技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及電路領(lǐng)域，公開了一種半導(dǎo)體裝置及制造方法，該裝置包括：層疊設(shè)置的電路器件及散熱片，以及位于電路器件及散熱片之間的熱界面材料層；其中，電路器件側(cè)壁上環(huán)繞設(shè)置有封裝層；熱界面材料層的第一面與電路器件及封裝層熱耦合，第二面與散熱片熱耦合。在上述方案中，采用封裝層及電路器件均與熱界面材料層熱耦合，增大了電路器件與熱界面材料層的接觸面積，同時(shí)，電路器件側(cè)壁上產(chǎn)生的熱量可以通過封裝層傳遞到熱界面材料層上，再傳遞到散熱片上，進(jìn)而提高半導(dǎo)體裝置的散熱效果。通過在電路器件的外側(cè)環(huán)繞的一層封裝層，來增大熱界面材料層的鋪設(shè)面積，增大了熱界面材料層接觸面的面積，降低了界面應(yīng)力，并相應(yīng)的提升了組件信賴性。

技術(shù)研發(fā)人員：林志榮;黃文浚
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華為技術(shù)有限公司
文檔號碼：201610799678
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.31
技術(shù)公布日：2017.01.25