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一種QLED器件的制作方法

文檔序號:12614328閱讀:來源:國知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種QLED器件,包括依次設置的襯底、底電極、空穴功能層、量子點發(fā)光層、電子功能層和頂電極,所述空穴功能層、所述電子功能層均由無機材料制成,且所述空穴功能層和/或所述電子功能層采用MOCVD法制備獲得,其中,所述空穴功能層包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層中的至少一層,所述電子功能層包括電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層中的至少一層。本發(fā)明提供的QLED器件,提高了器件效率、穩(wěn)定性和使用壽命。

技術(shù)研發(fā)人員:錢磊;楊一行;曹蔚然;向超宇
受保護的技術(shù)使用者:TCL集團股份有限公司
文檔號碼:201610830088
技術(shù)研發(fā)日:2016.09.18
技術(shù)公布日:2017.01.11

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