1.一種基于LTPS的COMS器件，包括NMOS型LTPS，其中，
在NMOS型LTPS的溝道內(nèi)設置有用以降低電子在溝道內(nèi)流通速度的PN結(jié)，以避免熱電子效應。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，在NMOS型LTPS的溝道兩端設置有P型重摻雜區(qū)，用以在P型重摻雜區(qū)和NMOS型LTPS的溝道之間形成PN結(jié)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，在NMOS型LTPS的溝道內(nèi)部設置有一P型重摻雜區(qū)，用以在P型重摻雜區(qū)和NMOS型LTPS的溝道之間形成PN結(jié)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其特征在于，所述P型重摻雜區(qū)位于NMOS型LTPS的溝道的中間。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，其特征在于，所述NMOS型LTPS還包括：
緩沖層，設置于NMOS型LTPS的溝道所在的溝道層下；
柵絕緣層，設置于NMOS型LTPS的溝道所在的溝道層和裸露的緩沖層上；
柵極層，設置于柵絕緣層上；
介質(zhì)層，設置于柵極層及裸露的柵絕緣層上；
源漏極，設置于介質(zhì)層上并與NMOS型LTPS的溝道兩端連通。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其特征在于，所述NMOS型LTPS還包括：
緩沖層，設置于NMOS型LTPS的溝道所在的溝道層下；
柵絕緣層，設置于NMOS型LTPS的溝道所在的溝道層和裸露的緩沖層上；
柵極層，設置于柵絕緣層上；
介質(zhì)層，設置于柵極層及裸露的柵絕緣層上；
源漏極，設置于介質(zhì)層上并與NMOS型LTPS的溝道兩端連通。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件還包括一PMOS型LTPS，其中，所述PMOS型LTPS包括：
緩沖層，設置于基板上；
溝道層，設置于緩沖層上；
柵絕緣層，設置于PMOS型LTPS的溝道層和裸露的緩沖層上；
柵極層，設置于柵絕緣層上；
介質(zhì)層，設置于柵極層及裸露的柵絕緣層上；
源漏極，設置于介質(zhì)層上并與PMOS型LTPS的溝道兩端連通。
8.一種用于制作基于LTPS的COMS器件的方法，包括：
在基板上形成緩沖層；
在緩沖層上對應PMOS區(qū)域和NMOS區(qū)域均形成PMOS型LTPS溝道層；
對NMOS區(qū)域的PMOS型LTPS溝道層的溝道進行N型輕摻雜處理以形成NMOS型LTPS溝道層；
對NMOS區(qū)域的LTPS溝道兩端和PMOS區(qū)域的LTPS溝道兩端進行P型重摻雜處理；
在NMOS型LTPS溝道層、PMOS型LTPS溝道層和裸露的緩沖層上形成柵絕緣層；
在柵絕緣層上形成柵極層；
在柵極層及裸露的柵絕緣層上形成介質(zhì)層；
在介質(zhì)層上形成源漏極。
9.一種用于制作基于LTPS的COMS器件的方法，包括：
在基板上形成緩沖層；
在緩沖層上對應PMOS區(qū)域和NMOS區(qū)域均形成PMOS型LTPS溝道層；
對NMOS區(qū)域的PMOS型LTPS溝道層的溝道中間區(qū)域進行P型重摻雜處理；
對NMOS區(qū)域的LTPS溝道層的溝道進行N型輕摻雜處理以形成NMOS型LTPS溝道層；
對NMOS型LTPS溝道層的溝道兩端進行N型重摻雜處理；
對PMOS區(qū)域的LTPS溝道層的溝道兩端進行P型重摻雜處理；
在NMOS型LTPS溝道層、PMOS型LTPS溝道層和裸露的緩沖層上形成柵絕緣層；
在柵絕緣層上形成柵極層；
在柵極層及裸露的柵絕緣層上形成介質(zhì)層；
在介質(zhì)層上形成源漏極。
10.一種用于制作基于LTPS的COMS器件的方法，包括：
在基板上形成緩沖層；
在緩沖層上對應PMOS區(qū)域和NMOS區(qū)域均形成PMOS型LTPS溝道層；
對NMOS區(qū)域的PMOS型LTPS溝道層的溝道中間區(qū)域進行P型重摻雜處理；
對NMOS區(qū)域的LTPS溝道層的溝道進行N型輕摻雜處理以形成NMOS型LTPS溝道層；
對PMOS區(qū)域的LTPS溝道層的溝道兩端進行P型重摻雜處理；
對NMOS區(qū)域的LTPS溝道層的溝道兩端進行N型重摻雜處理；
在NMOS型LTPS溝道層、PMOS型LTPS溝道層和裸露的緩沖層上形成柵絕緣層；
在柵絕緣層上形成柵極層；
在柵極層及裸露的柵絕緣層上形成介質(zhì)層；
在介質(zhì)層上形成源漏極。