技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的實施方式提供形成納米接構(gòu)的方法、使用其制造半導(dǎo)體器件的方法和包括納米結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。形成納米結(jié)構(gòu)的方法可以包括形成絕緣層以及在絕緣層上形成納米結(jié)構(gòu)。該絕緣層可以具有晶體結(jié)構(gòu)。該絕緣層可以包括絕緣二維(2D)材料。該絕緣2D材料可以包括六方氮化硼(h?BN)。該絕緣層可以形成在催化劑金屬層上。該納米結(jié)構(gòu)可以包括硅(Si)、鍺(Ge)和SiGe中的至少一種。納米結(jié)構(gòu)可以包括至少一個納米線。

技術(shù)研發(fā)人員：吳暎澤;權(quán)赫信;徐煥受;田仁秀
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.09
技術(shù)公布日：2017.08.11