1.一種提高多孔硅物理結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性均勻性的方法，其特征在于，在腐蝕液中添加臭氧，在制備多孔硅過程中，一方面，由臭氧中的氧原子將多孔硅內(nèi)表面硅柱上硅原子的懸空鍵或氫鍵用氧原子取代，在多孔硅內(nèi)表面形成一層硅-氧鍵構(gòu)成的膜，一方面，由腐蝕液中的氫氟酸與多孔硅內(nèi)表面的硅-氧鍵反應(yīng)，腐蝕掉部分內(nèi)表面的硅-氧鍵，從而導(dǎo)致在多孔硅膜沿縱向方向上的隨腐蝕深度增加而腐蝕的硅-氧鍵減少的特點。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高多孔硅物理結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性均勻性的方法，其特征在于，臭氧的添加量為10-150ppm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的提高多孔硅物理結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性均勻性的方法，其特征在于，在腐蝕電路中串聯(lián)一個矩形脈沖電子開關(guān)，以產(chǎn)生一矩形恒流腐蝕電流。