1.一種柔性射頻應(yīng)變可調(diào)無源帶阻濾波器，包括襯底(1)和設(shè)置在襯底(1)上面的絕緣層(2)，其特征在于，所述的襯底(1)上且位于所述絕緣層(2)內(nèi)分別設(shè)置有第一螺旋電感的中心電極(3a)、第一MIM電容的的底層金屬(3b)、第二螺旋電感的中心電極(3c)以及第二MIM電容的底層金屬(3d)，其中，所述第一MIM電容的的底層金屬(3b)上且位于所述絕緣層(2)內(nèi)由下至上內(nèi)依次設(shè)置有第一MIM電容的介質(zhì)層(4a)和第一MIM電容的上極板(5a)，所述第二MIM電容的底層金屬(3d)上且位于所述絕緣層(2)內(nèi)由下至上內(nèi)依次設(shè)置有第二MIM電容的介質(zhì)層(4b)和第二MIM電容的上極板(5b)，所述第一螺旋電感的中心電極(3a)通過第一通孔(61)連接位于所述絕緣層(2)上端面上的第一螺旋電感的輸入端(7)，所述第一MIM電容的底層金屬(3b)通過第二通孔(62)連接位于所述絕緣層(2)上端面上的第一MIM電容的輸入端(9)，所述第一MIM電容的上極板(5a)通過第三通孔(63)連接位于所述絕緣層(2)上端面上的第一MIM電容的輸出端(10)，所述第二螺旋電感的中心電極(3c)通過第四通孔(64)連接位于所述絕緣層(2)上端面上的第二螺旋電感的輸入端(11)，第二MIM電容的底層金屬(3d)通過第五通孔(65)連接位于所述絕緣層(2)上端面上的第二MIM電容的輸入端(13)，第二MIM電容的上極板(5b)通過第六通孔(66)連接位于所述絕緣層(2)上端面上的第二MIM電容的輸出端(14)，在所述絕緣層(2)的上端面還設(shè)置有柔性射頻應(yīng)變可調(diào)無源帶阻濾波器的輸入端(15)、柔性射頻應(yīng)變可調(diào)無源帶阻濾波器的輸出端(16)、地端(17)、第一螺旋電感的輸出端(8)和第二螺旋電感的輸出端(12)，所述第一螺旋電感的輸入端(7)通過金屬互連線(18)分別連接所述柔性射頻應(yīng)變可調(diào)無源帶阻濾波器的輸入端(15)和第一MIM電容的輸入端(9)，所述第一MIM電容的輸出端(10)通過金屬互連線(18)分別連接所述第一螺旋電感的輸出端(8)和第二MIM電容的輸出端(14)，所述第二MIM電容的輸出端(14)還通過金屬互連線(18)連接柔性射頻應(yīng)變可調(diào)無源帶阻濾波器的輸出端(16)，所述第二螺旋電感的輸入端(11)通過金屬互連線(18)連接第二MIM電容的輸入端(13)，所述第二螺旋電感的輸出端(12)通過金屬互連線(18)連接地端(17)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性射頻應(yīng)變可調(diào)無源帶阻濾波器，其特征在于，所述的第一螺旋電感的中心電極(3a)、第一MIM電容的的底層金屬(3b)、第二螺旋電感的中心電極(3c)以及第二MIM電容的底層金屬(3d)構(gòu)成底層金屬層(M1)；所述的第一MIM電容的上極板(5a)和第二MIM電容的上極板(5b)構(gòu)成上層金屬層(M2)；所述柔性射頻應(yīng)變可調(diào)無源帶阻濾波器的輸入端(15)、第一螺旋電感的輸入端(7)、第一MIM電容的輸入端(9)、第一MIM電容的輸出端(10)、第一螺旋電感的輸出端(8)、第二螺旋電感的輸入端(11)、第二MIM電容的輸入端(13)、第二MIM電容的輸出端(14)、柔性射頻應(yīng)變可調(diào)無源帶阻濾波器的輸出端(16)、第二螺旋電感的輸出端(12)、地端(17)、金屬互連線(18)、第一螺旋電感的螺旋主體部分和第二螺旋電感的螺旋主體部分構(gòu)成頂層金屬層(M3)。
3.一種權(quán)利要求1所述的柔性射頻應(yīng)變可調(diào)無源帶阻濾波器的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：
1)襯底準(zhǔn)備：選用PET作為襯底，用氫氟酸和等離子水清洗；
2)用底層金屬層(M1)的掩模板進行光刻，并采用真空電子束依次采蒸發(fā)淀積30nm厚度的Ti和400nm厚度的Au形成底層金屬層(M1)，作為第一MIM電容的底層金屬(3b)、第二MIM電容的底層金屬(3d)、第一螺旋電感的中心電極(3a)和第二螺旋電感的中心電極(3c)，然后用丙酮溶液和超聲發(fā)生器剝離底層金屬層(M1)；
3)分別在第一MIM電容的底層金屬(3b)和第二MIM電容的底層金屬(3d)上淀積SiO層：光刻并采用真空電子束蒸發(fā)淀積形成200nm厚度的SiO介質(zhì)層，作為第一MIM電容的介質(zhì)層(4a)和第二MIM電容的介質(zhì)層(4b)；
4)光刻并采用真空電子束依次蒸發(fā)淀積30nm厚度的Ti和400nm厚度的Au形成上層金屬(M2)，作為第一MIM電容的上極板(5a)和第二MIM電容的上極板(5b)，然后用丙酮溶液和超聲發(fā)生器將SiO介質(zhì)層和上層金屬(M2)一起進行剝離；
5)均勻地旋涂一層1.0um厚度的SU_8光刻膠構(gòu)成SU_8的絕緣層(2)，將絕緣層(2)并進行光刻形成通孔，然后對SU_8的絕緣層(2)進行堅膜；
6)在絕緣層(2)的上端面分別形成柔性射頻應(yīng)變可調(diào)無源帶阻濾波器的輸入端(15)、第一螺旋電感的輸入端(7)、第一MIM電容的輸入端(9)、第一MIM電容的輸出端(10)、第一螺旋電感的輸出端(8)、第二螺旋電感的輸入端(11)、第二MIM電容的輸入端(13)、第二MIM電容的輸出端(14)、柔性射頻應(yīng)變可調(diào)無源帶阻濾波器的輸出端(16)、第二螺旋電感的輸出端(12)、地端(17)、金屬互連線(18)、第一螺旋電感的螺旋主體部分和第二螺旋電感的螺旋主體部分構(gòu)成頂層金屬層(M3)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的柔性射頻應(yīng)變可調(diào)無源帶阻濾波器的制造方法，其特征在于，步驟5)所述的通孔包括：連接第一螺旋電感的中心電極(3a)的第一通孔(61)、連接第一MIM電容的底層金屬(3b)的第二通孔(62)、連接第一MIM電容的上極板(5a)的第三通孔(63)、第二螺旋電感的中心電極(3c)的第四通孔(64)、連接第二MIM電容的底層金屬(3d)的第五通孔(65)和連接第二MIM電容的上極板(5b)的第六通孔(66)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的柔性射頻應(yīng)變可調(diào)無源帶阻濾波器的制造方法，其特征在于，步驟6)包括：在絕緣層(2)的上端面均勻地旋涂一層光刻膠并進行光刻，然后采用真空電子束依次采蒸發(fā)淀積30nm厚度的Ti和1.5um厚度的Au構(gòu)成頂層金屬層(M3)，分別作為柔性射頻應(yīng)變可調(diào)無源帶阻濾波器的輸入端(15)、第一螺旋電感的輸入端(7)、第一MIM電容的輸入端(9)、第一MIM電容的輸出端(10)、第一螺旋電感的輸出端(8)、第二螺旋電感的輸入端(11)、第二MIM電容的輸入端(13)、第二MIM電容的輸出端(14)、柔性射頻應(yīng)變可調(diào)無源帶阻濾波器的輸出端(16)、第二螺旋電感的輸出端(12)、地端(17)、金屬互連線(18)、第一螺旋電感的螺旋主體部分和第二螺旋電感的螺旋主體部分，用丙酮和超聲發(fā)生器進行對金屬層M3進行剝離，進而形成柔性射頻應(yīng)變可調(diào)無源帶阻濾波器。