)于第三LED芯片17與第一LED芯片11之間；第三LED芯片17上覆蓋有綠色熒光轉(zhuǎn)換層15。在本實(shí)施例中，第一隔離層16、第二隔離層18和LED支架10的凹槽側(cè)面圍成隔離墻，用于防止第一LED芯片11側(cè)面漏光，由于同時(shí)采用藍(lán)光LED芯片11和第三LED芯片17來激發(fā)綠色熒光轉(zhuǎn)換層15，可大幅度提升綠色熒光轉(zhuǎn)換層15的激發(fā)效率，從而提高白光LED的發(fā)光亮度。

優(yōu)選地，在本發(fā)明實(shí)施例3中，紅色熒光轉(zhuǎn)換層13可由峰值波長(zhǎng)為640nm的氮化物紅色熒光材料跟硅膠混合而成；綠色熒光轉(zhuǎn)換層15可由峰值波長(zhǎng)為520nm鎂鋁酸鹽綠色材料跟硅膠混合而成；其中，其中紅色熒光轉(zhuǎn)換層13的折射率大于綠色熒光轉(zhuǎn)換層15的折射率，例如，紅色熒光轉(zhuǎn)換層13的折射率為1.54，綠色熒光轉(zhuǎn)換層15的折射率為1.4，則值波長(zhǎng)為600nm的橙光在三棱鏡141與綠色熒光轉(zhuǎn)換層15的臨界面的臨界角為41.38度，峰值波長(zhǎng)為620nm的紅光在三棱鏡141與綠色熒光轉(zhuǎn)換層15的臨界面的臨界角為41.85度，三棱鏡141的入射角為41.8度。

為了簡(jiǎn)化說明，在上述實(shí)施例1～3中，示出了在LED支架10的凹槽底部設(shè)置單顆第一LED芯片11和單顆第二LED芯片12的例子?？梢岳斫獾?，如圖4所示，還可以通過在LED支架10的凹槽底部設(shè)置至少兩顆第一LED芯片11和至少兩顆第二LED芯片12來增加白光LED的發(fā)光強(qiáng)度。

實(shí)施例4

參見圖5，是本發(fā)明實(shí)施例4的一種白光LED的結(jié)構(gòu)示意圖。

本發(fā)明實(shí)施例4所提供的白光LED與實(shí)施例1中的白光LED相似，其不同之處在于，所述綠色熒光轉(zhuǎn)換層15覆蓋于第二LED芯片12、第一隔離層16和粗化層14上，該綠色熒光轉(zhuǎn)換層15包括第一綠色熒光轉(zhuǎn)換層151和第二綠色熒光轉(zhuǎn)換層152，第一綠色熒光轉(zhuǎn)換層151和第二綠色熒光轉(zhuǎn)換層152由下至上依次層疊分布。由于第二綠色熒光轉(zhuǎn)換層152距離第一LED芯片11和第二LED芯片12的距離較遠(yuǎn)，可減小因第一LED芯片11和第二LED芯片12產(chǎn)生的熱量對(duì)第二綠色熒光轉(zhuǎn)換層152中波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換功能產(chǎn)生的劣化影響，從而有效的保證該白光LED在擴(kuò)大NTSC色域范圍的同時(shí)還具備高可靠性。

優(yōu)選地，第二綠色熒光轉(zhuǎn)換層152的顯色指數(shù)大于第一綠色熒光轉(zhuǎn)換層151的顯色指數(shù)。例如，第一綠色熒光轉(zhuǎn)換層151采用峰值波長(zhǎng)為520nm的氮化物綠色材料跟硅膠混合而成，第二綠色熒光轉(zhuǎn)換層152采用峰值波長(zhǎng)為530nm的氮化物綠色材料跟硅膠混合而成，由于第二綠色熒光轉(zhuǎn)換層152的顯色指數(shù)大于第一綠色熒光轉(zhuǎn)換層151的顯色指數(shù)，則在第一綠色熒光轉(zhuǎn)換層151中混合的白光進(jìn)入第二綠色熒光轉(zhuǎn)換層152后，就提升了其顯色性能。

優(yōu)選地，第一綠色熒光轉(zhuǎn)換層151的折射率大于第二綠色熒光轉(zhuǎn)換層152的折射率，可避免在第一綠色熒光轉(zhuǎn)換層151中混合的白光進(jìn)入第二綠色熒光轉(zhuǎn)換層152時(shí)產(chǎn)生全反射，還可提升白光LED的聚光能力。

實(shí)施例5

本發(fā)明還提供一種背光模組，包括上述任一種白光LED。采用本發(fā)明中的白光LED制成的背光模組，其在NTSC色域的范圍較廣，色彩表現(xiàn)效果較好，且具備高可靠性；再者，運(yùn)用本發(fā)明背光模組制成的液晶顯示屏，其在NTSC色域的范圍較高，可呈現(xiàn)較豐富的色彩，進(jìn)而能夠使觀眾體驗(yàn)到良好的視覺效果。

以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明做任何形式上的限制，故凡未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。