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一種QLED器件的制作方法

文檔序號:12614328閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種QLED器件,包括依次設(shè)置的襯底、底電極、空穴功能層、量子點發(fā)光層、電子功能層和頂電極,其特征在于,所述空穴功能層、所述電子功能層均由無機材料制成,且所述空穴功能層和/或所述電子功能層采用MOCVD法制備獲得,其中,所述空穴功能層包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層中的至少一層,所述電子功能層包括電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層中的至少一層。

2.如權(quán)利要求1所述的QLED器件,其特征在于,所述空穴功能層為p型InxGa1-xN、p型GaN:Mg、p型AlxGa1-xAsyP1-y、p型AlxGa1-xN中的至少一種形成的材料層,其中,所述x、y的取值范圍滿足:0≤x≤1,0≤y≤1,

且當所述空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層中的兩層或三層同為p型InxGa1-xN時,各層x的取值范圍不同;

當所述空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層中的兩層或三層同為p型AlxGa1-xAsyP1-y時,各層x的取值范圍不同,各層y的取值范圍不同;

當所述空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層中的兩層或三層同為p型GaN:Mg時,各層Mg的摻雜濃度不同;

當所述空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層中的兩層或三層同為p型AlxGa1-xN時,各層x的取值范圍不同。

3.如權(quán)利要求2所述的QLED器件,其特征在于,所述空穴功能層的厚度D1滿足:0<D1≤1000nm。

4.如權(quán)利要求1所述的QLED器件,其特征在于,所述電子功能層為無機納米氧化鋅、n型GaN:Si/GaN雙層結(jié)構(gòu)、n型AlxGa1-xAsyP1-y、n型GaSb、n型AlxGa1-xN中的至少一種形成的材料層,其中,所述x、y的取值范圍滿足:0≤x≤1,0≤y≤1,

且當所述電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層中的兩層或三層同為n型AlxGa1-xAsyP1-y時,各層x的取值范圍不同,各層y的取值范圍不同;

當所述電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層中的兩層或三層同為n型GaN:Si/GaN雙層結(jié)構(gòu)時,各層Si的摻雜濃度不同;

當所述電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層中的兩層或三層同為n型AlxGa1-xN時,各層x的取值范圍不同。

5.如權(quán)利要求4所述的QLED器件,其特征在于,所述電子功能層的厚度D2滿足:0<D2≤1000nm。

6.如權(quán)利要求1-5任一所述的QLED器件,其特征在于,所述空穴功能層為p型InxGa1-xN、p型GaN:Mg、p型AlxGa1-xAsyP1-y、p型AlxGa1-xN中的至少一種形成的材料層,所述電子功能層為無機納米氧化鋅、n型GaN:Si/GaN雙層結(jié)構(gòu)、n型AlxGa1-xAsyP1-y、n型GaSb、n型AlxGa1-xN中的至少一種形成的材料層,其中,所述x、y的取值范圍滿足:0≤x≤1,0≤y≤1,且所述空穴功能層和所述電子功能層均采用MOCVD法制備獲得。

7.如權(quán)利要求1-5任一所述的QLED器件,其特征在于,所述量子點發(fā)光層由紅色量子點CdSe/ZnS制成,且所述空穴傳輸層為MOCVD法制備的In0.8Ga0.2N,所述電子傳輸層為無機納米氧化鋅。

8.如權(quán)利要求1-5任一所述的QLED器件,其特征在于,所述量子點發(fā)光層由藍色量子點CdZnS/ZnS制成,且所述空穴傳輸層為MOCVD法制備的In0.2Al0.8N,所述電子傳輸層為MOCVD法制備的Al0.6Ga0.4As0.6P0.4

9.如權(quán)利要求1-5任一所述的QLED器件,其特征在于,所述量子點發(fā)光層由綠色量子點CdSe/ZnSe/ZnS制成,且所述空穴傳輸層為MOCVD法制備的In0.2Ga0.8N,所述電子傳輸層為MOCVD法制備的In0.1Ga0.9As0.8P0.2。

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