技術(shù)總結(jié)
一種帶屏蔽電極的功率MOSFET元胞及其加工工藝。涉及半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域，尤其涉及一種功率MOSFET元胞及其加工工藝。提供了一種工藝簡單、成本低、控制難度小，與現(xiàn)有MOSFET元胞結(jié)構(gòu)相比，能耗更低且性能穩(wěn)定的一種帶屏蔽電極的功率MOSFET元胞及其加工工藝。所述外延層的第一主面上設(shè)有P型區(qū)域和N型區(qū)域，所述外延層的第二主面設(shè)有襯底，所述襯底上設(shè)有漏極金屬層；所述外延層的第一主面設(shè)有柵極多晶硅層，所述柵極多晶硅層與所述外延層之間設(shè)有柵極氧化層；所述源極多晶硅與所述溝槽的側(cè)壁之間設(shè)有氧化硅層。本發(fā)明提升芯片抗過壓和抗過流的能力，從而提升芯片的使用壽命。

技術(shù)研發(fā)人員：周祥瑞;冷德武;王毅
受保護(hù)的技術(shù)使用者：揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司
文檔號(hào)碼：201610780061
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.30
技術(shù)公布日：2016.11.23