本發(fā)明涉及光探測(cè)器件領(lǐng)域，具體涉及一種具有注塑殼體、發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片和探測(cè)輻射的半導(dǎo)體芯片的光探測(cè)器件的制造方法。

背景技術(shù)：

已知的是，設(shè)計(jì)一種具有發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片和探測(cè)輻射的半導(dǎo)體芯片的器件。然而，所述裝置通常具有設(shè)置在隔開的殼體中并且彼此隔開地設(shè)置在例如電路板上的半導(dǎo)體芯片。然而發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片的信號(hào)會(huì)影響探測(cè)輻射的半導(dǎo)體芯片，導(dǎo)致探測(cè)結(jié)果的偏差或失效，并且一般的，發(fā)射輻射的信號(hào)較強(qiáng)，而反饋回來的探測(cè)輻射的信號(hào)較弱，不易捕捉。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于解決上述封裝中的問題，本發(fā)明提供了光探測(cè)器件的制造方法，其特征在于，其包括以下步驟：

（1）提供一臨時(shí)載板，并在所述臨時(shí)載板上布置多個(gè)導(dǎo)電載片以及多個(gè)電極片，然后進(jìn)行塑封材料塑封形成一基板，最后去除臨時(shí)載板；

（2）使用注塑材料在所述基板上注塑形成注塑殼體，其中在所述注塑殼體中構(gòu)成第一腔和第二腔，所述第一腔為由內(nèi)壁和底壁圍成的圓臺(tái)形腔，所述圓臺(tái)形腔的截面為正立等腰梯形，所述第二腔為由外壁、內(nèi)壁和底壁圍成的環(huán)繞第一腔的環(huán)形腔，所述環(huán)形腔的截面為倒置等腰梯形；

（3）在所述內(nèi)壁的內(nèi)側(cè)和外側(cè)以及所述外壁的內(nèi)側(cè)均涂覆反射層，所述反射層材料為鋁；

（4）將一個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片和多個(gè)探測(cè)輻射的半導(dǎo)體芯片分別固定于相應(yīng)的所述多個(gè)導(dǎo)電載片上，所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片具有適合于產(chǎn)生輻射的有源層并且所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片設(shè)置在所述第一腔中，所述多個(gè)探測(cè)輻射的半導(dǎo)體芯片具有適合于探測(cè)輻射的有源層并且所述多個(gè)探測(cè)輻射的半導(dǎo)體芯片設(shè)置在所述第二腔中，并且所述多個(gè)探測(cè)輻射的半導(dǎo)體芯片均勻環(huán)繞布置在所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，還包括利用填充料填充所述第一腔和第二腔。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述填充料包括環(huán)氧樹脂材料。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，填充所述第二腔的填充料中嵌入吸收顆粒，所述吸收顆粒適合于至少部分地吸收由所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片發(fā)射的輻射。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片和多個(gè)探測(cè)輻射的半導(dǎo)體芯片分別通過導(dǎo)線與相應(yīng)的所述多個(gè)電極片電連接。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片和多個(gè)探測(cè)輻射的半導(dǎo)體芯片通過導(dǎo)電膠固定于相應(yīng)的所述多個(gè)導(dǎo)電載片上。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述基板露出所述多個(gè)導(dǎo)電載片和多個(gè)電極片。

本發(fā)明的技術(shù)方案，采用反射層進(jìn)行隔離所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片和多個(gè)探測(cè)輻射的半導(dǎo)體芯片，保證發(fā)射和探測(cè)的獨(dú)立性，防止其相互干擾，提高探測(cè)的準(zhǔn)確度，并且，利用圓臺(tái)形的第一腔進(jìn)行發(fā)射輻射信號(hào)，保證發(fā)射準(zhǔn)直度，而利用截面為倒立等腰梯形的環(huán)形腔進(jìn)行探測(cè)輻射的容置腔，可以保證最大化的接收反饋信號(hào)。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的光探測(cè)器件的剖面圖；

圖2為本發(fā)明的光探測(cè)器件的俯視圖；

圖3-7為本發(fā)明的光探測(cè)器件的制造方法的過程示意圖。

具體實(shí)施方式

參見圖1及2，本發(fā)明提供了一種光探測(cè)器件，具有注塑殼體、一個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片2和多個(gè)探測(cè)輻射的半導(dǎo)體芯片3，圖2中示出了4個(gè)半導(dǎo)體芯片3，還可以是6個(gè)或8個(gè)等，其中在所述注塑殼體中構(gòu)成第一腔4和第二腔5，所述第一腔4為由內(nèi)壁和底壁圍成的圓臺(tái)形腔，所述圓臺(tái)形腔的截面為正立等腰梯形，所述第二腔5為由外壁、內(nèi)壁和底壁圍成的環(huán)繞第一腔的環(huán)形腔，所述環(huán)形腔的截面為倒置等腰梯形；所述底壁上包括用于搭載所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片2和多個(gè)探測(cè)輻射的半導(dǎo)體芯片3的多個(gè)導(dǎo)電載片1、多個(gè)電極片10以及塑封材料7。所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片2為光發(fā)射芯片，而所述多個(gè)探測(cè)輻射的半導(dǎo)體芯片3是光接收光感測(cè)芯片。

所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片2具有適合于產(chǎn)生輻射的有源層并且所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片2通過搭載電連接于第一腔4內(nèi)的導(dǎo)電載片1設(shè)置在所述第一腔4中，所述多個(gè)探測(cè)輻射的半導(dǎo)體芯片3具有適合于探測(cè)輻射的有源層并且所述多個(gè)探測(cè)輻射的半導(dǎo)體芯片3通過搭載并電連接于第二腔內(nèi)的導(dǎo)電載片1設(shè)置在所述第二腔5中，并且所述多個(gè)探測(cè)輻射的半導(dǎo)體芯片3均勻環(huán)繞布置在所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片2。所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片2和多個(gè)探測(cè)輻射的半導(dǎo)體芯片3分別通過導(dǎo)線9與相應(yīng)的所述多個(gè)電極片10電連接，導(dǎo)線9焊接處具有焊墊8。

在所述第一腔4的內(nèi)壁的內(nèi)側(cè)和外側(cè)涂覆的反射層，以及第二腔5的外壁內(nèi)側(cè)涂覆的反射層，其材質(zhì)最好是鋁，一方面，其可以防止發(fā)射的輻射干擾周圍的多個(gè)探測(cè)輻射的半導(dǎo)體芯片3，以防止探測(cè)結(jié)果的不準(zhǔn)確，另一方面，可以保證發(fā)射的輻射的準(zhǔn)直性，防止其輻射的發(fā)散。

進(jìn)一步的，所述第一腔4和第二腔5內(nèi)都填充有環(huán)氧樹脂材料以密封芯片，為了保證多個(gè)探測(cè)輻射的半導(dǎo)體芯片3的探測(cè)準(zhǔn)確性，在所述第二腔的所述環(huán)氧樹脂材料嵌入吸收顆粒，所述吸收顆粒適合于至少部分地吸收由所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片2發(fā)射的輻射。本發(fā)明提供了一種光探測(cè)器件的制造方法，其包括以下步驟：

（1）參見圖3，提供一臨時(shí)載板（未圖示），所述臨時(shí)基板可以是陶瓷板或玻璃板，并在所述臨時(shí)載板上布置多個(gè)導(dǎo)電載片1以及多個(gè)電極片10，然后用塑封材料7進(jìn)行固定，再拋光打磨，直至露出多個(gè)導(dǎo)電載片1以及多個(gè)電極片10；所述多個(gè)導(dǎo)電載片1與多個(gè)電極片10一一對(duì)應(yīng)，并以其中一對(duì)為中心，呈現(xiàn)中心和軸對(duì)稱圖形，與芯片的排布形狀一致；最后去除臨時(shí)載板；

（2）參見圖4，使用注塑材料注塑形成注塑殼體，所述注塑材料可以是硬塑料或者環(huán)氧樹脂等，其中在所述注塑殼體中構(gòu)成第一腔4和第二腔5，所述第一腔4為由內(nèi)壁和底壁圍成的圓臺(tái)形腔，所述圓臺(tái)形腔的截面為正立等腰梯形，所述第二腔5為由外壁、內(nèi)壁和底壁圍成的環(huán)繞第一腔4的環(huán)形腔，所述環(huán)形腔的截面為倒置等腰梯形；

（3）參見圖5，在所述第一腔4的內(nèi)壁的內(nèi)側(cè)和外側(cè)涂覆反射層6，以及第二腔5的外壁內(nèi)側(cè)涂覆的反射層，所述反射層6材料為鋁；

（4）參見圖6，將一個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片2和多個(gè)探測(cè)輻射的半導(dǎo)體芯片3分別固定于相應(yīng)的所述多個(gè)導(dǎo)電載片1上，所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片2具有適合于產(chǎn)生輻射的有源層并且所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片2設(shè)置在所述第一腔4中，所述多個(gè)探測(cè)輻射的半導(dǎo)體芯片3具有適合于探測(cè)輻射的有源層并且所述多個(gè)探測(cè)輻射的半導(dǎo)體芯片3設(shè)置在所述第二腔5中，并且所述多個(gè)探測(cè)輻射的半導(dǎo)體芯片3均勻環(huán)繞布置在所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片；

（5）參見圖7，將所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片2和多個(gè)探測(cè)輻射的半導(dǎo)體芯片3分別通過導(dǎo)線9與相應(yīng)的所述多個(gè)電極片10電連接，所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片2和多個(gè)探測(cè)輻射的半導(dǎo)體芯片3通過導(dǎo)電膠固定于相應(yīng)的所述多個(gè)導(dǎo)電載片1上。

最后，利用填充料填充所述第一腔4和第二腔5，所述填充料包括環(huán)氧樹脂材料；形成最終的光探測(cè)器件；其中，填充所述第二腔5的填充料中嵌入吸收顆粒，所述吸收顆粒適合于至少部分地吸收由所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片2發(fā)射的輻射。

最后應(yīng)說明的是：顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明本發(fā)明所作的舉例，而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無需也無法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引申出的顯而易見的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明的保護(hù)范圍之中。