技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種于主動區(qū)域中具有柵極接觸的三維半導體晶體管，該三維晶體管包含半導體襯底、連結(jié)至該襯底的鰭片，該鰭片包含橫跨該鰭片的頂部的主動區(qū)域，該主動區(qū)域包含源極、漏極及在該源極與漏極之間的溝道區(qū)域。該晶體管更包含位在該溝道區(qū)域上方的柵極、以及位在該主動區(qū)域中的柵極接觸，沒有部分該柵極接觸電性連結(jié)至該源極或漏極。該晶體管在制造期間是通過移除位在該柵極接觸下方的該源極/漏極接觸的一部分而達成。

技術(shù)研發(fā)人員：謝瑞龍;A·拉邦特;A·諾爾
受保護的技術(shù)使用者：格羅方德半導體公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.27
技術(shù)公布日：2017.08.11