本發(fā)明涉及觸控顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示面板以及制作方法。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的飛速發(fā)展，無(wú)論是顯示屏幕的尺寸還是顯示品質(zhì)，都取得了突破性的進(jìn)展。作為顯示技術(shù)的一大重要發(fā)展方向，柔性顯示器件以其輕薄和可撓曲性而備受矚目。觸控式柔性顯示面板結(jié)合了觸控技術(shù)和柔性顯示技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，不但具有可變型或可彎曲的特點(diǎn)，而且用戶通過(guò)手指或者觸控筆等就可以直接操作，非常舒適便捷，因此受到了人們的關(guān)注。

目前觸控式柔性顯示面板的觸控電極大多采用外掛或是集成在外部輔助膜內(nèi)的方式，大體上分為以下幾個(gè)方案：

1.將觸控模組外掛貼合在柔性顯示面板上，這種方法往往不能實(shí)現(xiàn)觸控式柔性顯示面板的輕薄化。

2.將觸控電極集成在保護(hù)膜層、偏光片或者蓋板上，這種方式雖然可以在一定程度上減薄了觸控式柔性顯示面板，但對(duì)保護(hù)膜層、偏光片以及蓋板的制作要求較高。

且上述觸控式柔性顯示面板在彎曲的時(shí)候，表面容易產(chǎn)生裂縫，并且裂縫容易延伸擴(kuò)展，從而容易使得觸控電極發(fā)生斷裂，導(dǎo)致觸控功能失效。因此急需對(duì)觸控式柔性顯示面板進(jìn)行進(jìn)一步改進(jìn)，提升產(chǎn)品的可靠性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光顯示面板以及制作方法，以實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步減薄有機(jī)發(fā)光顯示面板厚度，并增強(qiáng)其彎折性能的目的。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示面板，包括：

有機(jī)發(fā)光元件陣列基板；

覆蓋所述有機(jī)發(fā)光元件陣列基板的薄膜封裝層；其中，所述薄膜封裝層包括至少一個(gè)無(wú)機(jī)層和至少一個(gè)有機(jī)層，至少一個(gè)所述有機(jī)層中設(shè)置有第一凹槽結(jié)構(gòu)，所述第一凹槽結(jié)構(gòu)的側(cè)壁為弧形；

觸控電極，位于所述第一凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法，包括：

形成有機(jī)發(fā)光元件陣列基板；

在所述有機(jī)發(fā)光元件陣列基板上形成薄膜封裝層；

所述在所述有機(jī)發(fā)光元件陣列基板上形成薄膜封裝層包括：形成至少一個(gè)無(wú)機(jī)層和至少一個(gè)有機(jī)層；

至少一個(gè)所述有機(jī)層中設(shè)置有第一凹槽結(jié)構(gòu)，所述第一凹槽結(jié)構(gòu)的側(cè)壁為弧形；

所述第一凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)形成有觸控電極。

本發(fā)明通過(guò)在覆蓋有機(jī)發(fā)光元件陣列基板的薄膜封裝層中的有機(jī)層中設(shè)置第一凹槽結(jié)構(gòu)，并將觸控電極設(shè)置在第一凹槽結(jié)構(gòu)中，一方面由于觸控電極位于有機(jī)發(fā)光顯示面板的薄膜封裝層內(nèi)，因此不會(huì)增加有機(jī)發(fā)光顯示面板的厚度，另一方面，由于觸控電極位于薄膜封裝層內(nèi)，因此薄膜封裝層可以防止外部水汽以及氧氣等對(duì)觸控電極的腐蝕。此外，由于觸控電極設(shè)置在有機(jī)層的第一凹槽結(jié)構(gòu)中，因此還可以增加有機(jī)發(fā)光顯示面板的彎折性能。并且由于第一凹槽結(jié)構(gòu)的側(cè)壁為弧形，所以設(shè)置在第一凹槽內(nèi)的觸控電極與第一凹槽結(jié)構(gòu)邊緣接觸位置會(huì)更加平坦，避免了在第一凹槽結(jié)構(gòu)側(cè)壁處的應(yīng)力集中問(wèn)題。

附圖說(shuō)明

通過(guò)閱讀參照以下附圖所作的對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯：

圖1a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1b為沿圖1a中AA’方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2a為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2b為沿圖2a中BB’方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3a為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3b為沿圖3a中CC’方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4a為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖

圖4b為沿圖4a中DD’方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5a為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5b為沿圖5a中EE’方向的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6a為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6b為沿圖6a中FF’方向的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7a為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7b為沿圖7a中GG’方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7c為沿圖7a中HH’方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8a為沿圖7a中GG’方向的又一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8b為沿圖7a中HH’方向的又一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法的流程示意圖；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法的流程示意圖；

圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種通過(guò)噴墨打印工藝形成設(shè)置有第一凹槽結(jié)構(gòu)的有機(jī)層的流程示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說(shuō)明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光顯示面板，包括：有機(jī)發(fā)光元件陣列基板，以及覆蓋所述有機(jī)發(fā)光元件陣列基板的薄膜封裝層。其中，所述薄膜封裝層包括至少一個(gè)無(wú)機(jī)層和至少一個(gè)有機(jī)層，至少一個(gè)所述有機(jī)層中設(shè)置有第一凹槽結(jié)構(gòu)，所述第一凹槽結(jié)構(gòu)的側(cè)壁為弧形。所述有機(jī)發(fā)光顯示面板還包括觸控電極，所述觸控電極位于所述第一凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)。

由于有機(jī)發(fā)光顯示面板中的有機(jī)發(fā)光元件對(duì)水汽和氧氣等外部環(huán)境因素十分敏感，如果將有機(jī)發(fā)光顯示面板中的有機(jī)發(fā)光元件暴露在有水汽或者氧氣的環(huán)境中，會(huì)使得有機(jī)發(fā)光顯示面板性能急劇下降或者完全損壞。為了提高有機(jī)發(fā)光顯示面板的使用壽命和穩(wěn)定性，需在有機(jī)發(fā)光元件上覆蓋薄膜封裝層進(jìn)行密封。薄膜封裝層可以是包括至少一個(gè)無(wú)機(jī)層和至少一個(gè)有機(jī)層的結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明將觸控電極設(shè)置在薄膜封裝層內(nèi)，一方面可以避免外界水汽以及氧氣等對(duì)觸控電極的腐蝕，另一方面還不會(huì)增加有機(jī)發(fā)光顯示面板的厚度，符合輕薄化的發(fā)展趨勢(shì)。并且觸控電極設(shè)置在薄膜封裝層的一有機(jī)層的第一凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)，因此可以顯著降低觸控電極在彎折過(guò)程中斷裂的風(fēng)險(xiǎn)。此外，第一凹槽結(jié)構(gòu)的側(cè)壁為弧形，因此設(shè)置在第一凹槽結(jié)構(gòu)中的觸控電極會(huì)更加平緩，避免在第一凹槽結(jié)構(gòu)的側(cè)壁處造成應(yīng)力集中問(wèn)題，進(jìn)一步降低了彎折過(guò)程中觸控電極斷裂的風(fēng)險(xiǎn)。

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下，所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

圖1a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。圖1b為沿圖1a中AA’方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。結(jié)合圖1a和圖1b所示，有機(jī)發(fā)光顯示面板包括有機(jī)發(fā)光元件陣列基板11以及覆蓋有機(jī)發(fā)光元件陣列基板11的薄膜封裝層12。其中，薄膜封裝層12包括至少一個(gè)無(wú)機(jī)層和至少一個(gè)有機(jī)層。圖1示例性的設(shè)置薄膜封裝層包括兩層無(wú)機(jī)層和一層有機(jī)層，分別為第一無(wú)機(jī)層121、第一有機(jī)層122和第二無(wú)機(jī)層123。其中，第一有機(jī)層122位于第一無(wú)機(jī)層121和第二無(wú)機(jī)層123之間。第一有機(jī)層122中設(shè)置有第一凹槽結(jié)構(gòu)13。有機(jī)發(fā)光顯示面板還包括觸控電極14。觸控電極14位于第一凹槽結(jié)構(gòu)13內(nèi)。本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光顯示面板可以為自容式觸控，即觸控電極14包括多個(gè)觸控電極塊141，多個(gè)觸控電極塊141位于同一層有機(jī)層(第一有機(jī)層122)的第一凹槽結(jié)構(gòu)13內(nèi)。各觸控電極塊141與地形成電容，通過(guò)檢測(cè)多個(gè)觸控電極塊141上反饋的電容值確定觸摸位置。多個(gè)觸控電極塊141的材料例如可以是氧化銦錫(ITO，Indium tin oxide)等透明導(dǎo)電薄膜。本發(fā)明實(shí)施例將自容式觸控的觸控電極設(shè)置在薄膜封裝層12內(nèi)部，因此可以利用有機(jī)發(fā)光顯示面板中原有的薄膜封裝層12保護(hù)觸控電極14，防止觸控電極14被外部環(huán)境中的水汽和氧氣等的腐蝕。并且由于觸控電極14設(shè)置在薄膜封裝層12內(nèi)部，因此相比于現(xiàn)有技術(shù)中單獨(dú)設(shè)置觸控模組并外掛在有機(jī)發(fā)光顯示面板的外側(cè)，本發(fā)明實(shí)施例提供的自容式觸控有機(jī)發(fā)光顯示面板的厚度幾乎沒有變化，因此更符合目前有機(jī)發(fā)光顯示面板輕薄化的發(fā)展趨勢(shì)。若有機(jī)發(fā)光元件陣列基板11包括柔性襯底，由于觸控電極14設(shè)置在第一凹槽結(jié)構(gòu)13內(nèi)，第一凹槽結(jié)構(gòu)13的設(shè)置可以增強(qiáng)有機(jī)發(fā)光顯示面板的彎折性能，在一定程度上可以減輕觸控電極14斷裂的風(fēng)險(xiǎn)。此外，由于本發(fā)明實(shí)施例中設(shè)置第一凹槽結(jié)構(gòu)13的側(cè)壁為弧形，因此在第一凹槽結(jié)構(gòu)13中形成觸控電極14時(shí)，觸控電極14與第一凹槽結(jié)構(gòu)13的側(cè)壁接觸比較平緩，因此觸控電極14與第一凹槽結(jié)構(gòu)13的接觸位置不會(huì)出現(xiàn)尖銳突變的臺(tái)階，可以防止應(yīng)力集中在臺(tái)階處，進(jìn)一步提高了有機(jī)發(fā)光顯示面板的彎折性能。

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，可選的，可以設(shè)置第一凹槽結(jié)構(gòu)側(cè)壁的弧形為凸弧形。第一凹槽結(jié)構(gòu)可以是通過(guò)噴墨打印工藝在形成有機(jī)層的同時(shí)直接形成，由于噴出的墨滴相互匯聚融合，通過(guò)控制固化時(shí)間、固化溫度以及噴墨打印中噴射出的墨滴速度以及大小等可以控制有機(jī)層的第一凹槽結(jié)構(gòu)的形態(tài)。將第一凹槽結(jié)構(gòu)側(cè)壁的弧形設(shè)置為凸弧形還可以使后續(xù)在第一凹槽中形成觸控電極時(shí)，觸控電極材料便于形成在第一凹槽結(jié)構(gòu)的底面和側(cè)壁上。若觸控電極也是通過(guò)噴墨打印工藝形成，由于第一凹槽結(jié)構(gòu)側(cè)壁的弧形為凸弧形，還可以便于觸控電極噴墨打印時(shí)噴射的液滴的流動(dòng)，以快速形成觸控電極的圖形。

可選的，本發(fā)明實(shí)施例還可以設(shè)置第一凹槽結(jié)構(gòu)的深度大于觸控電極的厚度。需要說(shuō)明的是，若第一凹槽結(jié)構(gòu)的底部不平坦，那么第一凹槽結(jié)構(gòu)不同位置處的深度不同，本實(shí)施例中的第一凹槽結(jié)構(gòu)的深度大于觸控電極的厚度是指只要在第一凹槽結(jié)構(gòu)深度方向上，觸控電極未填充滿第一凹槽結(jié)構(gòu)即可。

這樣設(shè)置能夠避免外界按壓或沖擊對(duì)觸控電極的損壞?？蛇x的，第一凹槽結(jié)構(gòu)的深度范圍可以設(shè)置為0.3-16um。第一凹槽結(jié)構(gòu)中每一凹槽的寬度大于位于其內(nèi)的觸控電極的寬度，防止觸控電極溢出第一凹槽結(jié)構(gòu)。

圖2a為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖2b為沿圖2a中BB’方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。結(jié)合圖2a和圖2b所示，與上述實(shí)施例中的圖1a和圖1b不同的是，本發(fā)明實(shí)施例中的觸控電極14為網(wǎng)格狀金屬走線。本發(fā)明實(shí)施例提供有機(jī)發(fā)光顯示面板也是自容式觸控結(jié)構(gòu)。其中觸控電極14設(shè)置在第一有機(jī)層122的第一凹槽結(jié)構(gòu)13中。需要說(shuō)明的是，第一凹槽結(jié)構(gòu)13可以和觸控電極14的形狀相同，即第一凹槽結(jié)構(gòu)13在有機(jī)發(fā)光元件陣列基板11上的正投影為網(wǎng)格狀圖形。在其他實(shí)施例中還可以是第一凹槽結(jié)構(gòu)13在有機(jī)發(fā)光元件陣列基板11上的正投影為塊狀圖形，但設(shè)置在第一凹槽結(jié)構(gòu)13內(nèi)的觸控電極14為網(wǎng)格狀金屬走線。圖2b示例性的設(shè)置第一凹槽結(jié)構(gòu)13和觸控電極14的形狀相同，即第一凹槽結(jié)構(gòu)13在有機(jī)發(fā)光元件陣列基板11上的正投影為網(wǎng)格狀圖形。本實(shí)施例將觸控電極14設(shè)置為網(wǎng)格狀金屬走線，一方面可以減小觸控電極14的阻抗，提高觸控靈敏度，另一方面由于觸控電極14為網(wǎng)格狀金屬走線，網(wǎng)格狀金屬走線的延展性好，還可以進(jìn)一步提高觸控電極的抗彎折能力。本發(fā)明實(shí)施例將網(wǎng)格狀金屬走線式觸控電極設(shè)置在有機(jī)層的第一凹槽結(jié)構(gòu)中，在彎折過(guò)程中，若網(wǎng)格狀金屬走線式觸控電極的某一金屬走線出現(xiàn)裂紋，由于第一凹槽結(jié)構(gòu)的阻隔，裂紋不會(huì)延伸到其他金屬走線上，避免了裂紋的進(jìn)一步延伸，相比于直接將網(wǎng)格狀金屬走線式觸控電極設(shè)置在有機(jī)層上，可以提升有機(jī)發(fā)光顯示面板的彎折性能。

圖3a為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖3b為沿圖3a中CC’方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。結(jié)合圖3a和圖3b所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光顯示面板的觸控電極14包括第一觸控電極141和第二觸控電極142，且第一觸控電極141和第二觸控電極142位于同一層有機(jī)層的不同第一凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)。參加圖3b，第一觸控電極141和第二觸控電極142位于第一有機(jī)層122的不同第一凹槽結(jié)構(gòu)13內(nèi)。第一凹槽結(jié)構(gòu)13的側(cè)壁為弧形。由于第一觸控電極141和第二觸控電極142位于同一層有機(jī)層的不同第一凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)，因此每行第二觸控電極142被第一觸控電極142間隔開，并通過(guò)跨橋結(jié)構(gòu)將該行斷開處兩側(cè)的第二觸控電極142電連接。為保持第一觸控電極141和第二觸控電極142相互絕緣，在跨橋結(jié)構(gòu)和第一觸控電極141的交疊處設(shè)置絕緣層。本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光顯示面板適用于互容式觸控。例如第一觸控電極141為觸控驅(qū)動(dòng)電極，第二觸控電極142為觸控感測(cè)電極，觸控驅(qū)動(dòng)電極和觸控感測(cè)電極形成電容。觸控驅(qū)動(dòng)電極被依次輸入觸控驅(qū)動(dòng)信號(hào)，觸控感測(cè)電極層輸出檢測(cè)信號(hào)。當(dāng)發(fā)生觸控時(shí)，會(huì)影響觸摸點(diǎn)附近觸控驅(qū)動(dòng)電極和觸控感測(cè)電極之間的耦合，從而改變觸控驅(qū)動(dòng)電極和觸控感測(cè)電極之間的電容量。檢測(cè)觸摸點(diǎn)位置的方法為，對(duì)觸控驅(qū)動(dòng)電極依次輸入觸控驅(qū)動(dòng)信號(hào)，觸控感測(cè)電極同時(shí)輸出觸控檢測(cè)信號(hào)，這樣可以得到所有觸控驅(qū)動(dòng)電極和觸控感測(cè)電極交匯點(diǎn)的電容值大小，即整個(gè)二維平面的電容大小，根據(jù)二維平面電容變化量數(shù)據(jù)，可以計(jì)算出觸摸點(diǎn)的坐標(biāo)。本發(fā)明實(shí)施例中第一觸控電極和第二觸控電極的材料例如可以是氧化銦錫ITO等透明導(dǎo)電薄膜，也可以是網(wǎng)格狀金屬走線(參見圖4a和圖4b，圖4b為沿圖4a中DD’方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖)。

圖5a為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖5b為沿圖5a中EE’方向的結(jié)構(gòu)示意圖，結(jié)合圖5a和圖5b所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光顯示面板包括：有機(jī)發(fā)光元件陣列基板11以及覆蓋所述有機(jī)發(fā)光元件陣列基板11的薄膜封裝層12。其中，薄膜封裝層12包括依次疊置的第一無(wú)機(jī)層121、第一有機(jī)層122、第二無(wú)機(jī)層123、第二有機(jī)層124和第三無(wú)機(jī)層125。有機(jī)發(fā)光顯示面板的觸控電極14包括第一觸控電極141和第二觸控電極142。第一觸控電極141位于第一有機(jī)層122的第一凹槽結(jié)構(gòu)13內(nèi)，第二觸控電極142位于第二有機(jī)層124的第一凹槽結(jié)構(gòu)13內(nèi)。本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光顯示面板也是互容式觸控。其中第一有機(jī)層122的第一凹槽結(jié)構(gòu)13以及第二有機(jī)層124的第一凹槽結(jié)構(gòu)13的側(cè)壁均為弧形。

圖6a為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖6b為沿圖6a中FF’方向的結(jié)構(gòu)示意圖，結(jié)合圖6a和圖6b所示，與上述實(shí)施例中的圖5a和圖5b不同的是，圖6a和圖6b中，第一觸控電極141以及第二觸控電極142均為網(wǎng)格狀金屬走線?？蛇x的，第一有機(jī)層122的第一凹槽結(jié)構(gòu)13可以和第一觸控電極141形狀相同，即第一有機(jī)層122的第一凹槽結(jié)構(gòu)13在所述有機(jī)發(fā)光元件陣列基板上的正投影為網(wǎng)格狀圖形。第二有機(jī)層124的第一凹槽結(jié)構(gòu)13可以和第二觸控電極142形狀相同，即第二有機(jī)層124的第一凹槽結(jié)構(gòu)13在所述有機(jī)發(fā)光元件陣列基板上的正投影為網(wǎng)格狀圖形。

圖7a為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。圖7b為沿圖7a中GG’方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖7c為沿圖7a中HH’方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。結(jié)合圖7a-圖7c所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光元件陣列基板包括顯示區(qū)21(圖7a中虛線框內(nèi)的區(qū)域)和圍繞顯示區(qū)21的非顯示區(qū)22(圖7a中虛線框外的區(qū)域)。其中設(shè)置有第一凹槽結(jié)構(gòu)13的有機(jī)層(第一有機(jī)層122和第二有機(jī)層124)在非顯示區(qū)22內(nèi)設(shè)置有斜坡結(jié)構(gòu)23。斜坡結(jié)構(gòu)23上設(shè)置有多條觸控引線24。多條觸控引線24一端分別與對(duì)應(yīng)的觸控電極14(第一觸控電極141和第二觸控電極142)電連接，多條觸控引線24另一端分別與對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)芯片接口或柔性電路板電性連接。

可選的，參見圖8a和圖8b所示，在斜坡結(jié)構(gòu)23上設(shè)置第二凹槽結(jié)構(gòu)(未示出)，第二凹槽結(jié)構(gòu)的側(cè)壁為弧形，多條觸控引線24位于第二凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)。本實(shí)施例通過(guò)在斜坡結(jié)構(gòu)上設(shè)置第二凹槽結(jié)構(gòu)，并將多條觸控引線設(shè)置于第二凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)，可以避免斜坡結(jié)構(gòu)與第一凹槽結(jié)構(gòu)之間具有高度差導(dǎo)致的觸控引線爬坡問(wèn)題。參見圖8a和圖8b，由于觸控引線無(wú)需爬坡，所以可以避免彎折過(guò)程的觸控引線的斷裂問(wèn)題。

可選的，第二凹槽結(jié)構(gòu)的深度大于觸控引線的厚度。第二凹槽結(jié)構(gòu)的寬度大于觸控引線的寬度。第二凹槽結(jié)構(gòu)側(cè)壁的弧形也可以為凸弧形。第二凹槽結(jié)構(gòu)的深度可以和第一凹槽結(jié)構(gòu)的深度相同，也可以不同。

本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光元件陣列基板包括矩陣式排列的多個(gè)發(fā)光單元，多個(gè)發(fā)光單元之間具有間隔區(qū)域。若第一凹槽結(jié)構(gòu)在有機(jī)發(fā)光元件陣列基板上的正投影為網(wǎng)格狀圖形，可選的，設(shè)置第一凹槽結(jié)構(gòu)在有機(jī)發(fā)光元件陣列基板的垂直投影位于間隔區(qū)域內(nèi)，可以防止在第一凹槽結(jié)構(gòu)中設(shè)置網(wǎng)格狀金屬走線的觸控電極占用發(fā)光區(qū)域。第一凹槽結(jié)構(gòu)的寬度可以根據(jù)間隔區(qū)域的大小設(shè)定。

可選的，本發(fā)明實(shí)施例中第一凹槽結(jié)構(gòu)中每一凹槽的寬度范圍為5-20um；第一凹槽結(jié)構(gòu)中相鄰凹槽的間距范圍為30-500um。

基于同一構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法。所述方法包括：形成有機(jī)發(fā)光元件陣列基板；在所述有機(jī)發(fā)光元件陣列基板上形成薄膜封裝層。其中，所述在所述有機(jī)發(fā)光元件陣列基板上形成薄膜封裝層包括：形成至少一個(gè)無(wú)機(jī)層和至少一個(gè)有機(jī)層；至少一個(gè)所述有機(jī)層中設(shè)置有第一凹槽結(jié)構(gòu)，所述第一凹槽結(jié)構(gòu)的側(cè)壁為弧形；所述第一凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)形成有觸控電極。

本發(fā)明實(shí)施例將觸控電極設(shè)置在薄膜封裝層內(nèi)，一方面可以避免外界水汽以及氧氣等對(duì)觸控電極的腐蝕，另一方面還不會(huì)增加有機(jī)發(fā)光顯示面板的厚度，符合輕薄化的發(fā)展趨勢(shì)。并且觸控電極設(shè)置在薄膜封裝層的一有機(jī)層的第一凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)，因此可以顯著降低觸控電極在彎折過(guò)程中斷裂的風(fēng)險(xiǎn)。此外，第一凹槽結(jié)構(gòu)的側(cè)壁為弧形，因此設(shè)置在第一凹槽結(jié)構(gòu)中的觸控電極會(huì)更加平緩，避免在第一凹槽結(jié)構(gòu)的側(cè)壁處造成應(yīng)力集中問(wèn)題，進(jìn)一步降低了彎折過(guò)程中觸控電極斷裂的風(fēng)險(xiǎn)。

圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法的流程示意圖。如圖9所述，所述方法包括：

步驟S110、形成有機(jī)發(fā)光元件陣列基板。

步驟S120、在所述有機(jī)發(fā)光元件陣列基板上形成第一無(wú)機(jī)層。

步驟S130、在所述第一無(wú)機(jī)層上形成設(shè)置有第一凹槽結(jié)構(gòu)的第一有機(jī)層。

步驟S140、在所述第一有機(jī)層的所述第一凹槽結(jié)構(gòu)中形成所述觸控電極。

步驟S150、在所述第一有機(jī)層以及所述觸控電極上形成第二無(wú)機(jī)層。

其中，在第一凹槽結(jié)構(gòu)中形成的觸控電極可以是自容式觸控結(jié)構(gòu)，例如觸控電極包括多個(gè)觸控電極塊(參見圖1a和圖1b所示結(jié)構(gòu))，觸控電極的材料可以是透明金屬氧化物，如氧化銦錫ITO等，也可以是網(wǎng)格狀金屬走線(參見圖2a和圖2b所示結(jié)構(gòu))。

此外，觸控電極還可以包括多個(gè)第一觸控電極和多個(gè)第二觸控電極，多個(gè)第一觸控電極和多個(gè)第二觸控電極同層設(shè)置，形成互容式觸控結(jié)構(gòu)。第一觸控電極和第二觸控電極位于同一有機(jī)層的不同第一凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)。第一觸控電極和第二觸控電極的材料例如可以是氧化銦錫ITO等透明導(dǎo)電薄膜(參見圖3a和圖3b所示結(jié)構(gòu))，也可以是網(wǎng)格狀金屬走線(參見圖4a和圖4b)。

圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法的流程示意圖。如圖10所述，所述方法包括：

步驟S210、形成有機(jī)發(fā)光元件陣列基板。

步驟S220、在所述有機(jī)發(fā)光元件陣列基板上形成第一無(wú)機(jī)層。

步驟S230、在所述第一無(wú)機(jī)層上形成設(shè)置有第一凹槽結(jié)構(gòu)的第一有機(jī)層。

步驟S240、在所述第一有機(jī)層的所述第一凹槽結(jié)構(gòu)中形成所述第一觸控電極。

步驟S250、在所述第一有機(jī)層以及所述第一觸控電極上形成第二無(wú)機(jī)層。

步驟S260、在所述第二無(wú)機(jī)層上形成設(shè)置有第一凹槽結(jié)構(gòu)的第二有機(jī)層。

步驟S270、在所述第二有機(jī)層的所述第一凹槽結(jié)構(gòu)中形成所述第二觸控電極。

步驟S280、在所述第二有機(jī)層以及所述第二觸控電極上形成第三無(wú)機(jī)層。

本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光顯示面板也是互容式觸控。其中第一有機(jī)層的第一凹槽結(jié)構(gòu)以及第二有機(jī)層的第一凹槽結(jié)構(gòu)的側(cè)壁均為弧形。第一觸控電極位于第一有機(jī)層的第一凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)，第二觸控電極位于第二有機(jī)層的第一凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)。第一觸控電極和第二觸控電極的材料例如可以是氧化銦錫ITO等透明導(dǎo)電薄膜(參見圖5a和圖5b所示結(jié)構(gòu))，也可以是網(wǎng)格狀金屬走線(參見圖6a和圖6b)。可選的，第一有機(jī)層的第一凹槽結(jié)構(gòu)可以和第一觸控電極形狀相同，例如第一有機(jī)層的第一凹槽結(jié)構(gòu)在所述有機(jī)發(fā)光元件陣列基板上的正投影為網(wǎng)格狀圖形，第一觸控電極為網(wǎng)格狀金屬走線。第二有機(jī)層的第一凹槽結(jié)構(gòu)可以和第二觸控電極形狀相同，例如第二有機(jī)層的第一凹槽結(jié)構(gòu)在所述有機(jī)發(fā)光元件陣列基板上的正投影為網(wǎng)格狀圖形，第二觸控電極為網(wǎng)格狀金屬走線。

可選的，本發(fā)明實(shí)施例還可以設(shè)置第一凹槽結(jié)構(gòu)的深度大于觸控電極的厚度。這樣設(shè)置能夠避免外界按壓或沖擊對(duì)觸控電極的損壞?？蛇x的，第一凹槽結(jié)構(gòu)的深度范圍可以設(shè)置為0.3-16um。第一凹槽結(jié)構(gòu)中每一凹槽的寬度大于位于其內(nèi)的觸控電極的寬度。

可選的，本發(fā)明實(shí)施例可以通過(guò)刻蝕工藝在有機(jī)層中形成第一凹槽結(jié)構(gòu)。具體的，例如可以是依次通過(guò)旋涂光刻膠、曝光、顯影、光刻以及剝離光刻膠在有機(jī)層中形成第一凹槽結(jié)構(gòu)。

可選的，本發(fā)明實(shí)施例還可以通過(guò)噴墨打印工藝形成設(shè)置有第一凹槽結(jié)構(gòu)的有機(jī)層。相比于通過(guò)刻蝕工藝在有機(jī)層中形成第一凹槽結(jié)構(gòu)，采用噴墨打印工藝可以防止刻蝕工藝過(guò)程中酸、堿刻蝕液對(duì)薄膜封裝層的損傷，以及防止光刻中曝光使的光線照射對(duì)有機(jī)發(fā)光元件造成的材料性能的衰減。

圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種通過(guò)噴墨打印工藝形成設(shè)置有第一凹槽結(jié)構(gòu)的有機(jī)層的流程示意圖，如圖11所示，包括：

步驟S310、設(shè)置預(yù)設(shè)打印圖形。

可選的，用戶可以根據(jù)具體產(chǎn)品的需求設(shè)置預(yù)設(shè)打印圖形。例如將具有第一凹槽結(jié)構(gòu)的有機(jī)層圖案預(yù)先存儲(chǔ)在噴墨打印設(shè)備中。

步驟S320、根據(jù)預(yù)設(shè)打印圖形進(jìn)行墨滴的噴射。

根據(jù)預(yù)設(shè)打印圖形進(jìn)行墨滴的噴射具有多種實(shí)現(xiàn)方式，例如可以根據(jù)預(yù)設(shè)打印圖形，控制噴墨打印機(jī)的至少一個(gè)噴嘴的移動(dòng)路徑以及至少一個(gè)噴嘴的開啟和關(guān)閉形成設(shè)置有第一凹槽結(jié)構(gòu)的有機(jī)層，即固定有機(jī)發(fā)光元件陣列基板，控制控制噴墨打印機(jī)的噴嘴的運(yùn)動(dòng)。例如還可以是根據(jù)預(yù)設(shè)打印圖形控制有機(jī)發(fā)光元件陣列基板的移動(dòng)路徑以及噴墨打印機(jī)的至少一個(gè)噴嘴的開啟和關(guān)閉形成設(shè)置有第一凹槽結(jié)構(gòu)的有機(jī)層，即固定噴墨打印機(jī)的噴嘴，控制有機(jī)發(fā)光元件陣列基板運(yùn)動(dòng)。例如還可以是設(shè)置預(yù)設(shè)打印圖形，根據(jù)預(yù)設(shè)打印圖形控制陣列式排布的多個(gè)噴嘴的開啟和關(guān)閉形成設(shè)置有第一凹槽結(jié)構(gòu)的有機(jī)層，即有機(jī)發(fā)光元件陣列基板和噴墨打印機(jī)的噴嘴均固定，通過(guò)控制陣列式排布的多個(gè)噴嘴的開啟和關(guān)閉形成設(shè)置有第一凹槽結(jié)構(gòu)的有機(jī)層。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)于噴墨打印機(jī)的噴嘴數(shù)量不做限定。

可選的，還可以通過(guò)控制噴射墨滴大小和/或墨滴噴射速度調(diào)節(jié)第一凹槽結(jié)構(gòu)中相鄰凹槽的間距。例如噴射墨滴以及墨滴噴射速度越大，第一凹槽結(jié)構(gòu)中相鄰凹槽的間距越大。

步驟S330、固化噴射的所述墨滴。

可選的，固化噴射的所述墨滴例如可以是熱固化或者紫外光固化。具體的，可以是通過(guò)控制溫度進(jìn)行固化或者使用紫外光照射進(jìn)行固化。進(jìn)一步的，還可以通過(guò)控制固化溫度和/或固化時(shí)間調(diào)節(jié)第一凹槽的深度和寬度?；蛘咄ㄟ^(guò)控制紫外光的照射強(qiáng)度和照射時(shí)間來(lái)調(diào)節(jié)第一凹槽的深度和寬度。通過(guò)控制固化時(shí)間、固化溫度以及噴墨打印中噴射出的墨滴速度以及大小等可以控制有機(jī)層的第一凹槽結(jié)構(gòu)的形態(tài)。例如設(shè)置第一凹槽結(jié)構(gòu)側(cè)壁的弧形為凸弧形。

本發(fā)明實(shí)施例優(yōu)選的，設(shè)置第一凹槽結(jié)構(gòu)在有機(jī)發(fā)光元件陣列基板上的正投影為網(wǎng)格狀圖形。通過(guò)噴射的墨滴匯聚融合形成具有第一凹槽結(jié)構(gòu)的有機(jī)層。

可選的，所述在所述第一凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)形成有觸控電極包括：通過(guò)噴墨打印工藝或刻蝕工藝在所述第一凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)形成所述觸控電極。

可選的，為簡(jiǎn)化工藝制程，薄膜封裝層中的有機(jī)層以及觸控電極均采用噴墨打印工藝形成。即先通過(guò)噴墨打印工藝形成圖案化(設(shè)置有第一凹槽結(jié)構(gòu))的有機(jī)層，然后通過(guò)噴墨打印工藝將觸控電極噴涂在有機(jī)層的第一凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)。

可選的，通過(guò)噴墨打印工藝在所述第一凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)形成所述觸控電極包括：通過(guò)控制陣列式排布的多個(gè)噴嘴的開啟和關(guān)閉將墨滴噴射在所述第一凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)。

由于需要為觸控電極設(shè)置觸控引線，將觸控電極與對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)芯片接口或柔性電路板電性連接。可選的，本發(fā)明實(shí)施例在形成薄膜封裝層的有機(jī)層時(shí)，在有機(jī)發(fā)光元件陣列基板的顯示區(qū)中形成設(shè)置有第一凹槽結(jié)構(gòu)的有機(jī)層，并且該有機(jī)層延伸至有機(jī)發(fā)光元件陣列基板的非顯示區(qū)時(shí)形成斜坡結(jié)構(gòu)。在第一凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)形成觸控電極時(shí)或者在第一凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)形成觸控電極后，在斜坡結(jié)構(gòu)上形成多條觸控引線，多條觸控引線一端分別與對(duì)應(yīng)的觸控電極電連接，多條觸控引線另一端分別與對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)芯片接口或柔性電路板電性連接。若觸控電極為網(wǎng)格狀金屬走線，觸控引線和觸控電極可以由同種材料在同一工藝制程中形成。為避免斜坡結(jié)構(gòu)與第一凹槽結(jié)構(gòu)之間形成高度差，在彎折過(guò)程中容易引起觸控引線斷裂的問(wèn)題，優(yōu)選的，還可以在斜坡結(jié)構(gòu)上形成第二凹槽結(jié)構(gòu)。第二凹槽結(jié)構(gòu)的側(cè)壁為弧形，多條觸控引線位于第二凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)?？蛇x的，第一凹槽結(jié)構(gòu)和第二凹槽結(jié)構(gòu)可以同時(shí)形成。第二凹槽結(jié)構(gòu)的深度大于觸控引線的厚度。第二凹槽結(jié)構(gòu)的寬度大于觸控引線的寬度。第二凹槽結(jié)構(gòu)側(cè)壁的弧形也可以為凸弧形。第二凹槽結(jié)構(gòu)的深度可以和第一凹槽結(jié)構(gòu)的深度相同，也可以不同。

本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光元件陣列基板包括矩陣式排列的多個(gè)發(fā)光單元，多個(gè)發(fā)光單元之間具有間隔區(qū)域。若第一凹槽結(jié)構(gòu)在有機(jī)發(fā)光元件陣列基板上的正投影為網(wǎng)格狀圖形，可選的，設(shè)置第一凹槽結(jié)構(gòu)在有機(jī)發(fā)光元件陣列基板的垂直投影位于間隔區(qū)域內(nèi)，可以防止在第一凹槽結(jié)構(gòu)中設(shè)置網(wǎng)格狀金屬走線的觸控電極占用發(fā)光區(qū)域。第一凹槽結(jié)構(gòu)的寬度可以根據(jù)間隔區(qū)域的大小設(shè)定。

可選的，本發(fā)明實(shí)施例中第一凹槽結(jié)構(gòu)中每一凹槽的寬度范圍為5-20um；第一凹槽結(jié)構(gòu)中相鄰凹槽的間距范圍為30-500um。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過(guò)以上實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說(shuō)明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。