相關(guān)申請的交叉引用

本申請基于2015年9月18日提交的日本專利申請2015-184606和2016年5月23日提交的日本專利申請2016-102090，并要求上述兩個申請的優(yōu)先權(quán)，在此以援引方式納入這兩個申請的全部內(nèi)容。

本公開涉及一種壓配端子(press-fitterminal，壓入端子)。

背景技術(shù)：

電子控制裝置使用壓配端子作為接線端子，該壓配端子連接到電子電路、電源電路等。壓配端子是這樣一種接線端子，其電連接到電子電路板上的通孔的內(nèi)表面，并被壓配(壓入)到該通孔中。因為擔(dān)心當(dāng)壓配端子被壓配到通孔中時，端子表面會被刮削，因此端子的表面要經(jīng)過電鍍處理。

例如，在jp2006-114492a(參考文獻(xiàn)1)中進(jìn)行了下述表面處理。

首先，使基材的表面經(jīng)過鍍ni(鎳)以便形成電鍍基底層。接著，使電鍍基底層的表面依次經(jīng)過鍍cu(銅)和鍍sn(錫)。進(jìn)一步，在經(jīng)過上述電鍍的基材上進(jìn)行回流處理(熱處理)。

借助這種處理，在壓配端子(基材)的表面上形成了具有比sn層的表面硬度更高的表面硬度的cu-sn合金層。

然而，cu的熔點高于sn的熔點，因此在回流處理期間難以充分地熔化cu鍍層，且使cu不均勻地散布在sn鍍層中，或使cu不能夠沉積在sn鍍層的表面上，這是容易發(fā)生在參考文獻(xiàn)1公開的表面處理方法中的問題。此外，人們還擔(dān)心的是，在表面處理的過程中，因受cu鍍層(覆膜)與sn鍍層(覆膜)之間的膜的厚度變化的影響，使cu-sn合金層不均一地形成在基材的表面層上。

由于上述因素，在該表面處理方法中，存在著壓配端子的電鍍表面層的表面硬度部分地降低、且當(dāng)壓配端子被壓配到通孔中時鍍層局部被刮削的問題。因此，相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域需要一種與現(xiàn)有技術(shù)中的壓配端子相比，其表面被刮削的可能性較小的壓配端子。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明的目的在于提供一種不具有上文所述的缺點的壓配端子，尤其提供一種壓入通孔時電鍍表面層整體難以被刮削的壓配端子。

本發(fā)明優(yōu)選地包括基材和在該基材表面上實施的由sn-ni合金構(gòu)成的電鍍表面層。

在本發(fā)明中，在壓配端子的表面上形成有由sn-ni合金構(gòu)成的電鍍表面層。

在電鍍表面層中均勻地散布有ni，并且ni在電鍍表面層的最上層表面出現(xiàn)。因此，能夠充分提高電度表面層整體的表面硬度。

因此，在將壓配端子壓入電子電路基板的通孔時，能夠減小壓配端子的表面被切削的可能性。

優(yōu)選為，所述電鍍表面層中的ni含量(含有率)在10wt％以上40wt％以下。

當(dāng)電鍍表面層中的ni含量不足10wt％時，不能使電鍍表面層整體的表面硬度足夠大。因此，在這種情況下，將壓配端子壓入電子電路基板的通孔時，壓配端子的表面被刮削的可能性變大。

另外，當(dāng)電鍍表面層中的ni含量大于40wt％時，導(dǎo)致壓配端子相對電子電路基板的通孔的接觸電阻變得過大。

但是，當(dāng)電鍍表面層中的ni含量在10wt％以上40wt％以下時，能夠降低發(fā)生上述情況的可能性。

優(yōu)選為，所述基材為cu或者cu合金，在所述基材與所述電鍍表面層之間具有作為ni覆膜的電鍍基底層，所述電鍍表面層的厚度為0.3μm以下，所述電鍍基底層中的ni結(jié)晶(晶體)的最大粒徑為500nm以下。

需要說明的是，本說明書中的“ni覆膜”不僅包括“僅含有ni的覆膜”，還包括“含有ni和除ni以外的其它成分的覆膜”。

如果具有上述構(gòu)造，則能夠利用作為ni覆膜的電鍍基底層，抑制基材中的cu在電鍍表面層(sn)中擴(kuò)散。此外，由于電鍍基底層的硬度變高且電鍍表面層變薄，因此壓配端子的表面硬度變高。

優(yōu)選地，所述電鍍基底層含有鄰磺酰苯甲酰亞胺(糖精)和1,4-丁炔二醇作為增亮劑。

如果具有上述構(gòu)造，則電鍍基底層以ni結(jié)晶變細(xì)的狀態(tài)形成。因此，能夠使電鍍基底層的ni結(jié)晶的最大粒徑的尺寸在500nm以下。

附圖說明

通過參照附圖來理解下文的詳細(xì)描述，本公開的前述的和其它的特征與特點將變得更為清晰易懂，其中：

圖1是示出根據(jù)本公開的一實施例的壓配端子被壓配到電子電路板上的通孔中的狀態(tài)的示意圖；

圖2是壓配端子的壓配部的斷面圖；

圖3是表示示例1和示例2以及比較例1和比較例2中的壓配端子的電鍍條件和相應(yīng)的試驗結(jié)果的表；以及

圖4是表示本公開的示例3(屬于第二實施例)、示例4(屬于第三實施例)和示例5(屬于第四實施例)中的壓配端子的電鍍條件和相應(yīng)的試驗結(jié)果的表。

具體實施方式

在下文中，將參照圖1到圖3描述本公開的第一實施例。

壓配端子10形成為細(xì)長形。如圖1所示，壓配端子10的尖端側(cè)上設(shè)置有壓配部11。在壓配部11中形成有狹縫12，從而壓配部11能沿壓配端子10的寬度方向彈性變形。

如圖1所示，在電子電路板20的表面上形成有電子電路(圖中未示出)，通孔21的表面經(jīng)過金屬鍍層以便被連接到電子電路。

當(dāng)壓配端子10的壓配部11被壓配到電子電路板20的通孔21中時，壓配部11與通孔21的表面接觸，同時沿寬度變得更小的方向彈性變形。因此，壓配端子10與電子電路板20的電子電路通過通孔21的金屬鍍層而彼此導(dǎo)電。

壓配端子10是通過由基板經(jīng)沖壓加工而獲得基材的表面上進(jìn)行電鍍處理而被制成。上述基板(基材)由cu或cu合金制成。通過沖壓加工，壓配端子10從基板形成為如圖1所示的形狀。而且，在基材15的表面(包括在沖壓加工中形成的斷面)上形成電鍍基底層16(其為ni覆膜)，如圖2所示。電鍍基底層16的厚度在0.5μm到2.0μm的范圍內(nèi)。通過使用含有例如ni離子的電鍍液進(jìn)行電鍍而在基材15的表面上形成電鍍基底層16。應(yīng)注意到，優(yōu)選的是在使電鍍基底層16形成在基材15的表面上之前，在基材15的表面上進(jìn)行(諸如電解脫脂、酸洗和水洗之類的)表面處理。

此外，如圖2所示，由sn-ni合金構(gòu)成的電鍍表面層(覆膜)17形成在電鍍基底層16的表面上。

電鍍表面層17是通過使用含有例如sn離子和ni離子的sn-ni合金電鍍液而電鍍形成在壓配端子10的表面上。考慮到諸如sn-ni合金電鍍液和螯合劑中的sn離子與ni離子的比的電鍍條件，ni均勻地分散到電鍍表面層17并被沉積在電鍍表面層17的表面上。在這種情況下，在使電鍍表面層17的電鍍處理在電鍍基底層16的表面上進(jìn)行之后，不必進(jìn)行回流處理。應(yīng)注意，優(yōu)選地，在電鍍處理在電鍍表面層17上進(jìn)行之前，(諸如酸洗和水洗的)表面處理在電鍍基底層16的表面上進(jìn)行。

電鍍表面層17中的ni含量被設(shè)定在10wt％到40wt％的范圍內(nèi)。此外，電鍍表面層17的厚度在0.5μm到2.0μm的范圍內(nèi)。

ni均勻地散布在電鍍表面層17中并且被沉積在電鍍表面層17的表面上，這樣，電鍍表面層17的整體表面硬度足夠高。因此，當(dāng)壓配端子10的壓配部11被壓配到電子電路板20的通孔21中時，電鍍表面層17(其為壓配部11的表面)被通孔21的表面刮削的可能性較小。

因此，能夠?qū)号涠俗?0與電子電路板20可靠地彼此連接。

應(yīng)注意到，若電鍍表面層17中的ni含量小于10wt％，則電鍍表面層17的整體表面硬度并不足夠高。因此，在這種情況下，當(dāng)壓配端子10的壓配部11被壓配到電子電路板20的通孔21中時，壓配部11的電鍍表面層17很可能被刮削。

此外，若電鍍表面層17中的ni含量大于40wt％，則難以在壓配端子10上進(jìn)行sn-ni合金電鍍以便設(shè)定所期望的ni比率。而且，在這種情況下，壓配端子10的壓配部11相對于電子電路板20的通孔21的接觸電阻變得過大。

然而，當(dāng)電鍍表面層17中的ni含量被設(shè)定為如本實施例中所述的10wt％到40wt％的范圍內(nèi)時，能夠減少上述缺陷的發(fā)生。

此外，在壓配端子10中，電鍍基底層16被插入于基材15與電鍍表面層17之間。

因此，能夠防止基材15中的cu通過電鍍基底層16而被散布到電鍍表面層17(sn)中。

隨后，將描述本公開的示例(示例1)與比較例。應(yīng)注意到，在示例1中與在相應(yīng)的比較例中壓配端子的基材具有大致相同的尺寸。此外，每個基材的材料都是cu。

示例1

示例1中的壓配端子是通過使用與上述實施例中的壓配端子10相同的制造方法制成。如圖3的表中所示，示例1中的壓配端子的電鍍基底層的厚度是1.0μm，電鍍表面層的厚度是2.0μm。此外，電鍍表面層中的ni含量是10wt％。

示例2

示例2中的壓配端子是通過使用與上述實施例中的壓配端子10相同的制造方法制成。如圖3的表中所示，示例2中的壓配端子的電鍍基底層的厚度是1.0μm，電鍍表面層的厚度是2.0μm。此外，電鍍表面層中的ni含量是35wt％。

比較例1

比較例1中的壓配端子是通過使用與上述實施例中的壓配端子10相同的制造方法制成。如圖3的表中所示，比較例1中的壓配端子的電鍍基底層的厚度是1.0μm，電鍍表面層的厚度是2.0μm。此外，電鍍表面層中的ni含量是5wt％。

比較例2

圖3的表中所示的比較例2中的壓配端子是通過使用與上述實施例中的壓配端子10不同的制造方法制成。即，在ni鍍層形成于基材的表面上之后，在ni鍍層的表面上形成sn鍍層，隨后在壓配端子上進(jìn)行回流處理，從而制成比較例2中的壓配端子。電鍍基底層16是通過使用含有ni離子的電鍍液而電鍍形成。在這種情況下，sn鍍層和ni鍍層在回流處理期間被熔化，由此在sn鍍層與ni鍍層之間的邊界處形成sn-ni合金。然而，由于電鍍表面層增厚，在回流處理期間ni難以在sn鍍層的內(nèi)部擴(kuò)散，因此ni不會出現(xiàn)在電鍍表面層的最外部表面上。應(yīng)注意到，在前述電鍍液中沒有添加增亮劑。

比較例2中的壓配端子的ni鍍層(基底鍍層)的厚度是1.0μm，sn鍍層(電鍍表面層)的厚度是2.0μm。而且，sn鍍層(電鍍表面層)中的ni含量是30wt％。

隨后，下文將描述示例1和示例2以及比較例1和比較例2的性能評價試驗結(jié)果。

刮削抑制試驗

將示例1和示例2以及比較例1和比較例2中的相應(yīng)的壓配端子的每個壓配部壓配(插入)到電子電路板20的通孔21中，隨后目視確定在鍍層中產(chǎn)生的刮削的量。具體而言，在將每個壓配端子插入到通孔21之后，在壓配端子插入通孔21中的狀態(tài)下，目視評價集中在通孔21附近的鍍層中所產(chǎn)生的刮削的存在。結(jié)果，如圖3的表中所示，在示例1和示例2中未確定有刮削存在。另一方面，在比較例1和比較例2中確定有刮削。

比較例1中的壓配端子的電鍍表面層中的ni含量是5wt％，小于示例1與示例2中的ni含量。因此，該電鍍表面層的表面硬度不足夠高，由此，據(jù)估計其刮削量大于示例1與示例2中的刮削量。

在比較例2的壓配端子中，通過進(jìn)行回流處理而使sn鍍層與ni鍍層被熔化，使得在sn鍍層與ni鍍層之間的邊界處形成sn-ni合金。然而，電鍍表面層變厚，因此在回流處理期間ni不會均勻地擴(kuò)散到sn鍍層中。即，ni不會出現(xiàn)或幾乎不會出現(xiàn)在最外部電鍍表面層上。在這種情況下，電鍍表面層的表面硬度降低，由此，據(jù)估計電鍍表面層被通孔21刮削。

表面硬度試驗

通過維氏硬度試驗測量示例1和示例2以及比較例1和比較例2中的壓配端子的表面硬度。同時，維氏硬度試驗是通過使用微型維氏硬度試驗機(jī)(由future-techcorp制造，產(chǎn)品名：fm-ars900)進(jìn)行的。

結(jié)果，如圖3的表中所示，能夠確定示例1與示例2中的壓配端子具有足夠高的硬度。另一方面，確定比較例1與比較例2中的壓配端子的硬度不足。

可以認(rèn)為，導(dǎo)致上述結(jié)果的因素與刮削抑制試驗情況下的因素相同。

破裂試驗

在示例1和示例2以及比較例1和比較例2中的每個壓配端子的壓配部被壓配到電子電路板20的通孔21中之后，當(dāng)將壓配部從通孔21中拔出時，目視確定在壓配部的電鍍表面層上是否發(fā)生破裂。結(jié)果，如圖3的表中所示，在任何壓配端子中均未發(fā)現(xiàn)破裂。

綜合評價

根據(jù)上述結(jié)果，示例1和示例2的綜合評價被確定為通過(○)，比較例1和比較例2的綜合評價被確定為失敗(×)。

隨后，將主要參照圖4描述本公開的第二實施例。應(yīng)注意到，與第一實施例中相同的構(gòu)件以相同的附圖標(biāo)記表示，且其詳細(xì)描述將不再重復(fù)。

本實施例的壓配端子10的基底結(jié)構(gòu)與第一實施例中的相同。即，本實施例的壓配端子10也是通過在經(jīng)基板的沖壓加工而獲得的基材的表面上進(jìn)行電鍍處理而制成的。此外，壓配端子10具有基材15、電鍍基底層16和電鍍表面層17。

電鍍基底層16(其為ni覆膜)形成在由cu或cu合金制成的基材15的表面(包括在沖壓加工時形成的斷面)上。電鍍基底層16的厚度在1.5μm到2.0μm的范圍內(nèi)。

通過使用含有例如ni離子的電鍍液進(jìn)行電鍍而在基材15的表面上形成電鍍基底層16。電鍍液包括作為主增亮劑的鄰磺酰苯甲酰亞胺(糖精)和作為次增亮劑的1,4-丁炔二醇。同時，優(yōu)選的是，在使電鍍基底層16形成在基材15中之前，在基材15的表面上進(jìn)行(諸如電解脫脂、酸洗和水洗之類的)表面處理。

另外，在電鍍基底層16的表面上形成電鍍表面層(覆膜)17，該電鍍表面層由sn-ni合金構(gòu)成且具有等于或小于0.3μm的厚度。

電鍍表面層17例如通過以下步驟形成。即，首先通過使用含有sn離子的電鍍液進(jìn)行電鍍而在電鍍基底層16的表面上形成sn層。接著，在壓配端子10上進(jìn)行回流處理。由此，電鍍基底層16和電鍍表面層17被熔化。此外，由于電鍍表面層17很薄，所以在回流處理期間ni被擴(kuò)散至電鍍表面層17的最外部表面(ni在電鍍表面層的內(nèi)部均勻地擴(kuò)散)，因此，ni出現(xiàn)在電鍍表面層17的最外部表面。以此方式，電鍍表面層17由sn-ni合金構(gòu)成。

同時，優(yōu)選的是，在電鍍表面層17上進(jìn)行電鍍處理之前，在電鍍基底層16的表面上進(jìn)行(諸如酸洗和水洗之類的)表面處理。

電鍍基底層16是通過使用包括作為主增亮劑的鄰磺酰苯甲酰亞胺和作為次增亮劑的1,4-丁炔二醇的電鍍液而形成的。因此，在ni結(jié)晶(crystal，晶體)被細(xì)化的狀態(tài)下形成電鍍基底層16。更具體地說，電鍍基底層16的ni結(jié)晶的最大粒徑等于或小于500nm(納米)。電鍍基底層16中的ni結(jié)晶如上所述地被細(xì)化，由此電鍍基底層16的硬度變得更高。應(yīng)注意到，電鍍基底層16的硬度變得更高的原因被估計為如下：即，可以認(rèn)為當(dāng)電鍍基底層16中的ni結(jié)晶被細(xì)化時，電鍍基底層16(ni涂覆層)中的ni結(jié)晶顆粒之間的滑移被抑制，由此，覆膜的硬度變得更高。此外，可以認(rèn)為電鍍基底層16中包含的鄰磺酰苯甲酰亞胺和1,4-丁炔二醇被附著在ni結(jié)晶顆粒的表面上，ni結(jié)晶顆粒之間的滑移被抑制，由此，覆膜的硬度變得更高。

此外，電鍍基底層16(ni層)被設(shè)置于電鍍表面層17的內(nèi)側(cè)，該電鍍基底層16具有大于電鍍表面層17的厚度和高于sn的硬度。因此，壓配部11的表面硬度變得過高。具體而言，壓配部11的表面硬度等于或大于400hv。

因此，當(dāng)壓配端子10的壓配部11被壓配到電子電路板20的通孔21中時，電鍍表面層17(其為壓配部11的表面)被通孔21的表面刮削的可能性較小。因此，能夠?qū)号涠俗?0和電子電路板20可靠地彼此連接。

而且，本實施例的壓配端子10的電鍍表面層17(sn層)的厚度等于或小于0.3μm，由此，當(dāng)將壓配端子10的壓配部11從通孔21中拔出時，電鍍表面層17坍塌(崩潰)的可能性較小。

因此，作為將壓配端子10的壓配部11從通孔21中拔出所需的負(fù)荷，拔出負(fù)荷變得更大。換言之，被壓配到通孔21中的壓配端子10從通孔21中意外脫出的可能性較小。

同時，若電鍍基底層16是使用不含增亮劑(鄰磺酰苯甲酰亞胺和1,4-丁炔二醇)的電鍍液形成的，則電鍍基底層16是在ni結(jié)晶顆粒變得更大的狀態(tài)下形成的。即，電鍍基底層16中的ni結(jié)晶的最大粒徑大于500nm。因此，電鍍基底層16的硬度變低。結(jié)果是，適配部11的表面硬度變低。因此，在這種情況下，當(dāng)將壓配端子10的適配部11從通孔21中拔出時，電鍍表面層17的表面易于坍塌。因此，在這種情況下，相對于壓配部11的通孔21的拔出負(fù)荷變得小。

此外，在電鍍表面層17(sn層)被設(shè)定為大于0.3μm的情況下，當(dāng)將壓配部11從通孔21中拔出時，電鍍表面層17(其比電鍍基底層16更柔韌)易于坍塌。因此，在此情況下，相對于壓配部11的通孔21的拔出負(fù)荷變得更小。

隨后，將在下文中描述本公開的示例3。應(yīng)注意到，與示例1中相同的基材被用作示例3中的壓配端子的基材。

示例3

示例3中的壓配端子是通過使用與第二實施例中的壓配端子10相同的制造方法制成。如圖4的表中所示，示例3中的壓配端子的電鍍基底層16的厚度是2.0μm，電鍍表面層17的厚度是0.2μm。此外，電鍍表面層17中的ni含量是25wt％。而且，在形成電鍍基底層16時使用的電鍍液含有作為主增亮劑的鄰磺酰苯甲酰亞胺和作為次增亮劑的1,4-丁炔二醇。

電鍍基底層16的ni結(jié)晶的最大粒徑等于或小于0.5μm(500nm)。ni結(jié)晶的粒徑是以如下方式測量的：通過使用場發(fā)射掃描電子顯微鏡(fe-sem，由hitachi公司制造，產(chǎn)品名：su-70)捕捉壓配端子的截面圖像，通過使用電子束背散射衍射分析儀(由oxfordinstruments制造，產(chǎn)品名：incax-act)測量捕捉圖像中的ni結(jié)晶的粒徑(粒尺寸)。應(yīng)注意到，下文將描述的示例4和示例5中的ni結(jié)晶的最大粒徑也通過使用如上所述的相同的裝置和相同的方法來測量。

隨后，將描述示例3中的性能評價試驗結(jié)果。

刮削抑制試驗

在示例3中的壓配端子的壓配部被壓配到(插入)電子電路板20的通孔21中之后，通過目視確定鍍層中產(chǎn)生的刮削的量。具體而言，在將壓配端子插入通孔21之后，在壓配端子插入到通孔21的狀態(tài)下，目視評價集中在通孔21附近的鍍層中所產(chǎn)生的刮削的存在。結(jié)果，如圖4的表中所示，在示例3中未確定有刮削存在。

如下文將描述的，示例3中壓配端子的壓配部的表面硬度過高。由此，據(jù)估計示例3中的壓配部的電鍍表面層幾乎沒有被刮削。

表面硬度試驗

通過維氏硬度試驗測量示例3中的壓配端子的表面硬度。應(yīng)注意到，維氏硬度試驗是通過使用微型維氏硬度試驗機(jī)(由future-techcorp制造，產(chǎn)品名：fm-ars900)進(jìn)行的。

結(jié)果，如圖4的表中所示，能夠確定示例3中的壓配端子具有足夠高的表面硬度(表面硬度等于或高于400hv)。

拔出負(fù)荷試驗

將負(fù)荷測量裝置連接到示例3中的壓配端子，將壓配部壓配到電子電路板20的通孔21中，隨后將負(fù)荷測量裝置拉出以便從通孔21中拔出壓配部。此外，當(dāng)壓配部被從通孔21中拔出時，通過使用自動負(fù)荷測試儀(由japaninstrumnentationsystem公司制造，產(chǎn)品名：maxseriesdesktoptype)測負(fù)荷量。

結(jié)果，如圖4的表中所示，示例3中的拔出負(fù)荷足夠大。

綜合評價

根據(jù)上述結(jié)果，示例3的綜合評價被確定為通過(o)。

隨后，將主要參照圖4描述本公開的第三實施例。應(yīng)注意到，與第一實施例和第二實施例中相同的構(gòu)件以相同的附圖標(biāo)記表示，且其詳細(xì)描述將不再重復(fù)。

本實施例的壓配端子10的基底結(jié)構(gòu)與第一實施例和第二實施例中的基底結(jié)構(gòu)相同。

電鍍基底層16(其為ni覆膜)形成在基材15的表面(包括在沖壓加工時形成的斷面)上。電鍍基底層16的厚度在1.5μm到2.0μm的范圍內(nèi)。

通過使用含有例如ni離子的電鍍液進(jìn)行電鍍而在基材15的表面上形成電鍍基底層16。這里，電鍍液不包括作為主增亮劑的鄰磺酰苯甲酰亞胺和作為次增亮劑的1,4-丁炔二醇。同時，優(yōu)選的是，在使電鍍基底層16形成于基材15中之前，在基材15的表面上進(jìn)行(諸如電解脫脂和水洗之類的)表面處理。

另外，在電鍍基底層16的表面上形成電鍍表面層(覆膜)17，該電鍍表面層由sn-ni合金構(gòu)成且具有等于或小于0.3μm的厚度。

電鍍表面層17例如通過與第二實施例中的步驟相同的步驟形成。

而且，電鍍基底層16(ni層)被設(shè)置于電鍍表面層17的內(nèi)側(cè)，該電鍍基底層16具有大于電鍍表面層17的厚度和高于sn的硬度。因此，壓配部11的表面硬度變高。具體而言，壓配部11的表面硬度等于或大于330hv。

因此，當(dāng)壓配端子10的壓配部11被壓配到電子電路板20的通孔21中時，電鍍表面層17(其為壓配部11的表面)被通孔21的表面刮削的可能性較小。因此，能夠?qū)号涠俗?0和電子電路板20可靠地彼此連接。

而且，本實施例的壓配端子10的電鍍表面層17(sn層)的厚度等于或小于0.3μm，因此，當(dāng)壓配端子10的壓配部11從通孔21中拔出時，電鍍表面層17坍塌的可能性較小。

因此，作為將壓配端子10的壓配部11從通孔21中拔出所需的負(fù)荷，拔出負(fù)荷變得更大。換言之，被壓配到通孔21中的壓配端子10從通孔21中意外脫出的可能性較小。

隨后，將在下文中描述本公開的示例4，其為第三實施例的示例。應(yīng)注意到，與示例1中相同的基材被用作示例4中的壓配端子的基材。

示例4

示例4中的壓配端子是通過使用與第二實施例中壓配端子10不同的制造方法制成。如圖4的表中所示，示例4中的壓配端子的電鍍基底層的厚度是2.0μm，電鍍表面層的厚度是0.2μm。此外，電鍍表面層中的ni含量是25wt％。這里，在形成電鍍基底層時使用的電鍍液不含有作為主增亮劑的鄰磺酰苯甲酰亞胺和作為次增亮劑的1,4-丁炔二醇。

隨后，將描述示例4的性能評價試驗結(jié)果。

刮削抑制試驗

通過與示例3中所用方式相同的方式來目視確定示例4中的壓配端子的鍍層中產(chǎn)生的刮削。結(jié)果，如圖4的表中所示，在示例4中未確定有刮削存在。

如下文將描述的，示例4中壓配端子的壓配部的表面硬度過高。由此，據(jù)估計示例4中的壓配部的電鍍表面層幾乎沒有被刮削。

表面硬度試驗

通過維氏硬度試驗測量示例4中的壓配端子的表面硬度。應(yīng)注意到，維氏硬度試驗是通過使用微型維氏硬度試驗機(jī)(由future-techcorp制造，產(chǎn)品名：fm-ars900)進(jìn)行的。

結(jié)果，如圖4的表中所示，能夠確定示例4中的壓配端子具有相對高的表面硬度(表面硬度等于或高于330hv)。即，能夠確定示例4中的壓配端子的表面硬度等于或大于比較例1和比較例2中的表面硬度的兩倍。

拔出負(fù)荷試驗

當(dāng)將示例4中的壓配端子的壓配部從通孔21中拔出時，以與示例3中所用方式相同的方式測量負(fù)荷。

結(jié)果，如圖4的表中所示，示例4中的拔出負(fù)荷被確定為相應(yīng)較高。

綜合評價

根據(jù)上述結(jié)果，示例4的綜合評價被確定為通過(o)。

隨后，將主要參照圖4描述本公開的第四實施例。應(yīng)注意到，與第一實施例至第三實施例中的相同構(gòu)件以相同的附圖標(biāo)記表示，且其詳細(xì)描述將不再重復(fù)。

本實施例的壓配端子10的基底結(jié)構(gòu)與第一實施例至第三實施例中的基底結(jié)構(gòu)相同。

電鍍基底層16是ni覆膜，其形成在基材15的表面(包括在沖壓加工時形成的斷面)上。電鍍基底層16的厚度在1.5μm到2.0μm的范圍內(nèi)。

電鍍基底層16例如通過與第二實施例中的步驟相同的步驟形成。即，電鍍基底層16通過使用含有例如ni離子的電鍍液進(jìn)行電鍍而形成在基材15的表面上。電鍍液含有作為主增亮劑的鄰磺酰苯甲酰亞胺和作為次增亮劑的1,4-丁炔二醇。

另外，在電鍍基底層16的表面上形成電鍍表面層(覆膜)17，該電鍍表面層由sn-ni合金構(gòu)成且具有等于或小于0.3μm的厚度。

電鍍表面層17例如通過與第二實施例和第三實施例中的步驟相同的步驟形成。

而且，電鍍基底層16(ni層)被設(shè)置在電鍍表面層17的內(nèi)側(cè)，該電鍍基底層16具有大于電鍍表面層17的厚度和高于sn的硬度。因此，壓配部11的表面硬度變高。具體而言，壓配部11的表面硬度等于或大于270hv。

因此，當(dāng)壓配端子10的壓配部11被壓配到電子電路板20的通孔21中時，電鍍表面層17(其為壓配部11的表面)被通孔21的表面刮削的可能性較小。因此，能夠?qū)号涠俗?0與電子電路板20可靠地彼此連接。

而且，本實施例的壓配端子10的電鍍表面層17(sn層)的厚度等于或小于0.4μm，因而當(dāng)壓配端子10的壓配部11被從通孔21中拔出時，電鍍表面層17坍塌的可能性較小。

因此，作為從通孔21中拔出壓配端子10的壓配部11所需的負(fù)荷，拔出負(fù)荷變得更大。換言之，被壓配到通孔21中的壓配端子10從通孔21中意外脫出的可能性較小。

隨后，將在下文中描述本公開的示例5，其為第四實施例的一個示例。應(yīng)注意到，與示例1中相同的基材被用作示例5中的壓配端子的基材。

示例5

示例5中的壓配端子是通過使用與第二實施例中壓配端子10相同的制造方法被制造。如圖4的表中所示，示例5中的壓配端子的電鍍表面層的厚度是0.4μm。此外，電鍍表面層中的ni含量是10wt％。

隨后，將描述示例5的性能評價試驗結(jié)果。

刮削抑制試驗

使用與示例3中所用方式相同的方式來目視確定示例5中的壓配端子的鍍層中產(chǎn)生的刮削。結(jié)果，如圖4的表中所示，在示例5中未確定有刮削存在。

如下文將描述的，示例5中的壓配端子的壓配部的表面硬度相應(yīng)較高。因此，據(jù)估計示例5中的壓配端子的壓配部幾乎未被刮削。

表面硬度試驗

示例5中的壓配端子的表面硬度是以與示例3中所用方式相同的方式通過維氏硬度試驗測量的。

結(jié)果，如圖4的表中所示，能夠確定示例5中的壓配端子具有相應(yīng)的高表面硬度(該表面硬度等于或高于270hv)。即，能夠確定示例5中的壓配端子所具有的表面硬度等于或大于比較例1和比較例2中表面硬度的兩倍。

拔出負(fù)荷試驗

當(dāng)將示例5中的壓配端子的壓配部從通孔21中拔出時，以與示例3中所用方式相同的方式測量負(fù)荷。

結(jié)果，如圖4的表中所示，示例5中的拔出負(fù)荷被確定為相應(yīng)較高。

綜合評價

根據(jù)上述結(jié)果，示例5的綜合評價被確定為通過(o)。

如上文所述，描述了本公開的各個實施例；然而，本公開并不局限于上述實施例。

例如，壓配端子10的基材的主要成分可由除cu之外的其它金屬構(gòu)成。

第一實施例的壓配端子10可以不設(shè)有電鍍基底層16。

優(yōu)選地，根據(jù)本公開的一個方案的壓配端子包括基材和通過用sn-ni合金對該基材的表面進(jìn)行電鍍而獲得的電鍍表面層。

在本公開的一個方面中，由sn-ni合金構(gòu)成的該電鍍表面層被形成在壓配端子的表面上。

ni均勻地散布在電鍍表面層中，并出現(xiàn)在電鍍表面層的最外部表面上。因此，能夠?qū)⒄麄€電鍍表面層的表面硬度設(shè)置得足夠高。

因此，能夠在壓配端子被壓配到電子電路板上的通孔中時，避免壓配端子的表面被刮削。

電鍍表面層中的ni含量可在10wt％到40wt％的范圍內(nèi)。

在電鍍表面層中的ni含量小于10wt％的情況下，整個電鍍表面層的表面硬度的程度是不足的。因此，在這種情況下，當(dāng)壓配端子被壓配到電子電路板上的通孔中時，壓配端子的表面可能被刮削。

而且，在電鍍表面層中的ni含量大于40wt％的情況下，相對于壓配端子的電子電路板的通孔的接觸電阻變得過大。

然而，當(dāng)電鍍表面層中的ni含量被設(shè)定為在10wt％到40wt％的范圍內(nèi)時，能夠減少上述缺陷的發(fā)生。

基材可由cu或cu合金制成，壓配端子還可包括電鍍基底層，該電鍍基底層為基材與電鍍表面層之間的ni覆膜，電鍍表面層的厚度可以等于或小于0.3μm，而電鍍基底層中的ni結(jié)晶的最大粒徑可等于或小于500納米。

應(yīng)注意到，在本說明書中，術(shù)語“ni覆膜”的含義不僅包括“僅含有ni的覆膜”，而且也包括“含有ni和除ni之外的其它成分的覆膜”。

借助這種構(gòu)造，能夠防止基材中的cu通過電鍍基底層(為ni覆膜)而被擴(kuò)散到電鍍表面層(sn)中。此外，由于電鍍基底層的硬度高且電鍍表面層變薄，所以壓配端子的表面硬度高。

電鍍基底層可含有作為增亮劑的鄰磺酰苯甲酰亞胺和1,4-丁炔二醇。

借助這種構(gòu)造，電鍍基底層在ni結(jié)晶被細(xì)化的狀態(tài)中形成。因此，能夠?qū)㈦婂兓讓又械膎i結(jié)晶的最大粒徑設(shè)定為等于或小于500nm(納米)。

在前述說明中描述了本發(fā)明的原理、優(yōu)選實施例和操作模式。然而，所要保護(hù)的本發(fā)明不應(yīng)被解釋為局限于所公開的特定實施例。而且，本文描述的實施例應(yīng)被認(rèn)為是說明性的而非限制性的。其他人也可以做出多種變型和改變，并且可采用多種等同物，這并不脫離本發(fā)明的精神。因此，應(yīng)明確指出的是，(本發(fā)明)由此涵蓋如權(quán)利要求書中所限定的落入本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的所有這類變型、改變和等同物。