技術(shù)總結(jié)
一種改善恢復時間和軟度的快恢復二極管涉及半導體器件領(lǐng)域，該二極管減少發(fā)射區(qū)面積，即減少少數(shù)載流子注入的PN結(jié)的面積。在所述二極管的發(fā)射區(qū)等間距制作凹槽，所述凹槽的深度大于發(fā)射區(qū)的深度；在所述凹槽內(nèi)制作絕緣層，使耐壓漂移區(qū)與金屬電極隔離。在通過選擇性摻雜擴散形成的發(fā)射區(qū)之間制作絕緣層，使耐壓漂移區(qū)與金屬電極隔離。減少發(fā)射區(qū)面積，可以減少注入到耐壓漂移區(qū)的少數(shù)載流子數(shù)量，調(diào)整漂移區(qū)的少數(shù)載流子注入水平。使注入到漂移區(qū)的少數(shù)載流子出現(xiàn)疏密相間的分布結(jié)果，可以改善快恢復二極管的溫度穩(wěn)定性。加快了PN結(jié)上電容的放電速度，減少了PN結(jié)區(qū)的恢復時間，減緩了漂移區(qū)的少數(shù)載流子消失的速度，改善了二極管恢復軟度。

技術(shù)研發(fā)人員：左義忠;薛云峰;孫俊波;于博偉
受保護的技術(shù)使用者：吉林華微電子股份有限公司
文檔號碼：201610797308
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.31
技術(shù)公布日：2016.12.07