1.用于植物照明的發(fā)光二極管外延片，從下到上依次包括：生長(zhǎng)襯底、第一紅光發(fā)光外延疊層、DBR半導(dǎo)體疊層及第二紅光發(fā)光外延疊層，其中第一紅光發(fā)光外延疊層包含第一N型歐姆接觸層、第一N型覆蓋層、第一發(fā)光層、第一P型覆蓋層及第一P型歐姆接觸層，所述第二紅光發(fā)光外延疊層包含第二N型歐姆接觸層、第二N型覆蓋層、第二發(fā)光層、第二P型覆蓋層及第二P型歐姆接觸層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于植物照明的發(fā)光二極管外延片，其特征在于：所述DBR半導(dǎo)體疊層的摻雜溶度不大于5E17，形成一高阻值界面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于植物照明的發(fā)光二極管外延片，其特征在于：所述第一發(fā)光層的發(fā)光波長(zhǎng)為710nm~750nm，所述第二發(fā)光層的發(fā)光波長(zhǎng)為640~680nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于植物照明的發(fā)光二極管外延片，其特征在于：所述DBR半導(dǎo)體疊層與第二紅光發(fā)光外延疊層之間還設(shè)有一蝕刻截止層。
5.用于植物照明的發(fā)光二極管芯片，從上至下包括：第一紅光發(fā)光外延疊層、DBR半導(dǎo)體疊層、第二紅光發(fā)光外延疊層及導(dǎo)電基板；所述第一紅光發(fā)光外延疊層包含第一N型歐姆接觸層、第一N型覆蓋層、第一發(fā)光層、第一P型覆蓋層及第一P型歐姆接觸層；所述第二紅光發(fā)光外延疊層包含第二N型歐姆接觸層、第二N型覆蓋層、第二發(fā)光層、第二P型覆蓋層及第二P型歐姆接觸層；所述第二紅光發(fā)光外延疊層所述第一紅光發(fā)光外延疊層的發(fā)光面積小于所述第二紅光發(fā)光外延疊層的發(fā)光面積；所述第一N型歐姆接觸層上設(shè)有第一電極，所述第一P型歐姆接觸層與所述第二N型歐姆接觸層之間設(shè)有電連接結(jié)構(gòu)，第二P型歐姆接觸層上設(shè)有第二電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于植物照明的發(fā)光二極管芯片，其特征在于：所述第一發(fā)光層的發(fā)光波長(zhǎng)為710nm~750nm，所述第二發(fā)光層的發(fā)光波長(zhǎng)為640~680nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于植物照明的發(fā)光二極管芯片，其特征在于：所述DBR半導(dǎo)體疊層與第二紅光發(fā)光外延疊層之間還設(shè)有一蝕刻截止層。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于植物照明的發(fā)光二極管芯片，其特征在于：所述DBR半導(dǎo)體疊層的摻雜溶度不大于5E17，形成一高阻值界面。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于植物照明的發(fā)光二極管芯片，其特征在于：所述第二紅光發(fā)光外延疊層的表面預(yù)設(shè)為發(fā)光區(qū)和非發(fā)光區(qū)，所述DBR半導(dǎo)體疊層形成于所述第二紅光發(fā)光外延疊層的非發(fā)光區(qū)之上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于植物照明的發(fā)光二極管芯片，其特征在于：所述DBR半導(dǎo)體疊層的面積小于所述第二紅光發(fā)光外延疊層的發(fā)光面積，但大于所述第一紅光發(fā)光外延疊層的發(fā)光面積。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于植物照明的發(fā)光二極管芯片，其特征在于：所述第二N型歐姆接觸層表面上的發(fā)光區(qū)設(shè)有電流擴(kuò)展結(jié)構(gòu)。
12.用于植物照明的發(fā)光二極管芯片的制作方法，包括步驟：
1）外延生長(zhǎng)：提供一生長(zhǎng)襯底，在其表面上形成權(quán)利要求1至5所述的任意一種外延片；
2）襯底轉(zhuǎn)移：在前述形成的外延片表面上粘結(jié)導(dǎo)電基板，并去除生長(zhǎng)襯底，裸露出所述外延片的第一N型歐姆接觸層表面；
3）定義發(fā)光區(qū)：在所述外延片的表面上定義第一發(fā)光區(qū)和第二發(fā)光區(qū)，去除第二發(fā)光區(qū)的第一N型歐姆接觸層、第一N型覆蓋層、第一發(fā)光層、第一P型覆蓋層，裸露出所述第一P型歐姆接觸層；
4）制作電極：去除所述第二發(fā)光區(qū)的DBR半導(dǎo)體疊層，裸露出第二N型歐姆接觸層的表面，在所述第一N型歐姆接觸層的表面上制作N型電極，并制作電連接結(jié)構(gòu)，電性連接所述第一P型歐姆接觸層和第二N型歐姆接觸層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的用于植物照明的發(fā)光二極管芯片的制作方法，其特征在于：所述步驟3）中，所述外延片的表面還定義有隔離區(qū)，其位于所述第一發(fā)光區(qū)和第二發(fā)光區(qū)之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的用于植物照明的發(fā)光二極管芯片的制作方法，其特征在于：所述步驟3）中，去除第二發(fā)光區(qū)和隔離區(qū)的第一N型歐姆接觸層、第一N型覆蓋層、第一發(fā)光層、第一P型覆蓋層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的用于植物照明的發(fā)光二極管芯片的制作方法，其特征在于：完成所述步驟4）后，所述DBR層的面積大于所述第一發(fā)光區(qū)的面積，但小于所述第二發(fā)光區(qū)的面積。