本申請是已經(jīng)于2012年9月19日提交的國際申請?zhí)枺簆ct/ep2012/068431,國家申請?zhí)枺?01280048326.0，發(fā)明名稱為：“光電子半導(dǎo)體芯片和用于制造光電子半導(dǎo)體芯片的方法”的pct國際申請的分案申請。

提出一種光電子半導(dǎo)體芯片。此外，提出一種用于制造這樣的光電子半導(dǎo)體芯片的方法。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

待實現(xiàn)的目的在于，提出一種特別高效節(jié)能地發(fā)射輻射的光電子半導(dǎo)體芯片。

根據(jù)光電子半導(dǎo)體芯片的至少一個實施形式，所述光電子半導(dǎo)體芯片包括半導(dǎo)體層序列。半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體層序列優(yōu)選基于iii-v族化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料優(yōu)選是氮化物化合物半導(dǎo)體材料如alnin1-n-mgamn或也是磷化物化合物半導(dǎo)體材料如alnin1-n-mgamp，其中分別有0≤n≤1，0≤m≤1并且n+m≤1。同樣地，半導(dǎo)體材料能夠是alxga1-xas，其中0≤x≤1。在此，半導(dǎo)體層序列能夠具有摻雜物以及附加的組成部分。然而，為了簡單性僅說明半導(dǎo)體層序列的晶格的主要組成部分，即al、as、ga、in、n或p，即使這些主要組成部分能夠部分地由少量的其他物質(zhì)替代和/或補充時也如此。

半導(dǎo)體層序列包含具有至少一個pn結(jié)和/或具有一個或多個量子阱結(jié)構(gòu)的有源層。在半導(dǎo)體芯片運行時，在有源層中產(chǎn)生電磁輻射。輻射的波長優(yōu)選位于紫外的和/或可見的光譜范圍中、尤其位于在420nm和680nm之間、例如在440nm和480nm之間的波長處，其中包括邊界值。

根據(jù)至少一個實施形式，半導(dǎo)體芯片是發(fā)光二極管，簡稱led。此外，半導(dǎo)體芯片優(yōu)選設(shè)立為用于發(fā)射藍光或白光。

根據(jù)至少一個實施形式，半導(dǎo)體芯片包括銀鏡。銀鏡設(shè)置在半導(dǎo)體層序列上并且設(shè)立為用于反射在有源層中產(chǎn)生的輻射，尤其沿朝向半導(dǎo)體芯片的輻射出射面的方向反射。銀鏡優(yōu)選鏡面反射。因此，換言之，銀鏡不是漫反射的鏡。

根據(jù)半導(dǎo)體芯片的至少一個實施形式，銀鏡添加有氧。因此，換言之，銀鏡除了簡稱為ag的銀以外也具有簡稱為o的氧作為主要材料組分。

根據(jù)光電子半導(dǎo)體芯片的至少一個實施形式，銀鏡的氧的重量份額為至少10^-6或至少10^-5或至少10^-4或至少0.1％或至少1％。替選地或附加地，氧的重量份額為最高10％或最高1％或最高0.1％或最高10^-4或最高10^-5。因此，換言之，在銀鏡中不存在或基本上不存在純的氧化銀，而可能的是，能夠?qū)⒀趵斫鉃閷︺y鏡的銀一種摻雜。

在至少一個實施形式中，光電子半導(dǎo)體芯片具有用于產(chǎn)生電磁輻射的半導(dǎo)體層序列以及銀鏡。銀鏡設(shè)置在半導(dǎo)體層序列上。銀鏡的銀添加有氧。銀鏡中的氧的重量份額優(yōu)選為至少10^-5并且更優(yōu)選為最高10％。

通過這樣的銀鏡能夠?qū)崿F(xiàn)特別有效地發(fā)射輻射的光電子半導(dǎo)體芯片。這樣的銀鏡用于半導(dǎo)體芯片的應(yīng)用此外基于下述知識：

為了尤其在p側(cè)上電接觸光電子半導(dǎo)體芯片如發(fā)光二極管，在半導(dǎo)體材料上施加金屬的或含金屬的材料。在此，在金屬和半導(dǎo)體材料之間形成接觸電阻。所述接觸電阻與真正的產(chǎn)生光的有源層構(gòu)成串聯(lián)電阻。為了能夠有效地運行半導(dǎo)體芯片，需要盡可能小的接觸電阻。

為了降低接觸電阻可能的是，在鏡和半導(dǎo)體層序列之間安置中間層。例如，中間層通過由鉑或鎳構(gòu)成的薄層形成，其中所述中間層的厚度典型地小于1nm或小于5nm。當(dāng)然，這樣的材料如鉑或鎳與銀相比尤其在藍色的光譜范圍中具有較小的反射率。因此，雖然通過應(yīng)用這種材料能夠降低接觸電阻，但是鏡的反射率降低。

通過在銀鏡中引入相對少量的氧，同樣實現(xiàn)接觸電阻的降低。另一方面，通過引入氧，銀鏡的反射率不會降低或者不會顯著地降低。因此，通過包含相對少量的氧的銀鏡，能夠?qū)崿F(xiàn)特別高效節(jié)能地發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片。然而，由于氧化銀的棕色的染色和在氧化銀處對可見輻射的相對小的反射率，當(dāng)然不應(yīng)過高地分配氧含量。

根據(jù)半導(dǎo)體芯片的至少一個實施形式，銀鏡局部地或遍布地直接施加在具有有源層的半導(dǎo)體層序列上。因此，換言之，銀鏡的材料與半導(dǎo)體層序列的半導(dǎo)體材料至少局部地直接地、物理地接觸。

根據(jù)半導(dǎo)體芯片的至少一個實施形式，銀鏡僅由物質(zhì)銀和氧構(gòu)成。銀鏡由銀和氧構(gòu)成尤其表示：通過其他物質(zhì)產(chǎn)生的雜質(zhì)最高為100ppm或最高為10ppm。在此，ppm表示以重量或原子量計的百萬分率，英語為partspermillion。

根據(jù)半導(dǎo)體芯片的至少一個實施形式，在銀鏡的背離半導(dǎo)體層序列的一側(cè)上安置覆蓋層。覆蓋層與銀鏡優(yōu)選至少局部地直接地、物理地接觸并且構(gòu)成為透氧的。

根據(jù)半導(dǎo)體芯片的至少一個實施形式，覆蓋層具有金屬氧化物或由一種或多種金屬氧化物構(gòu)成。尤其，覆蓋層由簡稱為tco的透明的、能傳導(dǎo)的金屬氧化物制成。為了調(diào)節(jié)電導(dǎo)率，覆蓋層的金屬氧化物能夠添加有摻雜物。

根據(jù)半導(dǎo)體芯片的至少一個實施形式，覆蓋層由簡稱為zno的氧化鋅或由摻雜的氧化鋅如zno:ga或zno:si構(gòu)成。

根據(jù)半導(dǎo)體芯片的至少一個實施形式，覆蓋層的厚度至少為10nm或至少為20nm或至少為35nm。替選地或附加地，覆蓋層的厚度最高為1μm或最高為500nm或最高為150nm或最高為100nm或最高為80nm。通過這樣的厚度能夠?qū)崿F(xiàn)覆蓋層的透氧性。因此，換言之，能夠借助于熱感應(yīng)的擴散使氧穿過覆蓋層。

根據(jù)半導(dǎo)體芯片的至少一個實施形式，半導(dǎo)體層序列具有子層。子層優(yōu)選直接鄰接于銀鏡。子層優(yōu)選是p型摻雜的并且基于gan、基于alingan或基于algan。

根據(jù)半導(dǎo)體芯片的至少一個實施形式，子層的厚度至少為2nm或至少為5nm。替選地或附加地，子層具有最高250nm或最高50nm或最高20nm的厚度。尤其，子層的厚度大約為10nm。

根據(jù)半導(dǎo)體芯片的至少一個實施形式，子層摻雜有鎂或摻雜有其他的p型摻雜物。子層中的摻雜物濃度優(yōu)選至少為1×10^-19cm^-3或至少為5×10^-19cm^-3。替選地或附加地，摻雜物濃度最高為2×10²⁰cm^-3或最高為1.5×10²⁰cm^-3。換言之，子層優(yōu)選為薄的、p型高摻雜的gan層。

根據(jù)半導(dǎo)體芯片的至少一個實施形式，在銀鏡和半導(dǎo)體層序列之間存在邊界層。邊界層能夠通過來自銀鏡中的材料、即銀和氧和半導(dǎo)體層序列的材料、即尤其鎵、氮、鋁、銦和/或鎂的混合物構(gòu)成。換言之，邊界層是從半導(dǎo)體層序列的材料組成至銀鏡的材料組成的過渡層。邊界層的厚度優(yōu)選最高為5nm或最高為1.0nm或最高為0.5nm或最高為0.25nm。

根據(jù)半導(dǎo)體芯片的至少一個實施形式，在半導(dǎo)體層序列的子層中和/或在邊界層中的氧濃度最高為1×10¹⁵cm^-3或最高為1×10¹⁶cm^-3或最高為1×10¹⁷cm^-3。因此，換言之，子層和/或邊界層不會目的明確地?fù)诫s有氧。

根據(jù)半導(dǎo)體芯片的至少一個實施形式，銀鏡的厚度至少為50nm或至少為70nm或至少為90nm或至少為110nm。替選地或附加地，銀鏡的厚度最高為5μm或最高為1.1μm或最高為300nm。通過銀鏡的這樣的厚度，一方面能夠?qū)崿F(xiàn)銀鏡的足夠高的反射率，因為在半導(dǎo)體層序列中產(chǎn)生的輻射不能夠穿透或穿過銀鏡。另一方面，在這樣的厚度下，氧能夠穿透銀鏡并且到達至邊界層和/或子層和/或半導(dǎo)體層序列。

根據(jù)半導(dǎo)體芯片的至少一個實施形式，在邊界層中存在比在子層中和/或比在半導(dǎo)體層序列的其余部分中更高的氧濃度。此外可行的是，在邊界層中的氧份額可能大于或等于在銀鏡中的氧份額。例如，邊界層尤其直接在半導(dǎo)體層序列上具有ag2o層或agox層或由其構(gòu)成。因此，能夠直接在半導(dǎo)體層序列上大面積地或局部地構(gòu)成ag2o層或agox層。

根據(jù)至少一個實施形式，在銀鏡和半導(dǎo)體層序列之間的過渡區(qū)域具有最高2nm或最高1nm的厚度。所述厚度例如能夠借助于簡稱為tem的透射電子顯微鏡來確定。借助于簡稱為sims的二次離子質(zhì)譜，由于通常過小的深度分辨率不能可靠地確定所述厚度。

根據(jù)至少一個實施形式，在銀鏡中除了ag和o以外的物質(zhì)的重量份額最高為5×10^-5或最高為1×10^-5。此外，半導(dǎo)體層序列的鄰接于銀鏡的子層由p型摻雜的gan構(gòu)成。al和/或in的混入量在所述gan層中計為各最高為5原子％的份額，si和/或ge的混入量位于各最高2原子％。除了ga、n、al、in、si和ge之外的其他組成部分在所述gan層中計為整體上最高1原子％的份額。

根據(jù)至少一個實施形式，在銀鏡和覆蓋層之間的過渡區(qū)域的厚度最高為10nm。換言之，在所述厚度之內(nèi)，agox的材料組成轉(zhuǎn)變?yōu)楦采w層的材料。銀鏡的在朝向覆蓋層的一側(cè)上的、例如微米級的可能的粗糙部在此不予考慮。在此，銀鏡的厚度例如位于100nm和500nm之間，其中包括邊界值。

如果覆蓋層由摻雜有g(shù)a的材料構(gòu)成，那么ga能夠沿朝向半導(dǎo)體層序列的方向透入到銀鏡中直至100nm的深度。覆蓋層中的ga份額優(yōu)選最高為0.1重量％。覆蓋層中的ga份額優(yōu)選為銀鏡中的ga份額的至少10倍或至少100倍或至少1000倍。

根據(jù)至少一個實施形式，覆蓋層由氧化錫、氧化銦或簡稱為ito的銦錫氧化物制成。除了二元的金屬氧化物如zno、sno2或in2o3以外，三元的金屬氧化物如zn2sno4、znsno3、mgin2o4、zn2in2o5或in4sn3o12或由其構(gòu)成的混合物也屬于用于覆蓋層的可能的材料。覆蓋層不必由具有化學(xué)計量的組成的材料形成。覆蓋層優(yōu)選是摻雜的。

根據(jù)至少一個實施形式，銀鏡中的氧份額沿遠離覆蓋層的方向單調(diào)地或嚴(yán)格單調(diào)地減少或者是恒定的。在半導(dǎo)體層序列和銀鏡之間的過渡區(qū)域中，氧份額能夠是較高的或最高的，尤其在過渡區(qū)域中形成gao或gaoh的情況下。

此外，提出一種用于制造光電子半導(dǎo)體芯片的方法。尤其，能夠借助所述方法制造如在一個或多個上述實施形式中所描述的半導(dǎo)體芯片。因此，光電子半導(dǎo)體芯片的特征也公開用于在這里描述的方法，并且反之亦然。

在方法的至少一個實施形式中，所述方法至少具有下述步驟，優(yōu)選以給出的順序：

-提供具有設(shè)為用于產(chǎn)生輻射的有源層的半導(dǎo)體層序列；

-將銀鏡施加到半導(dǎo)體層序列上；

-對銀鏡的銀添加氧，

其中添加的氧的重量份額以銀鏡的銀計優(yōu)選位于10^-5和10％之間，其中包括邊界值；以及

-制成半導(dǎo)體芯片。

根據(jù)方法的至少一個實施形式，將銀鏡在含氧的環(huán)境中退火。

根據(jù)方法的至少一個實施形式，當(dāng)在銀鏡中添加氧期間露出覆蓋層。因此，換言之，氧穿過覆蓋層、尤其從含氧的環(huán)境中到達銀鏡。

根據(jù)方法的至少一個實施形式，其中在銀鏡上施加覆蓋層，在添加氧時，方法溫度位于100℃和500℃之間、尤其位于300℃和500℃之間或者位于350℃和450℃之間，其中包括邊界值。

根據(jù)方法的至少一個實施形式，氧的添加在氧氣分壓至少為2mbar或至少為20mbar或至少為100mbar的環(huán)境下進行。替選地或附加地，氧氣分壓力最高為500mbar或最高為300mbar或最高為200mbar或最高為100mbar或最高為50mbar。

根據(jù)方法的至少一個實施形式，其中氧的添加在明顯高于室溫的溫度下進行，氧的添加的持續(xù)時間至少為10s或至少為30s或最少為2分鐘或至少為5分鐘或至少為10分鐘。替選地或附加地，用于氧添加的所述持續(xù)時間最高為1小時或最高為40分鐘或最高為30m分鐘。尤其能夠以短的、所謂的瞬間(flash)的形式添加氧。

根據(jù)方法的至少一個實施形式，在添加氧時露出銀鏡。因此，換言之，銀鏡的背離半導(dǎo)體層序列的邊界面暴露于含氧的環(huán)境。

根據(jù)方法的至少一個實施形式，其中銀鏡不具有覆蓋層，氧的添加在最低0℃或最低10℃或最低18℃的溫度下進行。因此，替選地或附加地，在添加氧時的溫度優(yōu)選最高為50℃或最高為80℃或最高為130℃。

根據(jù)方法的至少一個實施形式，其中銀鏡不具有覆蓋層，氧的添加的持續(xù)時間至少為15小時或至少為10小時或至少為5小時或至少為2小時。可能的是，所述持續(xù)時間最多為48小時或最多為36小時或最多為24小時。

附圖說明

在下文中，參照附圖根據(jù)實施例詳細闡述這里所描述的光電子半導(dǎo)體芯片以及這里所描述的方法。在此，相同的附圖標(biāo)記在各個附圖中說明相同的元件。然而，在此示出不合乎比例的關(guān)系，更確切地說，為了更好的理解能夠夸大地示出各個元件。

附圖示出：

圖1示出用于制造這里所描述的光電子半導(dǎo)體芯片的這里所描述的方法的示意圖，以及

圖2至4示出這里所描述的光電子半導(dǎo)體芯片的實施例的示意圖。

具體實施方式

圖1以示意剖面圖圖解說明用于制造光電子半導(dǎo)體芯片1的方法的一個實施例。

根據(jù)圖1a，提供具有用于產(chǎn)生電磁輻射的有源層的半導(dǎo)體層序列2。半導(dǎo)體層序列2基于alingan。在垂直于半導(dǎo)體層序列2的生長方向g定向的主側(cè)25上直接施加有銀鏡3。

銀鏡的施加例如借助于蒸鍍或借助于濺鍍來實現(xiàn)。銀鏡3的材料優(yōu)選是純銀。用于銀鏡3的材料的雜質(zhì)優(yōu)選最高計為100ppm。銀鏡3沿著生長方向g的厚度例如大約為140nm。

根據(jù)圖1b，覆蓋層4被直接施加到銀鏡3上。覆蓋層4由金屬氧化物、如zno構(gòu)成。例如，覆蓋層4具有大約50nm的厚度。通過覆蓋層4能夠避免：在明顯高于室溫的溫度下，在銀鏡3上構(gòu)成銀滴，即發(fā)生銀的去潤濕(entnetzung)。

在圖1c中圖解說明將氧添加到銀鏡3中。在大約20分鐘的持續(xù)時間中并且在大約400℃的溫度下，銀鏡3連同露出的覆蓋層4暴露于氣流s。氣流s由氮氣-氧氣混合物構(gòu)成。氧含量例如大約為0.2％。環(huán)境壓強總計例如大約為1000mbar。

替選地可行的是，能夠在不同于所述值的溫度、氧氣分壓和持續(xù)時間的情況下在銀鏡3中引入氧。溫度選擇得越高，氧含量還有添加氧的持續(xù)時間優(yōu)選就選擇得越低。

氧能夠在銀鏡3中通過擴散均勻地或基本上均勻地分布。同樣可能的是，氧積聚在銀鏡3和半導(dǎo)體層序列2之間的邊界上或者銀鏡3中的氧含量沿朝向半導(dǎo)體層序列2的方向降低。

在圖1d中示出，金屬層5被施加到覆蓋層4上。金屬層5優(yōu)選是金層或是鉑層。代替金屬層5或除了金屬層5以外，也能夠使用由簡稱為tco的透明的、能傳導(dǎo)的氧化物構(gòu)成的層。

銀鏡3對藍光的反射率不會由于氧的添加而降低或顯著降低。尤其，對具有大約445nm的波長的藍光的反射率位于93％和96％之間，并且對具有大約700nm的波長的紅光的反射率位于97％和98％之間，其中包括邊界值。

在圖1a至1d中示出的方法步驟優(yōu)選在整個晶片上進行，在所述晶片上生長半導(dǎo)體層序列2。方法步驟如將半導(dǎo)體層序列2分割為單獨的半導(dǎo)體芯片1以及安置半導(dǎo)體芯片1的其他組成部分如電接觸部、鈍化層或焊料層以及制造粗糙部以改進光耦合輸出效率未在附圖中示出。例如，半導(dǎo)體芯片1如在文獻us2010/0171135a1中所說明的那樣構(gòu)造，其公開內(nèi)容通過參引并入本文。

在圖2中圖解說明半導(dǎo)體芯片1的另一個實施例。根據(jù)圖2，半導(dǎo)體芯片1不具有覆蓋層4。金屬層5直接施加在銀鏡3上。這樣的如在圖2中示出的半導(dǎo)體芯片1能夠如下地制造：

將由純銀構(gòu)成的銀鏡3施加到半導(dǎo)體層序列2上。在露出的銀鏡3之上引導(dǎo)氣流或者銀鏡3暴露于含氧的環(huán)境。例如，將氧添加到銀鏡3中隨后在大約20℃的室溫下、在超過24小時的時間間隔中并且在氧氣分壓大約為190mbar以及總壓強大約為1000mbar的情況下并且在無塵室條件下進行。

不同于在圖2中所示出的，同樣可能的是，在銀鏡3和金屬層5之間安置覆蓋層。此外，不同于根據(jù)圖1，覆蓋層當(dāng)然在添加氧之后才施加到銀鏡3上。

在圖3中可見光電子半導(dǎo)體芯片1的另一個實施例。在銀鏡3處，半導(dǎo)體層序列2具有子層20。子層20由p型摻雜的gan制成。子層20具有大約50nm的厚度并且以大約1×10²⁰cm^-3的濃度摻雜有鎂。

半導(dǎo)體層序列2的沿遠離銀鏡3的方向鄰接于子層20的區(qū)域同樣優(yōu)選是p型摻雜的，尤其摻雜有鎂。在子層20之下的所述區(qū)域的摻雜物濃度沿著生長方向g來看優(yōu)選最高為1×10^-20cm^-3或最高為1×10¹⁸cm^-3。同樣地，當(dāng)沿著生長方向跟隨有高摻雜的接觸層例如子層20時，所述區(qū)域能夠是未摻雜的。這樣的子層20也能夠存在于所有其他的實施例中。

根據(jù)圖3，在銀鏡3和子層20之間存在邊界層23。在厚度優(yōu)選最高為0.5nm的邊界層23中，銀鏡3的材料組成過渡成子層20的材料組成。優(yōu)選不同于在半導(dǎo)體層序列2的其他部分中，在邊界層23中能夠存在與在銀鏡3中類似的氧濃度。在銀鏡3和半導(dǎo)體層序列2或子層20之間也可能不存在清楚形成的邊界層23。

在圖4中圖解示出半導(dǎo)體芯片1的另一個實施例。局部地在銀鏡3和半導(dǎo)體層序列2之間安置具有低的光學(xué)折射率的材料6。低的光學(xué)折射率表示，材料6的折射率例如比半導(dǎo)體層序列2的折射率至少小0.5。由此，材料6能夠用作全反射的鏡層。例如，材料6由氮化硅或氧化硅構(gòu)成并且尤其是電絕緣的。因此，半導(dǎo)體層序列2的電接觸經(jīng)由大量島狀的區(qū)域進行，在所述島狀的區(qū)域中，銀鏡3與半導(dǎo)體層序列2直接接觸。

如也在所有其他實施例中那樣，覆蓋層4優(yōu)選是能導(dǎo)電的，使得半導(dǎo)體層序列2的電接觸能夠穿過覆蓋層4進行。對此替選地，可能的是，例如在根據(jù)圖1的制造方法中，在將氧引入到銀鏡3中之后移除覆蓋層4。

通過銀鏡3中的氧，半導(dǎo)體層序列2和銀鏡3之間的接觸電壓下降。這能夠歸因于在銀鏡3和半導(dǎo)體層序列2之間的邊界上的氧。與除了銀鏡3中的氧以外都相同的半導(dǎo)體芯片相比，接觸電壓下降大約3％。在具有1mm²大小的半導(dǎo)體芯片中，正向電壓在大約350ma的電流下從大約3.1v下降大約100mv至大約3.0v。

在這里描述的發(fā)明不局限于根據(jù)實施例進行的描述。更確切地說，本發(fā)明包括每個新特征以及特征的任意的組合，這尤其是包含在權(quán)利要求中的特征的任意的組合，即使所述特征或所述組合自身沒有明確地在權(quán)利要求中或?qū)嵤├姓f明時也如此。

所述申請要求德國專利申請102011115299.0的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容通過參引并入本文。

根據(jù)本公開的實施例，還公開了以下附記：

1.一種光電子半導(dǎo)體芯片(1)，具有：

-半導(dǎo)體層序列(2)和

-銀鏡(3)，

其中所述銀鏡(3)設(shè)置在所述半導(dǎo)體層序列(2)上，

并且其中所述銀鏡(3)的銀以至少為10^-5并且最高為10％的重量份額添加有氧。

2.根據(jù)上一項附記所述的光電子半導(dǎo)體芯片(1)，

其中所述銀鏡(3)直接地安置在所述半導(dǎo)體層序列(2)上，

其中所述銀鏡(3)和所述半導(dǎo)體層序列(2)之間的過渡區(qū)域具有最高2nm的厚度，

其中所述銀鏡(3)中的氧的重量份額位于10^-5和10^-3之間，其中包括邊界值，

其中所述銀鏡(3)中的除了ag和o以外的物質(zhì)的重量份額最高為5×10^-5，并且

其中所述半導(dǎo)體層序列(2)的鄰接于所述銀鏡(3)的子層(20)由p型摻雜的gan構(gòu)成，并且al和/或in的混入量計為各最高5原子％，si和/或ge的混入量計為各最高2原子％并且除了ga、n、al、in、si和ge以外的其他組成部分計為整體最高1原子％的份額。

3.根據(jù)上述附記中任一項所述的光電子半導(dǎo)體芯片(1)，

其中所述銀鏡(3)由銀和氧構(gòu)成，

其中其他物質(zhì)的雜質(zhì)最高為100ppm。

4.根據(jù)上述附記中任一項所述的光電子半導(dǎo)體芯片(1)，

其中直接在所述銀鏡(3)的背離所述半導(dǎo)體層序列(2)的一側(cè)上安置覆蓋層(4)，

其中所述覆蓋層(4)包括金屬氧化物或者由一種或多種金屬氧化物構(gòu)成。

5.根據(jù)上一項附記所述的光電子半導(dǎo)體芯片(1)，

其中所述覆蓋層(4)由zno或由摻雜的zno構(gòu)成并且具有至少20nm并且最高500nm的厚度。

6.根據(jù)上述附記中任一項所述的光電子半導(dǎo)體芯片(1)，

其中所述半導(dǎo)體層序列(2)的鄰接于所述銀鏡(3)的子層(20)由p型摻雜的gan或由p型摻雜的inalgan構(gòu)成。

7.根據(jù)上一項附記所述的光電子半導(dǎo)體芯片(1),

其中所述子層(20)具有在2nm和20nm之間的厚度，其中包括邊界值，摻雜物是鎂并且摻雜物濃度位于1×10¹⁹cm^-3和2×10²⁰cm^-3之間，其中包括邊界值。

8.根據(jù)上述附記中任一項所述的光電子半導(dǎo)體芯片(1)，

其中所述銀鏡(3)和所述半導(dǎo)體層序列(2)之間的邊界層(23)具有最高5nm的厚度，

其中在所述邊界層(23)中存在銀、氧、gan、鋁、銦和/或鎂。

9.根據(jù)上述附記中任一項所述的光電子半導(dǎo)體芯片(1)，

其中所述子層(20)中的氧濃度最高為1×10¹⁶cm^-3。

10.根據(jù)上述附記中任一項所述的光電子半導(dǎo)體芯片(1)，

其中所述銀鏡(3)的厚度位于70nm和300nm之間，其中包括邊界值。

11.根據(jù)上述附記中任一項所述的光電子半導(dǎo)體芯片(1)，

其中所述銀鏡(3)中的氧的重量份額在0.01％和1.0％之間，其中包括邊界值。

12.一種用于制造光電子半導(dǎo)體芯片(1)的方法，所述方法具有下述步驟：

-提供半導(dǎo)體層序列(2)；

-將銀鏡(3)施加到所述半導(dǎo)體層序列(2)上；

其中對所述銀鏡(3)的銀以至少10^-5并且最高10％的重量份額添加氧；以及

-制成所述半導(dǎo)體芯片(1)。

13.根據(jù)上一項附記所述的方法，

其中

-直接在所述銀鏡(3)的背離所述半導(dǎo)體層序列(2)的一側(cè)上施加覆蓋層(4)；

-所述覆蓋層(4)包括金屬氧化物或由一種或多種金屬氧化物構(gòu)成，并且所述覆蓋層(4)的厚度位于20nm和500nm之間，其中包括邊界值；

-在添加氧的期間露出所述覆蓋層(4)；

-在添加氧時，溫度在100℃和550℃之間，其中包括邊界值；

-在氧氣分壓為2mbar和200mbar之間的環(huán)境下進行上述添加，其中包括邊界值；以及

-在2分鐘和40分鐘之間的時間間隔中進行添加，其中包括邊界值。

14.根據(jù)附記12所述的方法，

其中在添加氧時，

-所述銀鏡(3)露出；

-溫度在10℃和80℃之間，其中包括邊界值；

-氧氣分壓位于100mbar和300mbar之間，其中包括邊界值；

以及上述添加的持續(xù)時間位于10小時和36小時之間，其中包括邊界值。