技術(shù)編號(hào):11587044
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般是關(guān)于三維半導(dǎo)體晶體管及其制造。尤其,本發(fā)明是關(guān)于用于三維半導(dǎo)體晶體管的柵極接觸及其在主動(dòng)區(qū)域中沒(méi)有柵極至源極/漏極短路的制造。背景技術(shù)現(xiàn)有的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造將柵極接觸放置在主動(dòng)區(qū)域的外部,以避免柵極接觸至源極/漏極接觸短路。然而,此方法可能造成設(shè)計(jì)限制并使用更多的面積。當(dāng)半導(dǎo)體裝置持續(xù)縮減時(shí),半導(dǎo)體面積損耗的問(wèn)題愈來(lái)愈多。因此,存在減少三維半導(dǎo)體晶體管的占用面積同時(shí)允許向下縮減的需求。發(fā)明內(nèi)容在一個(gè)態(tài)樣中,本發(fā)明通過(guò)于主動(dòng)區(qū)域中形成柵極接觸的方法,克服...
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