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顯示面板、顯示裝置、陣列基板及其制作方法與流程

文檔序號(hào):11836699閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種陣列基板的制作方法,其特征在于,包括:

提供第一基板,所述第一基板表面具有像素驅(qū)動(dòng)膜層以及位于所述像素驅(qū)動(dòng)膜層背離所述第一基板表面的平坦層;

對(duì)所述平坦層進(jìn)行減薄處理,形成凹槽,所述凹槽深入部分所述平坦層;

在所述平坦層背離所述第一基板一側(cè)依次形成導(dǎo)電層和鈍化層;

在所述鈍化層與所述凹槽對(duì)應(yīng)區(qū)域進(jìn)行刻蝕,形成通孔,所述通孔貫穿所述鈍化層和其他所述平坦層,所述通孔在所述第一基板上的投影位于所述凹槽在所述第一基板上的投影內(nèi);

在所述鈍化層背離所述第一基板一側(cè)表面形成像素電極層,所述像素電極層通過(guò)所述凹槽和通孔與所述像素驅(qū)動(dòng)膜層連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述像素驅(qū)動(dòng)膜層的形成過(guò)程包括:

在所述第一基板表面形成沿第一方向排列的多條柵極線、沿第二方向排列的多條數(shù)據(jù)線以及位于所述柵極線與所述數(shù)據(jù)線限定區(qū)域中的薄膜晶體管,所述第一方向與所述第二方向交叉,其中,所述像素電極層通過(guò)所述凹槽和通孔與所述薄膜晶體管的漏極連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述對(duì)所述平坦層進(jìn)行減薄處理,形成凹槽包括:

利用半色調(diào)掩膜板對(duì)所述平坦層進(jìn)行曝光,然后再對(duì)曝光后的平坦層進(jìn)行顯影,去除位于所述半色調(diào)掩膜板覆蓋區(qū)域的部分平坦層;

對(duì)所述平坦層進(jìn)行退火處理,形成凹槽,所述凹槽在所述第一基板上的投影與所述薄膜晶體管的漏極在所述第一基板上的投影至少部分重疊。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述在所述鈍化層與所述凹槽對(duì)應(yīng)區(qū)域進(jìn)行刻蝕,形成通孔包括:

在所述鈍化層背離所述第一基板一側(cè)表面涂覆光刻膠;

利用掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光,再對(duì)曝光后的光刻膠進(jìn)行顯影,顯影后形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域;其中,所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于所述薄膜晶體管的漏極區(qū)域;

以曝光顯影后的光刻膠為掩膜對(duì)所述鈍化層進(jìn)行刻蝕,去除位于所述光刻膠完全去除區(qū)域的鈍化層及平坦層,形成通孔;

將剩下的光刻膠剝離。

5.一種陣列基板,其特征在于,包括:

第一基板,所述第一基板表面具有像素驅(qū)動(dòng)膜層以及位于所述像素驅(qū)動(dòng)膜層背離所述第一基板表面的平坦層;

位于所述平坦層背離所述第一基板一側(cè)的導(dǎo)電層和鈍化層;

位于所述鈍化層背離所述第一基板一側(cè)表面的像素電極層,所述像素電極層通過(guò)凹槽和通孔與所述像素驅(qū)動(dòng)膜層連接,所述凹槽深入部分所述平坦層,所述通孔貫穿所述鈍化層和其他所述平坦層,所述通孔在所述第一基板上的投影位于所述凹槽在所述第一基板上的投影內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板,其特征在于,所述像素驅(qū)動(dòng)膜層包括:位于所述第一基板表面沿第一方向排列的多條柵極線、沿第二方向排列的多條數(shù)據(jù)線以及位于所述柵極線與所述數(shù)據(jù)線限定區(qū)域中的薄膜晶體管,所述第一方向與所述第二方向交叉,其中,所述像素電極層通過(guò)所述凹槽和通孔與所述薄膜晶體管的漏極連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述凹槽、所述通孔在垂直于所述第一基板且沿所述柵極線延伸方向上的截面為梯形,且所述梯形的短邊位于其長(zhǎng)邊和所述第一基板之間,所述梯形的長(zhǎng)邊為所述梯形的一組平行邊中長(zhǎng)度較長(zhǎng)的一條邊,所述梯形的短邊為所述梯形的一組平行邊中長(zhǎng)度較短的一條邊。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板,其特征在于,所述通孔與所述鈍化層在垂直于所述第一基板方向上的厚度差由預(yù)設(shè)公式確定;

所述預(yù)設(shè)公式為:其中,D2為所述通孔與所述鈍化層在垂直于所述第一基板方向上的厚度差;L1≤3.5μm,為所述通孔的長(zhǎng)邊長(zhǎng)度;L2為所述通孔的短邊長(zhǎng)度,其取值范圍為0μm-L1,不包括端點(diǎn)值;θ為所述通孔短邊一側(cè)內(nèi)角的補(bǔ)角。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板,其特征在于,所述凹槽在所述通孔兩側(cè)保留的底面長(zhǎng)度大于所述鈍化層在平行于所述第一基板方向上的厚度。

10.一種顯示面板,其特征在于,包括相對(duì)設(shè)置的陣列基板和對(duì)向基板,其中,所述陣列基板為權(quán)利要求5-9任一項(xiàng)所述的陣列基板。

11.一種顯示裝置,其特征在于,包括至少一個(gè)如權(quán)利要求10所述的顯示面板。

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