技術特征：

技術總結(jié)
本申請涉及包含異質(zhì)結(jié)的光電子器件。本發(fā)明的實施方式大體涉及光電子半導體器件，例如包括太陽能電池的光伏器件。一方面，光電子半導體器件包含由砷化鎵(GaAs)制成并且僅具有一種摻雜型的吸收層。發(fā)射極層比吸收層更靠近器件的背面，發(fā)射極層由與吸收層不同的材料制成，并且具有比吸收層高的帶隙。異質(zhì)結(jié)在發(fā)射極層和吸收層之間形成，且p?n結(jié)在發(fā)射極層和吸收層之間形成并且至少部分在與異質(zhì)結(jié)偏離的位置處的不同材料內(nèi)。p?n結(jié)響應于器件在器件的正面處暴露于光而在器件中引起電壓產(chǎn)生。

技術研發(fā)人員：聶輝;布蘭登·M·卡耶斯;伊西克·C·奇吉爾亞里
受保護的技術使用者：奧塔裝置公司
技術研發(fā)日：2011.10.26
技術公布日：2017.07.07