本發(fā)明涉及發(fā)光材料領(lǐng)域，特別是涉及一種OLED發(fā)光器件及顯示裝置。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)由于具有質(zhì)輕、材料來源廣、節(jié)能環(huán)保、可與柔性基底兼容等眾多優(yōu)點而越來越受到人們的關(guān)注，成為公認(rèn)的下一代的顯示和照明的光源器件。

然而結(jié)構(gòu)簡單，發(fā)光效率高、性能穩(wěn)定并且工作壽命長的磷光OLED器件仍然是制約OLED產(chǎn)業(yè)化的一大技術(shù)瓶頸。這是因為傳統(tǒng)的OLED發(fā)光器件中，電子傳輸層和發(fā)光層材料是選擇不同的材料，這樣就會造成兩者的能級不匹配，同時在發(fā)光層和電子傳輸層的界面處會有比較大的注入能壘產(chǎn)生，導(dǎo)致對于大多數(shù)磷光主體材料來說，電子遷移率普遍低于空穴遷移率。

故，有必要提供一種OLED發(fā)光器件及顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種可以有效的提高電子遷移率，從而提高發(fā)光效率的OLED發(fā)光器件及顯示裝置；以解決現(xiàn)有的OLED發(fā)光器件及顯示裝置的電子遷移率較低，從而導(dǎo)致發(fā)光效率較低的技術(shù)問題。

本發(fā)明實施例提供一種OLED發(fā)光器件，其包括依次設(shè)置的基板、透明陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、激子阻隔層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極；其中所述電子傳輸層和所述發(fā)光層的主體材料相同，所述主體材料包括苯并咪唑基團(tuán)和二苯基磷氧基團(tuán)。

在本發(fā)明所述的OLED發(fā)光器件中，所述發(fā)光層的主體材料為mNBIPO，所述發(fā)光層的客體材料為磷光材料Ir(ppy)₃；所述電子傳輸層的主體材料為TmPyPB。

在本發(fā)明所述的OLED發(fā)光器件中，所述發(fā)光層的主體材料為mNBIPO，所述發(fā)光層的客體材料為磷光材料Ir(ppy)₃；所述電子傳輸層的主體材料為mNBIPO。

在本發(fā)明所述的OLED發(fā)光器件中，所述透明陽極為ITO，所述空穴注入層為MoO₃，所述空穴傳輸層為TAPC，所述激子阻擋層為TCTA，所述電子注入層為LiF，所述陰極為Al。

在本發(fā)明所述的OLED發(fā)光器件中，所述電子傳輸層和所述發(fā)光層的厚度之和為50nm-60nm。

在本發(fā)明所述的OLED發(fā)光器件中，所述發(fā)光層的厚度為15nm-25nm，所述電子傳輸層的厚度為35nm-45nm。

在本發(fā)明所述的OLED發(fā)光器件中，所述空穴注入層的厚度為8nm至11nm，所述空穴傳輸層的厚度為35nm至45nm，所述激子阻擋層的厚度為4nm至6nm，所述電子注入層的厚度為0.8nm至1.2nm，所述陰極厚度為90nm至110nm。

在本發(fā)明所述的OLED發(fā)光器件中，所述mNBIPO的結(jié)構(gòu)通式如下所示：

所述Ir(ppy)₃的結(jié)構(gòu)通式如下所示：

所述TmPyPB的結(jié)構(gòu)通式如下所示：

所述TAPC的結(jié)構(gòu)通式如下所示：

所述TCTA的結(jié)構(gòu)通式如下所示：

在本發(fā)明所述的OLED發(fā)光器件中，通過蒸鍍的方式在所述基板上依次形成所述透明陽極、所述空穴注入層、所述空穴傳輸層、所述激子阻隔層、所述發(fā)光層、所述電子傳輸層、所述電子注入層以及所述陰極。

本發(fā)明實施例還提供一種使用上述OLED發(fā)光器件的顯示裝置。

相較于現(xiàn)有的OLED發(fā)光器件及顯示裝置，本發(fā)明的OLED發(fā)光器件及顯示裝置通過設(shè)置相同主體材料的電子傳輸層和發(fā)光層，提高了電子傳輸層的電子遷移率，進(jìn)而提高了OLED發(fā)光器件的發(fā)光效率；解決了現(xiàn)有的OLED發(fā)光器件及顯示裝置的電子遷移率較低，從而導(dǎo)致發(fā)光效率較低的技術(shù)問題。

為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下：

附圖說明

圖1為本發(fā)明的OLED發(fā)光器件的第一優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明的OLED發(fā)光器件的第一優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)能級示意圖；

圖3為本發(fā)明的OLED發(fā)光器件的第二優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明的OLED發(fā)光器件的優(yōu)選實施例的亮度-電壓-電流密度曲線圖；

圖5為本發(fā)明的OLED發(fā)光器件的優(yōu)選實施例的功率效率-電流效率-亮度曲線圖；

圖6為本發(fā)明的OLED發(fā)光器件的優(yōu)選實施例的外部量子效率-亮度曲線圖；

圖7為本發(fā)明的OLED發(fā)光器件的優(yōu)選實施例的電致發(fā)光效率-波長曲線圖。

具體實施方式

以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實施的特定實施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。

在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號表示。

請參照圖1和圖2，圖1為本發(fā)明的OLED發(fā)光器件的第一優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明的OLED發(fā)光器件的第一優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)能級示意圖。本優(yōu)選實施例的OLED發(fā)光器件10包括依次設(shè)置的基板11、透明陽極12、空穴注入層13、空穴傳輸層14、激子阻隔層15、發(fā)光層16、電子傳輸層17、電子注入層18以及陰極19。其中電子傳輸層17和發(fā)光層16的主體材料相同，該主體材料包括苯并咪唑基團(tuán)和二苯基磷氧基團(tuán)。

其中可通過蒸鍍的方式在基板11上依次形成透明陽極12、空穴注入層13、空穴傳輸層14、激子阻隔層15、發(fā)光層16、電子傳輸層17、電子注入層18以及陰極19。

本優(yōu)選實施例的OLED發(fā)光器件10的透明陽極12的材料為ITO(Indium Tin Oxides，氧化銦錫)；空穴注入層13的材料為MoO₃(三氧化鉬)；空穴傳輸層14的材料為TAPC；激子阻擋層15的材料為TCTA；發(fā)光層16的客體材料為磷光材料Ir(ppy)₃，發(fā)光層16的主體材料為mNBIPO；電子傳輸層17的主體材料為TmPyPB；電子注入層18的材料為LiF(氟化鋰)；陰極19的材料為Al。

其中mNBIPO的結(jié)構(gòu)通式如下所示：

Ir(ppy)₃的結(jié)構(gòu)通式如下所示：

TmPyPB的結(jié)構(gòu)通式如下所示：

TAPC的結(jié)構(gòu)通式如下所示：

TCTA的結(jié)構(gòu)通式如下所示：

本優(yōu)選實施例的OLED發(fā)光器件中，空穴注入層13的厚度為8nm至11nm，優(yōu)選為10nm；空穴傳輸層14的厚度為35nm至45nm，優(yōu)選為40nm；激子阻擋層15的厚度為4nm至6nm，優(yōu)選為5nm；發(fā)光層16的厚度為15nm-25nm，優(yōu)選為20nm；電子傳輸層17的厚度為35nm-45nm，優(yōu)選為40nm；電子注入層18的厚度為0.8nm至1.2nm，優(yōu)選為1nm；陰極19厚度為90nm至110nm，優(yōu)選為100nm。

請參照圖3，圖3為本發(fā)明的OLED發(fā)光器件的第二優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本優(yōu)選實施例的OLED發(fā)光器件30包括依次設(shè)置的基板31、透明陽極32、空穴注入層33、空穴傳輸層34、激子阻隔層35、發(fā)光層36、電子傳輸層37、電子注入層38以及陰極39。其中電子傳輸層37和發(fā)光層36的主體材料相同，該主體材料包括苯并咪唑基團(tuán)和二苯基磷氧基團(tuán)。

本優(yōu)選實施例和第一優(yōu)選實施例的區(qū)別在于發(fā)光層36的主體材料為mNBIPO，電子傳輸層37的主體材料也為mNBIPO。

下面根據(jù)本優(yōu)選實施例的OLED發(fā)光器件的參數(shù)曲線來說明本優(yōu)選實施例的OLED發(fā)光器件的具體性能參數(shù)。請參照圖4至圖7。圖4為本發(fā)明的OLED發(fā)光器件的優(yōu)選實施例的亮度-電壓-電流密度曲線圖；圖5為本發(fā)明的OLED發(fā)光器件的優(yōu)選實施例的功率效率-電流效率-亮度曲線圖；圖6為本發(fā)明的OLED發(fā)光器件的優(yōu)選實施例的外部量子效率-亮度曲線圖；圖7為本發(fā)明的OLED發(fā)光器件的優(yōu)選實施例的電致發(fā)光效率-波長曲線圖。

從以上圖表中的器件數(shù)據(jù)可以看出，以經(jīng)典的電子傳輸材料TmPyPB作為電子傳輸層，以mNBIPO作為磷光主體材料的OLED發(fā)光器件A(第一優(yōu)選實施例)表現(xiàn)出良好的發(fā)光效率，η_CE,max達(dá)到了73.3cd/A，η_PE,max達(dá)到了67.1lm/W，EQE_max達(dá)到19.9％。這表明mNBIPO適合同時作為磷光主體用于電致發(fā)光器件中。

同時，相應(yīng)的OLED發(fā)光器件B(第二優(yōu)選實施例)的器件效率更高，分別為：η_CE,max達(dá)到了75.3cd/A，η_PE,max達(dá)到了78.5lm/W，EQE_max達(dá)到20.3％。更為重要的是OLED發(fā)光器件B的開啟電壓為2.7V，這表明OLED發(fā)光器件B的注入能壘很小，有利于器件功率效率的提升。OLED發(fā)光器件B的外部量子效率均在20％以上，這說明OLED發(fā)光器件B中的電子和空穴注入平衡，并且能夠很好地在發(fā)光層復(fù)合發(fā)光。OLED發(fā)光器件B的EL光譜均表現(xiàn)出Ir(ppy)₃的本征發(fā)射光譜，CIE坐標(biāo)在(0.30，0.64)左右，這表明mNBIPO的三重態(tài)能量均能很好地轉(zhuǎn)移到Ir(ppy)₃上，最后以光的形式輻射出來。通過以上的器件數(shù)據(jù)可以說明，采用含有苯并咪唑基團(tuán)和二苯基磷氧基團(tuán)的mNBIPO制作的電子同質(zhì)OLED發(fā)光器件B，無論在器件效率還是穩(wěn)定性方面都優(yōu)于傳統(tǒng)的非同質(zhì)器件。

本發(fā)明還提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括OLED發(fā)光器件，該OLED發(fā)光器件包括依次設(shè)置的基板、透明陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、激子阻隔層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極；其中電子傳輸層和發(fā)光層的主體材料相同，主體材料包括苯并咪唑基團(tuán)和二苯基磷氧基團(tuán)。

優(yōu)選的，發(fā)光層的主體材料為mNBIPO，發(fā)光層的客體材料為磷光材料Ir(ppy)₃；電子傳輸層的主體材料為TmPyPB。

優(yōu)選的，發(fā)光層的主體材料為mNBIPO，發(fā)光層的客體材料為磷光材料Ir(ppy)₃；電子傳輸層的主體材料為mNBIPO。

優(yōu)選的，透明陽極為ITO，空穴注入層為MoO₃，空穴傳輸層為TAPC，激子阻擋層為TCTA，電子注入層為LiF，陰極為Al。

優(yōu)選的，電子傳輸層和發(fā)光層的厚度之和為50nm-60nm。

優(yōu)選的，發(fā)光層的厚度為15nm-25nm，電子傳輸層的厚度為35nm-45nm。

優(yōu)選的，空穴注入層的厚度為8nm至11nm，空穴傳輸層的厚度為35nm至45nm，激子阻擋層的厚度為4nm至6nm，電子注入層的厚度為0.8nm至1.2nm，陰極厚度為90nm至110nm。

優(yōu)選的，mNBIPO的結(jié)構(gòu)通式如下所示：

Ir(ppy)₃的結(jié)構(gòu)通式如下所示：

TmPyPB的結(jié)構(gòu)通式如下所示：

TAPC的結(jié)構(gòu)通式如下所示：

所述TCTA的結(jié)構(gòu)通式如下所示：

優(yōu)選的，通過蒸鍍的方式在基板上依次形成透明陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、激子阻隔層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極。

本優(yōu)選實施例的顯示裝置的具體工作原理與上述的OLED發(fā)光器件的優(yōu)選實施例中的描述相同或相似，具體請參見上述OLED發(fā)光器件的優(yōu)選實施例中的相關(guān)描述。

本發(fā)明的OLED發(fā)光器件及顯示裝置通過設(shè)置相同主體材料的電子傳輸層和發(fā)光層，提高了電子傳輸層的電子遷移率，進(jìn)而提高了OED發(fā)光器件的發(fā)光效率；解決了現(xiàn)有的OLED發(fā)光器件及顯示裝置的電子遷移率較低，從而導(dǎo)致發(fā)光效率較低的技術(shù)問題。

綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭露如上，但上述優(yōu)選實施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。