1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
鰭結(jié)構(gòu)，用于鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)，所述鰭結(jié)構(gòu)包括突出于襯底的基層、設(shè)置在所述基層上方的中間層以及設(shè)置在所述中間層上方的上層；
第一保護(hù)層；以及
第二保護(hù)層，由與所述第一保護(hù)層的不同的材料制成，其中：
所述中間層包括設(shè)置在所述基層上方的第一半導(dǎo)體層，
所述第一保護(hù)層覆蓋了所述第一半導(dǎo)體層的至少側(cè)壁，以及
所述第二保護(hù)層覆蓋了所述第一保護(hù)層的至少側(cè)壁。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中：
所述中間層還包括設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層上方的第二半導(dǎo)體層，
所述上層是包括SiGe的溝道層，
所述第一保護(hù)層覆蓋了所述第二半導(dǎo)體層的至少側(cè)壁和所述上層的部分側(cè)壁。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述基層和所述中間層由相同的材料制成并且所述第一保護(hù)層覆蓋了所述基層的至少側(cè)壁和所述上層的部分側(cè)壁。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一保護(hù)層由氮化硅制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二保護(hù)層由氧化硅制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一保護(hù)層的高度和所述第二保護(hù)層的高度之間的差異介于0.1nm至2nm之間。
7.一種半導(dǎo)體器件，包括：
第一鰭結(jié)構(gòu)，用于第一鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)，所述第一鰭結(jié)構(gòu)包括：
第一基層，突出于襯底；
第一中間層和第一溝道層，所述第一中間層設(shè)置在所述第一基層上方并且所述的第一溝道層設(shè)置在所述第一中間層上方；
第一保護(hù)層；和
第二保護(hù)層，由與所述第一保護(hù)層的不同的材料制成；
第二鰭結(jié)構(gòu)，用于第二鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述第二鰭結(jié)構(gòu)包括：
第二基層，突出于所述襯底；
第二中間層和第二溝道層，所述第二中間層設(shè)置在所述第二基層上方并且所述第二溝道層設(shè)置在所述第二中間層上方；
第三保護(hù)層，和
第四保護(hù)層，由與所述第三保護(hù)層的不同的材料制成，其中：
所述第一溝道層由SiGe制成，
所述第一中間層包括設(shè)置在所述第一基層上方的第一半導(dǎo)體層和設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層上方的第二半導(dǎo)體層，
所述第一保護(hù)層覆蓋了所述第一基層的側(cè)壁、所述第一半導(dǎo)體層的側(cè)壁和所述第二半導(dǎo)體層的部分的側(cè)壁，
所述第二保護(hù)層覆蓋了所述第一保護(hù)層的至少側(cè)壁，
所述第三保護(hù)層覆蓋了所述第二基層的至少側(cè)壁、所述第二中間層的側(cè)壁和所述第二溝道層的側(cè)壁，以及
所述第四保護(hù)層覆蓋了所述第三保護(hù)層的至少側(cè)壁。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層由相同的材料制成。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二溝道層和所述第二中間層由相同的材料制成。
10.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：
形成鰭結(jié)構(gòu)，所述鰭結(jié)構(gòu)包括下層、設(shè)置在所述下層上方的中間層和設(shè)置在所述中間層上方的上層；
在所述鰭結(jié)構(gòu)的至少側(cè)壁上形成第一保護(hù)層；
在所述第一保護(hù)層的至少側(cè)壁上形成第二保護(hù)層以覆蓋所述第一保護(hù)層的所述側(cè)壁，所述第二保護(hù)層由與所述第一保護(hù)層的不同的材料制成；
去除所述第二保護(hù)層的上部從而剩余所述第二保護(hù)層的下部并且暴露所述第一保護(hù)層的上部；
去除所述第一保護(hù)層的暴露的上部的部分從而剩余由所述第二保護(hù)層的剩余的下部覆蓋的所述第一保護(hù)層的下部；以及
形成隔離絕緣層，從而使得具有所述第二保護(hù)層和所述第一保護(hù)層的所述鰭結(jié)構(gòu)嵌入在所述隔離絕緣層內(nèi)。