技術(shù)編號：12612175
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種提高多孔硅物理結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性均勻性的新方法。背景技術(shù)自Uhlir在氫氟酸(HF)溶液中對硅片進行電化學(xué)拋光處理時發(fā)現(xiàn)了多孔硅材料以來；多孔硅材料已經(jīng)在光電子材料、光學(xué)器件、太陽能電池以及傳感器技術(shù)等方面廣泛地研究并應(yīng)用，但急需解決的瓶頸問題之一是多孔硅膜（尤其是厚膜多孔硅）物理結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性不均勻性。由于其物理結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性均勻性一直沒有得到有效改善，限制其廣泛應(yīng)用。據(jù)有關(guān)文獻報道，多孔硅材料的特性如多孔度、折射率、物理厚度、均勻性、表面和界面平整度、孔徑和...
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