1.一種形成背接觸太陽能電池發(fā)射極的方法，所述方法包括：
通過化學(xué)氣相沉積在基板上方形成第一導(dǎo)電類型的第一固態(tài)摻雜劑源，所述第一固態(tài)摻雜劑源包括通過間隙分開的多個(gè)區(qū)域；
通過印刷而在所述基板上方在所述第一固態(tài)摻雜劑源的所述多個(gè)區(qū)域的所述間隙中形成不與所述第一固態(tài)摻雜劑源的所述多個(gè)區(qū)域接觸的第二導(dǎo)電類型的第二固態(tài)摻雜劑源的區(qū)域，其中所述第一導(dǎo)電類型與所述第二導(dǎo)電類型相反；
在形成所述第一固態(tài)摻雜劑源之前，在所述基板上形成薄介質(zhì)層；以及
在所述薄介質(zhì)層上形成多晶硅層，其中所述第一固態(tài)摻雜劑源和所述第二固態(tài)摻雜劑源在所述多晶硅層上形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：
在所述第二固態(tài)摻雜劑源的所述區(qū)域與所述第一固態(tài)摻雜劑源的所述多個(gè)區(qū)域之間形成部分地處于所述基板中的溝槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括：
加熱所述基板以驅(qū)入所述第一固態(tài)摻雜劑源和所述第二固態(tài)摻雜劑源中的摻雜劑，其中所述加熱使所述第二固態(tài)摻雜劑源硬化。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，還包括：
在形成所述溝槽以及在所述加熱之后，對(duì)所述溝槽所暴露出的所述基板部分進(jìn)行紋理化，其中硬化的所述第二固態(tài)摻雜劑源在所述紋理化期間用作掩模。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：
加熱所述基板以將所述第一固態(tài)摻雜劑源和所述第二固態(tài)摻雜劑源中的摻雜劑驅(qū)入所述多晶硅層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述基板為塊體結(jié)晶硅基板。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二固態(tài)摻雜劑源包含旋涂玻璃前體材料或納米顆粒材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一導(dǎo)電類型為p型，所述第二導(dǎo)電類型為n型，并且所述第一固態(tài)摻雜劑源包含硼硅酸鹽玻璃(BSG)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一導(dǎo)電類型為n型，所述第二導(dǎo)電類型為p型，并且所述第一固態(tài)摻雜劑源包含磷硅酸鹽玻璃(PSG)。
10.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法制造的太陽能電池。
11.一種形成太陽能電池發(fā)射極的方法，所述方法包括：
通過印刷而在形成于基板上的薄介質(zhì)層上所形成的半導(dǎo)體層上方形成第一導(dǎo)電類型的第一固態(tài)摻雜劑源，所述第一固態(tài)摻雜劑源包括間隔開的多個(gè)區(qū)域；
通過化學(xué)氣相沉積在所述第一固態(tài)摻雜劑源的上方以及在所述第一固態(tài)摻雜劑源的所述間隔開的多個(gè)區(qū)域之間形成第二導(dǎo)電類型的第二固態(tài)摻雜劑源，其中所述第一導(dǎo)電類型與所述第二導(dǎo)電類型相反；
圖案化所述第二固態(tài)摻雜劑源以形成與所述第一固態(tài)摻雜劑源的所述間隔開的多個(gè)區(qū)域交替而不與所述第一固態(tài)摻雜劑源的所述間隔開的多個(gè)區(qū)域接觸的所述第二固態(tài)摻雜劑源的多個(gè)第一區(qū)域，以及在所述第一固態(tài)摻雜劑源的所述間隔開的多個(gè)區(qū)域上形成所述第二固態(tài)摻雜劑源的多個(gè)第二區(qū)域；以及
將所述第二固態(tài)摻雜劑源的所述多個(gè)第一區(qū)域中的和所述第一固態(tài)摻雜劑源中的摻雜劑驅(qū)入所述半導(dǎo)體層，而防止所述第二固態(tài)摻雜劑源的所述多個(gè)第二區(qū)域中的摻雜劑驅(qū)入所述半導(dǎo)體層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一固態(tài)摻雜劑源的所述間隔開的多個(gè)區(qū)域包括所述第一固態(tài)摻雜劑源的多個(gè)不連續(xù)區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括：
在所述第二固態(tài)摻雜劑源的所述多個(gè)第一區(qū)域與所述第一固態(tài)摻雜劑源的所述間隔開的多個(gè)區(qū)域之間形成處于所述半導(dǎo)體層中的并且部分地處于所述基板中的溝槽。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中驅(qū)入摻雜劑包括加熱所述基板，其中加熱使所述第一固態(tài)摻雜劑硬化。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括：
在形成所述溝槽以及在所述加熱之后，對(duì)所述溝槽所暴露出的所述基板部分進(jìn)行紋理化，其中硬化的所述第一固態(tài)摻雜劑源在所述紋理化期間用作掩模。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中印刷所述第一固態(tài)摻雜劑源包括印刷旋涂玻璃前體材料或納米顆粒材料。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一導(dǎo)電類型為n型，所述第二導(dǎo)電類型為p型，并且其中沉積所述第二固態(tài)摻雜劑源包括沉積硼硅酸鹽玻璃(BSG)材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一導(dǎo)電類型為p型，所述第二導(dǎo)電類型為n型，并且其中沉積所述第二固態(tài)摻雜劑源包括沉積磷硅酸鹽玻璃(PSG)材料。
19.一種根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法制造的太陽能電池。